FNB51060T1 [ONSEMI]

Motion SPM® 55 系列;


型号：	FNB51060T1
厂家：	ONSEMI
描述：	Motion SPM® 55 系列
文件：	总16页 (文件大小：1268K)
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2015 年4 月

FNB51060T1

Motion SPM 55 系列

特性

概述

• 通过UL 第E209204 号认证(UL1557)

FNB51060T1 是一款Motion SPM 55 模块，为交流感

应、BLDC 和PMSM 电机提供功能齐全的高性能逆变输

出电路。这些模块集成了内置IGBT 经过优化的栅极驱

动，能够最小化EMI 和损耗，同时提供多种模块上保护

功能，包括欠压闭锁、互锁功能、过流关断、驱动IC 的

热监控和故障报告。内置的高速HVIC 只需要一个单电源

电压，将逻辑电平栅极输入转化为适合驱动模块强健的短

路额定的IGBT 的高电压，高电流驱动信号。独立的

IGBT 负端在每个相位均有效，可支持大量不同种类的控

制算法。

• 600 V - 10 A 三相IGBT 逆变器（包含提供栅极驱动和

保护的控制IC）

• 低损耗、短路额定的IGBT

• 低端IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流感测

• 高电平有效接口，可用于3.3 / 5 V 逻辑电平，施密特触

发脉冲输入

• HVIC 用于实现栅极驱动、欠压及短路电流保护

• 故障输出，用于实现欠压和短路电流保护

• 互锁功能，防止短路

• 关断输入

• HVIC 内嵌温度感测功能，用于监控温度

• 针对5 kHz 开关频率进行优化

• 绝缘等级：1500 V_rms/ 分钟

应用

• 运动控制— 家用设备/ 工业电机

相关资料

图1. 3D 封装图

（点击激活3D 内容）

封装标识与定购信息

器件

器件标识

封装

包装类型

数量

FNB51060T1

SPMFA-B20

Rail

FNB51060T1 Rev. C0

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集成的功率功能

600 V - 10 A IGBT 逆变器，适用于三相DC / AC 功率转换（请参阅图3）

•

集成的驱动、保护和系统控制功能

• 对于逆变器高端IGBT：栅极驱动电路、高压隔离的高速电平转换

控制电路欠压锁定保护(UVLO)

• 对于逆变器低端IGBT：栅极驱动电路、短路保护(SCP)

控制电源电路欠压锁定保护(UVLO)

• 故障信号：对应UVLO （低端电源）和短路故障

• 输入接口：高电平有效接口，可用于3.3 / 5 V 逻辑电平，施密特触发脉冲输入

引脚布局

图2. 俯视图

FNB51060T1 Rev. C0

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引脚描述

引脚号

引脚名

引脚描述

直流输入正端

U, V_S(U)

V, V_S(V)

W, V_S(W)

N_U

U 相输出

V 相输出

W 相输出

U 相的直流输入负端

V 相的直流输入负端

W 相的直流输入负端

低端U 相的信号输入

高端U 相的信号输入

低端V 相的信号输入

高端V 相的信号输入

低端W 相的信号输入

高端W 相的信号输入

IC 和IGBT 驱动的公共偏压

公共电源接地

N_V

N_W

IN_(UL)

IN_(UH)

IN_(VL)

IN_(VH)

IN_(WL)

IN_(WH)

V_DD

COM

C_SC

短路电流感测输入电容（低通滤波器）

V_F

故障输出，关闭输入，驱动IC 的温度输出

W 相IGBT 驱动的高端偏压

V_B(W)

V_B(V)

V_B(U)

V 相IGBT 驱动的高端偏压

U 相IGBT 驱动的高端偏压

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内部等效电路与输入/ 输出引脚

W,Vs(W)

V_B(W)

IN(WH)

IN(WL)

HIN

LIN

V_B(V)

IN(VH)

HIN

LIN

IN(VL)

