SD2350D [SHOUDING]

DC/DC Booster chip;


型号：	SD2350D
厂家：	SHOUDING Shouding Semiconductor
描述：	DC/DC Booster chip
文件：	总9页 (文件大小：1246K)
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Shouding

系列

DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D

一、概述

SD2350D系列芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器。

该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压

采样电阻及 V_LX限幅电路等组成。

SD2350D

系列升压转换器采用变频的方式，因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、

效率高等特点，应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。

SD2350D输入电压最低 0.8V,并且可以根据要求调整输出电压 3V—6V 可选。

二、芯片特性及主要参数

该设计产品SD2350D系列 DC/DC 升压转换器芯片在应用中具有优越的性能：

1. 外接元件少：

需肖特基管、电感及电容各一个；外接元件建议选择: 低直流电阻电感 20～220μH，钽电容 47～

200μF，肖特基二极管。

2. 极低的静态电流： 4uA

3. 低噪声及低纹波：纹波典型值为 100mV

4. 驱动能力强：

Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 时，Iout=100mA

Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时，Iout=750mA

5. 启动工作电压低：最大 0.8V

6. 高效率：

7. 封装体积小：

三、应用范围

85%(Typ)

SOT89-3 , SO 23-3

系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备：

SD2350D

1、电池供电设备的电源部分。

2、玩具、照相机、摄像机、PDA 及手持电话等便携式设备的电源部分。

3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。

四、点命名规则

内置 MOS 管命名：

外置 MOS 管命名：

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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D

五、芯片模型及引脚介绍

本设计芯片封装样式如下图，其引脚说明亦如下表所示

引脚说明：

Vss:接地引脚

封装

Lx:开关引脚(或 Ext 外置 Tr)

OUT:升压输出引脚

PIN3

PIN1

Vss

PIN2

OUT

SOT89

Lx（Ext）

OUT

Vss

SOT23（窄体，见封装

结构尺寸）

Lx（Ext）

六、极限参数

对地输入电压 V_IN

输出电流 Iout

功耗 P_d

10V

800mA

SOT-23

0.25W

0.50

SOT-89

工作温度 T_A

导线焊接温度（10 秒）

-40℃～145℃

260℃

七、工作原理

利用电感对能量的存储，并通过其与输入端电源共同的泄放作用，从而获得高于输入电压的输出电压。

如图：

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八、电性能参数

其主要参数测试如下表：

测试条件：VIN=2.2V，Vss=0V，Iload=10mA，Topt= 25℃，Cout=100 µF(胆电容或使用 100uF 电解电容和

0 1uF. -1uF 陶瓷电容并联)，L= 47 µH（内阻 0.1 欧姆）。有特别说明除外。

（电路见图一）：

SD2350D30

参数

符号

Vout

V_start

测试状态

最小值

2.925

0.5

典型值

3.000

0.8

最大值

3.075

0.9

单位

输出电压

开启电压

I_L=1mA

V_IN：0→0.98V

I_L=1mA

V_hold

0.3

0.5

0.6

保持电压

V_IN：0.98→0V

I_IN1

I_IN2

I_LX

450

µA

kHz

无负载输入电流

静态输入电流

开关管导通电流

开关管漏电流

振荡频率

V_IN=2.2V 空载

V_LX=0.4V

V_LX=6V

I_Lxleak

F_OSC

Dty

250

150

200

占空比

效率

SD2350D33

参数

符号

Vout

V_start

测试状态

最小值

3.217

0.5

典型值

3.300

0.8

最大值

3.383

0.9

单位

输出电压

I_L=1mA

开启电压

V_IN：0→0.98V

I_L=1mA

V_hold

0.3

0.5

0.6

保持电压

V_IN：0.98→0V

V_IN=2.2V 空载

I_IN1

I_IN2

I_LX

450

µA

kHz

无负载输入电流

静态输入电流

开关管导通电流

开关管漏电流

振荡频率

V_LX=0.4V

V_LX=6V

I_Lxleak

F_OSC

Dty

250

150

200

占空比

效率

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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D

SD2350D50:

