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PRHMB200B12_1 [NIEC]

200A 1200V; 200A 1200V
PRHMB200B12_1
型号： PRHMB200B12_1
厂家： NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION    NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION
描述：

200A 1200V
200A 1200V
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ  
回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ  
２００ Ａ，１２００Ｖ  
ＰＲＨＭＢ２００Ｂ１２  
□
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ  
94.0  
80 ±0.25  
11.0 12.0  
12.0 11.0 12.0  
2-Ø6.5  
7
6
7(G2)  
6(E2)  
1
2
3
(C2E1)  
1
(E2)  
2
(C1)  
3
3-M5  
23.0  
9
23.0  
9
17.0  
4-fasten tab  
#110 t=0.5  
14  
14  
14  
LABEL  
Dimension:［mm］  
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
１，２００  
Ｕｎｉｔ  
Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage  
ＶＣＥＳ  
ＶＧＥＳ  
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧  
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage  
±２０  
Ｖ
Ａ
ＩＣ  
ＤＣ  
２００  
４００  
コ レ ク タ 電 流  
Ｃollector Ｃurrent  
ＩＣＰ  
１ｍｓ  
コ レ ク タ 損 失  
Ｃollector Ｐower Ｄissipation  
ＰＣ  
９６０  
Ｗ
接
合
温
Ｊunction Ｔemperature Ｒange  
度
Ｔｊ  
－４０～＋１５０  
－４０～＋１２５  
２,５００  
℃
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ  
ＶＩＳＯ  
Ｆｔｏｒ  
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange  
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)  
絶
縁
耐
Ｖ（ＲＭＳ）  
Ｉsolation Ｖoltage  
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink  
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal  
３（３０.６）  
２（２０.４）  
締 め 付 け ト ル ク  
Ｍounting Ｔorque  
Ｎ・ｍ  
(kgf･cm)  
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
コ レ ク タ 遮 断 電 流  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＣＥＳ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V  
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V  
ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V  
４.０  
１.０  
２.４  
８.０  
－
ｍＡ  
μＡ  
Ｖ
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent  
ゲ ー ト 漏 れ 電 流  
ＩＧＥＳ  
ＶＣＥ（ｓａｔ）  
ＶＧＥ（ｔｈ）  
Ｃｉｅｓ  
－
－
－
１.９  
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent  
コレクタ・エミッタ間飽和電圧  
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage  
ゲ ー ト し き い 値 電 圧  
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA  
４.０  
－
Ｖ
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage  
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ  
16,600  
ｐＦ  
Ｉnput Ｃapacitance  
ｔｒ  
ｔｏｎ  
ｔｆ  
上 昇 時 間 Ｒise  
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime  
下 降 時 間 Ｆall Ｔime  
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime  
Ｔime  
－
－
－
－
０.２５  
０.４０  
０.２５  
０.８０  
０.４５  
０.７０  
０.３５  
１.１０  
ＶＣＣ= 600V  
ＲL= 3Ω  
スイッチング時間  
Ｓwitching Ｔime  
μｓ  
ＲG= 2Ω  
ＶＧＥ= ±15V  
ｔｏｆｆ  
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）  
Ｉｔｅｍ  
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＩＦ  
ＩＦＭ  
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ  
Ｕｎｉｔ  
Ａ
順
電
流
ＤＣ  
２００  
４００  
Ｆorward Ｃurrent  
１ｍｓ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
圧
Ｓｙｍｂｏｌ  
ＶＦ  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Ｍｉｎ.  
－
Ｔｙｐ.  
１.９  
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
順
電
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V  
２.４  
０.３  
Ｖ
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage  
逆 回 復 時 間  
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V  
ｄi/ｄt= 400A/μs  
ｔｒｒ  
－
０.２  
μｓ  
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime  
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ  
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ  
抗
Ｓｙｍｂｏｌ  
Ｒth(j-c)  
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ  
Junction to Case  
Ｍｉｎ.  
－
－
Ｔｙｐ.  
－
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ  
熱
抵
ＩＧＢＴ  
Ｄiode  
０.１２５  
℃／Ｗ  
Ｔhermal Ｉmpedance  
０.２４  
日本インター株式会社  
ＰＲＨＭＢ２００Ｂ１２  
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage  
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)  
Fig.1- Output Characteristics (Typical)  
TC=25℃  
TC=25℃  
10V  
16  