V,Vs(V)

V_B(U)

HIN

LIN

IN(UH)

IN(UL)

V_F

U,Vs(U)

V_F

Csc

V_DD

Csc

VDD

COM

图3. 内部框图

注：

1. 逆变器高端由三个IGBT 组成，每个IGBT 包括续流二极管和一个控制IC。

2. 逆变器低端由三个IGBT 组成，每个IGBT 包括续流二极管和一个控制IC。具有栅极驱动和保护功能。

3. 包含6 个IGBT 的栅极驱动和保护功能的单驱动IC。

4. 逆变器的功率端由逆变器的四个直流母线输入端和三个输出端组成。

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绝对最大额定值（T_J= 25°C，除非另有说明。）

逆变器部分

符号

参数

工作条件

施加在P - N_U，N_V，N_W之间

额定值

450

单位

V_PN

电源电压

500

V_{PN （浪涌）}电源电压（浪涌）

V_CES

± I_C

± I_CP

P_C

600

集电极— 发射极之间电压

单个IGBT 的集电极电流

单个IGBT 的集电极电流（峰值）

集电极功耗

T_C= 25°C, T_J＜150°C

T_C= 25°C，T_J＜150°C，脉冲宽度小于1 ms

T_C= 25°C，单个芯片

°C

T_J

-40 ~ 150

工作结温

（注5）

注：

5. Motion SPM 55 产品中集成的功率芯片的最大结温额定值为150°C。

控制部分

符号

V_DD

V_BS

V_IN

参数

工作条件

额定值

单位

控制电源电压

高端控制偏压

输入信号电压

施加在V_DD- COM 之间

施加在V_B(U)- V_S(U)，V_B(V)- V_S(V)，V_B(W)- V_S(W)

-0.3 ~ V_DD+0.3

，

施加在IN_(UH)，IN_(VH)，IN_(WH)，IN_(UL)，IN_(VL)

IN_(WL)- COM 之间

V_F

I_F

-0.3 ~ V_DD+0.3

故障电源电压

故障电流

施加在V_F- COM 之间

V_F引脚处的灌电流

V_SC

-0.3 ~ V_DD+0.3

电流感测输入电压

施加在C_SC- COM 之间

整个系统

符号

参数

工作条件

额定值

单位

V_PN(PROT)

V_DD= V_BS= 13.5 ~ 16.5 V

400

自我保护限制电源电压（短路保护能力）

T_J= 150°C，非重复性，< 2 μs

T_STG

V_ISO

-40 ~ 125

1500

°C

存储温度

V_rms

绝缘电压

60 Hz，正弦波形，交流1 分钟，

连接陶瓷基板到引脚

热阻

符号

R_th(j-c)Q

R_th(j-c)F

参数

工作条件

最小值典型值最大值单位

5.9

7.6

°C / W

结点— 壳体的热阻

逆变器IGBT 部分（每1 / 6 模块）

逆变器FWD 部分（每1 / 6 模块）

注：

6. 关于壳体温度(T ) 的测量点，参见图2。

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电气特性（T_J= 25°C，除非另有说明。）

逆变器部分

符号

参数

工作条件

最小值典型值最大值单位

V_CE(SAT)

_DD= V_BS= 15 V

_IN= 5 V

T_J= 25°C

1.8

2.15

集电极- 发射极间饱和电压

I_C= 8 A

T_J= 150°C

T_J= 25°C

T_J= 150°C

2.2

2.0

1.8

700

160

700

V_F

V_IN= 0 V

I_F= 8 A

2.4

FWD 正向电压

t_ON

t_C(ON)

t_OFF

开关时间

V_PN= 400 V，V_DD= V_BS= 15 V，I_C= 10 A

T_J= 25°C

V_IN= 0 V ↔ 5 V，电感负载

（注7）

t_C(OFF)

t_rr

t_ON

700

200

750

V_PN= 400 V，V_DD= V_BS= 15 V，I_C= 10 A

T_J= 25°C

t_C(ON)

t_OFF

t_C(OFF)

t_rr

_IN= 0 V ↔ 5 V，电感负载

（注7）

I_CES

V_CE= V_CES

集电极— 发射极间漏电流

注：

7. t 和t

包括模块内部驱动IC 的传输延迟时间。t

和t

指在内部给定的栅极驱动条件下，IGBT 本身的开关时间。详细信息，请参见图4。

OFF

C(ON)

