FSB147HNY [ONSEMI]

700V 集成电源开关,用于 26W 离线反激转换器,100kHz,过电压/欠电压保护;
FSB147HNY
型号: FSB147HNY
厂家: ONSEMI    ONSEMI
描述:

700V 集成电源开关,用于 26W 离线反激转换器,100kHz,过电压/欠电压保护

开关 电源开关 转换器
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FSB117H / FSB127H / FSB147H  
mWSaver™ 飞兆功率开关 (FPS™)  
特性  
说明  
FSB 系列器件是采用飞兆创新 mWSaver™ 技术的新一  
代绿色模式飞兆功率开关 (FPS™),能够显著降低待机和  
空载功耗,从而符合所有全球待机模式效率准则。它在单  
封装中集成了先进的电流模式脉宽调制器 (PWM) 和耐雪  
崩的 700 V SenseFET 器件,与先前的解决方案相比,  
辅助电源设计具有更高待机能效、更小巧、更高可靠性以  
及更低系统成本的优势。  
mWSaver™ 技术  
.
可实现空载下的低功耗优势,在 230 VAC 时,功率  
低于 40 mW(包括 EMI 滤波器损耗)  
.
对于 ATX 电源和 LCD 电视电源而言,符合 2013  
ErP 待机功率标准(在 0.25 W 负载下功耗低于  
0.5 W)  
.
.
采用 AX-CAP™ 技术消除 X 电容放电电阻损耗  
飞兆半导体的 mWSaver™ 技术可提供同类最佳的最低空  
载 和 轻 载 功 耗 。 创 新 的 AX-CAP™ 法 是 五 种 专 有  
mWSaver™ 技术之一,它通过消除 X 电容放电电阻,同  
时满足 IEC61010-1 的安全要求,可以最大限度地减少电  
磁干扰 (EMI) 滤波阶段的损耗。mWSaver™ 绿色模式将  
会随着负载的降低而逐渐减少开关频率,从而最大限度地  
降低开关损耗。  
在轻载条件下可线性降低开关频率,并在空载条件下  
改进间歇模式工作  
.
700 V 高压 JFET 启动电路可消除启动电阻损耗  
高度集成了大量的功能  
.
.
.
.
.
.
.
内部雪崩耐用 700 V SenseFET  
内置 5 ms 软启动  
新的专用异步抖动功能可减少电磁干扰 (EMI) 辐射,并且  
内置的同步斜率补偿功能可在宽输入电压范围内实现稳定  
的峰值电流模式控制。专用的内部线路补偿可确保对全电  
压范围进行恒定的输出功率限制。  
峰值电流模式控制  
逐周期限流  
FSB 系列器件只需最少的外部元件,便可为需要极低待  
机功耗的经济高效的反激式转换器设计提供最佳的基础平  
台。  
前沿消隐(LEB)  
同步斜率补偿  
可降低 EMI 的专有异步抖动专有异步抖动  
应用  
先进保护  
通用型开关电源和反激式功率转换器,包括:  
.
.
.
.
.
.
.
内部过载/开环保护 (OLP)  
.
.
用于 PC、服务器、LCD 电视和游戏机的辅助电源  
V
DD 欠压锁定 (UVLO)  
DD 过压保护 (OVP)  
用于 VCRSVRSTBDVD DVCD 播放器、  
打印机、传真机和扫描仪的 SMPS  
V
恒定功率限制(完整交流输入范围)  
内部自动重启电路(OLPVDD OVPOTP)  
带滞回功能的内部 OTP 传感器  
可调节峰值限流  
.
.
通用适配器  
LCD 监视器电源/开架式 SMPS  
相关资源  
.
.
