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PD - 94573
开关电源MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
l
UPS和电机控制
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计, (见
应用程序。注AN1001 )
l
充分界定雪崩电压
和电流
l
典型ř
DS ( ON)
= 12mΩ
HEXFET
®
功率MOSFET
IRF8010S
IRF8010L
I
D
80A
‡
15mΩ
V
DSS
100V
R
DS ( ON)
最大
D
2
PAK
IRF8010S
TO-262
IRF8010L
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
I
DM
马克斯。
80
57
320
260
1.8
± 20
i
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
°C
c
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
e
16
-55〜 + 175
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
300 ( 1.6毫米从案例)
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
结至外壳(寿命终止)
典型值。
–––
–––
0.50
–––
马克斯。
0.57
0.80
–––
40
单位
° C / W
g
j
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境( PCB安装,稳态)
笔记

通过
ˆ
是第8页
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1
01/28/03
IRF8010S/IRF8010L
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
0.11
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
4.0
20
250
200
-200
nA
V
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 45A
f
V
µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
82
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
81
22
26
15
130
61
120
3830
480
59
3830
280
530
–––
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
V
I
D
= 80A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 80A
R
G
= 39Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
条件
V
DS
= 25V ,我
D
= 45A
f
f
ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V , ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
e
雪崩特性
E
AS
I
AR
E
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
Ù
di
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
310
45
26
单位
mJ
A
mJ
重复性雪崩能量
™
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
99
460
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
80
A
320
1.3
150
700
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
D
Ùi
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 80A ,V
GS
= 0V
f
T
J
= 150℃,我
F
= 80A ,V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的
f
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
2
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IRF8010S/IRF8010L
10000
顶部
VGS
15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
4.0V
ID ,漏极 - 源极电流(A )
1000
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
100
底部
4.0V
10
10
4.0V
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
1
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.5
I
D
= 80A
ID ,漏 - 源电流
)
T J = 175℃
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
3.0
2.5
100
(归一化)
2.0
10
T J = 25°C
1.5
1.0
VDS = 50V
20μs的脉冲宽度
1
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
0.5
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
VGS ,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温
(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRF8010S/IRF8010L
100000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞= C GS + Cgd的,C DS短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
12
VGS ,栅 - 源极电压( V)
ID = 80A
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
10
8
6
4
2
0
10000
C,电容(pF )
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
Q g总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100
T
J
= 175
°
C
10
ID ,漏极 - 源极电流(A )
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
100
100µsec
10
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
10msec
T
J
= 25
°
C
1
V
GS
= 0 V
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.1
100
1000
VDS ,漏极至源极电压( V)
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF8010S/IRF8010L
80
V
DS
不限按包
R
D
V
GS
R
G
10V
D.U.T.
+
60
-
V
DD
I
D
,漏电流( A)
40
脉冲宽度
≤ 1
µs
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
20
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
(Z
thJC
)
热响应
1
D = 0.50
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
/ t
2
+T
C
1
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
J
= P
DM
X Z
thJC
0.1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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