LEAA2A [OSRAM]
compact lightsource in multi chip on board technology planar sealed;
| 型号： | LEAA2A |
| 厂家： | 
OSRAM GMBH |
| 描述： | compact lightsource in multi chip on board technology planar sealed |
| 文件： | 总16页 (文件大小：582K) |
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OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE A A2A
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Abgekündigt nach OS-PD-2008-008
Obsolete acc. to OS-PD-2008-008
Features
Besondere Merkmale
• package: compact lightsource in multi chip on
board technology planar sealed
• feature of the device: outstanding brightness
and luminance due to pure surface emission
and low Rth
• Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie, plan
vergossen
• Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
Helligkeit und Leuchtdichte dank
prepared for additional optics
• wavelength: 617 nm (amber)
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• light emitting surface: typ. 2.1 x 2.1 mm²
• technology: Thinfilm InGaAlP
• Luminance: 18*106 cd/m² (amber)
• max. optical efficiency: 51 lm/W (amber)
at 100 mA with lens
• mounting methods: screw holes
• connector: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-B
Oberflächenemission und niedrigem Rth
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
• Wellenlänge: 617 nm (amber)
• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
• Abstrahlende Fläche: typ. 2,1 x 2,1 mm²
• Technologie: Thinfilm InGaAlP
• Leuchtdichte: 17*106 cd/m² (amber)
• max. optischer Wirkungsgrad:
51 lm/W (amber) bei 100 mA mit Linse
• Montierbarkeit: verschraubbar
• Stecker: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-B
method of packing: 25 pcs. per tray
= packing unit
• Verpackungseinheit: 25 St. pro Box
= Verpackungseinheit
Applications
• projection
Anwendungen
• Projektion
• medical lighting: surgery light
• microscope illumination
• spotlights
• VMS (variable message signs)
• high end strobe light
• Medizintechnik: Operationslampen
• Mikroskopbeleuchtung
• Strahler für die Allgemeinbeleuchtung
• Verkehrszeichen
• Hochwertige Blitzlichter
2008-07-07
1
LE A A2A
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Emissionsfarbe
Lichstärke) Seite 16
Color of Emission
Type
Luminous Intensity) page 16
IF = 750 mA
ΙV (cd)
amber
min.
typ.
LE A A2A
amber
35.5
68
Typ
Emissionsfarbe
Lichtfluss2)3) Seite 16
Type
Color of Emission
Luminous Flux2)3) page 16
IF = 750 mA
ΦV (lm)
amber
min.
typ.
(210)
LE A A2A
amber
(110)
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Bestellnummer
Type
Ordering Code
!LE A A2A-HBKB
Q65110A3647
!Abgekündigt nach OS-PD-2008-008 - wird durch LE A H3W ersetzt werden
Obsolete acc. to OS-PD-2008-008 - will be replaced by LE A H3W
Letzte Bestellung / Last Order: 2009-01-10
Letzte Lieferung / Last Delivery: 2009-07-10
Anm.: Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen
aus einer Helligkeitsgruppe. Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe pro Farbe und
Verpackungsbox geliefert.
Note: The above Type Numbers represent the order groups which includes only one brightness group
per color and tray. Only one group will be shipped on each tray.
2008-07-07
2
LE A A2A
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Tboard, op
Tboard, stg
Tj
– 40 … + 85
– 40 … + 85
125
°C
°C
°C
mA
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(Tboard =25°C)
IF
750
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t ≤ 10 μs, D = 0.1; TA=25°C
IFM
2000
0.5
mA
V
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(Tboard=25°C)
VR
Sperrstrom
Reverse current
VR = 0.5 V
IR
10
mA
W
Leistungsaufnahme pro Farbe
Power consumption per Color
(Tboard=25°C)
Ptot
10.2
* Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
Kennwerte
Charakteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Rth JB
5
K/W
Junction / base plate
2008-07-07
3
LE A A2A
Kennwerte
Characteristics
(TA = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
amber
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 750 mA
(typ.)
λpeak
nm
627
Dominantwellenlänge4) Seite 16
Dominant wavelength4) page 16
IF = 750 mA
(min.)
(typ.)
(max.)
λdom
λdom
λdom
613
617
625
nm
nm
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max
Spectral bandwidth at 50 % Φrel max
IF = 750 mA
(typ.)
(typ.)
Δλ
nm
26
Abstrahlwinkel bei 50 % ΙV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % ΙV
2ϕ
120
Grad
deg.
Durchlassspannung5) Seite 16
Forward voltage5) page 16
IF = 750 mA
(min.)
(typ.)
(max.)