C(OFF)

100% I_C100% I_C

t_rr

V_CE

I_C

V_CE

V_IN

t_ON

t_OFF

t_C(ON)

t_C(OFF)

10% I_C

V_IN(ON)

V_IN(OFF)

10% V_CE

10% I_C

90% I_C10% V_CE

(b) turn-off

(a) turn-on

图4. 开关时间的定义

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控制部分

符号

参数

工作条件

最小值典型值最大值单位

I_QDD

V_DD= 15 V, IN_{(UH,VH,WH,UL,VL,WL)}V_DD- COM

= 0 V

2.3

3.4

_DD静态电源电流

I_PDD

V_DD- COM

2.6

4.0

_DD工作电源电流 V_DD= 15 V，f_PWM= 20 kHz，占空

比 = 50%，施加一个 PWM 信号输

入

I_QBS

I_PBS

V_BS= 15 V, IN_{(UH, VH, WH)}= 0 V

V_B(U)- V_S(U), V_B(V)

V_S(V), V_B(W)- V_S(W)

100

500

μA

V_BS静态电源电流

V_BS工作电源电流

V_DD= V_BS= 15 V, f_PWM= 20 kHz, V_B(U)- V_S(U), V_B(V)

380

V_S(V), V_B(W)- V_S(W)

占空比 = 50%, 施加于高端的一个

PWM 信号输入

V_FH

V_FL

4.5

故障输出电压

V_SC= 0 V，V_F电路：4.7 kΩ 至5 V 上拉

V_SC= 1 V，V_F电路：4.7 kΩ 至5 V 上拉

V_DD= 15 V （注4）

检测电平

0.5

V_SC(ref)

UV_DDD

UV_DDR

UV_BSD

UV_BSR

I_FT

0.45

10.0

10.5

9.5

10.0

0.5

11.5

12.0

11.0

11.5

0.55

13.0

13.5

12.5

13.0

120

短路触发电平

电源电路欠压保护

复位电平

检测电平

复位电平

V_DD= V_BS= 15 V, T_HVIC= 25°C

μA

HVIC 温度感测电流

V_FT

4.55

HVIC 温度感应电压 V_DD= V_BS= 15 V，T_HVIC= 25°C, 4.7 kΩ 至5 V 上拉

（图5)

t_FOD

V_FSDL

100

2.4

μs

故障输出脉宽

关断输入低值

关断输入高值

导通阈值电压

关断阈值电压

施加在V_F- COM 之间

V_FSDH

V_IN(ON)

V_IN(OFF)

0.8

2.4

施加在IN_(UH)，IN_(VH)，IN_(WH)，IN_(UL)，IN_(VL)，IN_(WL)

COM 之间

0.8

注：

8. 短路保护作用于全部6 个IGBT。

图.5.IC 温度输出曲线V-T （采用4.7 kohm 电阻上拉至5 V）

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推荐工作条件

符号

参数

工作条件

最小值典型值最大值单位

V_PN

V_DD

V_BS

300

400

16.5

18.5

电源电压

施加在P - N_U，N_V，N_W之间

14.0

13.0

-1

控制电源电压

高端偏压

施加于V_DD- COM 之间

施加在V_B(U)- V_S(U)，V_B(V)- V_S(V)，V_B(W)- V_S(W)

dV_DD/ dt,

dV_BS/ dt

V / μs

控制电源波动

t_dead

f_PWM

V_SEN

0.5

μs

kHz

防止桥臂直通的死区时间

PWM 输入信号

适用于每个输入信号

- 40°C ＜T_J＜150°C

-4

电流感测的电压

施加在N_U，N_V，N_W- COM 之间

（包括浪涌电压）

P_WIN(ON)

