JCS730B-O-B-N-B [JSMC]
N-CHANNEL MOSFET; N沟道MOSFET
| 型号： | JCS730B-O-B-N-B |
| 厂家： | 
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
| 描述： | N-CHANNEL MOSFET |
| 文件： | 总14页 (文件大小：891K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
N沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
R
JCS730
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
5.5 A
400 V
1.0 Ω
31 nC
ID
VDSS
Rdson（@Vgs=10V）
Qg
APPLICATIONS
用途
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
产品特性
z低栅极电荷
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 22pF )
zFast switching
z低Crss (典型值22pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗dv/dt 能力
zRoHS 产品
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
印
记
封
装
无卤素
包
装
器件重量
Marking
JCS730V
JCS730R
JCS730R
JCS730S
JCS730B
JCS730C
JCS730F
Package
IPAK
Halogen Free Packaging Device Weight
JCS730V-O-V-N-B
JCS730R-O-R-N-B
JCS730R-O-R-N-A
JCS730S-O-S-N-B
JCS730B-O-B-N-B
JCS730C-O-C-N-B
JCS730F-O-F-N-B
否
否
否
否
否
否
NO
NO
NO
NO
NO
NO
NO
条管 Tube
条管 Tube
0.35 g(typ)
0.30 g(typ)
DPAK
DPAK
编带 Brede 0.30 g(typ)
TO-263
TO-262
TO-220C
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
条管 Tube
1.37 g(typ)
1.71 g(typ)
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
TO-220MF 否
版本：201007A
1/14
R
JCS730
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
数 值
Value
单
位
项
目
符 号
Parameter
Symbol
Unit
JCS730V/R JCS730S/B/C JCS730F
最高漏极－源极直流电压
VDSS
400
V
Drain-Source Voltage
ID
5.5
3.5
5.5*
3.5*
A
连续漏极电流
T=25℃
T=100℃
Drain Current
-continuous
A
最大脉冲漏极电流（注1）
Drain Current - pulse
（note 1）
IDM
22
22*
A
V
最高栅源电压
VGSS
EAS
IAR
±30
330
5.5
7.3
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量（注2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
mJ
A
雪崩电流（注1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩能量（注1）
Repetitive Avalanche Current
（note 1）
EAR
mJ
二极管反向恢复最大电压变化
速率（注3）
dv/dt
5.5
V/ns
W
Peak Diode Recovery dv/dt
（note 3）
PD
59
73
38
TC=25℃
-Derate
above
25℃
耗散功率
Power Dissipation
0.48
0.58
0.3
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
TJ，TSTG
-55～+150
℃
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
TL
300
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201007A
2/14
R
JCS730
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符 号
测试条件
最大 典型最大单 位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
BVDSS
ID=250μA, VGS=0V
400
-
-
-
-
V
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
0.4
V/℃
TJ
25℃
VDS=400V,VGS=0V,
零栅压下漏极漏电流
-
-
-
-
10
μA
IDSS
TC=25℃
Zero Gate Voltage Drain Current
VDS=320V,
TC=125℃
100 μA
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
IGSSF
VDS=0V, VGS =30V
-
-
-
-
100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
IGSSR
VDS=0V, VGS =-30V
-100 nA
通态特性On-Characteristics
阈值电压
VGS(th)
RDS(ON)
gfs
VDS = VGS , ID=250μA
2.0
-
4.0
V
Ω
S
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
VGS =10V , ID=2.75A
-
-
0.83 1.0
正向跨导
VDS = 40V, ID=2.75A（note
4）
4.5
-
Forward Transconductance
动态特性Dynamic Characteristics
输入电容
VDS=25V,
Ciss
Coss
Crss
-
-
-
550 720 pF
85 110 pF
Input capacitance
输出电容
V
GS =0V,
f=1.0MHZ
Output capacitance
反向传输电容
22 29
pF
Reverse transfer capacitance
版本：201007A
3/14
R
JCS730
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性Switching Characteristics
延迟时间Turn-On delay time
上升时间Turn-On rise time
延迟时间Turn-Off delay time
下降时间Turn-Off Fall time
栅极电荷总量Total Gate Charge
栅－源电荷Gate-Source charge
栅－漏电荷Gate-Drain charge
td(on)
tr
VDD=200V,ID=5.5A,RG=25Ω
（note 4，5）
-
-
-
-
-
-
-
15 40 ns
55 120 ns
85 180 ns
50 110 ns
31 39 nC
td(off)
tf
V
DS =320V ,
ID=5.5A
GS =10V （note 4，5）
Qg
Qgs
Qgd
4.0
14
-
-
nC
nC
V
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
IS
