CPH5804 [SANYO]

CPH5804;
CPH5804
型号: CPH5804
厂家: SANYO SEMICON DEVICE    SANYO SEMICON DEVICE
描述:

CPH5804

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注文コーNo. N 6 9 8 0  
No. N 6980  
62001  
M OSFET :P ャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
SBD :ショットキバリアダイオード  
CPH5804  
DC /DC ンバータ用  
特長 ・P チャネM OS電界効果トランジスM CH3312)ショットキバリアダイオーSBS006M を  
1ッケージに内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能である。  
M OS1)オン抵抗。ꢀ2)高速スイッチング。ꢀ3)4V 駆動。  
SBD1)回復時間が短い。ꢀ2)順電圧。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
[M OSFET ]  
ドレイン・ソース電圧  
unit  
V
V
V
30  
DSS  
GSS  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
許容損失  
±20  
V
I
D
-2  
A
I
DP  
PW 10µs,dutycycle1%  
セラミック基板(600m m 2 ×0.8m m )1unit  
-8  
0.9  
A
P
W
D
チャネル温度  
Tch  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
55125  
[SBD ]  
繰り返しピーク逆電圧  
非繰り返しピーク逆サージ電V  
unit  
V
V
30  
RRM  
RSM  
30  
0.5  
V
平均整流電流  
サージ電流  
接合部温度  
保存周囲温度  
I
A
O
I
50Hz弦波ꢀ1イクル  
10  
A
FSM  
Tj  
Tstg  
55125  
55125  
単体品名表示:QE  
外形図ꢀ2171  
(unit:m m )  
2.9  
0.15  
5
4
3
2
0.05  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用生命維持装置空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途対応する仕様に  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1
0.95  
0.4  
1:Cathode  
2:Drain  
3:Gate  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
4:Source  
5:Anode  
0.4  
SANYO :CPH5  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
62001TS IM TA-3172 No.6980-1/5  
CPH5804  
電気的特ElectricalCharacteristics /Ta=25℃  
(1M OSFET 部  
m in  
typ  
m ax unit  
V
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
30  
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=-30V,V =0  
GS  
-1  
±10  
2.6  
µA  
µA  
V
DS  
I
GSS  
V
V
V
16V,V =0  
DS  
GSS  
V
(off)  
=-10V,I =1m A  
D
1.2  
1.4  
GS  
DS  
DS  
yfs  
=-10V,I =1A  
D
2.0  
110  
205  
200  
47  
S
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)1 I =1A,V =10V  
GS  
145 m Ω  
DS  
DS  
D
(on)2 I =500m A,V =4V  
GS  
290 m Ω  
D
入力容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=-10V,f=1M Hz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
DS  
DS  
DS  
出力容量  
V
V
=-10V,f=1M Hz  
=-10V,f=1M Hz  
帰還容量  
32  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
t (on)  
d
指定回路において  
ꢀꢀꢀ 〃  
7.2  
t
r
2.9  
t (off)  
d
ꢀꢀꢀ 〃  
21  
t
f
ꢀꢀꢀ 〃  
8.7  
総ゲート電荷量  
ゲート・ソース電荷量  
ゲート・ドレイン電荷量  
ダイオード順電圧  
Qg  
5.5  
Qgs  
Qgd  
V
=-10V,V =10V,I =2A  
GS  
0.98  
0.82  
0.85  
DS  
D
V
V
I =2A,V =0  
S GS  
1.5  
V
SD  
(2SBD 部  
m in  
30  
typ  
m ax unit  
V
逆電圧  
順電圧  
I =0.5m A  
R
R
V 1  
F
I =0.3A  
F
0.35  
0.42  
0.4  
0.47  
200  
V
V 2  
F
I =0.5A  
F
V
逆電流  
I
R
V =10V  
R
µA  
pF  
ns  
端子間容量  
逆回復時間  
C
V =10V,f=1M Hzイクル  
R
20  
t
rr  
I =I =100m A,指定回路において  
F R  
10  
電気的接続(TopView)  
A
S
G
G :Gate  
S :Source  
A :Anode  
C :Cathode  
D :Drain  
C
D
スイッチングタイム測定回路図  
t 指定回路図  
rr  
(M OSFET )  
(SBD )  
V
= --15V  
V
DD  
IN  
Duty10%  
0V  
--10V  
I
= --1A  
D
V
IN  
R =15Ω  
L
50  
100Ω  
10Ω  
D
V
OUT  
PW=10µs  
D.C.1%  
10µs  
G
--5V  
t
rr  
CPH5804  
(MOSFET)  
P. G  
50Ω  
S
No.6980-2/5  
CPH5804  
I
D
-- V  
I -- V  
D GS  
[M OSFET]  
[M OSFET]  
DS  
--5.0  
--4.5  
--4.0  
--3.5  
--3.0  
--2.5  
--2.0  
--1.5  
--1.0  
--2.0  
--1.6  
--1.2  
--0.8  
V
=10V  
DS  
--0.4  
0
--0.5  
0
0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0  
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5  
IT03213  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
ゲート・ソース電圧, V  
-- V  
GS  
IT03212  
DS  
R
(on) -- V  
R
(on) -- Ta  
[M OSFET]  
[M OSFET]  
DS  
GS  
DS  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
Ta=25°C  
--1.0A  
I =--0.5A  
D
50  
0
50  
0
0
--2  
--4  
--6  
--8  
--10 --12 --14 --16 --18 --20  
--60 --40 --20  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160  
ゲート・ソース電圧, V  
-- V  
周囲温度, Ta -- °C  
IT03214  
IT03215  
GS  
y
fs -- I  
I -- V  
F SD  
[M OSFET]  
=10V  
[M OSFET]  
D
--10  
7
