JCS4N65BB-O-B-N-B [JSMC]

High efficiency switch mode power supplies;
JCS4N65BB-O-B-N-B
型号: JCS4N65BB-O-B-N-B
厂家: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.    JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
描述:

High efficiency switch mode power supplies

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N沟道增强型场效应晶体管  
R
N-CHANNEL MOSFET  
JCS4N65B  
封装 Package  
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS  
4.0 A  
650 V  
2.4Ω  
13.3nC  
ID  
VDSS  
RdsonVgs=10V)  
Qg  
APPLICATIONS  
用途  
High efficiency switch  
mode power supplies  
Electronic lamp ballasts  
based on half bridge  
UPS  
高频开关电源  
电子镇流器  
UPS 电源  
产品特性  
低栅极电荷  
FEATURES  
Low gate charge  
Low Crss (typical 9pF )  
Fast switching  
Crss (典型值 9pF)  
开关速度快  
产品全部经过雪崩测试  
高抗 dv/dt 能力  
RoHS 产品  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS product  
订货信息 ORDER MESSAGE  
无卤素  
器件重量  
Device  
Weight  
订 货 型 号  
Halogen  
Order codes  
Marking  
Package  
Free  
Packaging  
JCS4N65VB-O-V-N-B  
JCS4N65VB-O-V1-N-B  
JCS4N65RB-O-R-N-A  
JCS4N65RB-O-R-N-B  
JCS4N65CB-O-C-N-B  
JCS4N65BB-O-B-N-B  
JCS4N65SB-O-S-N-B  
JCS4N65SB-O-S-N-A  
JCS4N65FB-O-F-N-B  
JCS4N65FB-O-F2-N-B  
JCS4N65VB IPAK  
NO 条管 Tube 0.35 g(typ)  
NO 条管 Tube 0.35 g(typ)  
NO 编带 Reel 0.30 g(typ)  
NO 条管 Tube 0.30 g(typ)  
NO 条管 Tube 2.15 g(typ)  
NO 条管 Tube 1.71 g(typ)  
NO 条管 Tube 1.37 g(typ)  
NO 编带 Reel 1.37 g(typ)  
NO 条管 Tube 2.20 g(typ)  
NO 条管 Tube 2.20 g(typ)  
JCS4N65VB IPAK-S1  
JCS4N65RB DPAK  
JCS4N65RB DPAK  
JCS4N65CB TO-220C  
JCS4N65BB TO-262  
JCS4N65SB TO-263  
JCS4N65SB TO-263  
JCS4N65FB TO-220MF  
JCS4N65FB TO-220MF-K2  
版本:201506G  
1/16  
R
JCS4N65B  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)  
Value  
Parameter  
Symbol  
JCS4N65V JCS4N65CB/  
JCS4N65FB  
B/RB  
SB/BB  
Unit  
最高漏极-源极直流电压  
VDSS  
650  
V
Drain-Source Voltage  
4.0*  
2.5*  
16*  
4.0  
2.5  
A
A
连续漏极电流  
IDT=25℃  
T=100℃  
Drain Current -continuous  
最大脉冲漏极电流(注 1)  
IDM  
16  
A
V
Drain Current - pulse  
最高栅源电压  
note 1)  
VGSS  
±30  
240  
Gate-Source Voltage  
单脉冲雪崩能量(注 2)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
(note 2)  
EAS  
mJ  
雪崩电流(注 1)  
IAR  
4.0  
A
Avalanche Current  
note 1)  
重复雪崩能量(注 1)  
EAR  
dv/dt  
10.0  
mJ  
Repetitive Avalanche Current note 1)  
二极管反向恢复最大电压变化速(注 3)  
Peak Diode Recovery dv/dt note 3)  
5.5  
100  
V/ns  
W
51  
33  
PD TC=25℃  
-Derate above  
25℃  
耗散功率  
W/  
Power Dissipation  
0.39  
0.80  
0.26  
绝缘耐压 (t=1s; TC =25 °C)  
Insulation withstand voltage  
最高结温及存储温度  
VISO  
2500  
V
Operating and Storage Temperature  
Range  
TJTSTG  
-55+150  
引线最高焊接温度  
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes  
TL  
300  
*漏极电流由最高结温限制  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
版本:201506G  
2/16  
R
JCS4N65B  
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
测试条件  
最小 典最大单 位  
Parameter  
关态特性 Off Characteristics  
漏-源击穿电压  
Symbol  
Tests conditions  
Min Typ Max Units  
BVDSS  
ID=250μA, VGS=0V  
650  
-
-
-
V
Drain-Source Voltage  
击穿电压温度特性  
ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
0.65 - V/℃  
TJ  
25℃  
VDS=650V,VGS=0V,  
