PRHMB50B12A [NIEC]
50A 1200V; 50A 1200V
| 型号： | PRHMB50B12A |
| 厂家： | 
NIHON INTER ELECTRONICS CORPORATION |
| 描述： | 50A 1200V |
| 文件： | 总3页 (文件大小：194K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ
－
Ｃｈｏｐｐｅｒ
５０Ａ，１２００Ｖ
ＰＲＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
94
80 ±0.25
12 11 12 11 12
2-Ø5.5
7
6
1
2
3
7(G2)
6(E2)
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
3-M5
23
7
23
7
17
4-fasten tab
#110 t=0.5
16
16
16
LABEL
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
Ｕｎｉｔ
Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ＶＣＥＳ
ＶＧＥＳ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
±２０
Ｖ
Ａ
ＩＣ
ＤＣ
５０
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
ＩＣＰ
１ｍｓ
１００
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＰＣ
２５０
Ｗ
接
合
温
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
度
Ｔｊ
－４０～＋１５０
－４０～＋１２５
２,５００
℃
保
存
温
度
Ｔｓｔｇ
ＶＩＳＯ
Ｆｔｏｒ
℃
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
絶
縁
耐
Ｖ（ＲＭＳ）
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
２（２０.４）
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＣＥＳ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
ＩＣ= 50A,ＶＧＥ= 15V
１.０
１.０
２.４
８.０
－
ｍＡ
μＡ
Ｖ
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
ＩＧＥＳ
ＶＣＥ（ｓａｔ）
ＶＧＥ（ｔｈ）
Ｃｉｅｓ
－
－
－
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
１.９
－
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 50mA
４.０
－
Ｖ
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
4,200
ｐＦ
Ｉnput Ｃapacitance
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
上 昇 時 間 Ｒise
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime
下 降 時 間 Ｆall Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime
Ｔime
－
－
－
－
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 12Ω
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μｓ
ＲG= 20Ω
ＶＧＥ= ±15V
ｔｏｆｆ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
Ｕｎｉｔ
Ａ
順
電
流
ＤＣ
５０
Ｆorward Ｃurrent
１ｍｓ
１００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
圧
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＦ
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｍｉｎ.
－
Ｔｙｐ.
１.９
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順
電
ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= 0V
２.４
０.３
Ｖ
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 100A/μs
ｔｒｒ
－
０.２
μｓ
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
抗
Ｓｙｍｂｏｌ
Ｒth(j-c)
Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Junction to Case
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ.
－
－
Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
熱
抵
ＩＧＢＴ
Ｄiode
０.４３
℃／Ｗ
Ｔhermal Ｉmpedance
０.７
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.1- Output Characteristics (Typical)
TC=25℃
10V
TC=25℃
16
14
12
10
8
100
75
50
25
0
IC=25A
50A
100A
VGE=20V
15V
12V
E
C
V
e
g
C
I
a
l
t
n
9V
8V
o
V
r
e
re
u
C
r
t
i
m
E
to
6
c
o
t
e
l
l
o
C
otr
4
c
e
l
l
o
C
2
7V
10
0
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
TC=125℃
800
700
600
500
400
300
200
100
0
16
16
14
12
10
8
RL=12Ω
TC=25℃
IC=25A
50A
100A
14
12
10
8
G
a
E
C
t
e
E
C
t
o
V
V
e
e
g
E
m
ta
ga
i
l
te
t
o
o
V
r
V
o
V
r
r
e
e
t
t
i
l
t
VCE=600V
a
g
e
m
E
6
6
mEit
o
t
V
o
GE
400V
200V
t
r
tor
o
t
4
4
c
c
e
l
l
e
o
C
o
2
2
C
0
0
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate to Emitter Voltage VGE (V)
Total Gate Charge Qg (nC)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
1.4
1.2
1
20000
10000
5000
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
Cies
VCC=600V
RG=20Ω
VGE=±15V
TC=25℃
tOFF
2000
1000
500
C
e
t
e
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Coes
Cres
m
i
nc
a
gT
n
i
cit
tf
a
p
h
c
t
i
Ca
200
100
50
wS
tON
tr
20
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100 200
0
10
20
30
40
50
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Collector Current IC (A)
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
10
5
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TC=25℃
TC=125℃
VCC=600V
IC=50A
VGE=±15V
TC=25℃
toff
ton
2
1
F
I
t
t
e
tr
tf
m
i
ern
u
C
gT
0.5
n
i
d
r
h
c
a
w
r
t
i
o
F
Sw
0.2
0.1
0.05
5
10
20
50
100
200
300
0
1
2
3
4
Forward Voltage VF (V)
Series Gate Impedance RG (Ω)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
500
500
IF=50A
RG=20Ω
TC=25℃
VGE=±15V
TC≦125℃
200
100
50
200
100
50
M
r
trr
R
I
t
n
r
tr
e
r
r
C
e
I
u
C
20
10
5
m
i
T
y
r
net
r
e
v
o
c
e
ry
e
v
o
c
e
20
10
5
r
C
r
o
R
e
R
e
2
1
cet
l
l
s
r
o
C
e
v
e
rs
e
v
e
0.5
R
IRrM
akR
e
P
2
1
0.2
0.1
0
50
100
150
200
250
300
0
400
800
1200
1600
Collector to Emitter Voltage V CE (V)
-di/dt (A/μs)
fig11-Tansient Thermal Impedance
5
2
1
FRD
5x10-1
h
t
IGBT
R
2x10-1
10-1
cne
a
d
e
p
5x10-2
m
l
a
2x10-2
10-2
ehrm
T
Tc=25℃
1 Shot
t
e
i
s
-3
5x10
n
a
T
2x10-3
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
101
Time t（s）
日本インター株式会社
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明