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VBO40

更新时间：2024-09-18 05:45:29
品牌：IXYS
描述：Single Phase Rectifier Bridge

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中文翻译

PCB计价

VBO40 概述

Single Phase Rectifier Bridge 单相整流桥

VBO40 数据手册

通过下载VBO40数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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VBO 40  
IdAV = 40 A  
VRRM = 800-1600 V  
Single Phase  
Rectifier Bridge  
+
–
miniBLOC, SOT-227 B  
VRSM  
V
VRRM  
V
Standard  
Types  
E72873  
~
~
~
~
900  
1300  
1700  
800  
1200  
1600  
VBO 40-08NO6  
VBO 40-12NO6  
VBO 40-16NO6  
+
–
Symbol  
IdAV  
Test Conditions  
TC = 100°C  
Maximum Ratings  
Features  
ꢀ
Isolation voltage 2500 V~  
Planar passivated chips  
(diode)  
(module)  
20  
40  
A
A
ꢀ
I
dAV ꢀ  
ꢀ
Low forward voltage drop  
IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
300  
320  
A
A
Applications  
ꢀ
Supplies for DC power equipment  
Input rectifiers for PWM inverter  
Battery DC power supplies  
Field supply for DC motors  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
260  
280  
A
A
A2s  
A2s  
A2s  
A2s  
ꢀ
ꢀ
I2t  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
450  
430  
ꢀ
Advantages  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
340  
330  
ꢀ
Easy to mount  
Space and weight savings  
ꢀ
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
VISOL  
Md  
50/60 Hz, RMS  
IISOL £ 1 mA  
2500  
V~  
Mounting torque (M4)  
Terminal connection torque (M4)  
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
Weight  
typ.  
30  
g
M4 screws (4x)  
supplied  
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dim.  
Millimeter  
Inches  
Min.  
Min.  
Max.  
Max.  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
;
;
TVJ = 25°C  
TVJ = TVJM  
£
£
0.3 mA  
A
B
31.50  
7.80  
31.88  
8.20  
1.240  
0.307  
1.255  
0.323  
5
1.15  
0.80  
mA  
C
D
4.09  
4.09  
4.29  
4.29  
0.161  
0.161  
0.169  
0.169  
VF  
IF = 20 A;  
TVJ = 25°C  
£
V
E
F
4.09  
4.29  
0.161  
0.587  
0.169  
0.595  
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
V
14.91  
15.11  
G
H
30.12  
37.80  
30.30  
38.30  
1.186  
1.489  
1.193  
1.509  
13 mW  
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode, DC current  
per module  
1.7 K/W  
0.42 K/W  
0.3 K/W  
0.08 K/W  
J
K
11.68  
8.92  
12.22  
9.60  
0.460  
0.351  
0.481  
0.378  
L
M
0.76  
12.60  
0.84  
12.85  
0.030  
0.496  
0.033  
0.506  
RthCH  
typ.  
typ.  
N
O
25.15  
1.98  
25.42  
2.13  
0.990  
0.078  
1.001  
0.084  
dS  
dA  
a
Creeping distance on surface  
Creepage distance in air ꢀ  
Max. allowable acceleration  
8
4
mm  
mm  
P
Q
4.95  
26.54  
5.97  
26.90  
0.195  
1.045  
0.235  
1.059  
R
S
3.94  
4.72  
4.42  
4.85  
0.155  
0.186  
0.174  
0.191  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated  
ꢀꢀfor resistive load at bridge output  
T
U
24.59  
-0.05  
25.07  
0.1  
0.968  
-0.002  
0.987  
0.004  
V
W
3.30  
0.780  
4.57  
0.830  
0.130  
19.81  
0.180  
21.08  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
VBO 40  
80  
250  
103  
A2s  
50Hz, 80% VRRM  
VR = 0 V  
A
70  
TVJ=125°C  
TVJ= 25°C  
A
I2t  
200  
IFSM  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
IF  
TVJ = 45°C  
TVJ = 45°C  
150  
100  
50  
TVJ = 150°C  
102  
TVJ = 150°C  
0
101  
V
0.0  
0.5  
1.0  
VF  
1.5  
2.0  
0.001  
0.01  
0.1  
1
1
2
3
4
5 6 7 10  
ms  
s
t
t
Fig. 1 Forward current versus voltage  
drop per diode  
Fig. 2 Surge overload current  
Fig. 3 I2t versus time per diode  
200  
50  
A
W
160  
Ptot  
40  
RthHA  
:
Id(AV)M  
0.1 K/W  
0.5 K/W  
1.0 K/W  
2.0 K/W  
4.0 K/W  
7.0 K/W  
120  
80  
40  
0
30  
20  
10  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
Id(AV)M  
60  
0
20 40 60 80 100 120 140 °C  
0
20 40 60 80 100 120 140 °C  
A
Tamb  
TC  
Fig. 4 Power dissipation versus direct output current and ambient temperature  
Fig. 5 Max. forward current versus case  
temperature  
2.0  
K/W  
1.6  
ZthJC  
1.2  
0.8  
0.4  
Constants for ZthJC calculation:  
i
Rthi (K/W)  
ti (s)  
1
2
3
4
5
0.081  
0.1449  
0.2982  
0.735  
0.441  
0.00024  
0.0036  
0.0235  
0.142  
0.7  
VBO 40  
0.0  
0.001  
0.01  
0.1  
1
s
10  
t
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to case  
© 2000 IXYS All rights reserved  
2 - 2  

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