TC=25℃  
-
-
-
-
10 μA  
100 μA  
零栅压下漏极漏电流  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
VDS=500V, TC=125℃  
正向栅极体漏电流  
Gate-body leakage current,  
forward  
IGSSF  
VDS=0V, VGS =30V  
VDS=0V, VGS =-30V  
-
-
-
100 nA  
反向栅极体漏电流  
Gate-body leakage current,  
reverse  
IGSSR  
- -100 nA  
通态特性 On-Characteristics  
阈值电压  
VGS(th)  
RDS(ON)  
gfs  
VDS = VGS , ID=250μA  
2.0  
-
4.0  
V
S
Gate Threshold Voltage  
静态导通电阻  
Static Drain-Source  
On-Resistance  
VGS =10V , ID=2A  
-
-
1.7 2.4  
正向跨导  
4.7  
-
Forward Transconductance  
VDS = 40V , ID=2Anote 4)  
动态特性 Dynamic Characteristics  
输入电容  
VDS=25V,  
VGS =0V,  
f=1.0MHZ  
Ciss  
-
-
-
490 642 pF  
95 124 pF  
Input capacitance  
输出电容  
Coss  
Crss  
Output capacitance  
反向传输电容  
9
12 pF  
Reverse transfer capacitance  
版本:201506G  
3/16  
R
JCS4N65B  
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
开关特性 Switching Characteristics  
延迟时间 Turn-On delay time  
上升时间 Turn-On rise time  
延迟时间 Turn-Off delay time  
下降时间 Turn-Off Fall time  
栅极电荷总量 Total Gate Charge  
栅-源电荷 Gate-Source charge  
栅-漏电荷 Gate-Drain charge  
td(on)  
tr  
VDD=300V,ID=4A,RG=25Ω  
note 45)  
-
-
-
-
-
-
-
16 42 ns  
49 111 ns  
46 102 ns  
37 84 ns  
13.3 19 nC  
td(off)  
tf  
VDS =480V ,  
Qg  
ID=4A  
Qgs  
Qgd  
3.6  
4.9  
-
-
nC  
nC  
VGS =10V note 45)  
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
正向最大连续电流  
Maximum Continuous Drain  
-Source Diode Forward Current  
正向最大脉冲电流  
IS  
-
-
-
-
-
4
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source  
Diode Forward Current  
正向压降  
ISM  
16  
Drain-Source Diode Forward  
Voltage  
VSD  
VGS=0V,  
IS=4.0A  
-
1.4  
-
反向恢复时间  
trr  
-
-
330  
ns  
Reverse recovery time  
反向恢复电荷  
VGS=0V, IS=4.0A  
dIF/dt=100A/μs (note 4)  
Qrr  
2.67 -  
μC  
Reverse recovery charge  
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC  
最大  
Max  
JCS4N65VB JCS4N65CB  
单位  
Parameter  
Symbol  
Unit  
JCS4N65FB  
3.79  
/RB  
/SB/BB  
结到管壳的热阻  
Rth(j-c)  
Rth(j-A)  
2.50  
1.25  
/W  
/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
结到环境的热阻  
83  
62.5  
62.5  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Notes:  
注释:  
1Pulse width limited by maximum junction  
1:脉冲宽度由最高结温限制  
2L=25mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结  
TJ=25℃  
temperature  
2L=25mH, IAS=4.0A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting  
TJ=25℃  
3ISD 4.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温  
TJ=25℃  
3 ISD 4.0A,di/dt 200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting  
TJ=25℃  
4:脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%  
5:基本与工作温度无关  
4Pulse TestPulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2%  
5Essentially independent of operating temperature  
版本:201506G  
4/16  
R
JCS4N65B  
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  
Transfer Characteristics  
On-Region Characteristics  
10  
VGS  
15V  
10V  
8V  
10  
Top  
7V  
6.5V  
6V  
150  
5.5V  
Bottom 5V  
1
25℃  
Notes  
1
Notes  
1. 250μs pulse test  
2. TC=25℃  
1.250μs pulse test  
2.VDS=40V  
0.1  
2
4
6
8
10  
10  
VGS [V]  
VDS [V]  
On-Resistance Variation vs.  
