JCS19N20C-O-C-N-B [JSMC]

N- CHANNEL MOSFET;


型号：	JCS19N20C-O-C-N-B
厂家：	JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
描述：	N- CHANNEL MOSFET
文件：	总10页 (文件大小：1733K)
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N 沟道增强型场效应晶体管

N- CHANNEL MOSFET

JCS19N20

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

封装 Package

18.0A

200 V

VDSS

Rdson-max

（@Vgs=10V）

Qg-typ

0.18Ω

47nC

APPLICATIONS

 High efficiency switch

mode power supplies

 Electronic lamp ballasts

based on half bridge

 UPS

用途

 高频开关电源

 电子镇流器

 UPS 电源

产品特性

低栅极电荷

FEATURES

Low gate charge

Low C_rss(typical 48pF )

Fast switching

低C_rss(典型值48pF)

开关速度快

产品全部经过雪崩测试

高抗dv/dt 能力

RoHS 产品

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

RoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

器件重量

订货型号

印

记

封

装

无卤素

包

装

Device

Weight

Order codes

Marking

Package

Halogen Free

Packaging

JCS19N20C-O-C-N-B

JCS19N20F-O-F-N- B

JCS19N20C TO-220C

JCS19N20F TO-220MF

否

条管 Tube

2.06 g(typ)

2.22 g(typ)

版本：201510F

1/11

JCS19N20

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)

数值

Value

JCS19N20C

项

目

符号

单位

Parameter

最高漏极－源极直流电压

Drain-Source Voltage

Symbol

Unit

JCS19N20F

V_DSS

200

I_D

T=25℃

18.0

11.4

18.0*

11.4*

连续漏极电流

Drain Current -continuous

T=100℃

最大脉冲漏极电流（注1）

I_DM

72*

Drain Current -pulse （note 1）

最高栅源电压

V_GSS

E_AS

±30

421

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

雪崩电流（注1）

I_AR

Avalanche Current （note 1）

重复雪崩能量（注1）

E_AR

dv/dt

4.4

V/ns

Repetitive Avalanche Current （note 1）

二极管反向恢复最大电压变化速率（注3）

Peak Diode Recovery dv/dt （note 3）

5.5

P_D

140

T_C=25℃

-Derate

above

25℃

耗散功率

Power Dissipation

1.12

0.35

W/℃

最高结温及存储温度

Operating and Storage Temperature

Range

T_J，T_STG

-55～+150

℃

引线最高焊接温度

Maximum Lead Temperature for Soldering T_L

Purposes

300

*漏极电流由最高结温限制

*Drain current limited by maximum junction temperature

版本：201510F

2/10

JCS19N20

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC

项

目

符号

测试条件

最小典型最大单位

Parameter

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

BV_DSSI_D=250μA, V_GS=0V

200

Drain-Source Voltage

击穿电压温度特性

ΔBV_DSSI_D=250μA, referenced to

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

0.2

V/℃

/ΔT_J

25℃

V_DS=200V, V_GS=0V, T_C=25℃

V_DS=160V, T_C=125℃

零栅压下漏极漏电流

μA

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

10 μA

正向栅极体漏电流

I_GSSF

V_DS=0V, V_GS=30V

V_DS=0V, V_GS=-30V

100 nA

Gate-body leakage current, forward

反向栅极体漏电流

I_GSSR

-100 nA

Gate-body leakage current, reverse

通态特性On-Characteristics

阈值电压

V_GS(th)V_DS= V_GS, I_D=250μA

R_DS(ON)V_GS=10V , I_D=9.0A

g_fs

2.0

4.0

Ω

Gate Threshold Voltage

静态导通电阻

0.15 0.18

Static Drain-Source On-Resistance

正向跨导

13.5

Forward Transconductance

动态特性Dynamic Characteristics

输入电容

V_DS= 40V , I_D=9.0A（note 4）

V_DS=25V,

_GS=0V,

f=1.0MH_Z

C_iss

C_oss

C_rss

1330 1760 pF

181 245 pF

48 65 pF

Input capacitance

输出电容

Output capacitance

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

版本：201510F

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JCS19N20

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

符号

测试条件

最小典型最大单位

Parameter

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

开关特性 Switching –Characteristics

延迟时间Turn-On delay time

上升时间Turn-On rise time

t_d(on)

t_r

V_DD=100V,I_D=18A,R_G=25Ω

V_GS=10V

54 70

104 162 ns

395 ns

（note 4，5）

t_d(off)

t_f

327

延迟时间Turn-Off delay time

下降时间Turn-Off Fall time

107 145 ns

47 62 nC

栅极电荷总量Total Gate Charge

栅－源电荷Gate-Source charge

栅－漏电荷Gate-Drain charge

Q_g

V_DS=160V ,

I_D=18A

Q_gs

Q_gd

V_GS=10V（note 4，5）

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain-Source

Diode Forward Current

I_S

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source Diode

Forward Current

I_SM

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain-Source V_SD

Diode Forward Current

V_GS=0V, I_S=18A

1.48

反向恢复时间

t_rr

195

Reverse recovery time

V_GS=0V, I_S=18A

dI_F/dt=100A/μs (note 4)