评估板:FEBFSB127H_T001  
飞兆 Power Supply WebDesigner 反激设计与仿  
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FSB117HCN Rev 2, Feb-2020  
订购信息  
SenseFET  
器件编号  
工作温度范围  
封装  
包装方法  
塑料管  
FSB117HNY  
FSB127HNY  
FSB147HNY  
1 A, 700 V  
2 A, 700 V  
4 A, 700 V  
-40°C +105°C  
8 引脚双列直插封装 (DIP)  
应用框图  
N
L
EMI  
Filter  
+
+
+
HV  
Drain  
VDD  
IPK  
PWM  
FB  
GND  
+
1. 典型反激式应用  
1. 输出功率表(1)  
230 VAC ±15%(2)  
85-265 VAC  
产品  
适配器(3)  
开架式(4)  
适配器(3)  
开架式(4)  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
注:  
10 W  
14 W  
23 W  
15 W  
20 W  
35 W  
9 W  
11 W  
17 W  
13 W  
16 W  
26 W  
1. 结温可限制最大输出功率。  
2. 230 VAC 100/115 VAC,带倍压器。  
3. 漏极引脚有足够的印刷电路板 (PCB) 覆铜作为散热片时,不通风的封闭适配器在 50C 环境温度下的典型持续  
功率。  
4. 漏极引脚有足够的印刷电路板 (PCB) 覆铜作为散热片时,开架式设计在 50C 环境温度下的最大实际持续功率。  
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2
 
 
 
 
内部框图  
HV  
5
Drain  
6,7,8  
OVP  
OLP  
OTP  
Line Voltage  
Sample Circuit  
Auto-Re-start  
Protection  
PWM  
Brownout Protection  
Soft  
Driver  
HV  
Startup  
OSC1  
Internal  
BIAS  
S
R
Q
VDD  
2
UVLO  
Clock  
Generator  
Soft-Start  
Comparator  
12V/6V  
Soft-Start  
VLimit  
Green  
Mode  
Current-Limit  
Comparator  
Debounce  
OVP  
GND  
1
3
PWM  
Comparator  
VDD-OVP  
5.4V  
OSC2  
Slope  
Compensation  
ZFB  
Maximum Duty  
CycleLimit  
3R  
FB  
PWM  
3.5V  
R
VMAX  
IPK  
50µA  
OLP  
Delay  
OLP  
4.6V  
OLP  
Comparator  
Current Limit  
Compensation  
S/H  
VLimit  
IPK  
4
2. 框图  
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3
引脚布局  
F 飞兆徽标  
Z 工厂代码  
8
X 1 位数年份代码  
Y 1 位数周代码  
TT 2 位数芯片执行代码  
T 封装类型 (N: DIP)  
P Y: 绿色封装  
ZXYTT  
B1x7H  
TPM  
1
M 制造流代码  
3. 引脚布局  
引脚定义  
引脚号  
名称  
说明  
1
GND  
接地。此引脚内部连接到 PWM 控制器的 SenseFET 源极和信号地。  
IC 电源电压。保持电容通常通过此引脚连接到地。整流二极管与变压器辅助绕组串联,然后连接  
到此引脚,用于提供正常工作时的偏压。  
2
3
4
VDD  
FB  
反馈。外部补偿电路的信号连接到此引脚。PWM 占空比由此引脚上的信号与内部电流感测信号相  
比较的结果而决定。  
调节峰值电流。通常在此引脚与 GND 引脚之间连接一个电阻,用于设置限流电平。内部电流源  
(50 µA) 在该电阻上产生压降,进而确定逐脉冲限流的限流电平。  
IPK  
启动。通常,与交流线路上二极管串联的电阻连接到此引脚,用于提供内部偏压,并在启动期间对  
VDD 引脚和 GND 引脚之间连接的外部电容充电。此引脚还可用于感测断电保护的线路电压,以  
及检测交流线路的断开状态。  
5
HV  
6
7
8
漏极  
SenseFET 漏极。该引脚设计为直接驱动变压器。  
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4
绝对最大额定值  
应力超过绝对最大额定值,可能会损坏器件。在超出推荐的工作条件的情况下,该器件可能无法正常工作,所以不建议  
