FNA21012A [ONSEMI]
智能功率模块，1200 V，10A;
| 型号： | FNA21012A |
| 厂家： | 
ONSEMI |
| 描述： | 智能功率模块，1200 V，10A 电动机控制 光电二极管 |
| 文件： | 总17页 (文件大小：1312K) |
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2014 年 12 月
FNA21012A
1200 V Motion SPM 2 系列
®
特性
概述
FNA21012A 是一款先进的 Motion SPM® 2 模块，为交流
感应、无刷直流电机和 PMSM 电机提供非常全面的高性
能逆变器输出平台。这些模块综合优化了内置 IGBT 的栅
极驱动以最小化电磁干扰和能量损耗。同时也提供多重模
组保护特性：欠压闭锁、过流关断、热量监测和故障报告。
内置的高速 HVIC 只需要一个单电源电压，将逻辑电平栅
极输入转化为适合驱动模块内部 IGBT 的高电压，高电流
驱动信号。独立的 IGBT 负端在每个相位均有效，可支持
大量不同种类的控制算法。
• 通过 UL 第 E209204 号认证 (UL1557)
• 1200 V - 10 A 三相 IGBT 逆变器 （包含提供栅极驱动
和保护的控制 IC）
• 低损耗、短路额定的 IGBT
• 采用 DBC (Al2O3) 基板实现非常低的热阻
• 内置自举二极管和专用的 Vs 引脚以简化印刷电路板布
局
• 低端 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流感测
• 支持单接地电源供电
• 内置负温度系数热敏电阻可实现温度监测和管理
• 集成 sense-IGBT 实现可调节过流保护
• 绝缘等级：2500 Vrms / 1 分钟
应用
• 运动控制 - 工业电机 （交流 400 V 类别）
相关资料
• AN-9075 - Users Guide for 1200V SPM® 2 Series
• AN-9076 - Mounting Guide for New SPM® 2 Package
• AN-9079 - Thermal Performance of 1200V Motion
SPM® 2 Series by Mounting Torque
图 1. 封装概览
封装标识与定购信息
器件
器件标识
封装
包装类型
数量
FNA21012A
FNA21012A
SPMCA-A34
Rail
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1
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集成的功率功能
1200 V - 10 A IGBT 逆变器，适用于三相 DC / AC 功率转换 （请参阅图 3）
•
集成的驱动、保护和系统控制功能
•
对于逆变器高端 IGBT：栅极驱动电路、高压隔离的高速电平转换控制电路欠压锁定保护 (UVLO) 可用自举电路示例如图 5 和图 15
所示。
•
•
•
对于逆变器低端 IGBT：栅极驱动电路、短路保护 (SCP) 控制电路、欠压锁定保护 (UVLO)
故障信号：对应 UV （低端电源）和短路故障
输入接口：高电平有效接口，可用于 3.3 / 5 V 逻辑电平，施密特触发脉冲输入
引脚布局
(34) VS(W)
(33) VB(W)
(32) VBD(W)
(31) VCC(WH)
(30) IN(WH)
(1) P
(29) VS(V)
(28) VB(V)
(2) W
(3) V
(4) U
(27) VBD(V)
(26) VCC(VH)
(25) IN(VH)
(24) VS(U)
(23) VB(U)
Case Temperature (TC)
Detecting Point
(22) VBD(U)
(21) VCC(UH)
(20) COM(H)
(19) IN(UH)
(18) RSC
(17) CSC
(5) NW
(6) NV
(7) NU
(16) CFOD
(15) VFO
(14) IN(WL)
(13) IN(VL)
(12) IN(UL)
(11) COM(L)
(10) VCC(L)
(8) RTH
(9) VTH
图 2. 俯视图
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引脚描述
引脚号
1
引脚名
P
引脚描述
直流输入正端
2
W
W 相输出
3
V
V 相输出
4
U
U 相输出
5
NW
W 相的直流输入负端
6
NV
V 相的直流输入负端
7
NU
U 相的直流输入负端
8
RTH
热敏电阻的串联电阻 （温度检测）
热敏电阻偏压
9
VTH
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
VCC(L)
COM(L)
IN(UL)
IN(VL)
IN(WL)
VFO
驱动 IC 和 IGBT 的低端偏压
低端公共电源接地
低端 U 相的信号输入
低端 V 相的信号输入
低端 W 相的信号输入
故障输出
CFOD
CSC
设置故障输出持续时间的电容
短路电流感测输入电容 （低通滤波器）
短路电流感测电阻
RSC
IN(UH)
COM(H)