VF
VF
VF
2.1
2.9
3.4
V
V
V
Temperaturkoeffizient von λpeak pro Chip
Temperature coefficient of λpeak per chip
IF = 750 mA ; –10°C ≤ T ≤ 100°C
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
TCλpeak
TCλdom
TCV
nm/K
nm/K
mV/K
lm/W
0.14
0.08
– 2.5
24
Temperaturkoeffizient von λdom pro Chip
Temperature coefficient of λdom per chip
IF = 750 mA ; –10°C ≤ T ≤ 100°C
Temperaturkoeffizient von VF pro Chip
Temperature coefficient of VF per chip
IF = 750 mA ; –10°C ≤ T ≤ 100°C
Optischer Wirkungsgrad ohne Linse
Optical efficiency without Lens
IF = 750 mA
ηopt
max. Optischer Wirkungsgrad mit Linse6) Seite 16
max. Optical efficiency with Lens6) page 16
IF = 100 mA (R, T, B)
(typ.)
ηopt max.
lm/W
mm²
51
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
(typ.)
(typ.)
AColor
2.1*2.1
Leuchtdichte
Luminance
IF = 750 mA
17*106
LV
cd/m²
2008-07-07
4
LE A A2A
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R25
No. of R/T
characteristic
s*
B25/50
B25/85
Resistance
Tolerance
Δ RN/RN
B value
Tolerance
Δ B/B
[Ω]
[K]
[K]
10k
EPCOS 8502
3940
3980
± 5%
± 3%
* for further information please visit www.epcos.com
Typische Thermistor Kennlinie2) 7) Seite 16
Typical Thermistor Graph2) 7) page 16
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
1
1
⎛
⎞
⎠
B ⋅ --- – ------
⎝
T TN
RT = RN ⋅ e
OHL02609
10000
Ω
RT = NTC resistance in Ω at temperature T in K
R
RN = NTC resistance in Ω at rated temperature TN
in K (TN = 298 K for test condition)
T, TN = temperature in K
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
B = B value, material specific constant of the NTC
thermistor
T ⋅ TN
----------------
T – TN
RN
⋅ ln-------
RT
B = BN ⁄ T
=
0
10 20 30 40 50 60 70 ˚C 90
TNTC
Wellenlängengruppen (Dominantwellenlänge)4) Seite 16
Wavelength Groups (Dominant Wavelength)4) page 16
Gruppe
Group
amber
max.
Einheit
Unit
min.
613
619
3
4
619
625
nm
nm
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5
LE A A2A
Helligkeits-Gruppierungsschema
Brightness Groups
Helligkeitsgruppe
Brightness Group
Lichtstärke1) Seite 16
Luminous Intensity1) page 16
IV (cd)
Lichtstrom2) 3) Seite 16
Luminous Flux2) 3) page 16
ΦV (lm)
HB
JA
JB
KA
KB
35.5 ... 45.0
45.0 ... 56.0
56.0 ... 71.0
71.0 ... 90.0
90.0 ... 112.0
120 (typ.)
152 (typ.)
191 (typ.)
242 (typ.)
300 (typ.)
Anm.: Die Standardlieferform von Serientypen beinhaltet eine Familiengruppe. Diese besteht aus
5 Helligkeitsgruppen. Einzelne Helligkeitsgruppen sind nicht bestellbar.
Note: The standard shipping format for serial types includes a family group of 5 individual brightness
groups. Individual brightness groups cannot be ordered.
Gruppenbezeichnung auf Etikett
Group Name on Label
Beispiel: JA-4
Example: JA-4
Helligkeitsgruppe
Brightness Group
Wellenlänge
Wavelength
JA
4
Anm.: In einer Verpackungseinheit ist immer nur eine Gruppe für jede Selektion enthalten.
Note: No packing unit ever contains more than one group for each selection.
