NT5TU128M8HE-ACI
更新时间：2024-10-29 23:13:53
品牌：NANYA
描述：Commercial, Industrial and Automotive DDR2 1Gb SDRAM
概述
规格参数
数据手册NT5TU128M8HE-ACI 概述
Commercial, Industrial and Automotive DDR2 1Gb SDRAM DRAM
NT5TU128M8HE-ACI 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TFBGA, BGA60,9X11,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 1.82 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 10 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X11,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 4,8 |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
NT5TU128M8HE-ACI 数据手册
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