M58BW016BB100T6T
更新时间：2024-09-18 02:03:17
描述：16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories
概述
规格参数
数据手册M58BW016BB100T6T 概述
16 Mbit 512Kb x32, Boot Block, Burst 3V Supply Flash Memories 16兆位512KB ×32 ，引导块，突发3V供应闪存产品 闪存
M58BW016BB100T6T 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | PLASTIC, QFP-80 |
| 针数： | 80 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.22 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | BOTTOM BOOT BLOCK | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PQFP-G80 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8,31 | 端子数量： | 80 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP80,.7X.9,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5/3.3,3/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.4 mm |
| 部门规模： | 2K,16K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | QUAD |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
M58BW016BB100T6T 数据手册
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