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IRF8113PBF HEXFET㈢Power MOSFET (HEXFET㈢Power MOSFET)
.型号:   IRF8113PBF
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描述: HEXFET㈢Power MOSFET
HEXFET㈢Power MOSFET
文件大小 :   219 K    
页数 : 10 页
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品牌   IRF [ INTERNATIONAL RECTIFIER ]
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PDF原版 中文翻译版  
100%
PD - 95138B
IRF8113PbF
HEXFET
®
功率MOSFET
应用
l
同步MOSFET用于笔记本
处理器电源
l
同步整流MOSFET的
在隔离式DC -DC转换器
网络系统
好处
l
非常低R
DS ( ON)
在4.5V V
GS
l
低栅电荷
l
充分界定雪崩电压
和电流
l
100%测试的R
G
l
LEAD -FREE
V
DSS
R
DS ( ON)
最大
30V 5.6米@V
GS
= 10V
:
QG典型值。
24nC
S
S
S
G
1
8
7
A
A
D
D
D
D
2
3
6
4
5
顶视图
SO-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
f
功耗
f
马克斯。
30
± 20
17.2
13.8
135
2.5
1.6
0.02
-55到+ 150
单位
V
c
A
W
线性降额因子
工作结
存储温度范围
W / ℃,
°C
热阻
R
θJL
R
θJA
g
结到环境
fg
结到漏极引线
参数
典型值。
–––
–––
马克斯。
20
50
单位
° C / W
笔记

通过
…
在第10页
www.irf.com
1
6/29/06
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