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PD - 95187
IRG4PH40UPbF
绝缘栅双极晶体管
特点
•超快:高操作优化
频率高达40 kHz的硬开关,
>200 kHz的谐振模式
•新的IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
前几代
•优化电源转换;开关电源, UPS
焊接
•行业标准的TO- 247AC封装
•无铅
C
超快速度的IGBT
V
CES
= 1200V
G
E
V
CE ( ON) (典型值) 。
=
2.43V
@V
GE
= 15V ,我
C
= 21A
N沟道
好处
比•更高的开关频率能力
有竞争力的IGBT
•最高的效率提供
•大部分更低的传导损耗比MOSFET的
•效率比短路额定IGBT的
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
S
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
马克斯。
1200
41
21
82
82
± 20
270
160
65
-55到+ 150
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
10磅•在( 1.1N •m)的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境,典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
0.77
–––
40
–––
单位
° C / W
克(盎司)
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1
04/26/04
IRG4PH40UPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) CES
V
( BR ), ECS
∆V
( BR ) CES
/∆T
J
V
CE (ON)的
V
GE (日)
∆V
GE (日)
/∆T
J
g
fe
I
CES
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压
1200 —
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 250µA
发射极 - 集电极击穿电压
T
18
V
V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0A
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.43 -
V /°C, V
GE
= 0V时,我
C
= 1.0毫安
— 2.43 3.1
I
C
= 21A
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.97 —
I
C
= 41A
参照图2 , 5
V
— 2.47 —
I
C
= 21A ,T
J
= 150°C
栅极阈值电压
3.0
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250µA
温度COEFF 。阈值电压
-11
- 毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250µA
正向跨导
U
16
24
S
V
CE
=
100V ,我
C
= 21A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
零栅极电压集电极电流
2.0
µA
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ,T
J
= 25°C
— 5000
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ,T
J
= 150°C
门极 - 发射极漏电流
— ±100
nA
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项:
参数
总栅极电荷(导通)
门 - 发射极电荷(导通)
门 - 收集电荷(导通)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
典型值。
86
13
29
24
24
220
180
1.04
3.40
4.44
24
25
310
380
7.39
13
1800
120
18
MAX 。单位
条件
130
I
C
= 21A
20
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
44
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
ns
330
I
C
= 21A ,V
CC
= 960V
270
V
GE
= 15V ,R
G
= 10Ω
能量损失包括"tail"
毫焦耳参见图。 9,10, 14
5.2
T
J
= 150°C,
I
C
= 21A ,V
CC
= 960V
ns
V
GE
= 15V ,R
G
= 10Ω
能量损失包括"tail"
毫焦耳参见图。 11,14
nH
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
ƒ = 1.0MHz的
Q
重复评价; V
GE
= 20V ,脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图13b)的
R
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V , L = 10μH ,R
G
= 10Ω,
(参见图13A )
T
脉冲宽度
为80μs ;占空比
0.1%.
U
脉冲宽度5.0μs ,单发射击。
S
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
2
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IRG4PH40UPbF
50
˚F Ø R B Ø日:
牛逼RIA体中ü LA R W一个已经:
I
40
ð UTY Ç YC乐: 50 %
T J = 125°C
牛逼水墨= 90℃
摹吃DRIV E上规范后指定
负载电流(A )
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N = 3 5 W
Ç拉·M P武升TA克E:
8 0 % Ø F RA TE ð
30
S Q U A再波:
6 0 % Ø F RA TE ð
武升TA克é
20
I
10
身份证电子一l D同时IO德s
0
0.1
1
10
A
100
男,频率(KHz )
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
(负载电流= I
RMS
基本)
100
100
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
I
C
,集电极 - 发射极电流(A )
T
J
= 150
o
C

10
10
T
J
= 150
o
C

T
J
= 25
o
C

T
J
= 25
o
C

V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
1
10
1
1
V
= 50V

5μs脉宽
CC
5
6
7
8
9
10
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
IRG4PH40UPbF
50
4.0
40
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
V
= 15V

80我们脉宽
GE

I
C
= 42 A
最大直流电集电极电流( A)
3.0
30

I
C
= 21 A

I
C
=10.5 A
2.0
20
10
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
,外壳温度(
°
C)
T
T
J
结温(℃
°
)
C)
J
,
,结温(
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲

(热反应)
0.01
0.00001

注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
0.001
0.01

P
DM
t
1
t
2
1
0.0001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
4
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IRG4PH40UPbF
4000
V
GE
,门极 - 发射极电压(V )
C,电容(pF )
3000

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法,
C
ce
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 21A
16
资本投资者入境计划

2000
12
8
1000
C

OES
C

水库
4
0
1
10
100
0
V
CE
,集电极 - 发射极电压(V )
0
20
40
60
80
100
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
5.0
总的开关损耗(兆焦耳)
总的开关损耗(兆焦耳)
V
CC
= 960V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
4.8
I
C
= 21A

100

R
G
=
10
欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 960V

I
C
=
42
A

I
C
=
21
A

I
C
=
10.5
A
10
4.6
4.4
1
4.2
4.0
0
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
R
G
栅极电阻(欧姆)
,
,栅极电阻(
Ω )
T
J
,结温(
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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5
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