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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SC3353
描述
·集电极Emiiter
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 500V (最小)。
ULOW
集电极饱和电压
: V
CE ( SAT )
= 1.0V (最大值) @我
C
= 3A
高¡
高速开关
·
应用
·设计
用于高速开关应用。
绝对最大额定值(T
a
=25
)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
I
CM
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
800
V
500
V
8
V
5
A
10
A
3
A
2
W
集电极电流峰值
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
T
j
结温
40
150
T
英镑
存储温度范围
-55~150
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ; L = 25mH
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
2SC3353
500
典型值。
最大
单位
V
1.0
1.5
0.1
0.1
15
8
V
V
mA
mA
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
V
CB
= 800V ;我
E
= 0
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
电流增益带宽积
开关时间;阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
I
C
= 3A ;我
B1
= -I
B2
= 0.6A;
V
CC
= 200V
3
兆赫
1.0
3.0
1.0
μs
μs
μs
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