FSFR1800HS [ONSEMI]
用于 260 W 半桥式谐振转换器的先进集成电源开关 (FPS™);
| 型号： | FSFR1800HS |
| 厂家： | 
ONSEMI |
| 描述： | 用于 260 W 半桥式谐振转换器的先进集成电源开关 (FPS™) 局域网 开关 驱动 电源开关 接口集成电路 转换器 |
| 文件： | 总18页 (文件大小：1298K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Is Now Part of
To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at
www.onsemi.com
Please note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers
will need to change in order to meet ON Semiconductor’s system requirements. Since the ON Semiconductor
product management systems do not have the ability to manage part nomenclature that utilizes an underscore
(_), the underscore (_) in the Fairchild part numbers will be changed to a dash (-). This document may contain
device numbers with an underscore (_). Please check the ON Semiconductor website to verify the updated
device numbers. The most current and up-to-date ordering information can be found at www.onsemi.com. Please
email any questions regarding the system integration to Fairchild_questions@onsemi.com.
ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number
of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right
to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ON
Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON
Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s
technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA
Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended
or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out
of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor
is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
2013 年 2 月
FSFR-HS 系列 — 适用于半桥谐振转换器的先进的飞
兆功率开关 (FPS™)
说明
特性
FSFR-HS 是高度集成的电源开关，专为高效率半桥谐振
转换器而设计。它提供了构建可靠、强健的谐振转换器所
需的一切，FSFR-HS 不仅简化了设计，同时提高了生产
力和性能。FSFR-HS 将功率 MOSFET 与高侧栅极驱动电
路、精确的电流控制振荡器以及内置保护功能完美地整合
在了一起。
. 为半桥谐振转换器拓扑提供了 50% 占空比的变频控制
. 通过零电压开关 (ZVS) 实现高效率
. 内置高侧栅极驱动器 IC
. 具有快速恢复类型体二极管（trr=160 ns 典型值）的内部
UniFET™
. 为 MOSFET 优化的固定死区时间 (350 ns)
. 用于软启动高达 600 kHz 的工作频率
. 为所有保护提供自重启操作，尽管具有外部 LVCC 偏压
. 具有可编程滞回的线电压 UVLO
. 通过线电压 UVLO 引脚实现简单的导通/关断
高侧栅极驱动电路具有共模噪声消除功能，它为稳定操作
提供了出色的抗噪能力。使用零电压开关 (ZVS) 技术可显
著降低开关损耗并提高效率。ZVS 还可以显著降低开关噪
声，即使工作频率增加也如此。除了高工作频率外，它还
提供少量的电磁干扰 (EMI) 滤波，从而可缩小谐振腔，并
提高功率密度。
. 无需外部元件便可提供线电压 UVLO 与 FAN7930 兼容
使用
FSFR-HS 可用于谐振转换器拓扑，如串联谐振、并联谐
振以及 LLC 谐振转换器。
. 保护功能 过压保护 (OVP)、过流保护 (OCP)、异常过
流保护 (AOCP)、内部热关断 (TSD)
相关资源
AN4151 —使用 FSFR 系列飞兆电源开关 (FPS™) 的半桥
LLC 谐振转换器设计
应用
. 等离子 (PDP) 与液晶 (LCD) 电视
. 台式计算机与服务器
. 适配器
. 通信电源
订购信息
不带散热片的最大输出功率 带散热片的最大输出功率
器件编号
FSFR1800HS
FSFR1800HSL
FSFR1700HS
FSFR1700HSL
注意：
封装
工作结温 RDS(ON_MAX)
(VIN=350~400 V)(1,2)
(VIN=350~400 V)(1,2)
9-SIP
-40 至
0.95 Ω
+130°C
120 W
260 W
9-SIP
L-成型
9-SIP
-40 至
1.25 Ω
+130°C
100 W
200 W
9-SIP
L-成型
1. 结温可限制最大输出功率。
2. 50°C 环境温度时开架式设计中的最大实际持续功率。
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
应用电路图
VIN
VCC
RBOOT
DBOOT
RLS1
CLS
LVCC
DL
RLS2
VO
HVCC CBOOT
Rmin
RT
Rmax
Rss
CTR
LS
CS
Css
Rf
PG
SG
Cf
Cr
Rsense
图 1.
