SFH4855 [OSRAM]

Infrared Emitter (850 nm);


型号：	SFH4855
厂家：	OSRAM GMBH
描述：	Infrared Emitter (850 nm) 光电
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2015-01-29

Infrared Emitter (850 nm)

IR-Lumineszenzdiode (850 nm)

Version 1.0

SFH 4855

Features:

Besondere Merkmale:

•

Wavelength 850nm

•

Wellenlänge 850nm

Hermetically sealed package

Short switching times

Spectral match with silicon photodetectors

Hermetisch dichtes Metallgehäuse

Kurze Schaltzeiten

Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Applications

Anwendungen

•

Photointerrupters

Sensor technology

Light curtains

•

Lichtschranken

Sensorik

Lichtgitter

Notes

Hinweise

Depending on the mode of operation, these devices

emit highly concentrated non visible infrared light

which can be hazardous to the human eye. Products

which incorporate these devices have to follow the

safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC

62471.

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile

hochkonzentrierte, nicht sichtbare

Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das

menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese

Bauteile enthalten, müssen gemäß den

Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und

62471 behandelt werden.

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Ordering Information

Bestellinformation

Type:

Typ:

Radiant Intensity

Strahlstärke

Ordering Code

Bestellnummer

I_F= 100 mA, t_p= 20 ms

I_e[mW/sr]

SFH 4855

110 (≥ 40)

Q65111A6128

Note:

Anm.:

Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Maximum Ratings (T_A= 25 °C)

Grenzwerte

Parameter

Symbol

Values

Werte

Unit

Einheit

°C

Bezeichnung

Operation and storage temperature range

Betriebs- und Lagertemperatur

T_op; T_stg

-40 ... 125

Reverse voltage

Sperrspannung

V_R

100

Forward current

Durchlassstrom

I_F

Surge current

Stoßstrom

(t_p≤ 200 µs, D = 0)

I_FSM

Total power dissipation

Verlustleistung

P_tot

200

500

350

K / W

Thermal resistance junction - ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung

R_thJA

R_thJC

V_ESD

Thermal resistance junction - case

Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse

ESD withstand voltage

ESD Festigkeit

(acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM)

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Characteristics (T_A= 25 °C)

Kennwerte

Parameter

Symbol

λ_peak

Values

Werte

860

Unit

Bezeichnung

Einheit

Peak wavelength

Emissionswellenlänge

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

(typ)

Centroid Wavelength

Schwerpunktwellenlänge

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

λ_centroid

850

Spectral bandwidth at 50% of I_max

Spektrale Bandbreite bei 50% von I_max

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

∆λ

Half angle

Halbwinkel

(typ)

± 8

0.3 x 0.3

4 ... 4.8

Dimensions of active chip area

Abmessungen der aktiven Chipfläche

L x W

mm x

Distance chip surface to lens top

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel

(min ..

max)

Rise and fall time of I_e( 10% and 90% of I_{e max}

Schaltzeit von I_e( 10% und 90% von I_{e max}

(I_F= 100 mA, R_L= 50 Ω)

)

(typ)

t_r, t_f

)

Forward voltage

(typ (max)) V_F

(typ (max)) I_R

1.7 (≤ 2)

Durchlassspannung

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

Forward voltage

Durchlassspannung

(I_F= 1A, t_p= 100 µs)

3.6 (≤ 4.6)

Reverse current

Sperrstrom

(V_R= 5 V)

not designed for ꢀA

reverse operation

Total radiant flux

Gesamtstrahlungsfluss

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

(typ)

Φ_e

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Parameter

Symbol

TC_I

Values

Werte

-0.3

Unit

Bezeichnung

Einheit

% / K

Temperature coefficient of I_eor Φ_e

Temperaturkoeffizient von I_ebzw. Φ_e

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

(typ)

Temperature coefficient of V_F

Temperaturkoeffizient von V_F

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

TC_V

TC_λ

-0.6

0.3

mV / K

nm / K

Temperature coefficient of wavelength

Temperaturkoeffizient der Wellenlänge

(I_F= 100 mA, t_p= 20 ms)

Grouping (T_A= 25 °C)

Gruppierung

Group

Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity

Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke

I_F= 100 mA, t_p= 20 ms I_F= 100 mA, t_p= 20 ms I_F= 1 A, t_p= 100 µs

Gruppe

I_{e, min}[mW / sr]

I_{e, max}[mW / sr]

I_{e, typ}[mW / sr]

SFH 4855-U

SFH 4855-V

SFH 4855-AW

SFH 4855-BW

250

400

630

980

125

200

320

100

160

Note:

Anm.:

measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr

Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).

gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr

Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Relative Spectral Emission ^{1) page 11}

Relative spektrale Emission ^{1) Seite 11}

I_rel= f(λ), T_A= 25°C

Radiant Intensity ^{1) page 11}

Strahlstärke ^{1) Seite 11}

I_e/ I_e(100 mA) = f(I_F), single pulse, t_p= 100 µs,

T_A= 25°C

OHF04132

100

OHF05641

10¹

I_rel

Ι_e

_e(100 mA)

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

700

750

800

850

nm 950

10⁰

10¹

10²mA 10³

I_F

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Forward Current ^{1) page 11}

