JCS7N60 [JSMC]

N-CHANNEL MOSFET; N沟道MOSFET


型号：	JCS7N60
厂家：	JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
描述：	N-CHANNEL MOSFET N沟道MOSFET
文件：	总12页 (文件大小：749K)
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N沟道增强型场效应晶体管

N-CHANNEL MOSFET

JCS7N60

封装 Package

主要参数 MAIN CHARACTERISTICS

7.0 A

600 V

1.2Ω

54 nC

VDSS

Rdson（@Vgs=10V）

APPLICATIONS

用途

z High efficiency switch

mode power supplies

z Electronic lamp ballasts

based on half bridge

z UPS

z 高频开关电源

z 电子镇流器

z UPS 电源

产品特性

z低栅极电荷

FEATURES

zLow gate charge

zLow C_rss(typical 23pF )

zFast switching

z低C_rss(典型值23pF)

z开关速度快

z产品全部经过雪崩测试

z高抗dv/dt 能力

zRoHS 产品

z100% avalanche tested

zImproved dv/dt capability

zRoHS product

订货信息 ORDER MESSAGE

无卤素

包

订货型号

印

记

封

装

器件重量

Halogen

Order codes

Marking

Package

Packaging Device Weight

Free

否 NO

JCS7N60S-O-S-N-B

JCS7N60B-O-B-N-B

JCS7N60C-O-C-N-B

JCS7N60F-O-F-N-B

JCS7N60S TO-263

JCS7N60B TO-262

JCS7N60C TO-220C

条管 Tube

1.37 g(typ)

1.71 g(typ)

2.15 g(typ)

2.20 g(typ)

否 NO

JCS7N60F TO-220MF 否 NO

版本：201006A

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JCS7N60

绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)

数值

项

目

符号

单位

Value

Parameter

Symbol

Unit

JCS7N60S/B/C

JCS7N60F

600

最高漏极－源极直流电压

V_DSS

600

7.0

4.4

Drain-Source Voltage

I_D

7.0*

连续漏极电流

T=25℃

T=100℃

Drain Current

-continuous

4.4*

最大脉冲漏极电流（注1）

Drain Current - pulse

最高栅源电压

I_DM

28*

（note 1）

V_GSS

E_AS

I_AR

±30

420

7.0

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

雪崩电流（注1）

Avalanche Current（note 1）

重复雪崩能量（注1）

E_AR

dv/dt

14.7

5.5

Repetitive Avalanche Current（note 1）

二极管反向恢复最大电压变化速率（注3）

Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）

V/ns

P_D

147

T_C=25℃

-Derate

above

25℃

耗散功率

Power Dissipation

1.18

0.38

W/℃

最高结温及存储温度

Operating and Storage Temperature T_J，T_STG

-55～+150

℃

Range

引线最高焊接温度

Maximum

Soldering Purposes

*漏极电流由最高结温限制

Lead

Temperature

for T_L

300

*Drain current limited by maximum junction temperature

版本：201006A

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JCS7N60

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

项

目

符号

测试条件

最小典型最大单位

Parameter

关态特性 Off –Characteristics

漏－源击穿电压

Symbol

Tests conditions

Min Typ Max Units

BV_DSS

I_D=250μA, V_GS=0V

600

Drain-Source Voltage

击穿电压温度特性

ΔBV_DSS/Δ I_D=250μA, referenced to

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

0.65

V/℃

T_J

25℃

V_DS=600V,V_GS=0V,

零栅压下漏极漏电流

μA

I_DSS

T_C=25℃

Zero Gate Voltage Drain Current

V_DS=480V,

T_C=125℃

100 μA

正向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

forward

I_GSSF

V_DS=0V, V_GS=30V

100 nA

反向栅极体漏电流

Gate-body leakage current,

reverse

I_GSSR

V_DS=0V, V_GS=-30V

-100 nA

通态特性On-Characteristics

阈值电压

V_GS(th)

R_DS(ON)

g_fs

V_DS= V_GS, I_D=250μA

V_GS=10V , I_D=3.5A

V_DS= 40V, I_D=3.5A（note 4）

V_DS=25V,

2.0

4.0

Ω

Gate Threshold Voltage

静态导通电阻

Static Drain-Source

On-Resistance

1.0 1.2

正向跨导

8.2

Forward Transconductance

动态特性Dynamic Characteristics

输入电容

C_iss

C_oss

C_rss

1380 1800 pF

115 150 pF

Input capacitance

输出电容

_GS=0V,

f=1.0MH_Z

Output capacitance

反向传输电容

Reverse transfer capacitance

版本：201006A

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JCS7N60

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性Switching Characteristics

延迟时间Turn-On delay time

上升时间Turn-On rise time

延迟时间Turn-Off delay time

下降时间Turn-Off Fall time

栅极电荷总量Total Gate Charge

栅－源电荷Gate-Source charge

栅－漏电荷Gate-Drain charge

t_d(on)

