PGH100N8 [NIEC]
Silicon Controlled Rectifier, 157A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, MODULE-8;
| 型号： | PGH100N8 |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 157A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, MODULE-8 局域网 |
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PGH100N8
ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ
100Ａ Ａvg 800 Ｖolts
■回路図 CIRCUIT
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
Dimension:［mm］
総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor
■最大定格 Maximum Ratings
項 目
Parameter
記号
Symbol
単位
Unit
条件
Conditions
定格値
Max. Rated Value
平均出力電流
Average Rectified Output Current
TC=124℃（電圧印加なし）
100
100
三相全波整流
3-Phase Full
Wave Rectified
Non-Biased for Thyristor
TC= 99℃（電圧印加あり）
Biased for Thyristor
Io (AV)
Tjw
A
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
125～150℃はｻｲﾘｽﾀ部に順阻止電圧を
印加しない事
-40 ～+150
℃
Tj＞125℃, Can not be Biased for Thyristor
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
-40 ～+125
2500
℃
Tstg
Viso
端子－ベース間，AC 1 分間
Terminal to Base, AC 1min.
ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
V
Isolation Voltage
ベース部
Ｍ５
2.4 ～2.8
2.4 ～2.8
－
Mounting
主端子部
Greased
締付トルク
Mounting Torque
Ｎ・ｍ
F
Ｍ５
－
Terminal
ゲート端子部
Gate Terminal
■熱特性 Thermal Characteristics
項 目
Parameter
接触熱抵抗
Thermal Resistance
記号
Symbol
単位
Unit
条件
Conditions
ｹｰｽ－ﾌｨﾝ間(ﾄｰﾀﾙ)､ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
特性値（最大）
Maximum Value
℃/Ｗ
R
th(c-f)
0.06
Case to Fin , Total , Greased
ダイオードブリッジ部(6素子) Part of Diode Bridge(6 dies)
■ 最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
記号
Symbol
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧
*1
*1
VRRM
VRSM
800
V
V
900
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
項 目
Parameter
記号
Symbol
単位
Unit
条件
Conditions
定格値
Max. Rated Value
サージ順電流
Surge Forward Current
電流二乗時間積
*1
*1
50Hz 正弦半波，1ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
IFSM
I2t
f
1000
5000
400
A
2～10ms
A2ｓ
Hz
I Squared t
許容周波数
Allowable Operating Frequency
*1：1ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.
ダイオードブリッジ部(6素子) Part of Diode Bridge(6 dies)
■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
記号
Symbol
単位
Unit
特性値（最大）
条件
Conditions
Maximum Value
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
*1
*1
Tj = 125℃, VRM = VRRM
IRM
5
mA
V
Tj = 25℃, IFM= 100A
VFM
1.20
0.09
Peak Forward Voltage
熱抵抗
Thermal Resistance
接合部―ｹｰｽ間(ﾄｰﾀﾙ)
Unction to Case , Total
℃/Ｗ
R
th(j-c)
*1：1ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm.
サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 die)
■最大定格 Maximum Rating
項 目
Parameter
記号
Symbol
定格値
Max.Rated Value
単位
Unit
くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧
Repetitive Peak Off-State Voltage
非くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧
*2
*2
VDRM
VDSM
800
V
900
V
Non-Repetitive Peak Off-State Voltage
*2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor
項 目
Parameter
記号
Symbol
単位
Unit
条件
Conditions
定格値
Max. Rated Value
サージオン電流
Surge On-State Current
電流二乗時間績
50Hz 正弦半波，1ｻｲｸﾙ，非くり返し
Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive
IＴ
SM
2000
20000
100
5
A
A2ｓ
A/μs
W
I2t
2～10ms
I Squared t
VD= 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μs
臨界オン電流上昇率
Critical Rate of Rise of Turned-On Current
ピークゲート電力損失
Peak Gate Power
di/dt
PGM
平均ゲート電力損失
Average Gate Power
ピークゲート電流
PG(AV)
IGM
1
W
2
A
Peak Gate Current
ピークゲート電圧
VGM
VRGM
10
V
Peak Gate Voltage
ピークゲート逆電圧
Peak Gate Reverse Voltage
5
V
■電気的特性 Electrical Characteristics
特性値（最大）
Maximum Value
最小 標準 最大
Min Typ Max
項 目
Parameter
記号
Symbol
条 件
Conditions
単位
Unit
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
ピークオン電圧
Tj = 125℃, VDM= VDRM
Tj = 25℃, ITM= 100A
IDM
20
mA
V
VTM
1.15
Peak Off-State Voltage
Tj =－40℃
200
100
50
4.0
2.5
2.0
トリガゲート電流
Gate Current to Trigger
Tj = 25℃
Tj = 125℃
Tj =－40℃
Tj = 25℃
Tj = 125℃
IGT
VD= 6 V, IT= 1A
mA
V
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
VD= 6 V, IT= 1A
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage
ターンオフ時間
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
VGD
dv/dt
t q
0.25
500
150
6
V
V/μs
μs
Tj =125℃, VD= 2/3 VDRM
Tj =125℃, ITM= Io, VD= 2/3 VDRM
dv/dt = 20V/μs, VR= 100V, ‐di/dt = 20A/μs
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μs
Turn-Off Time
ターンオン時間
μs
t gt
Turn-On Time
特性値（最大）
Maximum Value
最小 標準 最大
項 目
Parameter
記号
Symbol
条 件
Conditions
単位
Unit
Min Typ Max
遅れ時間
Tj =25℃, VD= 2/3 VDRM , IT=3・IO
IG= 200mA, diG/dt = 0.2A/μs
μs
μs
t d
t r
2
Delay Time
立ち上がり時間
Rise Time
4
ラッチング電流
Latching Current
保持電流
Tj =25℃
Tj =25℃
I L
I H
100
80
mA
mA
℃/W
Holding Current
熱抵抗
接合部－ケース間
Junction to Case
R
th(j-c)
0.25
Thermal Resistance
■質量 Approximate Weight
－－－ 約 ２２５ｇ
■定格・特性曲線
相关型号：
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