TD250N16KOFAHPSA1 [INFINEON]

Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5;


型号：	TD250N16KOFAHPSA1
厂家：	Infineon
描述：	Silicon Controlled Rectifier, 410A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

Key Parameters

1200 – 1800 V

V_DRM/ V_RRM

I_TAVM

250 A (T_C=85 °C)

8000 A

I_TSM

0,8 V

V_T0

0,7 mΩ

r_T

0,124 K/W

50 mm

R_thJC

Base plate

Weight

800 g

For type designation please refer to actual

short form catalog

http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale

Features



Druckkontakt-Technologie für hohe

Zuverlässigkeit



Pressure contact technology for high reliability



Industrie-Standard-Gehäuse

Elektrisch isolierte Bodenplatte



Industrial standard package

Electrically insulated base plate

Optional: Thermisches Interface Material (TIM)

bereits aufgetragen

Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)

Typische Anwendungen

Typical Applications



Sanftanlasser



Soft starter

Gleichrichter für Antriebsapplikationen

Kurzschließer-Applikationen

Leistungssteller

Rectifier for drives applications

Crowbar applications

Power controllers

Rectifiers for UBS

Battery chargers

Gleichrichter für UPS

Batterieladegleichrichter

Statische Umschalter

Static switches

content of customer DMX code

DMX code

digit

DMX code

digit quantity

serial number

SAP material number

Internal production order number

datecode (production year)

datecode (production week)

1..5

6..12

13..20

21..22

23..24

www.ifbip.com

support@infineon-bip.com

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Date of Publication 2016-11-25

Revision: 3.4

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

TD250N

DT250N

TT250N16KOF_TIM

TD250N16KOF_TIM

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1600

1400 V

1800 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

V_DRM,V_RRM

1200

1600

1400 V

1800 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

V_RSM

I_TRMSM

I_TAVM

I_TSM

1300

1700

1500 V

1900 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

410 A

250 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85°C

T_C= 82°C

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

8000 A

7000

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25°C, t_P= 10ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10ms

I²t

320000 A²s

245000

A²s

Kritische Stromsteilheit

DIN IEC 747-6

(di_T/dt)_cr

150 A/µs

critical rate of rise of on-state current

f = 50Hz, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

(dv_D/dt)_cr

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000

V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

max.

1,5 V

0,8 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

max.

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,7 mΩ

200 mA

2 V

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

10 mA

5 mA

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_A= 1Ω

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10Ω

I_L

max. 1200 mA

latching current

i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs, t_g= 20µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

max.

50 mA

3 µs

Zündverzug

DIN IEC 747-6

gate controlled delay time

T_vj= 25°C, i_GM= 1A, di_G/dt = 1A/µs

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technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values

Freiwerdezeit

T_vj= T_{vj max}, i_TM= I_TAVM

t_q

circuit commutated turn-off time

v_RM= 100 V, v_DM= 0,67 V_DRM

dv_D/dt = 20 V/µs, -di_T/dt = 10 A/µs

5.Kennbuchstabe / 5^thletter O

typ.

250 µs

Thermische Eigenschaften

RMS, f = 50 Hz, t = 1min

RMS, f = 50 Hz, t = 1sec

V_ISOL

3,0 kV

3,6 kV

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

max.

0,065 K/W

0,13 K/W

0,062 K/W

0,124 K/W

thermal resistance, junction to case

pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,02 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

0,04

K/W

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,015 K/W

0,030 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM

thermal resistance, case to heatsink, with TIM

125

°C

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

^HöcM^hstze^uläc^ssh^igea^Spn^eri^rss^chc^ichh^ttee^mpeE^rati^ug^renschaften

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

-40...+125 °C

-40...+130 °C

+5…+50 °C

operating temperature

Lagertemperatur

storage temperature

Lagertemperatur mit TIM

storage temperature with TIM

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

Seite 4

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case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation

Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)

AlN

internal insulation

Basic insulation (class 1, IEC61140)

Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse

mounting torque

Toleranz / Tolerance ± 15%

Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse

terminal connection torque

Toleranz / Tolerance ± 10%

DIN 46 244

12 Nm

Steueranschlüsse

control terminals

A 2,8 x 0,8

Gewicht

weight

typ.

800

Kriechstrecke

creepage distance

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

file-No.

