PE160FG120 [SANREX]

Trigger Device;


型号：	PE160FG120
厂家：	SANREX CORPORATION
描述：	Trigger Device
文件：	总3页 (文件大小：541K)
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THYRISTOR MODULE

PK（PD,PE）160FG

UL; E76102（M）

PK160FG

94.5 max

80.0±0.3

《Feature & Advantages》

《特長》

• Isolated mounting base

• IT(AV) 160A

• 絶縁型㴰㱟㴐

3-M6（depth12㎜）

• 平均㴁㵊電流 160A

• di/dt 200A/µs

• 定格臨界㴁㵊電流上昇率 200A/µs

• 最小臨界㴁㴬電圧上昇率 500V/µs

《用途》

• dv/dt 500V/µs

《Applications》

23.0±0.3

23.0±0.3 18.0±0.3

• Various rectifiers/AC or DC motor drives/Heater • 各種整流器/交･直流㴹㱟㴖電源/㴩㱟

controls/Light dimmers/Static switches

㴖㱟制御/調光器/静止㴐㳻㴚㴘

#110TAB（0.5t）

■Internal Conﬁgurationsꢀ内部結線図

NAME PLATE

23.0

Tc POINT

（depth 3mm

）

Unit 単位：mm

■Maximum Ratingsꢀ最大定格

（Unless otherwise speciﬁed Tj=25℃ / 指定なき場合は Tj=25℃ とする）

Ratingsꢀ定格値

Symbol

Item

Unit

PK160FG40 PK160FG80 PK160FG120 PK160FG160

PD160FG40 PD160FG80 PD160FG120 PD160FG160

PE160FG40 PE160FG80 PE160FG120 PE160FG160

記号

項ꢀ目

単位

VRRM

V^RSM

V^DRM

Repetitive Peak Reverse Voltage ＊定格ピーク繰返し逆電圧

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage ＊定格ピーク非繰返し逆電圧

Repetitive Peak off-state Voltage 定格ピーク繰返しオフ電圧

400

480

400

800

960

800

1200

1300

1200

1600

1700

1600

Symbol 記号

IT（AV）

Itemꢀ項ꢀ目

Average On-state Current ＊定格平均オン電流

Conditionsꢀ条ꢀ件

Ratings 定格値

Unit 単位

T_C＝84℃ _単^Si_相^ng_半^le_波^p_平^h_均^a_値^se₁₈^w_0°^a_導^v_通^e_角^{180°conduction}

160

I^T（RMS） R.M.S. On-state Current ＊定格実効オン電流

T_C＝84℃ _単^Si_相^ng_半^le_波^p_実^h_効^a_値^se₁₈^w_0°^a_導^v_通^e_角^{180°conduction}

251

½cycle，50/60Hz，Peak value，non-repetitive

I^TSM

I²t

Surge On-state Current ＊定格サージオン電流

I²t ＊電流二乗時間積

5000/5400

A²S

50/60Hz 商用単相半波 1サイクル波高値，非繰返し

Value for One cycle surge current

125000

定格サージオン電流に対する値

P^GM

Peak Gate Power Dissipation 定格ピークゲート損失

Average Gate Power Dissipation 定格平均ゲート損失

Peak Gate Current 定格ピークゲート順電流

Peak Gate Voltage（Forward）定格ピークゲート順電圧

Peak Gate Voltage（Reverse）定格ピークゲート逆電圧

Critical Rate of Rise of On-state Current 定格臨界オン電流上昇率

P^G（AV）

I^FGM

V^FGM

V^RGM

di/dt

V^ISO

200

＝100mA，V

＝½VDRM，di

/dt＝0.1A/μs

A/μs

Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）＊絶縁耐圧（実効値

）

A.C. 1minute

2500

Operating Junction Temperature ＊定格接合部温度

－40～＋125

4.7

℃

T^stg

Storage Temperature ＊保存温度

Mount（M6）取付

Terminal（M6）主端子

Recommended Value 推奨値

Typical valueꢀ標準値

ꢀ

2.5～3.9N･m

Mounting torque

N･m

締付トルク

ꢀ

4.7

Mass 質量

210

■Electrical Characteristicsꢀ電気的特性

（Unless otherwise speciﬁed Tj=25℃ / 指定なき場合は Tj=25℃ とする）

Symbol 記号

IDRM

I^RRM

V^TM

Itemꢀ項ꢀ目

Conditionsꢀ条ꢀ件

Tj＝125℃，VD＝VDRM

Tj＝125℃，VR＝VRRM

IT＝480A

Ratings 定格値

100

Unit 単位

Repetitive Peak off-state Current,max 最大オフ電流

Repetitive Peak Reverse Current,max ＊最大逆電流

On-state Voltage,max ＊最大オン電圧

100

1.5

I^GT

Gate Trigger Current,max 最大ゲートトリガ電流

Gate Trigger Voltage,max 最大ゲートトリガ電圧

Gate Non-Trigger Voltage,min 最小ゲート非トリガ電圧

Critical Rate of Rise of off-state Voltage,min 最小臨界オフ電圧上昇率

VD＝6V，IT＝1A

Tj＝125℃，VD＝½VDRM

Tj＝125℃，VD＝⅔VDRM

junction to caseꢀ接合部ーケース間

100

V^GT

V^GD

0.25

500

Exponential wave

dv/dt

，

V/μs

℃/W