t_r

V_DD=300V,I_D=7A,R_G=25Ω

（note 4，5）

30 70

80 170 ns

125 260 ns

85 180 ns

t_d(off)

t_f

_DS=480V ,

I_D=7A

_GS=10V （note 4，5）

Q_g

54 65

Q_gs

Q_gd

6.8

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

I_S

7.0

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

正向压降

I_SM

Drain-Source Diode Forward

Voltage

V_SD

V_GS=0V,

I_S=7.0A

1.4

反向恢复时间

t_rr

415

4.6

Reverse recovery time

反向恢复电荷

V_GS=0V, I_S=7.0A

dI_F/dt=100A/μs

(note 4)

Q_rr

μC

Reverse recovery charge

热特性THERMAL CHARACTERISTIC

最大

Max

JCS7N60S/B/C

项

目

符号

单位

Parameter

Symbol

Unit

JCS7N60F

结到管壳的热阻

R^th(j-c)

0.85

62.5

2.6

℃/W

Thermal Resistance, Junction to Case

结到环境的热阻

R^th(j-A)

62.5

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Notes:

注释：

1 ： Pulse width limited by maximum junction

temperature

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=15.7mH, I_AS=7.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始

结温T_J=25℃

2：L=15.7mH, I_AS=7.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,Starting

T_J=25℃

3：I_SD≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV_DSS,起始结温

T_J=25℃

3 ：I_SD≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV_DSS, Starting

T_J=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

版本：201006A

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JCS7N60

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Transfer Characteristics

On-Region Characteristics

V_GS

Top

15V

10V

6.5V

25℃

5.5V

Bottom 5V

150℃

Notes：

1. 250μs pulse test

2. T_C=25℃

Notes：

1.250μs pulse test

2.V_DS=40V

0.1

V_GS[V]

V_DS[V]

On-Resistance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

Body Diode Forward Voltage Variation

vs. Source Current and Temperature

1.40

1.35

V_GS=10V

1.30

1.25

1.20

1.15

25℃

1.10

150℃

V_GS=20V

Notes：

1. 250μs pulse test

1.05

2. V_GS=0V

Note ：T_j=25℃

1.00

0.1

0.95

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1.4

1.5

V_SD[V]

I_D[A]

Gate Charge Characteristics

Capacitance Characteristics

V_DS=480V

V_DS=300V

V_DS=120V

Q_gToltal Gate Charge [nC]

版本：201006A

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JCS7N60

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

On-Resistance Variation

vs. Temperature

Breakdown Voltage Variation

vs. Temperature

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

1.2

1.1

1.0

0.9

Notes：

1. V_GS=10V

2. I_D=3.5A

Notes：

1. V_GS=0V

2. I_D=250μA

0.8

-75

-50

-25

100

125

150

-50

-25

100

125

150

T_j[ ℃ ]

T_j[℃ ]

Maximum Safe Operating Area

For JCS7N60S/B/C

Maximum Safe Operating Area

For JCS7N60F

Maximum Drain Current

vs. Case Temperature

版本：201006A

6/12

JCS7N60

特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)

Transient Thermal Response Curve

For JCS7N60S/B/C

Transient Thermal Response Curve

For JCS7N60F

版本：201006A

7/12

JCS7N60

外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-262

单位Unit：mm

版本：201006A

8/12

JCS7N60

外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-263

单位Unit：mm

版本：201006A

9/12

JCS7N60

外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220C

单位Unit：mm

版本：201006A

10/12

JCS7N60

外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA

TO-220MF

单位Unit：mm

版本：201006A

11/12

JCS7N60

注意事项

NOTE

1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分

为直销和销售代理，无论哪种方式，订货

时请与公司核实。

1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its

product either through direct sales or sales

agent , thus, for customers, when ordering ,

please check with our company.

2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公

2. We strongly recommend customers check

carefully on the trademark when buying our

product, if there is any question, please

don’t be hesitate to contact us.

司本部联系。

3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大

3. Please do not exceed the absolute

maximum ratings of the device when circuit

designing.

额定值，否则会影响整机的可靠性。

4.本说明书如有版本变更不另外告知

4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves

the right to make changes in this

specification sheet and is subject to

change without prior notice.

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MARKET DEPARTMENT

ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin

Province, China.

市场营销部

地址：吉林省吉林市深圳街99 号

Post Code: 132013

邮编：132013

Tel:

86-432-64675588

64675688

电话： 86-432-64675588

64675688

64678411-3098/3099

Fax: 86-432-64671533

64678411-3098/3099

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