Drain Current and Gate Voltage  
Body Diode Forward Voltage Variation  
vs. Source Current and Temperature  
10  
2.4  
2.2  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
VGS=10V  
25  
1
150℃  
Notes:  
1. 250μs pulse test  
Note Tj=25℃  
2. VGS=0V  
VGS=20V  
0.1  
0.4  
0
1
2
3
4
5
6
0.5  
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
1.2  
1.3  
ID [A]  
VSD [V]  
Capacitance Characteristics  
Gate Charge Characteristics  
8.0x102  
6.0x102  
4.0x102  
12  
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)  
Coss=Cds+Cgd  
VDS=480V  
VDS=300V  
10  
8
Crss=Cgd  
VDS=120V  
6
4
2.0x102  
2
0.0  
10-1  
0
100  
101  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
V
Drain-Source Voltage [V]  
Qg Toltal Gate Charge [nC]  
DS  
版本:201506G  
5/16  
R
JCS4N65B  
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  
Breakdown Voltage Variation  
On-Resistance Variation  
vs. Temperature  
vs. Temperature  
1.15  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
1.10  
1.05  
1.00  
0.95  
Notes  
Notes  
1. VGS=10V  
2. ID=2.0A  
1. VGS=0V  
0.90  
2. ID=250μA  
-75  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
-75  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T j []  
Tj []  
Maximum Safe Operating Area  
For JCS4N65(V/R/C/B/S)B  
Maximum Safe Operating Area  
For JCS4N65FB  
Maximum Drain Current  
vs. Case Temperature  
版本:201506G  
6/16  
R
JCS4N65B  
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  
Transient Thermal Response Curve  
For JCS4N65(V/R)B  
Transient Thermal Response Curve  
For JCS4N65CB/BB/SB  
Transient Thermal Response Curve  
For JCS4N65FB  
版本:201506G  
7/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
IPAK  
单位 Unitmm  
版本:201506G  
8/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
DPAK  
单位 Unitmm  
编带 REEL  
版本:201506G  
9/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO-220C  
单位 Unitmm  
版本:201506G  
10/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO-220MF  
单位 Unitmm  
版本:201506G  
11/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO-220MF-K2  
单位 Unitmm  
版本:201506G  
12/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO-262  
单位 Unitmm  
版本:201506G  
13/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
TO-263  
单位 Unitmm  
编带 REEL  
版本:201506G  
14/16  
R
JCS4N65B  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
IPAK S1  
单位 Unitmm  
版本:201506G  
15/16  
R
JCS4N65B  
注意事项  
NOTE  
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  
为直销和销售代理,无论哪种方式,订货  
时请与公司核实。  
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its  
product either through direct sales or sales  
agent , thus, for customers, when ordering ,  
please check with our company.  
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公  
2. We strongly recommend customers check  
carefully on the trademark when buying our  
product, if there is any question, please  
don’t be hesitate to contact us.  
司本部联系。  
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  
3. Please do not exceed the absolute  
maximum ratings of the device when circuit  
designing.  
额定值,否则会影响整机的可靠性。  
4.本说明书如有版本变更不另外告知  
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves  
the right to make changes in this  
specification sheet and is subject to  
change without prior notice.  
CONTACT  
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
联系方式  
吉林华微电子股份有限公司  
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  
Province, China.  
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号  
Post Code: 132013  
邮编:132013  
Tel86-432-64678411  
总机:86-432-64678411  
传真:86-432-64665812  
网址:www.hwdz.com.cn  
Fax86-432-64665812  
Web Sitewww.hwdz.com.cn  
MARKET DEPARTMENT  
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  
Province, China.  
市场营销部  
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号  
Post Code: 132013  
邮编:132013  
Tel: 86-432-64675588  
64675688  
电话: 86-432-64675588  
64675688  
64678411  
64678411  
Fax: 86-432-64671533  
传真: 86-432-64671533  
版本:201506G  
16/16  

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