典型应用电路（LLC 谐振半桥转换器）
框图
LVCC
7
DL
1
LVCC Good
Internal
Bias
Vref
Vref
LVCC UV+ / UV-
Vref
9
HVCC
CTR
IRT
3V
1V
S
Q
R
IRT
2IRT
HVCC UV+ / UV-
2V
Level
Shifter
High-Side
Gate Driver
Time
Delay
3
RT
Disable
350ns
10
Divider
Balancing
Low-Side
Time
Delay
Delay
Gate Driver
VRT,RESET
350ns
Counter
S
Q
R
Shutdown
Line Good
LVCC Good
TSD
VAOCP
LVCC
VOVP
Line Good
Delay
50ns
VLINE
ILINE
6
5
PG
SG
VOCP
Delay
1.5µs
-1
4
2
LS
CS
图 2.
内部框图
© 2011 飞兆半导体公司
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
www.fairchildsemi.com
2
引脚布局
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
DL
LS CS SG LVCC
CTR
RT
PG
HVCC
图 3.
封装图
引脚定义
引脚号
名称
DL
说明
1
2
这是高侧 MOSFET 的漏极，通常连接至高压直流输入。
这是输入电压欠压锁定 (UVLO) 的线路感测引脚。
LS
此引脚用于控制正常操作下的开关频率。触发任何保护时，内部自动/重启 (A/R) 电路开始感测
引脚上的电压，该引脚通过外部电阻自然放电。当电压减小 0.1 V 时，可通过 A/R 操作 IC。
通常，连接光电耦合器控制用于输出电压调节的开关频率和用于设置最小/最大工作频率的电
阻。
3
RT
4
5
CS
SG
此引脚检测流经低侧 MOSFET 的电流。通常，此引脚为负压。
该引脚为控制部分的地。
6
PG
该引脚为电源地。该引脚连接到低侧 MOSFET 的源极。
该引脚为控制 IC 的供电电压。
7
LVCC
NC
8
无连接
9
HVCC
CTR
这是高侧栅极驱动电路的电源电压。
这是低侧 MOSFET 的漏极。典型地，变压器连接到该引脚。
10
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
3
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值，可能会损坏器件。在超出推荐的工作条件的情况下，该器件可能无法正常工作，所以不建议
让器件在这些条件下长期工作。此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。绝对最大额定值仅是
应力规格值。
符号
VDS
参数
最大漏极至源极电压 (DL-CTR 和 CTR-PG)
低侧电源电压
最小值
500
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-5
最大值
单位
V
LVCC
25.0
25.0
525.0
5.0
V
HVCC 至 CTR 高侧 VCC 引脚至低侧漏极电压
V
HVCC
VRT
高侧浮动电源电压
V
定时电阻连接和自动重启引脚电压
线电压感测输入电压
V
VLS
LVCC
1
V
VCS
电流感测 (CS) 引脚输入电压
建议开关频率
V
fsw
10
600
kHz
V/ns
dVCTR/dt
允许的低侧 MOSFET 漏极电压压摆率
50
FSFR1800HS/L
11.7
11.6
+150
+130
+150
PD
TJ
总功耗(4)
W
FSFR1700HS/L
最大结温(5)
推荐的工作结温(5)
C
C
-40
-55
TSTG
MOSFET 部分
VDGR
存储温度范围
漏极栅极电压 (RGS=1 M)
栅极源极 (GND) 电压
500
V
V
VGS
±30
23
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
IDM
脉冲漏电流(6)
A
20
TC=25°C
TC=100°C
TC=25°C
TC=100°C
7.0
4.5
6.0
3.9
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
ID
连续漏极电流
A
封装部分
扭矩
建议螺栓扭矩
5~7
kgf·cm
注意：
3. 这些参数尽管经过保证，也仅在 EDS（硅片测试）过程中测试。
4. 每个 MOSFET（两个 MOSFET 都导通）。
5. 所推荐的工作节温最大值受限于热保护功能。
6. 脉冲宽度受限于最大结温。
热阻测试
除非另有规定，否则 TA=25°C。
符号
参数
数值
10.7
10.8
单位
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
θJC
结壳中心热阻（两个 MOSFET 传导）
ºC/W
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
θJA
节-环境之间热阻
80
ºC/W
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
4
电气特性
除非另有规定，否则 TA=25°C、LVCC、HVCC =17 VDC 和 RT=26 k。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
MOSFET 部分
ID=200 μA, TA=25°C
ID=200 μA, TA=125°C
VGS=10 V, ID=3.0 A
