GAN190-650EBE [NEXPERIA]
650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm packageProduction;
| 型号： | GAN190-650EBE |
| 厂家： | 
Nexperia |
| 描述： | 650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm packageProduction |
| 文件： | 总14页 (文件大小：8101K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
相关型号：
GAN190-650FBE
650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm packageProduction
NEXPERIA
GAN3R2-100CBE
100 V, 3.2 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 3.5 mm x 2.13 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)Production
NEXPERIA
GAN7R0-150LBE
150 V, 7 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm Land Grid Array (LGA) packageProduction
NEXPERIA
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明