EC4307KF [SANYO]

EC4307KF;
EC4307KF
型号: EC4307KF
厂家: SANYO SEMICON DEVICE    SANYO SEMICON DEVICE
描述:

EC4307KF

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注文コーNo.N 8 3 9 8  
P チャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
EC4307KF  
汎用スイッチングデバイス  
特長  
・低オン抵抗。  
・1.8V 駆動。  
・実装0.4m m 。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
項目  
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電DC)  
ドレイン電パルス)  
許容損失  
記号  
条件  
定格値  
12  
unit  
V
V
V
DSS  
GSS  
±10  
1.1  
V
I
D
A
I
PW 10µs,dutycycle1%  
4.4  
A
DP  
P
ガラスエポキシ基板装着時  
0.4  
W
D
チャネル温度  
Tch  
Tstg  
150  
保存周囲温度  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
定格値  
項目  
記号  
条件  
unit  
m in  
typ  
m ax  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0V  
GS  
12  
V
10 µA  
±10 µA  
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=-12V,V =0V  
GS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
8V,V =0V  
DS  
V
(off)  
=-6V,I =1m A  
D
0.3  
0.9  
1.0  
V
S
GS  
yfs  
=-6V,I =0.5A  
D
1.5  
R
(on)1 I =0.5A,V =4.5V  
GS  
250  
380  
520  
160  
45  
327 m   
DS  
DS  
DS  
D
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)2 I =0.2A,V =2.5V  
GS  
528 m Ω  
D
(on)3 I =0.1A,V =1.8V  
GS  
740 m Ω  
D
入力容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=-6V,f=1M Hz  
=-6V,f=1M Hz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
DS  
DS  
DS  
出力容量  
V
V
帰還容量  
=-6V,f=1M Hz  
35  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
t (on)  
d
指定回路において  
指定回路において  
指定回路において  
指定回路において  
11  
t
r
20  
t (off)  
d
32  
t
f
30  
総ゲート電荷量  
ゲート・ソース電荷量  
ゲート・ドレイン電荷量  
ダイオード順電圧  
Qg  
V
V
V
=-6V,V =4.5V,I =1.1A  
GS  
2.6  
0.25  
0.65  
DS  
DS  
DS  
D
Qgs  
Qgd  
=-6V,V =4.5V,I =1.1A  
GS  
D
=-6V,V =4.5V,I =1.1A  
GS  
D
V
I =1.1A,V =0V  
S GS  
0.9 1.2  
V
SD  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用生命維持装置空機のコントロールシステム等、  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果発生した機器の欠陥  
について、弊社は責任を負いません。  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
71505PE M S IM TB-00001648 No.8398-1/4  
EC4307KF  
外形図  
品名印刷表示  
電気的接続図  
unit:m m  
7043-001  
(Top view)  
(Top view)  
極性判別マーク(表面)  
Top View  
0.8  
Gate  
Drain  
JA  
4
3
2
Source  
※電極は裏面  
1
Polarity Discriminating Mark  
0.5  
0.2  
1
2
3
1 : Gate  
2 : Source  
3 : Drain  
4 : Drain  
4
Bottom View  
SANYO : ECSP1208-4-F  
スイッチングタイム測定回路図  
V
DD  
= --6V  
V
IN  
0V  
--4.5V  
I
= --0.5A  
L
D
R =12  
V
OUT  
D
V
IN  
PW=10µs  
D.C.1%  
G
P. G  
50Ω  
EC4307KF  
S
I
-- V  
I
-- V  
GS  
D
DS  
D
--1.5  
--1.2  
--0.9  
--0.6  
--0.3  
--2.0  
V
=--6V  
DS  
--1.5  
--1.0  
--0.5  
0
V
=-  
-1.0V  
GS  
0
0
--0.1  
--0.2  
--0.3  
--0.4  
--0.5  
IT04353  
0
--0.5  
--1.0  
--1.5  
--2.0  
--2.5  
--3.0  
IT04354  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
ゲート・ソース電圧, V  
-- V  
GS  
DS  
No.8398-2/4  
EC4307KF  
R
(on) -- V  
R
(on) -- Ta  
DS  
DS  
GS  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
Ta=25°C  
--0.5A  
--0.2A  
I =--0.1A  
D
100  
0
100  
0
0
--1  
--2  
--3  
--4  
--5  
--6  
--7  
--8  
--60 --40 --20  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160  
ゲート・ソース電圧, V  
-- V  
周囲温度, Ta -- °C  
IT09779  
IT09780  
GS  
yfs-- I  
I -- V  
S SD  
D
5
5
V
=--6V  
V
=0V  
DS  
GS  
3
2
3
2
--1.0  
1.0  
7
7
5
5
3
2
3
2
0.1  
--0.1  
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0  
2
3
--0.4  
--0.6  
--0.8  
--1.0  
--1.2  
--1.4  
IT04358  
--0.01  
--0.1  
ドレイン電流, I -- A  
D
SW Tim e -- I  
IT04357  
ダイオード順電圧, V  
Ciss, Coss, Crss -- V  
-- V  
SD  
D
DS  
3
5
V
V
=--6V  
=--4.5V  
f=1M Hz  
DD  
GS  
2
3
2
100  
7
5
100  
3
2
7
5
t (on)  
d
10  
3
2
7
5
3
10  
2
--0.1  
2
3
5
7
2
3
0
--2  
--4  
--6  
--8  
--10  
--12  
IT04360  
--1.0  
ドレイン電流, I -- A  
D
-- Qg  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
DS  
IT04359  
V
A S O  
GS  
--4.5  
--10  
V
=--6V  
7
5
I
=--4.4A  
DS  
≦10µs  
DP  
--4.0  
--3.5  
--3.0  
--2.5  
--2.0  
--1.5  
--1.0  
I =--1.1A  
D
3
2
I =--1.1A  
D
--1.0  
7
5
3
2
--0.1  
7
5
Operation in this  
areaislim ited byR (on).  
DS  
3
2
Ta=25°C  
1パルス  
ガラスエポキシ基板装着時  
--0.5  
0
--0.01  
--0.01  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10  
2
3
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
IT09781  
--0.1  
--1.0  
総ゲート電荷量, Qg -- nC  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
IT09782  
DS  
No.8398-3/4  
EC4307KF  
P
-- Ta  
D
0.50  
0.45  
0.40  
0.35  
0.30  
0.25  
0.20  
0.15  
0.10  
0.05  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
周囲温度, Ta -- °C  
IT09783  
取り扱い上の注意:本製品は、M OSFETすので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。  
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ  
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では  
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。  
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障  
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与  
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、  
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。  
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する  
際に同法に基づく輸出許可が必要です。  
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。  
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した  
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。  
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す  
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用  
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。  
No.8398-4/4  
PS  

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