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6
LE A A2A
Relative spektrale Emission pro Chip2) Seite 16
Relative Spectral Emission per Chip2) page 16
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve
Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 750 mA
OHL00571
100
%
Irel
80
Vλ
60
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik2) Seite 16
Radiation Characteristic2) page 16
Ιrel = f (ϕ); TA = 25 °C
OHL01660
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
ϕ
50˚
0.8
0.6
0.4
0.2
0
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
2008-07-07
7
LE A A2A
Durchlassstrom2) Seite 16
Forward Current2) page 16
IF = f (VF); TA = 25 °C
Relative Lichtstärke2) 8) Seite 16
Relative Luminous Intensity) 8) page 16
ΙV/ΙV(750 mA ) = f (IF); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
OHL02691
OHL02694
101
IV
A
IV (750 mA)
IF
100
5
100
5
10-1
5
10-1
5
10-2
101
10-2
102
5 103
mA
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
5
IF
VF
Relative Lichtstärke2) Seite 16
Relative Luminous Intensity) page 16
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 750 mA
OHL03075
2.5
IV
IV (25 ˚C)
2.0
1.5
amber
red
1.0
0.5
0
-60 -40 -20
0
20 40 60 ˚C 100
Tj
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8
LE A A2A
Dominante Wellenlänge2) Seite 16
Dominant Wavelength2) page 16
LA, λdom = f (IF); TA = 25 °C
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 16
Relative Forward Voltage2) page 16
ΔVF = VF - VF(25 °C) = f(Tj); IF= 750 mA
OHL02985
OHL01659
0.30
V
ΔVF
618.0
nm
λdom
617.5
0.20
0.15
0.10
0.05
0
617.0
amber
616.5
616.0
615.5
615.0
-0.05
-0.10
-60 -40 -20
0
20 40 60 ˚C 100
0
200
400
600
mA 1000
Tj
IF
2008-07-07
9
LE A A2A
Maximal zulässiger Durchlassstrom
Max. Permissible Forward Current
amber
IF = f (TS)
OHL02640
3500
mA
IF
2500
2000
1500
1000
500
upper curve equivalent to 4 chips
operated in parallel current for single
chip is then If/4, center curve
equivalent to 2 chips operated in
parallel current for single chip is then
If/2, lower curve equivalent to 1 chip
operated
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
TBoard
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 25 °C
1 chip operated
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
1 chip operated
OHL02594
OHL02595
2.1
2.1
tP
tP
A
A
tP
tP
IF
IF
IF
IF
D
D
= T
= T
2.0
T
T
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
D
=
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.2
0.3
0.5
0.5
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms
tp
6
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
tp
2008-07-07
10
LE A A2A
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 25°C
2 chips operated parallel; current for single chip is If/2
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
2 chips operated parallel; current for single chip is If/2
OHL02598
OHL02599
4.2
4.2
tP
tP
A
A
tP
tP
IF
IF
IF
IF
D
= T
D
= T
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
T
T
3.8
D
=
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.1
0.2
0.3
0.5
0.5
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms
tp
6
tp
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 25 °C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
4 chips operated parallel; current for single chip is If/4
4 chips operated parallel; current for single chip is If/4
OHL02602
OHL02603
8.5
8.5
tP
tP
A
A
tP
tP
IF
IF
IF
IF
D
= T
D
= T
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
T
T
7.5
D
=
D
=
0.005
0.01
0.02
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
0.2
0.3
0.5
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
tp
tp
2008-07-07
11
LE A A2A
Maßzeichnung9) Seite 16
Package Outlines9) page 16
Pin-Assignment:
Chip-Position: LE A A2A
a1: Cathode C2
2: Anode C2
3: Anode C1
4: Cathode C1
5: NTC
1:Amber
2:Amber
3:Amber
4:Amber
6: NTC
7: Cathode C3
8: Anode C3
9: Anode C4
10: Cathode C4
Verwendeter Stecker
Used male connector on board:
10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB (www.jst.com)
JST SHR-10V-S (www.jst.com)
Empfohlene Gegenstecker /
Recommended female connector for power supply: JST SHR-10V-S-B (www.jst.com)
JST SHR-10SR-35 (www.jst.com)
2008-07-07
12
LE A A2A
Ersatzschaltbild für den thermischen Widerstand9) Seite 16
Analogon lay out for thermal resistance9) page 16
R
th,chip = 8 K/W
Chip 1
TJunction,chip1
TJunction,chip2
TJunction,chip3
R
th,board = 3 K/W
Board
Chip 2
Chip 3
Chip 4
TBaseplate
=
TAmbient
TSubmount
TJunction,chip4
OHTE2881
Verpackung 9) Seite 16
Method of Packing 9) page 16
25 St. pro Box = Verpackungseinheit
25 pcs. per tray = packing unit
2008-07-07
13
LE A A2A
Barcode-Tray-Etikett (BTL)
Barcode-Tray-Label (BTL)
LE xxx xxx
Group: xxxx-xxxx-xxxx
DC: Date Code
Data
Matrix
Code
Bar Code
MATERIAL: Material Number
Batch Batch Number
OHA02684
Kartonverpackung und Materialien
Transportation Packing and Materials
Box
Barcode label
0
-2
0
-
:
1
-2
P
-1
:
1
Q
T
S
R
i
n
2
B
:
in
3
p
m
B
Y
M
in
e
C
R
C
B
T
0
T
2
R
E
D
L
2
0
C
T
X
E
M
2
4
0
2
2
6
T
l
a
a
LSY T676
Multi TO
2
n
3
it
io
: R18
R
d
d
7
A
V
A
7
0
K
R
C
: P-1+Q-1
P
A
P
U
O
R
G
)
(G
8
9
: 0144
to
rs
o
p
9
1
/C
D
)
D
O
ct
2
0
0
1
M
o
u
(9
d
A
R
ic
e
n
: 2
S
NO
2000
:
TY
O
m
H
C
S
T
H1234
)Q
(
Q
A
B
)
P
: 123G
(6
O
N
2
5
T
4
1
O
L
0
)
0
T
(1
: 1
1
O
N
D
O
R
P
)
(X
Original packing label
OHA02886
2008-07-07
14
LE A A2A
Revision History: 2008-07-07
Previous Version: 2006-09-13
Page
Subjects (major changes since last revision)
Product Discontinuation OS-PD-2008-008
Date of change
all
2008-07-07
Anm.: Gemäß IEC 60825-1 (EN 60825-1) gilt für amber:
Note: According IEC 60825-1 (EN 60825-1) for amber:
LED RADIATION
LED STRAHLUNG
DO NOT VIEW DIRECTLY
WITH OPTICAL INSTRUMENTS
CLASS 1M LED PRODUCT
NICHT DIREKT MIT OPTISCHEN
INSTRUMENTEN BETRACHTEN
LED KLASSE 1M
OHW02884
OHW12884
Attention please!