-
-
-
-
-
-
5.5
22
A
A
V
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
ISM
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD
VGS=0V,
IS=5.5A
1.5
反向恢复时间
trr
-
-
265
-
-
ns
Reverse recovery time
反向恢复电荷
VGS=0V, IS=5.5A
dIF/dt=100A/μs
(note 4)
Qrr
2.32
μC
Reverse recovery charge
热特性THERMAL CHARACTERISTIC
最大
项
目
符 号
单 位
Max
Parameter
Symbol
Unit
JCS730V/R JCS730S/B/C JCS730F
结到管壳的热阻
Rth(j-c)
2.05
110
1.71
62.5
3.31
62.5
℃/W
℃/W
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Rth(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Notes:
注释：
1 ： Pulse width limited by maximum junction
temperature
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=19mH, IAS=5.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温TJ=25℃
2：L=19mH, IAS=5.5A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
3 ：ISD ≤5.5A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201007A
4/14
R
JCS730
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
On-Region Characteristics
VGS
Top
15V
10V
8V
10
7V
6.5V
6V
5.5V
10
25℃
Bottom 5V
150℃
1
Notes：
Notes：
1.250μs pulse test
2.VDS=40V
1. 250μs pulse test
2. TC=25℃
1
0.1
1
10
2
4
6
8
10
VDS [V]
VGS [V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
1.05
1.00
10
25℃
0.95
VGS=10V
0.90
1
VGS=20V
0.85
150℃
Notes：
1. 250μs pulse test
0.80
Note ：Tj=25℃
2. VGS=0V
0.75
0.1
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
ID [A]
VSD [V]
Capacitance Characteristics
Gate Charge Characteristics
12
VDS=320V
10
8
VDS=200V
VDS=80V
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Qg Toltal Gate Charge [nC]
版本：201007A
5/14
R
JCS730
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Breakdown Voltage Variation
On-Resistance Variation
vs. Temperature
vs. Temperature
1.2
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1.1
1.0
Notes：
1. VGS=0V
2. ID=250μA
0.9
Notes：
1. VGS=10V
2. ID=2.75A
0.8
-75
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Tj [ ℃]
T
[℃]
j
Maximum Safe Operating Area
For JCS730F
Maximum Safe Operating Area
For JCS730V/R/S/B/C
Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
版本：201007A
6/14
R
JCS730
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transient Thermal Response Curve
For JCS730V/R
Transient Thermal Response Curve
For JCS730S/B/C
Transient Thermal Response Curve
For JCS730F
版本：201007A
7/14
R
JCS730
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
IPAK
单位Unit：mm
版本：201007A
8/14
R
JCS730
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
DPAK
单位Unit：mm
版本：201007A
9/14
R
JCS730
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-262
单位Unit：mm
版本：201007A
10/14
R
JCS730
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-263
单位Unit：mm
版本：201007A
11/14
R
JCS730
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220C
单位Unit：mm
版本：201007A
12/14
R
JCS730
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-220MF
单位Unit：mm
版本：201007A
13/14
R
JCS730
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理，无论哪种方式，订货
时请与公司核实。
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
额定值，否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
CONTACT
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
联系方式
吉林华微电子股份有限公司
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
公司地址：吉林省吉林市深圳街99 号
Post Code: 132013
邮编：132013
Tel： 86-432-64678411
总机：86-432-64678411
传真：86-432-64665812
网址：www.hwdz.com.cn
Fax：86-432-64665812
Web Site：www.hwdz.com.cn
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
市场营销部
地址：吉林省吉林市深圳街99 号
Post Code: 132013
邮编：132013
Tel:
86-432-64675588
64675688
电话： 86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
版本：201007A
14/14
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明