数据表

砷化镓HBT集成电路

µ

PG2304TK

L波段VCO本地缓冲区放大器

描述

该

µ

PG2304TK是砷化镓HBT MMIC VCO为本地缓冲放大器，它是为移动电话开发

另一个L波段应用。

该器件采用的InGaP HBT实现了卓越的性能。该器件采用6引脚无铅少

minimold包（ 1511 ） 。这包是能够高密度表面安装。

特点

•操作频率

•电源电压

•低电流消耗

•卓越的隔离

: f

opt1

= 679至768兆赫（ 720兆赫TYP 。 ）

: f

opt2

= 1 270 〜1 371 MHz的（ 1 320 MHz的TYP 。 ）

: V

CC

= 2.7〜 2.9 V（ 2.8 V TYP 。 ）

: I

CC

= 3.5毫安TYP 。 @ V

CC

= 2.8 V

： ISL

1

= 40 dB典型值。 @频率

opt1

= 720兆赫，P

in

=

−4

dBm时， V

CC

= 2.8 V

： ISL

2

= 35 dB典型值。 @频率

opt2

= 1 320 MHz时， P

in

=

−4

dBm时， V

CC

= 2.8 V

•高密度表面安装： 6针引线少minimold封装（ 1.5

×

1.1

×

0.55 mm)

应用

• VCO缓冲放大器等。

订购信息

产品型号

包

6引脚无铅减Minimold

(1511)

记号

G3F

供给方式

•

压纹带8mm宽

•

销1,6面带的穿孔侧

•

数量5千件/卷

µ

PG2304TK-E2

备注

如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。

样品订购部件号：

µ

PG2304TK

当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认

这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查

代表性的产品供应及其他信息。

一号文件PG10162EJ01V0DS （第1版）

发布日期2002年5月CP （ K）

日本印刷



NEC化合物半导体器件2002年