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components10) page 16 may only be used in life-support devices or systems11) page 16 with the express written approval of
OSRAM OS.
2008-07-07
15
LE A A2A
Remarks:
Fußnoten:
1)
1)
Brightness groups are tested at a current pulse duration
of 25 ms and a tolerance of ± 11%. Condition for
luminous intensity measurement acc. to CIE127
condition A
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt.
Messbedingung für Lichtstärkemessung nach CIE127
Condition A.
2)
2)
Due to the special conditions of the manufacturing
processes of LED, the typical data or calculated
correlations of technical parameters can only reflect
statistical figures. These do not necessarily correspond
to the actual parameters of each single product, which
could differ from the typical data and calculated
correlations or the typical characeristic line.
If requested, e.g. because of technical improvements,
these typ. data will be changed without any further
notice.
Min. ΦV values are calculated from Iv values.
Brightness values stated on page 2 are measured
without primary optics.
Wavelengths are tested at a current pulse duration of 25
ms and a tolerance of ±1 nm.
Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der
Herstellung von LED können typische oder abgeleitete
technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte
wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht
notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen
Produktes überein, dessen Werte sich von typischen
und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien
unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund
technischer Verbesserungen, werden diese typischen
Werte ohne weitere Ankündigung geändert.
3)
3)
Min. ΦV Werte werden aus den Iv - Werten berechnet.
Die Helligkeitswerte auf Seite
Primäroptik gemessen.
2
wurden ohne
4)
5)
6)
4)
5)
6)
Wellenlängen werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.
Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 1 ms und einer Genauigkeit von ±0,1 V ermittelt.
Für den Fall, dass eine Optik wie z. B. eine
Halbsphärenlinse als Primäroptik verwendet wird, kann
der Lichtfluss bis zu 40% für rot und grün und 36% für
blau erhöht werden.
Die R-T-Kurve eines NTC läßt sich in einem engen
Bereich um den spezifizierten Wert herum in erster
Näherung durch einen exponentialen Zusammenhang
beschreiben. Sofern eine detailliertere Beschreibung
der R-T-Kurve für die Praxis nötig ist, können eine
ganauere Formel und entsprechende tabellierte Werte
bei EPCOS gefunden werden.
Forward voltages are tested at a current pulse duration
of 1 ms and a tolerance of ±0.1 V.
If an optic, such as a hemispherical lens is added, the
luminous flux values can be increased up to 40% for red
and green and 36% for blue.
7)
7)
The R-T-Curve of an NTC thermistor can be roughly
described in a restricted range around the rated
temperautre. If a more precise desciption of the R/T
curve is required for practical applications a refined
formular and the corresponding tabulated values can be
found at EPCOS
8)
8)
In the range where the line of the graph is broken, you
must expect higher brightness differences between
single LEDs within one packing unit.
Im gestrichelten Bereich der Kennlinien muss mit
erhöhten
Helligkeitsunterschieden
zwischen
Leuchtdioden innerhalb einer Verpackungseinheit
gerechnet werden.
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch).
Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
9)
9)
Dimensions are specified as follows: mm (inch).
A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
10)
10)
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
11)
11)
Life support devices or systems are intended
(a) to be implanted in the human body,
or
Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a)
die Implantierung in den menschlichen Körper
oder
(b) to support and/or maintain and sustain human life. If
they fail, it is reasonable to assume that the health and
the life of the user may be endangered.
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt.
Falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden,
dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in
Gefahr ist.
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
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2008-07-07
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