VGS=10 V, ID=2.0 A
500
BVDSS
漏极至源极击穿电压
V
540
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
0.77
1.00
0.95
1.25
RDS(ON)
导通电阻
VGS=0 V,
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
IDIODE=7.0 A,
dIDIODE/dt=100 A/μs
160
160
trr
体二极管反向恢复时间(7)
ns
VGS=0 V,
IDIODE=6.0 A,
dIDIODE/dt=100 A/μs
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
FSFR1800HS/L
FSFR1700HS/L
639
512
pF
pF
pF
pF
CISS
输入电容(7)
输出电容(7)
VDS=25 V, VGS=0 V,
f=1.0 MHz
82.1
66.5
COSS
电源部分
ILK
偏置漏电流
HVCC=VCTR=500 V
(HVCCUV+) - 0.1 V
(LVCCUV+) - 0.1 V
fOSC=50 KHz
无开关
50
120
200
9
μA
μA
IQHVCC
IQLVCC
HVCC 静态电源电流
LVCC 静态电源电流
50
100
6
μA
mA
μA
IOHVCC
工作 HVCC 电源电流（RMS 值）
工作LVCC电源电流（RMS 值）
100
7
200
11
fOSC=50 KHz
无开关
mA
mA
IOLVCC
2
4
UVLO 部分
LVCCUV+ LVCC 电源欠压正向阈值 (LVCC,START
)
11.2
8.9
12.5
10.0
2.5
13.8
11.1
V
V
V
V
V
V
LVCCUV- LVCC 电源欠压负向阈值 (LVCC,STOP
LVCCUVH LVCC 电源欠压滞回
)
HVCCUV+ HVCC 电源欠压正向阈值 (HVCC,START
)
8.2
7.8
9.2
10.2
9.6
HVCCUV- HVCC 电源欠压负向阈值 (HVCC,STOP
HVCCUVH HVCC 电源欠压滞回
振荡器与反馈部分
)
8.7
0.5
VRT
fOSC
DC
RT 引脚上的输出电压
输出振荡频率
1.5
47
48
2.0
50
50
2.5
53
52
V
kHz
%
RT=26 k
输出占空比
接下页
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
5
电气特性(续)
除非另有规定，否则 TA=25°C、LVCC、HVCC =17 VDC 和 RT=26 k。
符号
参数
工作条件
最小值 典型值最大值 单位
保护部分
VRT,RESET 开始重启的阈值电压
0.07
0.12
20
0.17
V
ms
V
tDELAY,RESET 保护后禁用 OSC 电路的延迟
fosc=50 kHz
VLINE
ILINE
VOVP
VAOCP
tBAO
输入电压的导通阈值
线电压 UVLO 的滞回电流
LVCC 过压保护
2.38
7.5
2.50
9.5
23
2.62
11.5
25
μA
V
21
AOCP 阈值电压
AOCP 消隐时间(7)
-1.0
-0.9
50
-0.8
V
VCS < VAOCP
ns
V
VOCP
tBO
OCP 阈值电压
OCP 消隐时间(7)
-0.64 -0.58 -0.52
VCS < VOCP
1.0
1.5
2.0
μs
ns
tDA
延迟时间（低侧）从 VAOCP 检测到关断(7)
250
400
TSD
热关闭温度(7)
120
135
150
C
死区时间控制部分
DT
死区时间(8)
350
ns
注意：
7. 该参数由设计保证；未经产品 测试。
8. 这些参数尽管经过保证，也仅在 EDS（硅片测试）过程中测试。
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
6
典型性能特征
这些特性图在 TA=25°C 标准化。
1.1
1.05
1
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
0
25
50
75
100
Temperature (°C)
Temperature (°C)
图 4.
低侧 MOSFET 占空比与温度的关系
图 5.
开关频率与温度的关系
1.1
1.1
1.05
1
1.05
1
0.95
0.9
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
0
25
50
75
100
Temperature (°C)
Temperature (°C)
图 6.
高侧 VCC (HVCC) 启动与温度的关系
图 7.
高侧 VCC (HVCC) 停止与温度的关系
1.1
1.1
1.05
1
1.05
1
0.95
0.9
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
0
25
50
75
100
Temperature (°C)
Temperature (°C)
图 8.
低侧 VCC (LVCC) 启动与温度的关系
图 9.
低侧 VCC (LVCC) 停止与温度的关系
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
7
典型性能特征（接上页）
这些特性图在 TA=25°C 下标准化。
1.1
1.05
1
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
-50
-25
0
25
50
75
100
Temp (OC)
Temp (OC)
图 10.