让器件在这些条件下长期工作。此外,过度暴露在高于推荐的工作条件下,会影响器件的可靠性。绝对最大额定值仅是  
应力规格值。  
符号  
参数  
最小值  
最大值  
单位  
VDRAIN  
漏极引脚电压(5,6)  
脉冲漏极电流(7)  
700  
4.0  
8.0  
9.6  
50  
V
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H(9)  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
IDM  
A
EAS  
单脉冲雪崩能量(8)  
140  
120  
30  
mJ  
VDD  
VFB  
VIPK  
VHV  
PD  
电源电压(DC)  
FB 引脚输入电压  
IPK 引脚输入电压  
HV 引脚输入电压  
功耗 (TA50°C)  
工作结温  
V
V
-0.3  
-0.3  
7.0  
7.0  
700  
V
V
1.5  
内部限制(10)  
W
C  
C  
C  
TJ  
-40  
-55  
TSTG  
TL  
存储温度范围  
+150  
引脚焊接温度(波动焊接或 IR10 秒)  
+260  
人体模型:JESD22-A114  
5.50  
2.00  
3.00  
1.25  
静电放电能力(除 HV 引脚外的全部  
引脚)  
元件充电模型:JESD22-  
C101  
ESD  
kV  
人体模型:JESD22-A114  
静电放电能力(包括 HV 引脚在内的  
全部引脚)  
元件充电模型:JESD22-  
C101  
注意:  
5. 除差模电压外的所有电压值均针对网络接地端而言。  
6. 若压力超过绝对最大额定值中所列的数值,可能会给器件造成不可修复的损坏。  
7. 非重复率额定值:脉冲宽度受限于最大结温。  
8. L=51 mH,始于 TJ=25°C。  
9. L=14 mH,始于 TJ=25°C。  
10. 由过温保护 (OTP) 提供内部限制。参考 TOTP  
推荐工作条件  
推荐的操作条件表定义了器件的真实工作条件。指定推荐的工作条件,以确保器件的最佳性能达到数据表中的规格。  
飞兆半导体建议不要超过推荐工作条件,也不能按照绝对最大额定值进行设计。  
符号  
参数  
最小值  
最大值  
单位  
RHV  
电阻连接到 HV 引脚,用于全范围输入检测  
150  
250  
kΩ  
热阻表  
符号  
参数  
典型值  
单位  
θJA  
ψJT  
结至空气热阻  
结至封装热阻(11)  
86  
20  
C/W  
C/W  
注意:  
11. 在封装表面上测得。  
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5
 
 
 
 
 
 
 
电气特性  
除非另有说明,VDD=15VTA=25C。  
符号  
参数  
条件  
最小值 典型值  
最大值 单位  
SenseFET 部分(12)  
BVDSS  
漏极-源极击穿电压  
ID=250µA, VGS=0 V  
700  
V
VDS=700 V,  
VGS=0 V  
50  
IDSS  
零栅极电压漏极电流  
μA  
VDS=560 V,  
VGS=0 V, TC=125C  
200  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
8.8  
6.0  
2.3  
250  
550  
450  
25  
38  
60  
10  
17  
7
11.0  
VGS=10 V, ID=0.5 A  
VGS=10 V, ID=2.5 A  
RDS(ON) 漏源极导通电阻(13)  
7.2  
2.7  
325  
715  
500  
33  
Ω
VGS=0 V, VDS=25 V,  
f=1 MHz  
CISS  
COSS  
CRSS  
td(on)  
tr  
输入电容  
输出电容  
反向传输电容  
导通延迟  
上升时间  
关断延迟  
下降时间  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
VGS=0 V, VDS=25 V,  
f=1 MHz  
50  
72  
15  
VGS=0 V, VDS=25 V,  
f=1 MHz  
26  
21  
12  
20  
12  
4
34  
VDS=350 V,  
ID=1.0 A  
50  
35  
18  
VDS=350 V,  
ID=1.0 A  
15  
20  
30  
55  
30  
10  
25  
16  
40  
50  
70  
VDS=350 V,  
ID=1.0 A  
td(off)  
120  
70  
30  
VDS=350 V,  
ID=1.0 A  
tf  
60  
ns  
42  
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6