P_WIN(OFF)

0.7

μs

最小输入脉宽

（注9）

注：

9. 此产品可能不会响应，若输入脉宽值低于最低推荐值。

5 V Line (MCU or Control power)

R_PF

= 4.7kΩ

SPM

IN_(UH)IN_(VH)

IN_{(W H)}

IN _(UL)IN _(VL)

IN_{(W L)}

M CU

COM

注：

10. 每个输入端的RC 耦合（虚线显示部分）可能随着应用程序中使用的PWM 控制方案和应用程序印刷电路板接线抗阻而改变。Motion SPM 55 产品的输入信号部分集成了5 kΩ

（典型值）下拉电阻。因此，当使用外部的滤波电阻时，请注意该信号在输入端的压降。

图6. 推荐的MCU I/O 接口电路

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机械特性和额定值

参数

器件平面度

安装扭矩

工作条件

最小值典型值最大值单位

-50

0.6

5.9

100

0.8

7.9

μm

见图7

0.7

6.9

N • m

kg • cm

安装螺钉：- M3

建议0.7 N • m

建议7.1 kg • cm

注释图8

6.0

重量

图7. 平面度测量位置

图8. 安装螺钉时的扭紧顺序

注：

11. 安装或扭动螺丝时切勿过分用力。扭力过大会造成封装破裂，产生毛刺并破坏铝质散热片。

12. 避免用力不均衡。图10 显示了安装螺钉时，推荐的扭紧顺序。不平坦的安装会导致SPM 55 产品的陶瓷基板损坏。预旋紧扭矩约为最大额定扭矩的20 ~ 30%。

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保护功能时序图

Input Signal

Protection

Circuit State

RESET

SET

RESET

UV_DDR

UV_DDD

Control

Supply Voltage

Output Current

Fault Output Signal

a1：控制电源电压上升：当电压上升到UV_DDR后，等到下一个开通信号时，对应的电路才开始动作。

a2：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。

a3：欠压检测(UV_DDD)。

a4：不论控制输入的条件，IGBT 都关断。

a5：故障输出工作启动。

a6：欠压复位(UV_DDR)。

a7：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。

图9. 欠压保护（低端）

Input Signal

Protection

RESET

SET

RESET

Circuit State

UV_BSR

UV_BSD

Control

Supply Voltage

Output Current

High-level (no fault output)

Fault Output Signal

b1：控制电源电压上升：当电压上升到UV_BSR后，等到下一个输入信号时，对应的电路才开始动作。

b2：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。

b3：欠压检测(UV_BSD)。

b4：不论控制输入的条件，IGBT 都关闭，且无故障输出信号。

b5：欠压复位(UV_BSR

)

b6：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流

图10. 欠压保护（高端）

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Lower arms

control input

Protection

Circuit state

SET

RESET

Internal IGBT

Gate-Emitter Voltage

Output Current

SC Reference Voltage

Sensing Voltage

of the shunt

resistance

CR circuit time

constant delay

Fault Output Signal

（包含外部分流电阻和CR 连接）

c1：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。

c2：短路电流检测（SC 触发）。

c3：IGBT 栅极硬中断。

c4：IGBT 关断。

c5：输入“L”：IGBT 关断状态。

c6：输入“H”：IGBT 导通状态，但是在故障输出有效的时间内，IGBT 不导通。

c7：IGBT 关断状态

图11. 短路保护

Hin

Lin

Hin : High-side Input Signal

Lin : Low-side Input Signal

Ho : High-side IGBT Gate Voltage

Lo : Low-side IGBT Gate Voltage

/Fo : Fault Output

/Fo

d1：高端先入先出模式

d2：低端噪声模式低端无输出

d3：高端噪声模式高端无输出

d4：低端先入先出模式

d5：同相模式高端无输出

图12. 互锁功能

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(20) V_B(U)