LVCC OVP 电压与温度的关系
图 11.
RT 电压与温度的关系
1.1
1.05
1
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
Temp (OC)
图 12.
VRT,RESET 与温度的关系
图 13.
OCP 电压与温度的关系
图 14.
VLINE 与温度的关系
图 15.
ILINE 与温度的关系
© 2011 飞兆半导体公司
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
www.fairchildsemi.com
8
典型性能特征（接上页）
这些特性图在 TA=25°C 下标准化。
图 16.
t
DELAY,RESET 与温度的关系
图 17.
VRT,RESET 与温度的关系
© 2011 飞兆半导体公司
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
www.fairchildsemi.com
9
功能说明
Gain
1.8
1. 基本操作：FSFR-HS 系 列 设 计 为 驱 动 高 侧 和 低 侧
MOSFET，分别占 50% 占空比。在连续转换期间引入了
固定死区时间 350 ns，如图 18 所示。
f max
f min
f normal
f ISS
一旦 LVCC 高于 LVCC,START = 12.5 V，IC 即开始操作，生
成低侧栅极信号并驱动低侧 MOSFET。自举二极管和电
容由低侧 MOSFET 的工作期间得到电荷充电。在 HVCC
上的电压增至达 HVCC,START （通常为 9.2 V）后，为
MOSFET 生成高侧栅极信号。
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
Dead-Time
High-Side
MOSFET
Gate Drive
Soft-Start
Low-Side
MOSFET
Gate Drive
Time
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
Frequency (kHz)
图 20.
谐振转换器典型增益曲线
图 18.
MOSFET 栅极驱动信号
2. 内部振荡器：FSFR-HS 系列采用电流控制振荡器，如
图 19 所示。在内部，RT 引脚的电压调节在 2 V，并且振
荡器电容 CT 的充电/放电电流通过使用电流镜像复制从
RT 引脚 (ICTC) 流出的电流来获得。因此，开关频率随着
LVCC
VDL
I
CTC 的增加而增加。
RT
ICTC
VREF
+
S
R
Q
Rmax
Rmin
Rss
3V
1V
-
-Q
ICTC
+
2ICTC
CT
F/F
-
Css
CS
+
2V
-
RT
PG
Divider
SG
Gate Drive
3
图 21.
频率控制电路
为避免过大的浪涌电流和启动时输出电压过冲，IC 需要逐
渐增加谐振转换器的电压增益。由于谐振转换器的电压增
益与开关频率成反比，因此实施软启动是通过从初始高频
率 (fISS) 向下扫描开关频率，直至建立输出电压。
图 19.
电流控制的振荡器
3. 频率设置：图 20 显示谐振转换器的典型电压增益曲
线，其中增益与 ZVS 区中的开关频率成反比。输出电压
可通过调制开关频率来调节。图 21 显示 RT 引脚的典型
电路配置，其中光电耦合器电阻连接至 RT 引脚以调制开
关频率。开关频率可从 20 kHz 控制到 500 kHz。
通过将 R-C 系列网络连接至 RT 引脚来建立软启动电路，
如图 21 中所示。起初，工作频率由 RSS 和 Rmin 的并联阻
抗设置。
最小开关频率由下式确定：
1
fmin
[ Hz]
(1)
792 p Rmin 0.54µ
假定光电耦合器的饱和电压为 0.2 V，则最大开关频率由
下式确定：
1
fmax
[ Hz]
(2)
792 p Rmin || Rmax 0.54µ
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
10
初始最大频率可设置为高达 600 kHz，由下式确定：
5. 保护电路：FSFR-HS 系列具有多个自我保护功能；如
过 流 保 护 (OLP)、 异 常 过 流 保 护 (OCP)、 过 压 保 护
(OVP)、热关断 (TSD) 和线电压欠压锁定（LUVLO 或欠
压）。这些保护为自动重启模式保护，如图 24 所示。
1
fss
[Hz]
(3)
(4)
792p Rmin || RSS 0.54
一旦检测到故障情况，开关操作即终止并且 MOSFET 保
持关断。当 LVcc 下降至 10 V 的 LVcc 停止电压并且 VRT
低于 0.1 V 的 VRT,RESET ，将复位保护。当 LVcc 达到
12.5 V 的启动电压时，FSFR-HS 恢复正常操作。
软启动时间 tSS, 可由下式计算得出：
tSS 3 RSS CSS [s]
4. 自动重启：即使在有外部电源电压的情况下触发任何内
置保护，FSFR-HS 系列也可自动重启。如图 22 和图 23
所示；一旦触发保护，功率 MOSFET 即停止。计数器开
始操作并且对 1008 时钟进行计数，然后禁用 V-I 转换
器。CSS 在通过电阻 RSS 和 Rmin 自然放电，直至 VRT 下
降至 VRT,RESET，通常为 0.1 V。然后，复位所有保护并且
V-I 转换器恢复。FSFR-HS 再次通过软启动开始开关操
作。
LVCC
7
+
-
LVCC Good
Internal
Bias
VREF
10 / 12.5 V
Line UVLO
OCP
AOCP
OVP
Auto-Restart
Protection
Switching
Shutdown
S
R
Q
TSD
-Q
激活保护后的 1008 时钟的计数器工作时间由 RT 引脚流
出的电流设定，直至 VRT 下降至 VRT,RESET。最后，可估算
FSFR-HS 的停止时间，不需考虑计数器工作时间，如：
LVCC Good
F/F
2
RT
AR Signal
VRT,RESET
tSTOP 3 CSS
RSS Rmin [s]
(5)
图 24.