电气特性(续)  
除非另有说明,VDD=15VTA=25C。  
符号  
参数  
条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
控制部分  
VDD 部分  
VDD-ON  
UVLO 启动阈值电压  
11  
5
12  
6
13  
7
V
V
VDD-OFF1 UVLO 停止阈值电压  
VDD-OFF2 DD-OLP 使能阈值电压  
VDD-OLP 保护模式下的 HV 启动导通 VDD 电压阈值  
I
8
9
10  
7
V
5
6
V
IDD-ST  
IDD-OP1  
启动电源电流  
VDD-ON 0.16 V  
30  
3.8  
1.8  
90  
29  
210  
µA  
mA  
mA  
µA  
V
正常开关操作时的工作电源电流  
无开关操作时的工作电源电流  
内部灌电流  
VDD=15 V, VFB=3 V  
VDD=15 V, VFB=1 V  
VDD-OLP + 0.1 V  
IDD-OP2  
IDD-OLP  
30  
27  
70  
60  
28  
VDD-OVP  
tD-VDDOVP  
HV部分  
VDD 过压保护  
VDD 过压保护去抖时间  
140  
µs  
HV=120VDC  
VDD=0V (10µF)  
IHV  
HV引脚消耗的电源电流  
mA  
1.5  
5.0  
HV=700 V,  
VDD=VDD-OFF1+1 V  
IHV-LC  
启动后的漏电流  
10  
µA  
V
VAC-ON  
通电阈值电平 (VDC  
)
通过 200kΩ 电阻施  
加于 HV 引脚的 DC  
电压  
105  
0.8  
110  
VAC-ON-10  
1.2  
115  
VAC-OFF 断电阈值电平 (VDC  
)
V
tUVP  
断电保护时间  
1.6  
s
振荡器部分  
94  
100  
±6.0  
20  
106  
中心频率  
抖频范围  
fOSC  
标称模式下的频率  
kHz  
±4.0  
±8.0  
tHOP  
fOSC-G  
fDV  
抖频周期(12)  
ms  
kHz  
%
绿色模式频率  
20  
23  
26  
5
频率变化与 VDD 偏差的关系  
VDD=11 V to 22 V  
fDT  
频率变化与温度偏差的关系(12)  
TA=-40 105°C  
5
%
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7
电气特性(续)  
除非另有说明,VDD=15VTA=25C。  
符号  
参数  
条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
反馈输入部分  
AV  
FB 引脚的内部分压系数(12)  
1/4.5  
15  
1/4.0  
21  
1/3.5  
27  
V/V  
kΩ  
V
ZFB  
FB 引脚上拉阻抗  
VFB-OPEN FB 引脚上拉电压  
FB 引脚开路  
5.2  
4.3  
46  
5.4  
5.6  
4.9  
66  
VFB-OLP 触发开环保护的 FB 电压阈值  
4.6  
V
tD-OLP  
VFB-N  
VFB-G  
FB 引脚开环保护延迟  
56  
ms  
V
退出绿色模式的 FB 电压阈值  
进入绿色模式的 FB 电压阈值  
VFB 上升  
VFB 下降  
VFB 下降  
2.4  
2.6  
2.8  
VFB-N-0.2  
2.05  
V
VFB-ZDC 进入零占空比状态的 FB 电压阈值  
VFB-ZDCR 退出零占空比状态的 FB 电压阈值  
1.95  
2.15  
V
VFB-ZDC  
+0.1  
VFB 上升  
V
IPK 引脚部分  
VIPK-OPEN IPK 引脚开路电压  
V
V
V
3.0  
3.5  
4.0  
3(12)  
VIPK-H  
VIPK-L  
IPK 引脚的内部箝位电压上限  
IPK 引脚的内部箝位电压下限  
1.5(12)  
45  
TA=-40 to 105°C,  
VIPK=2.25 V  
IPK  
IPK 引脚的内部电流源  
µA  
50  
55  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
0.72  
0.90  
1.35  
0.80  
1.00  
1.50  
0.88  
1.10  
1.65  
IPK 引脚电压内部箝位至上限时的  
限流平台  
VIPK=3 V,  
Duty>40%  
ILMT-FL-H  
A
ILMT-FL-H  
-0.20  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
IPK 引脚电压内部箝位至上限时的  
初始限流  
VIPK=3V,  
占空比 =0%  
ILMT-FL-H  
-0.25  
ILMT-VA-H  
ILMT-FL-L  
