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TKS-E21-HD07-MS-T40N-A10  TF-XTX-945GSE-A11-01  TF-PCM-8120-A10-05  TF-PER-V36C-A10  TKS-G30  0324005.MXB  0322001.MXP  0322030.MXP  0322003.MXP  0322012.HXP  
IXFN520N075T2 TrenchT2 GigaMOS HiperFET功率MOSFET (TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET)
型号:   IXFN520N075T2
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描述: TrenchT2 GigaMOS HiperFET功率MOSFET
TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
文件大小 :   173 K    
页数 : 6 页
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品牌   IXYS [ IXYS CORPORATION ]
购买 :   
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100%
初步技术信息
TrenchT2
TM
GigaMOS
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN520N075T2
V
DSS
I
D25
=
=
R
DS ( ON)
75V
480A
1.9mΩ
Ω
miniBLOC , SOT- 227
E153432
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ° C(芯片功能)
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
75
75
±20
±30
480
200
1500
200
3
940
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
无论源终端S能用作
源终端或开尔文源
(回门)码头。
特点
国际标准套餐
miniBLOC ,用氮化铝
隔离
175 ° C工作温度
隔离电压2500
V~
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1mA
T = 1分钟
吨= 1秒
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
安装力矩
终端连接扭矩
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
75
2.5
5.0
±200
V
V
nA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
的DC- DC转换器和离线UPS
原边开关
高速电源开关
应用
25
μA
2毫安
1.5
1.9 mΩ
V
GS
= 10V ,我
D
= 100A ,注1
©2009 IXYS公司,版权所有
DS100193A(11/09)
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