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硅NPN EPIBASE
达林顿晶体管
BDS20
高直流电流增益
金属密封TO- 220封装
专为通用放大器和
低速切换应用程序
筛选选项可用
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C除非另有说明)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
TC = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
80V
80V
5V
5A
0.1A
35W
0.2W/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJC
参数
热阻,结到外壳
分钟。
典型值。
马克斯。
5
单位
° C / W
**该数据表文件取代7603
Semelab有限公司保留随时更改测试条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠,在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab有限公司
考文垂路,拉特沃思,莱斯特郡, LE17 4JB
电话:+44( 0 ) 1455 556565
传真:+44( 0 ) 1455 552612
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文档编号8215
第1期
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硅NPN EPIBASE
达林顿晶体管
BDS20
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明)
符号
ICBO
参数
集电极截止电流
测试条件
VCB = 80V
VCB = 60V
IE = 0
IE = 0
TC = 150℃
分钟。
典型值
马克斯。
0.2
1.0
0.5
2
单位
mA
ICEO
IEBO
的hFE
(1)
集电极截止电流
射极截止电流
正向电流传输
(1)
VCE = 40V
VEB = 5V
IC = 0.5A
IC = 3A
IC = 3A
IC = 5A
IC = 5A
IC = 3A
IB = 0
IC = 0
VCE = 3V
VCE = 3V
IB = 12毫安
IB = 20mA下
IB = 20mA下
VCE = 3V
1000
1000
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE (ON)的
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
基射极电压上
2
4
V
2.8
3.5
(1)
(1)
动态特性
fT
跃迁频率
IC = 0.5A
F = 2MHz的
VCE = 4V
8
兆赫
笔记
(1 )脉冲宽度
300us,
δ ≤
2%
10.6 (0.42)
0.8
(0.03)
4.6 (0.18)
机械数据
尺寸mm (英寸)
16.5 (0.65)
3.70直径。喃
1.5(0.53)
10.6 (0.42)
1 2 3
12.70 ( 0.50分)
TO220M(TO-257AB)
引脚1 - 基地
2脚 - 集电极
3脚 - 发射极
2.54 (0.1)
BSC
1.0
(0.039)
2.70
(0.106)
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