ILMT-VA-L  
A
A
ILMT-FL-H  
0.37  
-
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
0.36  
0.45  
0.67  
0.40  
0.44  
0.55  
0.83  
IPK 引脚电压内部箝位至下限时的  
限流平台  
VIPK=1.5V,  
占空比 >40%  
0.50  
0.75  
ILMT-FL-L  
-0.10  
FSB117H  
FSB127H  
FSB147H  
IPK 引脚电压内部箝位至下限时的  
初始限流  
VIPK=1.5V,  
占空比 =0%  
ILMT-FL-L  
-0.12  
A
ILMT-FL-L  
0.18  
-
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8
电气特性(续)  
除非另有说明,VDD=15VTA=25°C。  
符号  
参数  
条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
电流感测部分(14)  
tPD  
tLEB  
限流关断延迟  
100  
280  
5
200  
330  
ns  
ns  
前沿消隐时间  
软启动时间(12)  
230  
tSS  
ms  
GATE部分(14)  
DCYMAX  
最大占空比  
70  
%
过温保护 (OTP) 部分  
TOTP  
触发 OTP 的结温(12)  
OTP 滞回(12)  
135  
142  
25  
150  
°C  
°C  
TOTP  
注意:  
12. 由设计保证;未经过 100% 生产测试。  
13. 脉冲测试:脉冲宽度 ≤ 300 µs,占空比 ≤ 2%。  
14. 这些保证参数经过晶圆排序工艺测试。  
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9
 
 
典型特性  
4. VDD-ON 与温度的关系  
5. VDD-OFF1 与温度的关系  
6. VDD-OFF2 与温度的关系  
7. VDD-OVP 与温度的关系  
8. VDD-LH 与温度的关系  
9. IDD-OP1 与温度的关系  
10.  
VAC-ON 与温度的关系  
11. VAC-ON VAC-OFF 与温度的关系  
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10  
典型特性  
12.  
VFB-OPEN 与温度的关系  
13. VFB-OLP 与温度的关系  
14.  
Z
FB 与温度的关系  
15. IPK 与温度的关系  
16.  
f
OSC 与温度的关系  
17. fOSC-G 与温度的关系  
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11  
功能说明  
启动操作  
PWM 控制  
FSB 系列器件采用电流模式控制,如 19 所示。通常用  
光 电 耦 合 器 ( 如 H11A817A ) 和 电 压 调 节 器 ( 如  
KA431)组成反馈网络。将反馈电压与 Rsense 电阻两端的  
电压进行比较,可实现开关占空比的控制。在 SenseFET  
电流信息中添加同步正斜率,确保在宽输入电压范围内具  
有稳定的电流模式控制。内置斜率补偿可稳定电流环路,  
并防止次谐波振荡。  
通常,HV 引脚通过两个外部二极管和一个电阻 (RHV) 连  
接到交流线路,如图 18 所示。施加交流线路电压后,  
VDD 保持电容由线路电压通过二极管和电阻充电。VDD 电  
压到达导通阈值电压 (VDD-ON) 后,对 VDD 电容充电的启  
动电路关断,VDD 由变压器辅助绕组供电。FSB 系列器  
件启动后持续工作,直到 VDD 降至 6 V (VDD-OFF1)以下。  
在给定的交流线路输入电压条件下,IC 启动时间为:  
6
7
8
5.4V  
ZF  
2 2  
VO  
Drain  
VACIN  
tSTARTUP RHV CDD ln  
(1)  
FB  
2 2  
3
VACIN  
VDDON  
OSC  
PWM  
Comparator  
3R  
R
Gate  
Driver  
KA431  
RHV  
FSB1x7H  
5
HV  
2
+
VDD  
Good  
VDD  
+
+
Secondary-Side  
Primary-Side  
-
NA  
CDD  
RSENSE  
12/6V  
Slope  
EMI  
Filter  
Compensatin  
RLS  
Line Sensing  
19. 电流模式控制  
AC Line  
软启动  
FSB 系列器件具有内部软启动电路,可在启动时逐步提  
MOSFET 的逐脉冲限流电平,从而为变压器和电容建  
立正确的工作条件,如图 20 所示。限流电平有 9 个阶  
,如图 21 所示。这可防止变压器饱和,并减少启动时  
次级二极管上的应力。  