保护框图
V-I Converter
5.1 过流保护 (OCP)：当感测引脚电压降至低于 -0.58 V
并且其持续时间超过 1.5 µs 的 OCP 消隐时间时，将触
发 OCP 并且 MOSFET 保持关断。
2V
Disable
RT
3
Rmin
Rss
Css
5.2 异常过流保护 (AOCP)：如果次级整流器二极管短
路，具有极高 di/dt 的大电流可在触发 OCP 之前流经
MOSFET。如果感测引脚电压降至低于 -0.9 V，将触发
AOCP 且没有关断延迟。
Counter
Switching
Shutdown
VRT,RESET
R
LVCC good
Q
5.3 过压保护 (OVP)：当 LVcc 达到 23 V 时，将触发
OVP。当变压器的辅助绕组向 FPS™ 供应 Vcc 时，使
用此保护。
S
OVP
OCP
AOCP
TSD
5.4 热关断 (TSD)：MOSFET 和控制 I C 在一个封装中
使控制 I C 检测 MOSFET 的异常过温变得更简单。如
果温度超过约 130C，将触发热关断。
图 22.
自重启的内部框图
(a) (c) (b)
(a)(c)
(b)
LVCC
VI
converter
VRT
6. 线电压欠压锁定 (UVLO)：FSFR-HS 包括具有可编程
滞回电压的精密线电压 UVLO（或欠压）。当感测电阻
R1 和 R2 感测到的当直流母线电压变高时依直流母线电压
成比例缩小的电压 VLS 高于 2.5 V 的 VLINE 时（反之亦
然），此功能可启动或重启 IC。IC 启动和停止电压之间
的滞回电压可由 ILINE 编程。在正常工作条件下，比较器的
输出为高电平并且禁用 ILINE，因此 LS 引脚 VLS, 上的电压
可由 R1 和 R2 的分压获得。相反，当比较器的输出为低
电平时，激活 ILINE。VLS 由流经 R1 的电流和 ILINE 的差异
生成。
VCss
VRT,RESET
VLINE
VLS
ICr
tcounter
tcounter
tS/S
tstop
(a) Protection Trigger, (b) FSFR-HS Restart, (c) Counter Stop
图 23.
自动重启操作
© 2011 飞兆半导体公司
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
www.fairchildsemi.com
11
Cr
CFilter 可用于减少变压器或开关转换引起的一些噪声。通
常，几百 pF 至几 十nF 就够了，具体取决于噪声量。
Np
Ns
Ns
启动与停止输入电压可以通过下式计算：
R1 R2
Vdclink,STOP VLINE
[V]
(6)
(7)
控制
IC
R2
VCS
Vdclink,START Vdclink,STOP ILINE R1 [V]
IDS
CS
DC-link
SG
PG
R感测
VCS
R1
IDS
LS
2
Line Good
VLINE
ILINE
R2
CFilter
图 27.
半波检测
IDS
图 25.
