SCT3060AR [ROHM]
SCT3060AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。;
| 型号： | SCT3060AR |
| 厂家： | 
ROHM |
| 描述： | SCT3060AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。 电站 开关 栅 驱动 服务器 驱动器 |
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3060ARHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT3060AW7是650V 38A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构，降低了导通电阻。 SiC支持页面评估板、文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件？电子小知识Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT3060AL是650V 30A的Nch SiC功率MOSFET。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247N, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT3080ALHR
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT3080ALHRC11
Power Field-Effect Transistor,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT3080AR
SCT3080AR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3080ARHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT3105KR是非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装，能够充分地发挥出高速开关性能。尤其是可以显著改善导通损耗。与以往的3引脚封装（TO-247N）相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3105KRHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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SCT3105KW7是1200V 23A的Nch SiC功率MOSFET。采用沟槽结构，降低了导通电阻。 SiC支持页面评估板、文件 应用实例介绍罗姆制SiC元器件 何谓SiC功率元器件？电子小知Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 175
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