反向恢复电荷

Q_rr

1.48

μC

Reverse recovery charge

热特性THERMAL CHARACTERISTIC

最大值

项

目

符号

单位

Value

Parameter

Symbol

Unit

JCS19N20C JCS19N20F

结到管壳的热阻

Rth(j-c)

Rth(j-A)

0.89 2.85

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

结到环境的热阻

62.5

Thermal Resistance, Junction to Ambient

注：

Notes:

1：脉冲宽度由最高结温限制

1：Pulse width limited by maximum junction temperature

2：L=2.6mH, I_AS=18A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,Starting

T_J=25℃

2：L=2.6mH, I_AS=18A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始结温

T_J=25℃

3：I_SD≤18A,di/dt ≤300A/μs, VDD≤BV_DSS,起始结温T_J=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

3：I_SD≤18A,di/dt ≤300A/μs, VDD≤BV_DSS, Starting T_J=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

版本：201510F

4/10

JCS19N20

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Capacitance Characteristics

Gate Charge Characteristics

2.0x10³

V_DS=40V

C =C +C (C =shorted)

iss

gd ds

C =C +C

V_DS=100V

oss

C =C

1.5x10³

1.0x10³

iss

rss

V_DS=160V

oss

5.0x10²

Notes:

I_D=18A

rss

0.0

V_DSDrain-SourceVoltage[V]

Q_gToltal Gate Charge [nC]

版本：201510F

5/10

JCS19N20

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Breakdown Voltage Variation

vs. Temperature

On-Resistance Variation

vs. Temperature

1.2

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1.1

1.0

0.9

0.8

Notes:

1. V_GS=0V

2. I_D=250μA

1. V_GS=10V

2. I_D=9A

-75

-50

-25

100

125

150

-75

-50

-25

100

125

150

T_j[℃]

T_j[℃ ]

Maximum Safe Operating Area

For JCS19N20C

Maximum Safe Operating Area

For JCS19N20F

Maximum Drain Current

vs. Case Temperature

100

125

150

T_CCaseTemperature [℃]

版本：201510F

6/10

JCS19N20

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Transient Thermal Response Curve

For JCS19N20C

= 0 . 5

. 2

0 . 1

0 . 0 5

0 . 0 2

t e

0 . 1

( t ) = 0 . 8 9

℃

/ W

/ t

a x

( t )

t y

a c t o r ,

- T

* Z

M θ

. 0 1

s i n g l e p u l s e

0 . 0 1

1 E - 5

1 E - 4

1 E - 3

0 . 0 1

0 . 1

1 0

t ₁S q u a r e

a v e P u l s e

u r a t i o n [ s e c ]

Transient Thermal Response Curve

For JCS19N20F

1 0

= 0 . 5

0 . 2

0 . 1

0 . 0 5

0 . 0 2

o t e s :

( t ) = 2 . 8 5 ℃ / W

J C

a x

( t )

u t y F a c t o r ,

= t / t

- T = P

J M

J C

0 . 0 1

0 . 1

s i n g l e p u l s e

0 . 0 1

1 E - 5

1 E - 4

1 E - 3

0 . 0 1

0 . 1

1 0

t ₁S q u a r e

W a v e P u l s e D u r a t i o n [ s e c ]

版本：201510F

7/10

JCS19N20

外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220C

单位Unit：mm

版本：201510F

8/10

JCS19N20

外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220MF

单位Unit：mm

版本：201510F

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JCS19N20

注意事项

NOTE

1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货

时请与公司核实。

1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its

product either through direct sales or sales

agent , thus, for customers, when ordering ,

please check with our company.

2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公

2. We strongly recommend customers check

carefully on the trademark when buying our

product, if there is any question, please

don’t be hesitate to contact us.

司本部联系。

3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大

3. Please do not exceed the absolute

maximum ratings of the device when circuit

designing.

额定值，否则会影响整机的可靠性。

4.本说明书如有版本变更不另外告知

4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves

the right to make changes in this

specification sheet and is subject to

change without prior notice.

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64675688

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64675688

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Fax: 86-432-64671533

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