MTC-6019-PDR600U
Projected Capacitive Multi-touch Screen with 7H anti-scratch surface, up to 10-point Multi-touch
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VECOW
STM32WB55VGY7XXX
Multiprotocol wireless 32-bit MCU Arm®-based Cortex®-M4 with FPU, Bluetooth® 5 and 802.15.4 radio solution
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STMICROELECTR
IMW120R045M1
1200 V, 45 mΩ的 CoolSiC™碳化硅MOSFET 采用TO247-3封装， 基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具可靠性与性能优势。与IGBT和MOSFET等基于传统硅（Si）的开关相比，碳化硅MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体
INFINEON
ATS-H1-72-C1-R0
pushPIN⢠HS ASMBLY,FINE-PITCH,STRAIGHT, HOLE PATTERN:LEFT-TABBED,BLUE,NO TIM
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ATS
