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订购数量: ENN8250A
2SK3748
2SK3748
特点
N沟道MOSFET硅
高电压,高速开关
应用
低导通电阻,低输入电容,超高速开关。
可靠性高(采用HVP过程) 。
附件操作性是由云母少包好。
雪崩性的保证。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
通道温度
储存温度
雪崩能量(单脉冲) * 1
雪崩电流* 2
符号
VDSS
VGSS
ID *
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
EAS
IAV
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
Tc=25°C
条件
评级
1500
±20
4
8
3.0
65
150
--55到150
170
4
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
mJ
A
*节目
芯片功能
*1
VDD = 99V , L = 20mH , IAV = 4A
*2
L≤20mH ,单脉冲
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS ( ON)
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 1200V , VGS = 0V
VGS =
±16V,
VDS=0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 20V ,ID = 2A
ID = 2A , VGS = 10V
评级
1500
100
±10
2.5
1.7
2.8
5
7
3.5
典型值
最大
单位
V
µ
A
µ
A
V
S
标记: K3748
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
72905 MS IM TB- 00001688 / 31005QB TS IM TB- 00001272 No.8250-1 / 4
2SK3748
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
反向恢复时间
符号
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
TRR
条件
VDS = 30V , F = 1MHz的
VDS = 30V , F = 1MHz的
VDS = 30V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 4A
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 4A
VDS = 200V ,V GS = 10V ,ID = 4A
IS = 4A , VGS = 0V
IS = 4A , VGS = 0V , DIS / DT = 100A / μs的
评级
典型值
790
140
70
17
75
360
116
80
6.4
36
0.94
340
1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
注)虽然保护二极管包含栅极和源极之间,要小心处理就好了。
包装尺寸
单位:mm
7505-003
16.0
3.4
5.6
3.1
5.0
8.0
21.0
22.0
4.0
2.8
2.0
20.4
1.0
0.6
1
2
3
3.5
5.45
5.45
开关时间测试电路
VIN
10V
0V
VIN
VDD
200V
ID=2A
RL=100Ω
2.0
2.0
1 :门
2 :排水
3 :源
三洋: TO- 3PML
雪崩电阻测试电路
≥50Ω
RG
L
D
PW=10µs
D.C.≤0.5%
VOUT
2SK3748
10V
0V
50Ω
VDD
G
2SK3748
P.G
RGS
50Ω
S
No.8250-2/4
2SK3748
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
IT09205
16
ID - VDS
Tc=25°C
10V
7
ID - VGS
VDS=20V
8V
6
TC = --25 ℃,
6V
漏极电流ID -
5
漏极电流ID -
4
5V
25°C
3
75°C
2
VGS=4V
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
漏极至源极电压VDS - V
14
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
IT09206
RDS ( ON) - 锝
ID=2A
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
12
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) -
14
12
10
8
6
4
2
0
--50
ID=2A
VGS=10V
10
8
Tc=75°C
6
25°C
--25°C
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 源极电压VGS - V
7
y
fs - ID
IT09207
2
10
7
5
外壳温度,TC -
°C
IT09208
IS - VSD
VGS=0V
正向转移导纳,
y
fs - S
5
3
2
VDS=20V
C
25
°
源出电流,是 - 个
°
C
--25
TC =
C
75
°
3
2
1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
3
2
0.01
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
0
0.3
0.1
0.1
TC =
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
0.6
0.1
7
5
0.9
1.2
1.5
IT09210
漏极电流ID -
1000
7
IT09209
10000
7
5
3
2
SW时间 - ID
TD (关闭)
VDD=200V
VGS=10V
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
二极管的正向电压, VSD - V
切换时间, SW时间 - NS
5
3
2
西塞,科斯,的Crss - pF的
100
7
5
3
2
tf
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
西塞
科斯
CRSS
tr
TD (上)
2
3
5
7
2
3
IT09211
10
0.1
1.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
漏极电流ID -
漏极至源极电压VDS - V
IT09212
No.8250-3/4
2SK3748
10
9
VGS - 的Qg
VDS=200V
ID=4A
漏极电流ID -
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
ASO
IDP=8A
<10µs
栅极 - 源极电压VGS - V
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ID=4A
1m
10
s
10
m
10
s
DC
0ms
op
er
ATI
on
0
µ
s
在这一领域
由RDS ( ON)的限制。
Tc=25
°
C
单脉冲
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
0.01
1.0
总栅极电荷QG - 数控
3.5
IT09213
80
PD - TA
允许功耗, PD - 含
漏极至源极电压VDS - V
5 71000 2 3
IT09214
PD - 锝
允许功耗, PD - 含
3.0
70
65
60
50
40
30
20
10
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT09215
外壳温度,TC -
°C
IT09216
注意使用情况:由于2SK3748是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能,
特点,以及在独立国家所描述的产品功能,并且不保证
的性能,特点,以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个独立的装置来评估,
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障可能
事故或事件,危及人的生命,这可能导致冒烟或起火引起,
或可能造成损害的其他财产。在设计设备,采用安全的措施,
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路,电路错误预防安全设计,多余的设计和结构设计。
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暂无信息
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