VCC(UH)
VBD(U)
VB(U)
VS(U)
IN(VH)
VCC(VH)
VBD(V)
VB(V)
VS(V)
IN(WH)
VCC(WH)
VBD(W)
VB(W)
VS(W)
高端 U 相的信号输入
高端公共电源接地
U 相 IC 的高端偏压
U 相高端自举电路的自举二极管的阳极
U 相 IGBT 驱动的高端偏压
U 相 IGBT 驱动的高端偏压接地
高端 V 相的信号输入
V 相 IC 的高端偏压
V 相高端自举电路的自举二极管的阳极
V 相 IGBT 驱动的高端偏压
V 相 IGBT 驱动的高端偏压接地
高端 W 相的信号输入
W 相 IC 的高端偏压
W 相高端自举电路的自举二极管的阳极
W 相 IGBT 驱动的高端偏压
W 相 IGBT 驱动的高端偏压的地
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内部等效电路与输入 / 输出引脚
图 3. 内部框图
注：
1. 逆变器高端由三个常规 IGBT 组成，每个 IGBT 包括续流二极管和一个控制 IC。
2. 逆变器高端由三个 sense-IGBT 组成，每个 IGBT 包括续流二极管和一个控制 IC。具有栅极驱动和保护功能。
3. 逆变器的功率端由逆变器的四个直流母线输入端和三个输出端组成。
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绝对最大额定值 （TJ = 25°C，除非另有说明。）
逆变器部分
符号
参数
工作条件
施加在 P - NU、 NV、 NW 之间
施加在 P - NU、 NV、 NW 之间
额定值
900
单位
VPN
V
V
V
A
A
电源电压
1000
1200
10
VPN （浪涌） 电源电压 （浪涌）
VCES
± IC
集电极 - 发射极之间电压
单个 IGBT 的集电极电流
TC = 25°C, TJ 150°C （注 4）
± ICP
20
单个 IGBT 的集电极电流 （峰值）
TC = 25°C, TJ 150°C, 脉冲宽度小于 1 ms
（注 4）
PC
TJ
93
W
集电极功耗
工作结温
TC = 25°C per One Chip （注 4）
-40 ~ 150
°C
控制部分
符号
VCC
参数
控制电源电压
工作条件
额定值
20
单位
V
V
施加在 VCC(H), VCC(L) - COM 之间
VBS
20
高端控制偏压
施加在 VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) -
VS(W)
VIN
-0.3 ~ VCC+0.3
V
输入信号电压
施加在 IN(UH), IN(VH), IN(WH), IN(UL), IN(VL)
IN(WL) - COM 之间
,
VFO
IFO
-0.3 ~ VCC+0.3
2
V
mA
V
故障输出电源电压
故障输出电流
施加在 VFO - COM 之间
V
FO 引脚处的灌电流
VSC
-0.3 ~ VCC+0.3
电流感测输入电压
施加在 CSC - COM 之间
自举二极管部分
符号
参数
工作条件
额定值
1200
1.0
单位
VRRM
IF
V
A
A
最大重复反向电压
正向电流
TC = 25°C, TJ 150°C （注 4）
IFP
2.0
正向电流 （峰值）
TC = 25°C, TJ 150°C, 脉冲宽度小于 1 ms
（注 4）
TJ
-40 ~ 150
°C
工作结温
整个系统
符号
参数
工作条件
额定值
单位
VPN(PROT)
800
V
自我保护电源电压限制 （短路保护能力） VCC = VBS = 13.5 ~ 16.5 V，TJ = 150°C，非
重复性，< 2 µs
TC
-40 ~ 125
-40 ~ 125
2500
°C
°C
模块壳体工作温度
存储温度
见图 2
TSTG
VISO
Vrms
绝缘电压
60 Hz，正弦波形， 1 分钟，连接陶瓷基板到
引脚
热阻
符号
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
-
-
-
-
1.33
2.30
°C / W
°C / W
结点 - 壳体的热阻
（注 5）
逆变器 IGBT 部分 （每 1 / 6 模块）
逆变器 FWD 部分 （每 1 / 6 模块）
注：
4. 这些值获取了考虑到设计因素的计算结果。
5. 关于壳体温度 (T ) 的测量点，请参阅图 2。
C
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电气特性 （TJ = 25°C，除非另有说明。）
逆变器部分
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
VCE(SAT)
VCC = VBS = 15 V
IC = 10 A, TJ = 25°C
-
2.20
2.80
V
集电极 - 发射极间饱和电压
VIN = 5 V
VF
VIN = 0 V
IF = 10 A, TJ = 25°C
-
2.20
0.85
0.25
0.95
0.10
0.25
0.75
0.20
0.95
0.10
0.20
-
2.80
1.35
0.55
1.45
0.40
-
V
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