半波检测
7. 简单远程开/关：可使用可选自动重启模式关断功率级，
如图 26 所示。
VCS
在自动重启模式下，为配置外部保护电路，需要采用了一
个光电耦合器与 LS 引脚。当 LS 引脚上的电压下拉至低
于 VLINE (2.5 V) 时，IC 在保持停止状态。但是，光电耦合
器停止下拉时 IC 可自动执行自动重启操作。
Cr
控制
IC
VCS
Np
Ns
Ns
CS
PG
SG
DC-link
R感测
Line
Sensing
Resistor
Pulled Down ®
Stop Switching with A/R
IDS
R1
R2
External
Protection
LS
图 28.
全波检测
Line OK
8
8.2 电容感测方法：漏极电流可以采用一个额外的与谐
振电容并联的电容检测，如所示图 29。在低侧开关导通
期间，通过 CB 的电流 iCB 使 VSENSE 加在 RSENSE 上。iCB
是 ip 按阻抗比 Cr 和 CB 的分流。一般地，CB 与 Cr 比较
合适的比值为 1/100~1/1000。RD 用作减少开关转换产
生的噪声的阻尼。通常可使用数百欧姆至几千欧姆。
VLINE
ILINE
图 26.
外部保护电路
VSENSE 可由下式估算得出；
8. 电流感测方法：FSFR-HS 系列采用负压感测来检测
MOSFET 的漏极电流，这允许使用带小时间常数的滤波
器的低噪声电阻感测和电容感测。
C
pk
B
Vsense ICr
Rsense [V]
(8)
Cr
8.1 电阻感测方法：IC 可感测漏电流为负压，如图 27 和
图 28 所示。半波感测允许感测电阻中较低的功耗，而
全波感测在感测信号中具有较少的开关噪声。对于滤波
器的时间常量范围，3/100~1/10 的工作频率是合理的。
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
12
9. PCB 布局指南：由于主变压器的辐射噪音、主变压器
的次级端漏感不相等等原因可能发生占空比不平衡问
题。RT 引脚附近的控制元件在 PCB 布局上被主初级端
电流环路包围是造成占空比不平衡的主要原因。当高低
侧 MOSFET 交替导通时，由初级端电流流向导致的元
件上磁场的方向发生变化。方向相反的磁场产生通过、
进入或从 RT 引脚流出的电流，这使得每个 MOSFET 的
导通持续时间各不相同。强烈建议将 RT 引脚附近的控
制元件与 PCB 布局上的初级端电流路径分开。图 30 显
示占空比平衡情况的示例。
ip
VSENSE
Np
Contro
l IC
CS
Ns
ip
PG
RD
SG
iCB
Ns
RFilter
VSENSE
CB
CFilter
RSENSE
Cr
图 29.
电容检测
图 30.
占空比平衡的示例
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
13
物理尺寸
图 31.
9 引脚、单线路内封装 (SIP)
封装图纸是作为一项服务而提供给考虑选用飞兆半导体产品的客户。具体参数可能会有变化，且不会做出相应通知。请注意图纸上的版
本和/或日期，并联系飞兆半导体代表核实或获得最新版本。封装规格并不超出飞兆公司全球范围内的条款与条件，尤其指保修，保修涵
盖飞兆半导体的全部产品。
随时访问飞兆半导体在线封装网页，可以获取最新的封装图纸：
http：//www.fairchildsemi.com/packaging/.
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
14
物理尺寸
图 32.
9 引脚单线路内封装 (SIP) L 成型
封装图纸是作为一项服务而提供给考虑选用飞兆半导体产品的客户。具体参数可能会有变化，且不会做出相应通知。请注意图纸上的版
本和/或日期，并联系飞兆半导体代表核实或获得最新版本。封装规格并不超出飞兆公司全球范围内的条款与条件，尤其指保修，保修涵
盖飞兆半导体的全部产品。
随时访问飞兆半导体在线封装网页，可以获取最新的封装图纸：
http：//www.fairchildsemi.com/packaging/.
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
15
© 2011 飞兆半导体公司
www.fairchildsemi.com
FSFR1800 / FSFR1700-HS • Rev.1.0.1
16
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.
ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent
coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein.
ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards,
regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer
application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not
designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification
in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized
application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and
expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such
claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This
literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
LITERATURE FULFILLMENT:
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Europe, Middle East and Africa Technical Support:
Phone: 421 33 790 2910
Japan Customer Focus Center
Phone: 81−3−5817−1050
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA
Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative
© Semiconductor Components Industries, LLC
www.onsemi.com
相关型号：
FSFR1800US
FSFR-US Series â Fairchild Power Switch (FPSâ¢) for Half-Bridge Resonant Converters
FAIRCHILD
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明