P (1)

U (2)

VB(U)

C_BS

C_BSC

OUT(UH)

VS(U)

R_S

(9) IN_(UH)

(19) V_B(V)

IN(UH)

VB(V)

Gating UH

Gating VH

Gating WH

C_BS

(11) IN_(VH)

(18) V_B(W)

OUT(VH)

VS(V)

IN(VH)

VB(W)

V (3)

C_BS

(13) IN_(WH)

(14) V_DD

C_DCS

V_DC

IN(WH)

VDD

OUT(WH)

VS(W)

15V line

W (4)

C_PSC_PSC_PS

C_SPC15

C_SP15

(15) COM

COM

5V line

OUT(UL)

OUT(VL)

OUT(WL)

R_PF

R_SU

_U(5)

C_SPC05

C_SP05

R_S

(17) V_F

Fault

C_PF

C_BPF

R_S

(8) IN_(UL)

R_SV

Gating UL

Gating VL

Gating WL

IN(UL)

IN(VL)

IN(WL)

N_V(6)

R_S

(10) IN_(VL)

(12) IN_(WL)

C_SC

(16) C_SC

C_PSC_PS

C_PS

R_SW

CSC

N_W(7)

R_F

U-Phase Current

V-Phase Current

W-Phase Current

Input Signal for

Short-Circuit Protection

Temp. Monitoring

注：

1) 为了避免故障，应尽可能缩短每个输入端的连线。（小于2 ~ 3 cm）

2) 因为Motion SPM 55 产品内部集成了一个具有特殊功能的HVIC，接口电路与MCU 端口的直接耦合是可行的，不需要任何光耦合器或变压器隔离。

3) V 是漏极开路型。该信号线应当采用一个能把I 上升到5 mA 的电阻上拉至MCU 或控制电源的正极。请参阅图14。

4) 推荐C

的取值应大于自举电容C 的7 倍左右。

SP15

5) 输入信号为高电平有效。在IC 中，有一个5 kΩ 的电阻将每一个输入信号线下拉接地。推荐采用RC 耦合电路，以避免输入信号波动。R C 时间常数应该选择在50 ~ 150 ns

范围内。( 推荐R = 100 Ω，C = 1 nF)

6) 为了防止保护功能出错，R 和C 周围的连线应该尽可能的短。

7) 在短路保护电路中，R C 的时间常数应在1.5 ~ 2 μs 的范围内选取。

8) 控制GND 线和功率GND 线包括N ，N ，N 必须连接在同一点上。请不要用宽的模块连接控制GND 线和功率GND 线。同时，控制GND 线和功率GND 线之间的接线距离

应该尽可能的短。

9) 每个电容都应尽可能地靠近Motion SPM 55 产品的引脚安装。

10) 为防止浪涌的破坏，应尽可能缩短滤波电容和P 和GND 引脚间的连线。推荐在P 和GND 引脚间使用0.1 ~ 0.22 μF 的高频无感电容。

11) 在各种家用电器设备系统中，几乎都用到了继电器。在这些情况下，CPU 和继电器之间应留有足够的距离。

12) 在每一对控制电源端应该采用齐纳二极管或者瞬态电压抑制器来保护IC 不受浪涌破坏。（推荐22 V / 1 W，齐纳阻抗特性低于15 Ω 的齐纳二极管）

13) 请为C 选择温度特性好的电解电容。同时，为CBSC 选择0.1 ~ 0.2 μF 温度和频率特性好的R- 类陶瓷电容。

14) 详细信息，请参考应用说明。

图13. 典型应用电路

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封装轮廓详图(FNB50560T1, Short Lead)

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