参数

符号

Vout

V_start

测试状态

最小值

4.875

0.5

典型值

5.000

0.8

最大值

5.125

0.9

单位

输出电压

开启电压

I_L=1mA

V_IN：0→0.98V

I_L=1mA

V_hold

0.5

0.6

保持电压

V_IN：0.98→0V

I_IN1

I_IN2

µA

kHz

无负载输入电流

静态输入电流

开关管导通电流

开关管漏电流

振荡频率

V_IN=2.2V 空载

I_LX

V_LX=0.4V

V_LX=6V

570

I_Lxleak

F_OSC

Dty

150

200

250

占空比

效率

SD2350D56F（: 电路见图二）：

参数

输出电压

符号

Vout

I_IN1

测试状态

最小值

典型值

5.600

最大值

5.740

单位

5.460

µA

无负载输入电流

静态输入电流

CMOS 驱动输出管

导通电流

V_IN=2.2V 空载

I_IN2

I_{EXT N}

I_{EXT P}

V_DS=0.4V

V_DS=-0.4V

F_OSC

Dty

150

200

250

kHz

振荡频率

占空比

工作特性曲线如下：

测试条件：L=47uH(内阻 0.1 欧姆) Cout=100uF(胆电容或使用 100uF 电解电容和 0.1uF-1uF 陶瓷电容并联)

SD2350D33

SD2350D30

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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D

SD2350D50

以SD2350D30 例:

九、

系列升压芯片应用实例

SD2350D

典型应用电路：

L=47uH（内阻 0.1ohm）、 Cout=100uF 电解电容并接 0.1uF 陶瓷电容、Diode 为肖特基二极管

SD2350D30

典型应用电路（

SD2350D50,SD2350D56 电路见附件）：

（测试输入电流时，输入电容 Cin=47uF 必须接入）

图一：

典型应用电路

SD2350D30

SD2350D56F

典型应用电路（外置 NMOS 管为低阈值开启电压）：

图二：

SD2350D56F 典型应用电路

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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D

升压/降压电路:

降压电路

注:以上电路中的启动电路

十、使用注意事项

外围电路对

系列升压转换芯片性能影响很大，需合理选择外部器件：

SD2350D

1) 外接电容值不宜小于 47μF（电容值过小将导致输出纹波过大），同时要有良好的频率特性（最好

使用钽电容或高频电容）。此外，由于 LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压，电容的容压值至少

为设计输出电压的 3 倍；（普通的铝电解电容 ESR 值过高,所以可选购专门应用于开关式 DC/DC 转换器的

铝电解电容）。

2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的 LX 开关时间内能够存储足够的能量，同

时，电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的 LX 开关时间时 ILXMAX 超出最大额定值。此外，

外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到磁饱和。

3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。

4) 客户若驱动大电流负载（大于 150mA），而纹波要求不高，则可以减小电感（22uH 左右）；

客户若驱动小电流负载(小于 50mA)并想得到低纹波的输出电压，则可增大电感值

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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D

注意事项：

1)该芯片为驱动大负载而设计，所以外围元器件与芯片距离越小越好，连线越短越好。特别是接到 OUT

端的元器件应尽量减短与电容的连线长度；

2）特别建议使用钽电容；如果在芯片 OUT 和 Vss 两端并接电解电容时需要并接 0.1-1µ 的陶瓷电容。

3)Vss 端应充分接地，否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化，造成工作状态不稳定。

十一、封装结构尺寸图示

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SOT- 23（窄体）

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附件：

内置 MOS 管

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、SD2350D56 驱动大电流高效率方案

SD2350D50

输入电源为锂电池（3.2v≤Vin≤4.2v）

1．驱动负载 150mA≤Io≤500mA

（1）SD2350D50

典型应用电路

SD2350D50

锂电池输入条件下

驱动大负载电路

建议各器件参数 L=47uH（内阻<0.1ohm）， Cin=47uF（实际应用中可不接该电容），

Diode=1N5817\1N5818\1N5819，

Cout 为 20uF 电解电容（或 20uF 胆电容串联 0.5 欧姆电阻）和 0.1uF 陶瓷电容并联。

驱动 400mA 负载下，效率高于 80%

SD2350D50

（2）

典型应用电路

锂电池输入条件下

驱动大负载电路

SD2350D50

建议各器件参数 L=100uH（内阻<0.1ohm）， Cin=47uF（实际应用中可不接该电容），

Diode=1N5817\1N5818\1N5819，

Cout 为 20uF 电容（不分电解电容、胆电容）串联 0.5 欧姆电阻和 0.1uF 陶瓷电容并联。

驱动 400mA 负载下，效率高于 80%

2．驱动负载 Io<150mA 时

格书中典型应用电路的参数。

、SD2350D56外围器件参数参照 SD2350D

SD2350D50

、SD2350D56 应用中陶瓷电容 0.1uF~1uF 必须接上，并且靠近芯片输出端。

SD2350D50

注意：

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相关型号：