SVF7N65S [SILAN]
N-channel transistor;
| 型号： | SVF7N65S |
| 厂家： | 
SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK |
| 描述： | N-channel transistor |
| 文件： | 总10页 (文件大小：323K) |
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SVF7N65T/F/S 说明书
7A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF7N65T/F/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士
兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞
结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击
穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压
H 桥PWM 马达驱动。
特点
7A，650V，RDS(on)(典型值 =1.1@VGS=10V
)
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
产品规格分类
产 品 名 称
SVF7N65F
封装形式
TO-220F-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-220-3L
打印名称
SVF7N65F
SVF7N65S
SVF7N65S
SVF7N65T
环保等级
无铅
包装
料管
料管
编带
料管
无卤
SVF7N65S
SVF7N65STR
SVF7N65T
无卤
无铅
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SVF7N65T/F/S 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25C)
参数范围
参
数
符 号
单位
SVF7N65T
SVF7N65F
SVF7N65S
漏源电压
栅源电压
VDS
VGS
650
±30
V
V
TC = 25C
TC = 100C
7.0
漏极电流
ID
A
4.4
漏极脉冲电流
IDM
PD
28.0
A
W
耗散功率（TC=25C）
145
46
120
- 大于25C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注 1）
1.16
0.37
0.96
W/C
mJ
C
EAS
TJ
435
工作结温范围
贮存温度范围
-55～+150
-55～+150
Tstg
C
热阻特性
参数范围
SVF7N65F
2.7
参
数
符 号
单位
SVF7N65T
0.86
SVF7N65S
1.04
芯片对管壳热阻
RθJC
RθJA
C/W
C/W
芯片对环境的热阻
62.5
62.5
62.5
电性参数(除非特殊说明，TC=25C)
参 数
漏源击穿电压
符 号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
测试条件
VGS=0V， ID=250µA
VDS=650V，VGS=0V
VGS=±30V，VDS=0V
VGS= VDS，ID=250µA
VGS=10V，ID=3.5A
最小值
典型值
最大值
单位
V
650
--
--
--
1.0
±100
4.0
1.4
--
漏源漏电流
--
µA
nA
V
栅源漏电流
--
--
栅极开启电压
导通电阻
2.0
--
--
1.1
789
98
输入电容
--
输出电容
VDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz
VDD=325V，RG=25Ω，ID=7.0A
Coss
Crss
td(on)
tr
--
--
pF
ns
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
--
9.0
15.0
32.0
51.0
32.5
21.2
4.53
10.2
--
--
--
--
--
td(off)
tf
--
--
(注2，3)
VDS=520V，ID=7.0A，VGS=10V
--
--
Qg
--
--
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
Qgs
--
--
nC
(注 2，3)
Qgd
--
--
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SVF7N65T/F/S 说明书
源-漏二极管特性参数
参 数
源极电流
符号
IS
测试条件
MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N
结
最小值
典型值
--
最大值
7.0
28.0
1.4
--
单位
--
--
--
--
--
A
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：
ISM
VSD
Trr
--
IS=7.0A，VGS=0V
--
V
IS=7.0A，VGS=0V，
dIF/dt=100A/µs（注2）
499
3.0
ns
µC
Qrr
--
1. L=30mH，IAS=5.0A，VDD=100V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25C；
2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3. 基本上不受工作温度的影响。
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SVF7N65T/F/S 说明书
典型特性曲线
图1. 输出特性
图2. 传输特性
100
10
1
100
-55°C
25°C
VGS=4.5V
VGS=5V
VGS=5.5V
VGS=6V
VGS=7V
VGS=8V
VGS=10V
VGS=15V
150°C
10
1
注：
注：