5
10  
7
V
=0  
V
GS  
DS  
5
3
2
3
2
--1.0  
7
5
1.0  
7
3
2
5
--0.1  
7
5
3
2
3
2
--0.01  
--0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 --1.2  
0.1  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5 7  
--10  
IT03216  
--0.01  
--0.1  
--1.0  
ドレイン電流, I -- A  
D
SW Tim e -- I  
ダイオード順電圧, V  
Ciss, Coss, Crss -- V  
-- V  
SD  
IT03217  
[M OSFET]  
[M OSFET]  
D
DS  
2
3
2
f=1M Hz  
V
V
=
--15V  
--10  
DD  
GS  
=
V
100  
7
5
100  
3
2
7
5
10  
t (on)  
d
7
5
3
2
3
2
1.0  
--0.1  
10  
2
3
5
7
2
3
5
0
--5  
--10  
--15  
--20  
--25  
--30  
IT03219  
--1.0  
ドレイン電流, I -- A  
D
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
DS  
IT03218  
No.6980-3/5  
CPH5804  
V
-- Qg  
A S O  
[M OSFET]  
[M OSFET]  
GS  
--10  
--9  
--8  
--7  
--6  
--5  
--4  
--3  
--2  
--10  
<10µs  
V
=--10V  
7
DS  
I =--2A  
I
=--8A  
DP  
5
D
1m s  
3
2
I =--2A  
D
--1.0  
7
5
3
2
--0.1  
Operation in this  
areaislim ited byR (on).  
7
5
DS  
3
2
Ta=25°C  
--1  
0
1パルス  
セラミック基板(600m m 2×0.8m m )1unit  
--0.01  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5 7  
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
--0.01  
--0.1  
--1.0  
--10  
--100  
総ゲート電荷量, Qg -- nC  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
DS  
IT03220  
IT03221  
P
-- Ta  
[M OSFET]  
D
1.0  
0.9  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
周囲温度, Ta -- °C  
IT03222  
I -- V  
[SBD]  
I
R
-- V  
R
[SBD]  
F
F
10  
7
5
2
10  
7
5
1.0  
3
2
7
5
1.0  
7
5
3
2
3
2
0.1  
7
5
0.1  
7
5
3
2
3
2
0.01  
0.01  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
IT00633  
順電圧, V -- V  
IT00632  
逆電圧, V -- V  
R
F
P
-- I  
[SBD]  
C -- V  
[SBD]  
F(AV)  
O
R
100  
0.40  
0.35  
f=1M Hz  
(1)θ=60°  
(2)θ=120°  
(3)θ=180°  
(4)θ=180°  
7
(3)  
5
(4)  
(2)  
0.30  
0.25  
0.20  
3
2
(1)  
10  
7
5
0.15  
0.10  
方形波  
θ
360°  
3
2
正弦波  
0.05  
0
180°  
360°  
0.5  
1.0  
1.0  
2
3
5
7
2
3
5
7
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.6  
0.7  
IT00634  
10  
100  
逆電圧, V -- V  
IT00635  
平均順電流, I -- A  
R
O
No.6980-4/5  
CPH5804  
I
S
-- t  
[SBD]  
12  
10  
電流波形ꢀ50Hz正弦波  
I
S
20m s  
t
8
6
4
2
0
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
0.01  
0.1  
1.0  
IT00636  
時間, t -- s  
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ  
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では  
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。  
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障  
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与  
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、  
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。  
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する  
際に同法に基づく輸出許可が必要です。  
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。  
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した  
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。  
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す  
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用  
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。  
PS  
No.6980-5/5  

相关型号:

SI9130DB

5- and 3.3-V Step-Down Synchronous Converters

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-
VISHAY

SI9135LG-T1

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9135LG-T1-E3

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9135_11

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9136_11

Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9130CG-T1-E3

Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130LG-T1-E3

Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130_11

Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9137

Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137DB

Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137LG

Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY

SI9122E

500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification Drivers

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-
VISHAY