JCS1HN50TC [JSMC]

N-CHANNEL MOSFET;


型号：	JCS1HN50TC
厂家：	JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
描述：	N-CHANNEL MOSFET
文件：	总8页 (文件大小：707K)
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N沟道增强型场效应晶体管

N-CHANNEL MOSFET

JCS1HN50TC

封装 Package

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

1.2A

500 V

10 Ω

VDSS

Rdson（@Vgs=10V）

3.28 nC

APPLICATIONS

用途

 高频开关电源

 电子镇流器

 High frequency switching

mode power supply

 Electronic ballast

 功率因数校正

 Power factor correction

产品特性

低栅极电荷

FEATURES

Low gate charge

Low C_rss(typical 2.8pF )

Fast switching

低 C_rss(典型值 2.8pF)

开关速度快

产品全部经过雪崩测试

高抗 dv/dt 能力

RoHS 产品

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

RoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

无卤素

Halogen

Free

器件重量

Device

订货型号

印

记

封

装

包

装

Order codes

Marking

Package

Packaging

Weight

JCS1HN50TC-O-T-N-A JCS1HN50T TO-92

否

编带 Brede

0.216 g(typ)

版本：201603B

1/8

JCS1HN50TC

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)

数

值

单

位

项

目

符号

Value

Parameter

Symbol

JCS1HN50TC

Unit

最高漏极－源极直流电压

V_DSS

500

Drain-Source Voltage

I_D

1.2

连续漏极电流

T=25℃

T=100℃

Drain Current -continuous

0.67

最大脉冲漏极电流（注 1）

I_DM

4.8

Drain Current - pulse

（note 1）

最高栅源电压

V_GSS

±30

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注 2）

Single Pulsed Avalanche Energy

（note 2）

E_AS

1.2

雪崩电流（注 1）

I_AR

Avalanche Current（note 1）

重复雪崩能量（注 1）

Repetitive Avalanche Energy

（note 1）

E_AR

dv/dt

2.55

二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）

Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）

4.5

V/ns

P_D

25.5

T_C=25℃

-Derate

above

25℃

耗散功率

Power Dissipation

0.204

W/℃

最高结温及存储温度

Operating and Storage Temperature

Range

T_J，T_STG

-55～+150

℃

引线最高焊接温度

Maximum Lead Temperature for

Soldering Purposes

T_L

300

℃

*漏极电流由最高结温限制

*Drain current limited by maximum junction temperature

版本：201603B

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JCS1HN50TC

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

符

号

测试条件

最小典型最大单

位

Parameter

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

BV_DSS

I_D=250μA, V_GS=0V

500

Drain-Source Voltage

击穿电压温度特性

ΔBV_DSS/Δ I_D=250μA, referenced to

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

0.50

V/℃

μA

T_J

25℃

V_DS=500V,V_GS=0V,

T_C=25℃

零栅压下漏极漏电流

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS=400V, T_C=125℃

100 μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

I_GSSF

V_DS=0V, V_GS=30V

V_DS=0V, V_GS=-30V

100 nA

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

I_GSSR

-100 nA

通态特性 On-Characteristics

阈值电压

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_fs

V_DS= V_GS, I_D=250μA

2.0

4.0

Ω

Gate Threshold Voltage

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

V_GS=10V , I_D=0.6A

8.8 10.0

正向跨导

V_DS= 40V, I_D=0.6A（note 4） -

1.0

Forward Transconductance

动态特性 Dynamic Characteristics

输入电容

V_DS=25V,

C_iss

C_oss

C_rss

140 205 pF

Input capacitance

输出电容

V_GS=0V,

f=1.0MH_Z

Output capacitance

反向传输电容

3.1 5.0

Reverse transfer capacitance

版本：201603B

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JCS1HN50TC

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

上升时间 Turn-On rise time

延迟时间 Turn-Off delay time

下降时间 Turn-Off Fall time

栅极电荷总量 Total Gate Charge

栅－源电荷 Gate-Source charge

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

t_d(on)

t_r

V_DD=250V,I_D=1.2A,R_G=25Ω

（note 4，5）

25 60

20 48

t_d(off)

t_f

V_DS=400V ,

Q_g

3.28 4.4 nC

I_D=1.2A

Q_gs

Q_gd

0.80

1.58

V_GS=10V （note 4，5）

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

I_S

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

正向压降

I_SM

Drain-Source Diode Forward

Voltage

V_SD

V_GS=0V,

I_S=1.2A

1.4

反向恢复时间

t_rr

165

Reverse recovery time

反向恢复电荷

V_GS=0V, I_S=1.2A

dI_F/dt=100A/μs (note 4)

