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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
MJ1000
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 60V (最小值)
高¡
直流电流GAIN-
: h
FE
= 1000(Min.)@I
C
= 3A
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE (SAT)
= 2.0V (最大值) @我
C
= 3A
应用
·设计
用作互补输出设备
通用放大器应用。
绝对最大额定值(T
a
=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流Continunous
基极电流Continunous
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
60
60
5
10
0.1
90
200
-55~+200
单位
V
V
V
A
A
W
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.94
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
典型值。
MJ1000
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0
60
V
V
CE
(sat)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 12毫安
B
2.0
V
V
CE
(sat)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 8A ;我
B
= 40毫安
B
4.0
V
V
BE
(上)
基射极电压上
I
C
= 3A ,V
CE
= 3V
V
CE
= 60V ; ř
BE
=1kΩ
V
CE
= 60V ; ř
BE
= 1kΩ的;牛逼
C
=150℃
V
CE
= 30V ;我
B
= 0
B
2.5
1.0
5.0
0.5
V
I
CER
收藏家Cuto FF电流
mA
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
2.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 3A ,V
CE
= 3V
1000
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ,V
CE
= 3V
750
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