IMW120R030M1H
IMW120R030M1H是采用TO247-3封装的1200 V、30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极 半导体
INFINEON
S25VB80W
High Current Glass Passivated Molding Single-Phase Bridge Rectifier Reverse Voltage 100 to 1000V Forward Current 25.0 A
二极管
LRC
XVUC23
Harmony XVU, Fixing plate with 800 mm aluminium pole for modular tower lights, black, Ã60
暂无信息
SCHNEIDER
STM32H747BIY6TR
Dual 32-bit Arm® Cortex®-M7 up to 480MHz and -M4 MCUs, up to 2MB Flash, 1MB RAM, 46 com. and analog interfaces, SMPS, DSI
暂无信息
STMICROELECTR