1.250µS脉冲测试
2.VDS=50V
1.250µS脉冲测试t
2.VDS=50V
0.1
0.1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
10
100
漏源电压–VDS(V)
栅源电压–VGS(V)
图4. 体二极管压降vs. 源极电流、温度
图3. 导通电阻vs. 漏极电流、栅极电压
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
100
10
1
注：
-55°C
VGS=10V
VGS=20V
1.250µS 脉冲测试
2.VGS=0V
25°C
150°C
注：TJ=25°C
0.1
0
2
4
8
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
漏极电流–ID(A)
漏源电压–VSD(V)
图6. 电荷量特性
图5. 电容特性
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
12
10
8
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
VDS=520V
VDS=325V
VDS=130V
Ciss
Coss
Crss
6
4
注：
1. VGS=0V
2. f=1MHz
2
注：ID=7A
0
20
25
0
5
10
15
0.1
1
10
100
漏源电压–VDS(V)
总栅极电荷–Qg(nC)
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典型特性曲线（续）
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典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
Qg
参数一致
10V
50KΩ
VDS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
VGS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
RL
VDS
VDS
90%
VGS
VDD
RG
待测器件
10%
VGS
10V
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
EAS测试电路及波形图
BVDSS
1
2
2
EAS =
LIAS
L
-
BVDSS VDD
VDS
BVDSS
IAS
ID
RG
待测器件
ID(t)
VDD
10V
VDS(t)
Time
VDD
tp
tp
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SVF7N65T/F/S 说明书
封装外形图
TO-220-3L
单位：毫米
4.30
1.00
1.80
0.60
1.00
4.50
1.30
2.40
0.80
4.70
1.50
2.80
1.00
1.60
0.30
0.70
16.10
10.00
15.10
15.70
9.20
8.10
9.60
9.90
10.40
2.54BSC
6.50
6.10
7.00
13.60
12.60
13.08
3.95
3.90
3.20
3.40
2.60
3.70
TO-220F-3L
单位：毫米
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封装外形图(续)
TO-263-2L
单位：毫米
声明：
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
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SVF7N65T/F/S 说明书
产品名称：
SVF7N65T/F/S
文档类型： 说明书
公司主页： http: //www.silan.com.cn
版
权：
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本：
2.8
修改记录：
1. 删除TO-263-2L 封装外形图
本： 2.7
修改记录：
版
1. 更新TO-262-3L 封装外形图
2. 增加TO-220-3L 带缺口立体图
版
本：
修改记录：
1. 更新TO-262-3L 封装外形图
本： 2.5
修改记录：
1. 更新电气参数
本： 2.4
修改记录：
1. 更新说明书模板
2.6
版
版
2. 更新TO-262-3L（1.1 版本）和TO-263-2L（1.2 版本）封装外形图
3. 更新TO-220-3L 立体图和TO-262-3L 的环保等级
版
本：
修改记录：
1. 修改TO-220F-3L 封装信息；修改TO-220-3L 封装信息
本： 2.2
修改记录：
1. 修改热阻特性
本： 2.1
修改记录：
1. 修改产品规格分类
本： 2.0
修改记录：
1. 修改产品规格分类
本： 1.9
修改记录：
1. 修改MOS 管符号的示意图
本： 1.8
修改记录：
1. 修改“封装外形图”
本： 1.7
修改记录：
2.3
版
版
版
版
版
版
1. 增加TO-263-2L 封装
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：2.8
共10 页 第9 页
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文档类型：说明书
版
本：
修改记录：
1. 增加TO-262-3L 封装
本： 1.5
修改记录：
1. 修改Trr 和Qrr 的值；修改图1
本： 1.4
修改记录：
1. 增加SVF7N65F 的无卤信息
本： 1.3
修改记录：
1. 修改“电性参数”、电容特性曲线
本： 1.2
修改记录：
1. 修改“封装外形图”
本： 1.1
修改记录：
1. 修改“极限参数”、“电性参数”
本： 1.0
修改记录：
1.6
版
版
版
版
版
版
1. 正式版本发布
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版本号：1.6
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