mA
FWD 正向电压
HS
LS
tON
VPN = 600 V, VCC = 15 V, IC = 10 A
TJ = 25°C
VIN = 0 V 5 V，电感负载
见图 5
（注 6）
0.45
开关时间
tC(ON)
tOFF
tC(OFF)
trr
-
-
-
-
tON
VPN = 600 V, VCC = 15 V, IC = 10 A
TJ = 25°C
VIN = 0 V 5 V，电感负载
见图 5
（注 6）
0.35
1.25
0.50
1.45
0.40
-
tC(ON)
tOFF
tC(OFF)
trr
-
-
-
-
-
ICES
VCE = VCES
5
集电极 - 发射极间漏电流
注：
6.
t
和 t
包括模块内部驱动 IC 的传输延迟时间。t
和 t
指在内部给定的栅极驱动条件下， IGBT 本身的开关时间。详细信息，请参见图 4。
C(OFF)
ON
OFF
C(ON)
100% IC 100% IC
trr
VCE
IC
IC
VCE
VIN
VIN
tON
tOFF
tC(ON)
tC(OFF)
10% IC
VIN(ON)
VIN(OFF)
10% VCE
10% IC
90% IC 10% VCE
(b) turn-off
(a) turn-on
图 4. 开关时间的定义
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One-Leg Diagram of SPM2
IC
RBS
P
CBS
VCC
COM
IN
VB
OUT
VS
LS Switching
VPN
HS Switching
U,V,W
V
Inductor
600V
LS Switching
IN
VCC
VFO
VIN
HS Switching
OUT
5 V
0 V
C
FOD
VCC
V
4.7 kΩ
C
SC
COM
NU,V,W
15 V
V
RSC
5 V
图 5. 开关测试电路实例
图 6. 开关损耗特性 （典型值）
R-T Curve
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
R-T Curve in 50℃ ~ 125℃
20
16
12
8
4
0
50
60
70
80
90
100
110
120
Temperature [℃]
0
-20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
TH[℃]
Temperature T
图 7. 内置热敏电阻的 R-T 曲线
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自举二极管部分
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
VF
trr
IF = 1.0 A, TJ = 25°C
-
-
2.2
80
-
-
V
正向电压
IF = 1.0 A, dIF / dt = 50 A / μs, TJ = 25°C
ns
反向恢复时间
控制部分
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
IQCCH
VCC(UH,VH,WH) = 15 V,
IN(UH,VH,WH) = 0 V
V
CC(UH) - COM(H)
,
-
-
0.15
mA
VCC(VH) - COM(H)
VCC(WH) - COM(H)
,
V
V
CC 静态电源电流
IQCCL
IPCCH
VCC(L) = 15 V, IN(UL,VL, WL) = 0 V
VCC(L) - COM(L)
-
-
-
-
5.00
0.30
mA
mA
VCC(UH) - COM(H)
VCC(VH) - COM(H)
VCC(WH) - COM(H)
,
VCC(UH,VH,WH) = 15 V， fPWM
20 kHz， Duty = 50%，施加于高端的
一个 PWM 信号输入
=
,
CC 电源电流
IPCCL
IQBS
IPBS
VCC(L) - COM(L)
-
-
-
-
-
-
8.50
0.30
4.50
mA
mA
mA
VCC(L) = 15V，fPWM = 20 kHz，Duty =
50%，施加于低端的一个 PWM 信号
输入
VBS = 15 V, IN(UH, VH, WH) = 0 V
VB(U) - VS(U)
VB(V) - VS(V)
VB(W) - VS(W)
,
V
V
BS 静态电源电流
,
VB(U) - VS(U)
,
BS 工作电源电流 VCC = VBS = 15 V， fPWM = 20 kHz，
VB(V) - VS(V)
,
Duty
=
50%，施加于高端的一个
VB(W) - VS(W)
PWM 信号输入
VFOH
VFOL
ISEN
4.5
-
-
-
0.5
-
V
V
故障输出电压
VCC = 15 V，VSC = 0 V，VFO 电路：4.7 k 至 5 V Pull-up
VCC = 15 V，VSC = 1 V，VFO 电路：4.7 k 至 5 V Pull-up
-
-
IC = 10 A
7
mA
每个感测 IGBT 的 VCC = 15 V，VIN = 5 V, RSC = 0 ，
感测电流