Durchlassstrom ^{1) Seite 11}

Max. Permissible Forward Current

Max. zulässiger Durchlassstrom

I_{F, max}= f(T_A), R_thJA= 500 K / W

I_F= f(V_F), single pulse, t_p= 100 µs, T_A= 25°C

OHF05680

OHF05645

10³

110

I_F

10²

10¹

10⁰

100 ˚C 125

T_A

V_F

Permissible Pulse Handling Capability

Zulässige Pulsbelastbarkeit

I_F= f(t_p), T_A= 25 °C, duty cycle D = parameter

Permissible Pulse Handling Capability

Zulässige Pulsbelastbarkeit

I_F= f(t_p), T_A= 85 °C, duty cycle D = parameter

OHF05681

OHF05682

1.1

t_P

I_F

⁼T

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

0.2

0.5

10^-510^-410^-310^-210^-110⁰10¹s 10²

t_p

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Radiation Characteristics ^{1) page 11}

Abstrahlcharakteristik ^{1) Seite 11}

I_rel= f(ϕ), T_A= 25°C

40˚

30˚

20˚

10˚

0˚

OHF05678

1.0

50˚

0.8

0.6

0.4

60˚

70˚

0.2

80˚

90˚

100˚

1.0

0.8

0.6

0.4

0˚

20˚

40˚

60˚

80˚

100˚

120˚

Package Outline

Maßzeichnung

Dimensions in mm. / Maße in mm.

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Pad

Description

Beschreibung

Cathode / Kathode

Anode / Anode

Package

Gehäuse

Metal Can (TO-18), hermetically sealed, cathode

marking: flag, glass lens

Metall Gehäuse (TO-18), hermetisch dicht,

Kathodenkennzeichnung: „Fahne" am Gehäuse,

Glaslinse

Recommended Solder Pad

Empfohlenes Lötpaddesign

Dimensions in mm. / Maße in mm.

Note:

pad 1: cathode

pad 1: Kathode

Anm.:

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

TTW Soldering

Wellenlöten (TTW)

IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW

OHA04645

300

10 s max., max. contact time 5 s per wave

˚C

Continuous line: typical process

Dotted line: process limits

250

235 ˚C - 260 ˚C

First wave

Second wave

∆T < 150 K

200

150

100

Cooling

Preheating

ca. 3.5 K/s typical

ca. 2 K/s

130 ˚C

120 ˚C

100 ˚C

ca. 5 K/s

Typical

100

120

140

160

180

200

220 s 240

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Disclaimer

Attention please!

Bitte beachten!

The information describes the type of component and

shall not be considered as assured characteristics.

Terms of delivery and rights to change design reserved.

Due to technical requirements components may contain

dangerous substances.

Lieferbedingungen und Änderungen im Design

vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen

können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere

Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie

sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses

Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,

finden Sie die aktuellste Version im Internet.

For information on the types in question please contact

our Sales Organization.

If printed or downloaded, please find the latest version in

the Internet.

Verpackung

Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.

Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich

bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen

das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart

wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die

Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das

unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht

annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden

Kosten in Rechnung.

Packing

Please use the recycling operators known to you. We

can also help you – get in touch with your nearest sales

office.

By agreement we will take packing material back, if it is

sorted. You must bear the costs of transport. For

packing material that is returned to us unsorted or which

we are not obliged to accept, we shall have to invoice

you for any costs incurred.

Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und

Systemen eingesetzt werden, müssen für diese

Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!

Components used in life-support devices or

systems must be expressly authorized for such

purpose!

Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden

Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt

werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von

OSRAM OS vorliegt.

Critical components* may only be used in life-support

devices** or systems with the express written approval

of OSRAM OS.

critical component is a component used in

*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in

life-support device or system whose failure can

reasonably be expected to cause the failure of that

life-support device or system, or to affect its safety or the

effectiveness of that device or system.

lebenserhaltenden

Apparaten

oder

Systemen

eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu

einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates

oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder

**) Life support devices or systems are intended (a) to be

implanted in the human body, or (b) to support and/or

maintain and sustain human life. If they fail, it is

reasonable to assume that the health and the life of the

user may be endangered.

Effektivität

dieses

Apparates

oder

Systems

beeinträchtigt.

**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für

(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder

(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie

versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die

Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Glossary

Glossar

Typische Werte: Wegen

Typical Values: Due to the special conditions of the

der

besonderen

manufacturing processes of LED, the typical data or

calculated correlations of technical parameters can

only reflect statistical figures. These do not

necessarily correspond to the actual parameters of

each single product, which could differ from the

typical data and calculated correlations or the typical

characteristic line. If requested, e.g. because of

technical improvements, these typ. data will be

changed without any further notice.

Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED

können typische oder abgeleitete technische

Parameter nur aufgrund statistischer Werte

wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht

notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen

Produktes überein, dessen Werte sich von typischen

und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien

unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B.

aufgrund technischer Verbesserungen, werden

diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung

geändert.

2015-01-29

Version 1.0

SFH 4855

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg

2015-01-29

SFH4855 [OSRAM]

相关型号：

SI9130DB

SI9135LG-T1

SI9135LG-T1-E3

SI9135_11

SI9136_11

SI9130CG-T1-E3

SI9130LG-T1-E3

SI9130_11

SI9137

SI9137DB

SI9137LG

SI9122E