ISC010N06NM5
英飞凌 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 封装 (ISC010N06NM5),具备低导通电阻 RDS(on)(25˚C 和 175˚C 下)和高连续电流(可达 330 A)。英飞凌 OptiMOS™ 3 和 5 产品系列新增 SuperSO8 封装型 OptiMOS™ MOSFET,器件功率密度和稳健性更高,可降低系统成本并增强性能。低反向恢复电荷 (Qrr) 将大幅降低电压过冲,因此无需使用吸收电路,进而可减少工程成本和工作量,提高系统可靠性。
暂无信息
INFINEON
KYOCERA AVX
AMPHENOL
SAMTEC
WALSIN
VISHAY
MSYSTEM
GLENAIR
ITT
MICROSEMI
YAGEO
ECLIPTEK
ABRACON
MOLEX
VICOR
KEMET
MTRONPTI
TI
PANASONIC
CTS
SCHURTER
KNOWLES
MURATA
TE
TOREX
SILICON
BOURNS
GOLLEDGE
STMICROELECTRONICS
RCD
BEL
NXP
MICROCHIP
TDK
KOA
INFINEON
FOXCONN
EUROQUARTZ
MAXIM
LITTELFUSE
VCC
RENESAS
CDE
IDT
AVAGO
HONEYWELL
ONSEMI
FH
NICHICON
APITECH
ROHM
EPCOS
AGILENT
GRAYHILL
ADI
Carling Technologies
RICOH