在 NU， V， W 端没有分流电阻连接
VSC(ref)
ISC
CSC - COM(L)
0.43
-
0.50
20
0.57
-
V
A
短路触发电平
VCC = 15 V （注 7）
短路电流触发电平 RSC = 68 (± 1%)， 在 NU， V， W 端没有分流电阻连接
（注 7）
UVCCD
UVCCR
UVBSD
UVBSR
tFOD
10.3
10.8
9.5
10.0
50
1.7
-
-
12.8
V
V
电源电路欠压保护 检测电平
复位电平
-
13.3
-
-
12.0
V
检测电平
12.5
V
复位电平
CFOD = Open
FOD = 2.2 nF
-
-
μs
ms
V
故障输出脉宽
（注 8）
C
-
-
VIN(ON)
VIN(OFF)
RTH
-
2.6
导通阈值电压
关断阈值电压
热敏电阻的阻值
施加在 IN(UH, VH, WH) - COM(H), IN(UL, VL, WL) - COM(L) 之
间
0.8
-
-
-
-
-
V
at TTH = 25°C
at TTH = 100°C
47
2.9
k
k
见图 7
（注 9）
-
注：
7. 短路电流保护功能仅适用于低端，因为低端 IGBT 中的感测电流已经从主电流中分离出来。如果插入分流电阻来监测 N ，N ，N 端的相电流，则短路电流触发电平会改变。
U
V
W
6
8. 故障输出脉宽 t
取决于电容 C
的值，可采用下面的近似公式进行计算：t
= 0.8 x 10 x C
[s]。
FOD
FOD
FOD
FOD
9. T 为热敏电阻自身的温度。若需获得壳体温度 (T )，请根据具体应用进行实验。
TH
C
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推荐工作条件
数值
符号
参数
工作条件
单位
最小值 典型值 最大值
VPN
VCC
VBS
300
13.5
13.0
-1
600
15.0
15.0
-
800
16.5
18.5
1
V
V
电源电压
施加在 P - NU、 NV、 NW 之间
控制电源电压
高端偏压
施加在 VCC(UH, VH, WH) - COM(H), VCC(L) - COM(L)
施加在 VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W)
V
dVCC / dt,
dVBS / dt
V / μs
控制电源波动
tdead
fPWM
VSEN
2.0
-
-
-
-
20
5
μs
kHz
V
防止桥臂直通的死区时间 适用于每个输入信号
-40°C TC 125°C, -40°C TJ 150°C
PWM 输入信号
-5
电流感测的电压
施加在 NU， NV， NW - COM(H, L)
（包括浪涌电压）
PWIN(ON)
PWIN(OFF)
TJ
1.5
1.5
-40
-
-
-
-
-
μs
最小输入脉宽
结温
IC 20 A, 线路电感在 NU，V，W 和直流母线之间为
N < 10nH （注 10）
150
°C
注：
10. 若输入脉冲宽度低于推荐值，本产品可能无输出响应。
图 8. 允许最大输出电流
注：
11. 这个允许输出电流值是此产品安全工作时的参考值。考虑到实际应用和工作条件，它可能会改变。
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机械特性和额定值
参数
器件平面度
安装扭矩
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
0
-
+200
1.5
μm
见图 9
0.9
9.1
1.0
10.1
N • m
kg • cm
安装螺钉：M4
推荐 1.0 N • m
推荐 10.1 kg • cm
15.1
见图 10
10
2
-
-
-
-
-
S
一端拉力强度
一端弯曲强度
重量
负载 19.6 N
负载 9.8 N, 90 度弯曲
次
-
50
g
(＋)
(＋)
图 9. 平面度测量位置
Pre - Screwing : 1
2
Final Screwing : 2
1
2
1
图 10. 安装螺钉时的扭紧顺序
注：
12. 安装或扭动螺钉时切勿过分用力。扭力过大会造成 DBC 基底破裂，产生毛刺并破坏铝质散热片。
13. 避免用力不均衡。图 10 显示了安装螺钉时，推荐的扭紧顺序。安装不平会破坏封装 DBC 基底。预旋紧扭矩约为最大额定扭矩的 20 ~ 30%。
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SPM 保护功能时序图
Input Signal
Protection
Circuit State
RESET
SET
RESET
UVCCR
a1
a6
Control
Supply Voltage
UVCCD
a2
a3
a4
a7
Output Current
a5
Fault Output Signal
图 11. 欠压保护 （低端）
a1 : 控制电源电压上升：当电压上升到 UVCCR 后，等到下一个开通信号时，对应的电路才开始动作。
a2 : 正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
a3 : 欠压检测 (UVCCD)。
