3DD13001 [JCST]
TRANSISTOR（ NPN ）; 晶体管（ NPN ）
| 型号： | 3DD13001 |
| 厂家： | 
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD |
| 描述： | TRANSISTOR（ NPN ） |
| 文件： | 总3页 (文件大小：325K) |
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13001 TRANSISTOR（ NPN ）
TO— 92
FEATURES
Power dissipation
PCM : 1.25
Collector current
ICM : 0.2
W（Tamb=25℃）
1.BASE
A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 600
2.COLLECTOR
3.EMITTER
V
1 2 3
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
unless otherwise specified）
Parameter
Symbol
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ICBO
Test
conditions
MIN
600
400
7
TYP
MAX
UNIT
V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Ic= 100μA ，IE=0
IC= 1 mA , IB=0
V
IE= 100 μA，IC=0
VCB= 600 V , IE=0
VCE= 400 V , IB=0
VEB= 7 V , IC=0
VCE= 20 V, IC= 20mA
VCE= 10V, IC= 0.25 mA
IC= 50mA, IB= 10 mA
IC= 50 mA, IB= 10mA
V
100
200
100
70
μA
μA
μA
Collector cut-off current
ICEO
Emitter cut-off current
IEBO
hFE（1）
10
5
DC current gain
hFE（2）
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
VCE(sat)
VBE(sat)
0.5
1.2
V
V
VCE= 20 V, I =20mA
C
Transition frequency
8
MHz
f
T
f = 1MHz
IC=50mA,
IB1=-IB2=5mA,
Fall time
0.3
1.5
μs
μs
t
f
Storage time
t S
VCC=45V
CLASSIFICATION OF hFE
(1)
Range
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40
40-45
45-50
50-55
55-60
60-65
65-70
TO-92 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
D1
D
b
φ
e
e1
Dimensions In Millimeters
Dimensions In Inches
Symbol
Min
Max
Min
Max
3.300
1.100
0.380
0.360
4.400
3.430
4.300
3.700
1.400
0.550
0.510
4.700
0.130
0.043
0.015
0.014
0.173
0.135
0.169
0.146
0.055
0.022
0.020
0.185
A
A1
b
c
D
D1
E
4.700
0.185
1.270TYP
0.050TYP
e
2.440
2.640
14.500
1.600
0.380
0.096
0.555
0.104
0.571
0.063
0.015
e1
L
14.100
Ö
0.000
0.000
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