18. 启动电路  
通电/断电功能  
HV 引脚使用由外部电阻 (RHV) 和内部电阻 (RLS) 组成的  
开关式分压器检测交流线路电压,如 18 所示。内部  
线路感测电路通过采样电路和峰值检测电路检测线路电  
压的实际 RMS 值。由于分压器在开启时会产生功耗,因  
此使用宽度极窄的脉冲信号驱动开关,以最大程度地降  
低功耗。采样频率根据负载条件而自适应地发生改变,  
最大程度地降低轻载条件下的功耗。  
6
7
8
5.4V  
ZF  
PWM  
Comparator  
Drain  
3R  
FB  
3
OSC  
SS  
Comparator  
VSS  
R
通电和断电阈值由检测到的线路电压确定。由于分压器  
Gate  
的内部电阻 (RLS) 远小于 RHV,阈值可由下式确定:  
Driver  
+
RHV VACON  
VBROWNIN(RMS)   
+
VLMT  
(2)  
(3)  
Slope  
Compensation  
200k  
2
Current Limit  
Comparator  
RHV VACOFF  
VBROWNOUT (RMS)   
RSENSE  
200k  
2
20. 软启动和限流电路  
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ILMT  
0.93ILMT  
0.86ILMT  
mWSaver™ 技术  
0.80ILMT  
0.73ILMT  
AX-CAP 消除 X 电容放电电阻  
0.66ILMT  
0.59ILMT  
开关电源前端的 EMI 滤波器通常包含贯穿交流线路连接  
器的电容,如图 24 所示。UL1950 IEC61010-1 等大  
多数安全法规要求,电容在电源插头从电源插座拔下后的  
给定时间内放电至安全电平。通常,在电容上并联放电电  
阻,用于确保电容已自然放电,但这会造成电源的功率损  
耗。随着功率上升,EMI 滤波器的电容会增加,因此,需  
要更小的放电电阻以保持相同的放电时间。这通常会导致  
高功率应用中更多的功率消耗。创新的 AX-CAP™ 技术  
仅在电源插头从电源插座上拔下时对滤波器电容智能放  
电。由于 AX-CAP™ 放电电路在正常工作时被禁用,因  
EMI 滤波器的功率损耗几乎可完全消除。  
0.52ILMT  
0.45ILMT  
0.64ms  
1.92ms  
3.22ms  
4.50ms  
3.86ms  
5.12ms  
1.28ms  
2.56ms  
21. 软启动时的限流变化  
可调峰值限流与用于恒定功率限制的高压/低  
压线路补偿  
要在任何线路电压条件下都保持恒定的有限输出功率,  
需采用具有采样-持的特殊限流配置(22 所  
示)。限流电平在栅极驱动信号的下降沿采样并保持,  
如图 23 所示。随后,采样限流电平用于下一个开关周  
期。采样-保持功能防止电流模式控制中的次谐波振荡。  
RHV  
5
HV  
FSB1x7H  
AX-CAPTM  
Line  
unplugged  
Detect  
限流电平会随占空比增加而上升,随占空比减少而下  
降。这样,高线电压条件下的限流电平就较低,因为高  
线电压的占空比要比低线电压的小。因此,即使是在宽  
输入电压范围内,有限最大输出功率也能保持恒定。  
Cx  
Line  
Sensing  
EMI  
filter  
RLS  
Cx  
使用 IPK 引脚电阻可对峰值限流进行编程。IPK 引脚具  
有内部 50µA 电流源,可在电阻上产生压降。IPK 引脚电  
压可确定限流电平。由于 IPK 引脚的箝位电压上限与下  
限分别为 3V 1.5V,因此建议的电阻值范围为 30 kΩ  
60 。  
AC Line  
24. AX-CAP电路  
绿色模式  
FSB-series PWM 频率进行调制,使其与 FB 电压成函  
数关系,如 25 所示。在电流模式控制下,由于输出功  
率与 FB 电压成正比,开关频率随负载减少而降低。在重  
载条件下,开关频率为 100 kHz。一旦 VFB 降至 VFB-N  
(2.6V) 下,PWM 率便会从 100kHz 线性下降至  
23kHz,从而降低轻载条件下的开关损耗。当 VFB 降至  
VFB-G (2.4V) 时,开关频率固定为 23kHz。  
ILMT  
VIPK=3V  
ILMT-FL-H  
Current Limit  
for Next Cycle  
ILMT-VA-H  
VIPK=1.5V  
ILMT-FL-L  
ILMT-VA-L  
Current Limit  
for Next Cycle  
tON  
VFB 降至 VFB-ZDC (2.1 V) 以下时,FSB 系列器件进入间  
歇模式,禁用 PWM 开关。然后,输出电压开始下降,从  
而引起反馈电压上升。当 VFB 升至 VFB-ZDCR 以上时,开关  
会恢复。间歇模式交替使能和禁用开关,减少开关损耗,  
从而降低功耗,如 26 所示。  
0μs  
4μs  
8μs  
22.  