a4 : 不论控制输入的条件， IGBT 都关断。
a5 : 根据外部电容器 CFOD 的条件，故障输出工作从一个固定脉冲宽度启动。
a6 : 欠压复位 (UVCCR)。
a7 : 正常工作：当触发下一个低状态到高状态的信号，IGBT 导通并加载负载电流。
Input Signal
Protection
RESET
SET
RESET
Circuit State
UVBSR
b5
b1
Control
Supply Voltage
UVBSD
b2
b3
b4
b6
Output Current
High-level (no fault output)
Fault Output Signal
图 12. 欠压保护 （高端）
b1：控制电源电压上升：当电压上升到 UVBSR 后，等到下一个输入信号时，对应的电路才开始工作。
b2：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
b3：欠压检测 (UVBSD)。
b4：不论控制输入的条件， IGBT 都关闭，且无故障输出信号。
b5：欠压复位 (UVBSR)。
b6：正常工作：当触发下一个低状态到高状态的信号，IGBT 导通并加载负载电流。
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Lower Arms
Control Input
c6
c7
Protection
Circuit state
SET
RESET
Internal IGBT
Gate-Emitter Voltage
c4
c3
c2
Internal delay
at protection circuit
SC current trip level
c8
c1
Output Current
SC reference voltage
Sensing Voltage
of Sense Resistor
RC filter circuit
time constant
delay
Fault Output Signal
c5
图 13. 短路电流保护 （仅适用于低端工作）
（包含外部感测电阻和阻容滤波器连接）
c1 : 正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
c2 : 短路电流感测 （SC 触发）。
c3 : 所有的低端 IGBT 都是栅极硬中断。
c4 : 所有的低端 IGBT 关断。
c5 : 根据外部电容器 CFOD 的条件，故障输出工作从一个固定脉冲宽度启动。
c6 : 输入高状态：IGBT 导通，但是在故障输出有效的时间内， IGBT 不导通。
c7 : 故障输出工作结束，但是 IGBT 不导通直到触发下一个低状态到高状态的信号。
c8 : 正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
输入 / 输出接口电路
+5V (MCU or control power)
4.7 kΩ
SPM
,
,
IN(UH) IN(VH) IN(WH)
,
,
IN(UL) IN(VL) IN(WL)
MCU
VFO
COM
图 14. 推荐的 MCU I/O 接口电路
注：
14. 每个输入端的 RC 耦合 （虚线显示部分）可能随着应用程序中使用的 PWM 控制方案和应用程序印刷电路板接线抗阻而改变。 Motion SPM 2 产品的输入信号部分集成了一个
5 k （典型值）的下拉电阻。因此，当使用外部的滤波电阻时，请注意该信号在输入端的压降。
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P (1)
R1
R1
R1
(30 ) IN(WH)
IN
VCC
COM
Gating WH
GatingVH
GatingUH
(31) VCC(WH )
C4
C4
R2
OUT
(32 ) V BD (W )
HVIC
HVIC
HVIC
(33) VB( W)
(34 ) VS ( W)
VB
V
S
W (2)
C
3
(25)IN(VH )
IN
VCC
COM
(26)VCC(VH )
C4
C4
R2
OUT
(27 ) V BD (V )
(28)VB(V )
(29) VS(V)
VB
V
S
V (3)
C
3
M
(19)IN(UH)
VDC
IN
VCC
COM
C7
(21) VCC(UH)
(20)COM(H )
C4
C4
OUT
R2
(22)VBD(U)
(23)VB (U)
(24) VS( U)
C
1
C1 C1
M
C
U
VB
V
S
U (4)
C
3
5V line
R1
R3
C5
(16 ) C FO D
(15 ) V FO
OUT
OUT
OUT
Fault
C
FOD
A
R
4
NW (5 )
C1
C
1
VFO
(14 ) IN(WL)
(13)IN(VL)
(12)IN(UL)
(10 ) VCC(L)
R1
R1
IN
Gating WL
Gating VL
GatingUL
IN
LVIC
R1
R4
IN
NV (6)
E
15V line
VCC
Shunt
Resistor
C1 C1
5V line
C1
Power
GND Line
C2
(11 ) C OM(L)
C4
COM
(9) VTH
(8 ) RTH
R4
CSC
NU (7)
Temp.
