KM41V4000CT-L6
更新时间：2024-09-19 04:51:05
品牌：SAMSUNG
描述：Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
概述
数据手册KM41V4000CT-L6 概述
Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20
KM41V4000CT-L6 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| KM41V4000D | SAMSUNG | 4M x 1Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode | 获取价格 |
|
| KM41V4000DJ-6 | SAMSUNG | Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | 获取价格 |
|
| KM41V4000DJ-L6 | SAMSUNG | Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | 获取价格 |
|
| KM41V4000DJ-L7 | SAMSUNG | Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | 获取价格 |
|
| KM41V4000DT-6 | SAMSUNG | Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20 | 获取价格 |
|
| KM41V4000DT-7 | SAMSUNG | Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20 | 获取价格 |
|
| KM41V4000DT-L6 | SAMSUNG | Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20 | 获取价格 |
|
| KM41V4000DT-L7 | SAMSUNG | Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20 | 获取价格 |
|
| KM4200 | FAIRCHILD | Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier | 获取价格 |
|
| KM4200IC8 | FAIRCHILD | Dual, Low Cost, +2.7V & +5V, 260MHz Rail-to-Rail Amplifier | 获取价格 |
|
KM41V4000CT-L6 相关文章
Bourns 密封通孔金属陶瓷微调电位计产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 5
Bourns 精密环境传感器产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 8
Bourns POWrTher 负温度系数(NTC)热敏电阻手册 (英文版)
- 2024-09-20
- 8
Bourns GMOV 混合过压保护组件产品选型手册(英文版)
- 2024-09-20
- 6