指数関数波形

Rth（j-c） Thermal Impedance,max ＊最大熱抵抗

ꢀ

0.18

注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。

PK（PD,PE）160FG

Maximum Forward Characteristics

最大順特性

Gate Characteristics

ゲートトリガ特性

10000

1000

１００

１０

Peak Gate Powe（r 10W）

定格ピークゲート損失

Peak Forward Gate Voltage（10V）

定格ピークゲート順電圧

ゲ

オ

ꢀ

ト

電

圧

Ｔｊ=２５℃

ン

電

流

I^T

Average Gate Powe（r 3W）

定格平均ゲート損失

（V）

100

１

（A）

25℃

－30℃

Maximum

最大値

125℃

Maximum Gate Non-Trigger Voltage

最小非トリガ電圧

0.0

０．１

１０

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

１００

１０００

１００００

On-state Voltage DropꢁVTM（V）

オン電圧（V）

Gate Current（mA）

ゲート電流（mA）

Transient Thermal Impedance

過渡熱インピーダンス特性

Surge Forward Current Rating〈Non-Repetitive〉

₆₀₀₀サージ順電流耐量〈非繰返し〉

0.2

0.18

0.16

junction to case

接合部─ケース間

Per one element

単位エレメント当り

5000

過

渡

サ

ꢀ

ジ

順

熱 ^0.14

抵 _0.12

ꢁ_0.1

4000

抗

電

3000

６０H z

流

ꢁ

θ _0.08

j-c

2000

Maximum

最大値

I^FSM

0.06

５０H z

（℃/W）

（A）

per one Element

単位エレメント当たり

0.04

Ｓｉｎｇｌｅｐｈａｓｅｈａｌｆｗａｖｅ

Ｔｊ=２５℃ start

1000

0.02

1.0E 00

1.0E 01

1.0E－03

1.0E－02

1.0E－01

１

１０

Times

通電サイクル数ꢁn（cycles）

１００

Time（sec）

時ꢁ間ꢁt（秒）

Current vs Power Dissipation

最大電力損失特性

Current vs Allowable Case Temperature

電流対最大許容ケース温度

3００

20０

150

最

140

360゜

２π

大

180゜

360゜

２π

180゜

130

θ=１

８

０゜

許

容

ケ

ꢀ

ス

温

120

110

電

力

損

失

θ：Conduction Angle

12０゜

θ：Conduction Angle

９０゜

６０゜

100

ꢁ

３０゜

度

ꢁ

（W）

10０

T^C

（℃）

１２０゜ θ=１

８０゜

３０゜

９０゜

６０゜

０

100 120 140 160 180 200

０

60 80 100 120 140 160 180 200

Average On-State CurrentꢁI（T AV）（A）

平均オン電流ꢁI（T AV）（A）

Average On-state CurrentꢁIT（AV）（A）

平均オン電流ꢁIT（AV）（A）

Output Curren（t W１；Bidirectional connection）

許容出力電流（W1;逆並列接続）

Output Current（B2；Two pulse bridge connection）

許容出力電流（B2;単相ブリッジ接続）

７５

８０

Interface Thermal Impedance:0.09℃/W per Module

Conduction Angle θ180°

th:Heat Sink Thermal Impedance

Rth:Heat Sink Thermal Impedance

８０

５００

４００

３００

１０００

８００

６００

ID（RMS）

Rth:0.5℃/W

R^th:0.3℃/W

R^th:0.2℃/W

R^th:0.1℃/W

R^th:0.05℃/W

D（AV）

８５

９０

Rth:0.5℃/W

R^th:0.3℃/W

R^th:0.2℃/W

R^th:0.1℃/W

R^th:0.05℃/W

許

容

ケ

ー

ス

温

度

許

容

ケ

ー

ス

温

度

９５

総

損

失

総

損

失

１００

１０５

１１０

１００

１０５

１１０

（W）２００

（W）４００

（℃）

１１５

１００

２００

１２０

１２５

１２０

１２５

０

０５０１００１５０２００２５０３００３５０-２５

Output Curren（t A）

出力電流（A）

０

２５５０７５１００１２５

０

５０１００１５０２００２５０３００ -２５

Output Curren（t A）

出力電流（A）

０

２５５０７５１００１２５

Ambient Temperature（℃）

周囲温度（℃）

Ambient Temperature（℃）

周囲温度（℃）

PK（PD,PE）160FG

Output Current

（B6；Six pulse bridge connection,W3；Three phase bidirectional connection）

許容出力電流（B6；三相ブリッジ接続,W3；三相逆並列接続）

７５

Interface Thermal Impedance:0.09℃/W per Module

１６００

Conduction Angle θ180°

Rth:Heat Sink Thermal Impedance

８０

D（AV）

１４００

１2００

８５

許

容

ケ

ー

ス

温

度

９０

D（RMS）

Rth:0.5℃/W

R^th:0.3℃/W

R^th:0.2℃/W

R^th:0.1℃/W

R^th:0.05℃/W

９５

総^１０００

損

１００

１０５

１１０

８００

失

（W）

６００

（℃）

４００

２００

１１５

１２０

１２５

０

５０

１

０

０１

５

０２

０

０２

５

０３

０

０３

５

０４

０

０４

５

０

-２５

０

２５５０７５１００１２５

Output Curren（t A）

出力電流（A）

Ambient Temperature（℃）

周囲温度（℃）

相关型号：