Q_rr

0.39

μC

Reverse recovery charge

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

最大

项

目

符

号

单位

Max

Parameter

Symbol

Unit

℃/W

JCS1HN50TC

结到管壳的热阻

Rth(j-c)

Rth(j-A)

Thermal Resistance, Junction to Case

结到环境的热阻

110

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Notes:

注释：

1：Pulse width limited by maximum junction

1：脉冲宽度由最高结温限制

temperature

2：L=150mH, I_AS=1.2A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始

结温 T_J=25℃

2：L=150mH, I_AS=1.2A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,Starting

T_J=25℃

3：I_SD≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS,起始结温

T_J=25℃

3：I_SD≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS, Starting

T_J=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

版本：201603B

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JCS1HN50TC

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Transfer Characteristics

On-Region Characteristics

V_GS

15V

10V

Top

6.5V

5.5V

Bottom 5V

150℃

25℃

Notes：

1. 250μs pulse test

2. T_C=25℃

N o t e s :

1 . 2 5 0 μ s p u l s e

2 . V =40V

0.1

V_DS[V]

V_{G S}[V]

On-Resistance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

Body Diode Forward Voltage Variation

vs. Source Current and Temperature

V_GS= 1 0 V

150℃

25℃

N o t e s :

V_GS= 2 0 V

1 . 2 5 0 μ s p u l s e

N o t e：T_j= 2 5℃

2 . V= 0 V

0.1

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

I_D[ A ]

V_S[V]

Gate Charge Characteristics

Capacitance Characteristics

4 . 0 x²1 0

3 . 5 x²1 0

3 . 0 x²1 0

2 . 5 x²1 0

2 . 0 x²1 0

1 . 5 x²1 0

1 . 0 x²1 0

5 . 0 x¹1 0

C_iss= C_{g s}+C_gd( C_s= s h o r t e d )

V_DS=400V

V_DS=250V

C_{o s}= C_{d s}+C_gd

C_{r s}= C_gd

V_DS=100V

0.0

10^-1

10⁰

10¹

V_DSD r a i n - S o u r c e V o l t a g e [ V ]

Q_gToltal Gate Charge [nC]

版本：201603B

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JCS1HN50TC

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

On-Resistance Variation

vs. Temperature

Breakdown Voltage Variation

vs. Temperature

1.2

3 . 0

2 . 5

2 . 0

1 . 5

1 . 0

0 . 5

0 . 0

1.1

1.0

0.9

Notes:

1. V_GS=0V

2. I_D=250μA

N o t e s :

1 . V= 1 0 V

2 . _D=I 0 . 6 A

0.8

-75

-50

-25

100

125

150

- 7 5

- 5 0

- 2 5

100

125

150

T_j[℃]

Maximum Safe Operating Area

Maximum Drain Current

vs. Case Temperature

1 . 2

10¹

Operation in This Area

is Limited by R_DS(ON)

1 . 0

0 . 8

0 . 6

0 . 4

0 . 2

0 . 0

100μs

10⁰

1ms

10ms

10^-1

Note:

1 T_C=25℃

2 T_J=150℃

3 Single Pulse

10^-2

10⁰

10¹

10²

100

125

150

T_CC a s e T e m p e r ℃a t]u r e

[

V_{D S}Drain-Source Voltage [V]

版本：201603B

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JCS1HN50TC

外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-92

单位 Unit：mm

版本：201603B

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JCS1HN50TC

注意事项

NOTE

1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货

时请与公司核实。

1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its

product either through direct sales or sales

agent , thus, for customers, when ordering ,

please check with our company.

2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公

2. We strongly recommend customers check

carefully on the trademark when buying our

product, if there is any question, please

don’t be hesitate to contact us.

司本部联系。

3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大

3. Please do not exceed the absolute

maximum ratings of the device when circuit

designing.

额定值，否则会影响整机的可靠性。

4.本说明书如有版本变更不另外告知

4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves

the right to make changes in this

specification sheet and is subject to

change without prior notice.

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联系方式

吉林华微电子股份有限公司

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin

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MARKET DEPARTMENT

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin

Province, China.

市场营销部

地址：吉林省吉林市深圳街 99 号

Post Code: 132013

邮编：132013

Tel: 86-432-64675588

64675688

电话： 86-432-64675588

64675688

64678411-3098/3099

传真: 86-432-64671533

Fax: 86-432-64671533

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