ILMT PWM 开启时间的关系  
fOSC  
100kHz  
ILMT  
VGS  
ILMT  
fOSC-G  
23kHz  
VFB  
IDS  
VFB-ZDC VFB-ZDCR  
VFB-G VFB-N  
23. 限流值随占空比而变化  
25. PWM 频率  
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13  
 
 
 
 
过温保护 (OTP)  
VO  
SenseFET 和控制 IC 集成在同一个封装内。这使得控制  
IC 更易检测 SenseFET 的异常过温条件。若温度超过  
140°C 左右,则触发 OTP,且 MOSFET 保持关断状态。  
当结温从 OTP 温度下降 25°C 后,FSB 系列器件返回正  
常工作状态。  
VFB  
VFB.ZDCR  
VFB.ZDC  
两步式 UVLO  
IDrain  
由于 FSB 系列器件的全部保护功能均具有自动重启特  
性,电源会反复关断与重启,直到故障条件消失。FSB  
系列器件具有两级 UVLO,可在触发保护时使能,通过减  
VDD 的放电速度,使重启延迟。这可以有效减少故障  
条件下电源的输入功率,最大程度地降低开关器件的电压  
/流应力。28 示了普通 UVLO 作与两步式  
UVLO 操作。当 VDD 下降至 6V 而不触发保护时,PWM  
停止开关动作,HV 启动电路对 VDD 充电。同时,触发保  
护后,FSB 系列器件具有不同的 VDD 放电特征。一旦触  
发保护,IC 便停止开关动作,且 VDD 下降。当 VDD 降至  
9V 时,工作电流变得极小,VDD 缓慢放电。当 VDD 自然  
Switching  
Disabled  
Switching  
Disabled  
26. 间歇模式操作  
保护  
FSB列器件提供的保护功能包括:过载 /环保护  
(OLP)、过压保护 (OVP) 和过温保护 (OTP)。所有保护  
功能都在自动重启模式下实现。一旦检测到故障条件,  
便终止开关动作,且 SenseFET 保持关断状态。这会导  
VDD 下降。当 VDD 降至 6V 时,保护功能复位,且 HV  
启动电路将 VDD 充电至 12V,允许重启。  
放电至 6V 时,保护功能复位,HV 启动电路对 VDD  
电。一旦 VDD 达到 12VIC 便恢复开关操作。  
Normal UVLO without  
protection (ex. aux winding  
Disconnected)  
Line is connected  
12V  
开环/过载保护 (OLP)  
VDD-ON  
由于逐脉冲限流能力,流过 SenseFET 的最大峰值电流  
和最大输入功率均受限。如果输出功耗大于此最大功耗  
限值,则输出电压 (VO) 降至设定的电压以下。然后,流  
过光电耦合器 LED 和晶体管的电流几乎变为零,而 FB  
电压上拉至高电平,如图 27 示。若反馈电压高于  
4.6V 且持续时间超过 56 ms,则触发 OLP。当反馈环路  
由于焊接缺陷而开路时,同样会触发该保护。  
VDD-OFF2  
VDD-OLP  
9V  
6V  
VDS  
IDD-OP1  
VFB  
IDD-OLP  
IDD-ST  
5.4V  
V
FB-OLP (4.6V)  
Line is connected  
12V  
Protection triggers  
VDD-ON  
VDD-OFF2  
VDD-OLP  
9V  
6V  
OLP Triggered  
OLP Shutdown Delay  
56ms  
.