50 m/s²

E 83335

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

4 5

7 6

4 5

7 6

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technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z_thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z_thJCfor DC

Pos. n

R_thn[K/W]

τ_n[s]

0,0426

3,06

0,0429

0,61

0,0257

0,11

0,0097

0,008

0,0031

0,0009

n_max

– t

_n



Z_thJC

R_thn1 - e

Analytische Funktion / Analytical function:



n=1

Erhöhung des Z_{th DC}bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ

ΔZ_{th Θ rec}/ ΔZ_{th Θ sin}

Θ = 180°

0,01007

0,00601

Θ = 120°

0,01655

0,00869

Θ = 90°

0,02161

0,01236

Θ = 60°

0,02981

0,01905

Θ = 30°

0,04541

0,03519

ΔZ_{th Θ rec}

[K/W]

ΔZ_{th Θ sin}

[K/W]

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ Z_{th Θ rec}

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ Z_{th Θ sin}

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Technische Information /

technical information

Diagramme

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

0,140

0,120

0,100

0,080

0,060

0,040

0,020

0,000

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z_thJC= f(t)

Durchgangsverluste

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

100

0,1

i_G[mA]

100

1000

10000

100000

Steuercharakteristik v_G= f (i_G) mit Zündbereichen für V_D= 12 V

Gate characteristic v_G= f (i_G) with triggering area for V_D= 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P_GM= f (t_g) :

a - 40W/10ms b - 80W/1ms c - 100W/0,5ms d - 150W/0,1ms

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

500

450

400

350

300

250

200

150

100

180ꢀ rec

180ꢀ sin

120ꢀ rec

90ꢀ rec

60ꢀ rec

Q = 30ꢀ rec

Gehäusetemperatur bei Rechteck

100

150

200

250

300

350

400

450

I_TAV[A]

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P_TAV= f(I_TAV

)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm

Berechnungsgrundlage P_TAV(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P_TAV(switching losses should be considered separately)

Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

140

120

100

180ꢀ sin

Q = 30ꢀ rec

60ꢀ rec

180ꢀ rec

90ꢀ rec 120ꢀ rec

100

150

200

250

I_TAVM[A]

300

350

400

450

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_TAVM

)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm

Berechnungsgrundlage P_TAV(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)

Calculation base P_TAV(switching losses should be considered separately)

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

1600

I_D

R_thCA[K/W]

0,15

0,12

1400

1200

1000

800

0,18

0,20

R-Last

R-load

0,25

0,30

L-Last

L-load

0,40

0,50

0,60

600

0,80

1,00

400

1,50

2,00

200

0,18

1,20

100

200

300

400

500

600

110

I _D[A]

T _A[°C]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I_D

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

2500

I_D

0,12

0,15

0,08

R _thCA[K/W]

2000

1500

1000

500

0,20

0,25

0,30

0,40

0,50

0,60

0,80

1,20

2,00

110

100

200

300

400

500

600

700

800

T _A[°C]

I_D[A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I_D

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

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technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

0,16

0,20

0,12

0,10 0,08

W1C

R _thCAK/W]

700

600

500

400

300

200

100

I_RMS

0,25

0,30

0,40

0,50

0,60

0,80

1,00

1,50

2,00

110

100

200

300

I _RMS[A]

400

500

600

T_A[°C]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I_RMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

W3C

0,16

0,20

0,08

0,12 0,10

R _thCA[K/W]

I_RMS

2000

1500

1000

500

0,25

0,30

0,40

0,50

0,60

0,80

1,00

1,50

2,00

110

100

200

300

I _RMS[A]

400

500

600

T _A[°C]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I_RMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P_tot

Parameter:

Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /

Thermal resistance per chip cases to ambient R_thCA

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

10000

i_TM= 1000A

500A

200A

100A

50A

1000

20A

100

-di/dt [A/µs]

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q_r= f(-di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, v_RM= 0,8 V_RRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i_TM

5.500

5.000

4.500

4.000

3.500

3.000

2.500

2.000

1.500

1.000

500

T_A= 35 ꢀC

T_A= 45ꢀC

0,01

0,1

t [s]

Grenzstrom / Maximum overload on-state current I_T(OV)M= f(t), v_RM= 0,8 V_RRM

a: Leerlauf / No-load conditions

b: nach Belastung mit I_TAVM/ after load with I_TAVM

T_A= 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)

T_A= 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)

10/11

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Technische Information /

technical information

Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT250N

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In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung

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enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls

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insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem

für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

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Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie

zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und

gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

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and that we may make delivery depended on the realization of any such

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TD250N16KOFAHPSA1 [INFINEON]

相关型号：

TD250N16KOFHPSA1

TD250N16KOF_TIM

TD250N1825KOFHPSA1

TD250N18KOF

TD250N18KOF-A

TD250N18KOF-K

TD250N18KOFHOSA1

TD251N

TD251N06KOF

TD251N06KOF-A

TD251N06KOF-K

TD251N12KOF