TD330N12KOF [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5;
| 型号： | TD330N12KOF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5 局域网 栅 栅极 |
| 文件： | 总13页 (文件大小：571K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
TT330N
TD330N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max
1200
1200
1300
1400 V
1600 V
VDRM,VRRM
1400 V
1600 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VDSM
1500 V
1700 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
520 A
330 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C
9100 A
8000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM
414000 A²s
320000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
DIN IEC 747-6
250 A/µs
Kritische Stromsteilheit
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6th letter C
6.Kennbuchstabe / 6th letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
1,44 V
0,80 V
0,60 mΩ
200 mA
2 V
max.
Tvj = Tvj max , iT = 800 A
Tvj = Tvj max
vT
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
max.
max.
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
Zündspannung
gate trigger voltage
max.
max.
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 6 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
10 mA
5 mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
max.
0,2 V
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω
max.
300 mA
holding current
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
70 mA
3 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
DIN IEC 747-6
gate controlled delay time
Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
C.Drilling
date of publication:
revision:
19.01.06
prepared by:
2
approved by: M. Leifeld
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT330N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
250 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
VISOL
kV
kV
3,0
3,6
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
max.
max.
max.
max.
0,059 °C/W
0,117 °C/W
0,056 °C/W
0,111 °C/W
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Zweig / per arm, DC
0,02
0,04
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
RthCH
135
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+135 °C
-40...+135 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance ± 15%
M1
M2
5
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance ± 10%
DIN 46 244
12 Nm
Steueranschlüsse
control terminals
A 2,8 x 0,8
typ. 800 g
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
17 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
1
2
3
1
2
3
4 5
7 6
4 5
TT
TD
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,0031
0,0009
0,0097
0,008
0,0259
0,11
0,0359
0,61
0,0366
3,06
nmax
τn
=
ZthJC
Rthn 1 - e– t
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
Luftselbstkühlung / Natural cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
0,0174
2
4
5
6
7
1,6
0,0726
30
1400
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
Rthn [°C/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,475
458
0,08
40,4
0,015
4,11
nmax
τn
=
ZthCA
Rthn 1 - e – t
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
0,160
Θ=
30°
60°
0,140
90°
120°
180°
0°
180°
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
0
t [s]
0,01
0,1
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
0,160
0,140
0,120
0,100
0,080
0,060
0,040
0,020
0,000
Θ=
30°
60°
90°
120°
180°
DC
180°
0°
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
400
180°
120°
90°
0°
180°
0
60°
300
200
100
0
Θ
= 30°
ITAV [A]
0
50
100
150
200
250
300
350
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
600
500
400
300
200
100
0
DC
180°
180°
0°
0
120°
90°
60°
Θ
= 30°
0
100
200
300
400
500
I
TAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
140
120
100
80
0°
180°
0
60
40
Θ
60°
90°
180°
= 30°
120°
20
0
50
100
150
200
TAVM [A]
250
300
350
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
180°
0°
0
60
40
Θ
60°
90° 120°
300
180°
DC
= 30°
20
0
100
200
400
500
I
TAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
2000
ID
B2
0,02
RthCA [°C/W]
+
0,03
0,04
1600
1200
800
400
0
~
R-Last
R-load
0,05
0,06
-
L-Last
L-load
0,08
0,10
0,12
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0
100
200
300
400
I D [A]
500
600
700
10
30
50
70
90
110
130
T
A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
2500
2000
1500
1000
500
ID
B6
R thCA [°C/W]
0,02
+
0,03
0,04
3~
-
0,05
0,06
,
0,08
0,10
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0
10
30
50
70
90
110
130
0
200
400
600
800
1000
T
A [°C]
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
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Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
W1C
0,06 0,05 0,04
~
R thCA [°C/W]
IRMS
800
0,08
0,10
0,12
0,15
~
600
400
200
0
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
0
100
200
300
400
500
600
700
10
30
50
70
90
110
130
TA [°C]
I RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA
W3C
R thCA [°C/W]
0,02
~
~
~
~
~
IRMS
2500
2000
1500
1000
500
0,03
0,04
~
0,05
0,06
0,08
0,10
0,12
0,15
0,20
0,30
0,40
0,60
0
0
100
200
300
400
500
600
700
10
30
50
70
90
110
130
T A [°C]
I
RMS [A]
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
100
10
1
b
a
0,1
iG [mA]
10
100
1000
10000
100000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 40 W/10ms b - 80 W/1ms c - 100 W/0,5ms d – 150W/0,1s
1000
100
10
1
a
b
0,1
iGM [mA]
10
100
1000
10000
10/13
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
10000
iTM = 1000A
500A
200A
100A
20A
1000
10A
100
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
a
TA = 35 °C
b
TA = 45°C
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
11/13
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
I TAV (vor)
0 A
=
15 A
30 A
40 A
47 A
52 A
0
0,01
0,1
1
10
100
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (45W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
1000
10000
t [s]
3.500
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
I TAV (vor)
=
0 A
50 A
80 A
105 A
120 A
130 A
0
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N)
Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
12/13
Seite/page
Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor-Modul
TT330N
Phase Control Thyristor Module
Nutzungsbedingungen
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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For those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling
A 01/06
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相关型号：
TD330N14KOC
Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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TD330N16KOF
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TD330N16KOFHPSA2
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Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5
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