Monitoring
Thermistor
RSC (18 )
R5
R
7
(17) C
Sense
SC
Resistor
D
B
C
R
6
Control
GND Line
C
6
W-Phase Current
V-Phase Current
U-Phase Current
图 15. 典型应用电路
注：
15. 为了避免故障，应尽可能缩短每个输入端的连线 （小于 2-3 cm）。
16. V 输出是漏极开路型。此信号线应该用电阻上拉至 MCU 或控制电源正极，以使 I 达到 2 mA。请参阅图 14。
FO
FO
17. 故障输出脉宽可以被连接到 C
端的电容器 C 调节。
5
FOD
18. 输入信号为高电平有效。在 IC 中，有一个 5 k 的电阻将每一个输入信号线下拉接地。应当采用 RC 耦合电路，以避免输入信号振荡。R C 时间常数应该选择在 50 ~ 150 ns
1
1
范围内，（推荐 R = 100 , C = 1 nF）。
1
1
19. 每个 A 点的布线图电感应尽可能的最小化 （建议小于 10 nH）。使用表面贴片 (SMD) 类型的分流电阻 R 来减少线路电感。为防止发生故障， E 点的线路应尽可能的靠近分
4
流电阻 R 端。
4
20. 插入分流电阻来测量 N , N , N 端的每个相电流，为导致短路电流的触发电平 I 改变。
U
V
W
SC
21. 为避免保护功能出错，应尽可能缩短 B, C, D 点周围的连线。在 C 滤波器和 R 端之间的 B 线应该在靠近感测电阻 R 端的点分开。
SC
SC
5
22. 为了获得稳定的保护功能，请使用电阻值波动在 1% 以内且电感值低的感测电阻 R 。
5
23. 在短路电流保护电路中，R C 时间常数应该选择在 1.0 ~ 1.5 μs 范围内。R 的电阻值至少应该有感测电阻 R 的 10 倍大。请在真实系统中做足够多的评估，因为短路电流保
6
6
6
5
护时间可能根据布线设计图和 R C 时间常数的值会有所变化。
6
6
®
24. 每个电容都应尽可能地靠近 Motion SPM 2 产品的引脚安装。
25. 为防止浪涌的破坏，应尽可能缩短滤波电容 C 和 P & GND 引脚间的连线。推荐在 P & GND 引脚间使用 0.1 ~ 0.22 μF 的高频无感电容。
7
26. 在各种工业应用中，几乎都用到了继电器。在这些情况下， CPU 和继电器之间应留有足够的距离。
27. 在每一对控制电源端应该采用齐纳二极管或者瞬态电压抑制器来保护 IC 不受浪涌破坏 （推荐 22 V / 1 W，齐纳阻抗特性低于 15 的齐纳二极管）。
28. 推荐 C 的取值应大于自举电容 C 的 7 倍左右。
2
3
29. 请为 C 选择温度特性好的电解电容。同时，为 C 选择 0.1 ~ 0.2 μF 温度和频率特性好的 R- 类陶瓷电容。
3
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公司产品保修的部分。
随时访问飞兆半导体在线封装网页，可以获取最新的封装图纸：
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