14  
12  
10  
8
400  
300  
200  
100  
0
IC=100A  
200A  
400A  
VGE=20V  
15V  
12V  
E
C
V
e
g
C
I
a
l
t
n
9V  
8V  
o
V
r
e
re  
u
C
r
t
i
m
E
to  
6
c
o
t
e
l
l
o
C
otr  
4
c
e
l
l
o
C
2
7V  
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
2
4
6
8
10  
Gate to Emitter Voltage VGE (V)  
Collector to Emitter Voltage VCE (V)  
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage  
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)  
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)  
TC=125℃  
16  
14  
12  
10  
8
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
16  
14  
12  
10  
8
RL=3Ω  
TC=25℃  
IC=100A  
200A  
400A  
G
a
E
C
te  
E
C
t
o
V
V
e
e
g
E
m
ta  
ga  
i
t
l
t
o
te  
o
V
r
V
o
V
r
r
e
e
t
t
i
l
t
VCE=600V  
a
g
e
m
E
6
6
mEit  
o
t
V
o
GE  
400V  
200V  
t
r
tor  
o
t
4
4
c
c
e
l
l
e
o
C
o
2
2
C
0
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
300  
600  
900  
1200  
1500  
Total Gate Charge Qg (nC)  
Gate to Emitter Voltage VGE (V)  
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical)  
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)  
100000  
50000  
1.4  
1.2  
1
VGE=0V  
f=1MHZ  
TC=25℃  
VCC=600V  
RG= 2.0 Ω  
VGE=±15V  
TC=25℃  
Cies  
Coes  
Cres  
20000  
10000  
tOFF  
t
e
C
5000  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
m
i
nce  
a
t
tf  
gT  
2000  
1000  
500  
ci  
ni  
h
c
pa  
a
C
t
w
S
200  
100  
tON  
tr  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
5
10  
20  
50  
100 200  
0
50  
100  
150  
200  
Collector to Emitter Voltage VCE (V)  
Collector Current IC (A)  
日本インター株式会社  
ＰＲＨＭＢ２００Ｂ１２  
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode  
(Typical)  
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)  
400  
300  
200  
100  
0
10  
5
TC=25℃  
TC=125℃  
VCC=600V  
IC=200A  
VGE=±15V  
TC=25℃  
toff  
ton  
tr  
tf  
2
1
F
I
t
t
n
e
m
e
u
Ti  
C
g
0.5  
d
r
n
i
h
c
a
t
i
w
o
F
Sw  
0.2  
0.1  
0.05  
0
1
2
3
4
1
2
5
10  
20  
50  
100  
200  
Forward Voltage VF (V)  
Series Gate Impedance RG (Ω)  
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)  
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical)  
RG=2Ω  
1000  
500  
1000  
500  
IF=200A  
TC=25℃  
VGE=±15V  
TC≦125℃  
M
200  
100  
50  
Rr  
I
r
nt  
200  
100  
50  
e
r
r
tr  
trr  
e
C
u
C
I
m
i
T
20  
10  
5
y
net  
ry  
er  
r
v
o
e
v
o
c
e
uCr  
ec  
r
o
R
R
e
e
s
r
t
2
1
l
rs  
e
v
e
v
20  
10  
5
e
R
oCl  
e
R
k
a
IRrM  
0.5  
e
P
0.2  
0.1  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
0
400  
800  
1200  
1600  
Collector to Emitter Voltage V CE (V)  
-di/dt (A/μs)  
Fig.11- Transient Thermal Impedance  
1
5x10 -1  
FRD  
2x10 -1  
1x10 -1  
5x10 -2  
IGBT  
h
t
R
cne  
a
d
2x10 -2  
1x10 -2  
5x10 -3  
e
p
m
I
l
a
m
r
e
h
T
2x10 -3  
1x10 -3  
5x10 -4  
t
n
TC=25℃  
e
i
s
n
1 Shot Pulse  
a
r
T
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
1
101  
Time t (s)  
日本インター株式会社  

相关型号：

SI9130DB

 5- and 3.3-V Step-Down Synchronous Converters

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-
VISHAY

SI9135LG-T1

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9135LG-T1-E3

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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VISHAY

SI9135_11

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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VISHAY

SI9136_11

 Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9130CG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130LG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130_11

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9137

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137DB

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137LG

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9122E

 500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification Drivers

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-
VISHAY
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