27. OLP 工作  
DD 过压保护 (OVP)  
VDS  
V
IDD-OP1  
如果次级端反馈电路出现故障或焊接缺陷导致反馈路径  
开路,则流过光电耦合器晶体管的电流几乎变为零。然  
后,反馈电压将以类似于过载情况的方式攀升,强制向  
SMPS 提供预设最大电流,直到激活过载保护。由于向  
输出端提供了超出需要的电能,在触发过载保护之前,  
输出电压可能就超出了额定电压,进而导致次级端的器  
件被击穿。为防止出现这种情况,采用了 OVP 电路。由  
VDD 电压与变压器耦合设定的输出电压成正比,输出  
过压通过 VDD 电压间接检测。当 VDD 电压达到 28V 时,  
触发 OVP。应用(典型值为 150µs)去抖时间,防止开  
关噪声导致的误触发。  
IDD-OLP  
IDD-ST  
28. 两步式 UVLO  
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14  
 
典型应用电路  
应用  
飞兆半导体设备  
输入电压范围  
输出  
待机辅助电源  
FSB127H  
85 VAC ~ 265 VAC  
5 V / 3.2 A  
CSN1  
RSN1  
LO  
CO2  
1N4007  
1N4007  
DO  
SB540  
100kW  
1nF  
1000mF  
CO1  
1000mF  
DSN  
1N4007  
CIN  
100µF  
RHV  
200kW  
BD1  
FSB127H  
2A/600V  
Drain  
GND  
DDD  
1N4935  
Drain  
VDD  
FB  
X-Cap  
Drain  
HV  
IPK  
CFB  
1nF  
22  
F
R1  
20k  
CDD  
RD  
300W  
RBIAS  
5.1kW  
RIPK  
60kW  
CIPK  
1nF  
CF  
RF  
20kW  
10nF  
IC3  
KA431  
R2  
20kW  
29. 典型应用电路原理图  
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15  
典型应用电路(续)  
变压器规格  
.
.
磁芯:EI 22  
骨架:EI 22  
EI - 22  
1
10  
6
N5V  
2
3
4
5
Np/2  
Np/2  
Na  
30. 变压器规格  
引脚 (S → F)  
绕线  
匝数  
绕线方式  
Na  
4 → 5  
0.15φ×1  
0.27φ×1  
0.55φ×2  
0.27φ×1  
12  
螺线管绕制  
绝缘:聚酯带,t = 0.025 mm1 层  
Np/2 3 → 2  
绝缘:聚酯带,t = 0.025 mm2 层  
N5V 6 → 10  
绝缘:聚酯带,t = 0.025 mm2 层  
Np/2 2 → 1  
31  
5
螺线管绕制  
螺线管绕制  
螺线管绕制  
31  
绝缘:聚酯带,t = 0.025 mm2 层  
引脚  
13  
13  
技术规格  
900 H ±10%  
备注  
初级端电感  
100 kHz, 1 V  
短接全部其它引脚  
初级端有效漏电感  
< 30 H(最大值)  
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16  
0.400 10.160  
0.355 9.017  
[
]
8
5
PIN 1 INDICATOR  
0.280 7.112  
0.240  
[
6.096  
]
1
4
HALF LEAD STYLE 4X  
0.031 [0.786] MIN  
FULL LEAD STYLE 4X  
0.010 [0.252] MIN  
0.325 8.263  
0.300 7.628  
[
]
0.195 4.965  
MAX 0.210 [5.334]  
0.115  
[
2.933  
]
SEATING PLANE  
0.150 3.811  
0.115  
[
2.922  
]
C
MIN 0.015 [0.381]  
0.100 [2.540]  
0.300 [7.618]  
4X  
(0.031 [0.786])  
0.430 [10.922]  
MAX  
0.022 0.562  
0.014  
[
0.358  
]
C
4X FOR 1/2 LEAD STYLE  
0.070 1.778  
0.045  
[
1.143  
]
0.10  
8X FOR FULL LEAD STYLE  
NOTES:  
A) THIS PACKAGE CONFORMS TO JEDEC MS-001 VARIATION BA WHICH DEFINES  
2 VERSIONS OF THE PACKAGE TERMINAL STYLE WHICH ARE SHOWN HERE.  
B) CONTROLING DIMS ARE IN INCHES  
C) DIMENSIONS ARE EXCLUSIVE OF BURRS, MOLD FLASH, AND TIE BAR EXTRUSIONS.  
D) DIMENSIONS AND TOLERANCES PER ASME Y14.5M-2009  
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SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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