AMC23C11 [TI]

具有可调阈值和锁存功能的快速响应增强型隔离式比较器;


型号：	AMC23C11
厂家：	TEXAS INSTRUMENTS
描述：	具有可调阈值和锁存功能的快速响应增强型隔离式比较器比较器
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AMC23C11

ZHCSNZ2 –FEBRUARY 2022

AMC23C11 具有可调阈值和锁存功能的

快速响应增强型隔离式比较器

1 特性

3 说明

• 较宽的高侧电源电压范围：3V 至27V

• 低侧电源电压范围：2.7V 至5.5V

• 可调阈值：20 mV 至2.7V

AMC23C11 是一款响应时间短的隔离式比较器。开漏

输出与输入电路由抗电磁干扰性能极强的隔离栅隔开。

该隔离栅经认证可提供高达5kV_RMS的增强型电隔离，

符合 VDE V 0884-11 和 UL1577 标准，并且支持最高

1 kV_PK的工作电压。

• 阈值调整基准电流：

– 100μA，±2%

• 跳变阈值误差：250mV 时为±1%（最大值）

• 传播延迟：240ns（典型值）

• 高CMTI：55kV/µs（最小值）

• 具有可选锁存模式的开漏输出

• 安全相关认证：

在低迟滞模式下，跳变阈值可通过单个外部电阻器在

20mV 至 450mV 之间调节，在高迟滞模式下则可在

600mV 至2.7V 之间调节。

器件上的开漏输出支持输出状态与输入状态保持一致的

透明模式（锁存输入连接至 GND2）或在锁存输入信

号的下降沿上清除输出的锁存模式。

– 符合DIN VDE V 0884-11 标准的7000V_PK增强

型隔离

– 符合UL1577 标准且长达1 分钟的5000V_RMS

隔离

AMC23C11 采用 8 引脚宽体 SOIC 封装，并且在

-40℃至+125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。

• 针对更大工业温度范围进行了全面优化：–40°C 至

器件信息⁽¹⁾

+125°C

封装尺寸（标称值）

器件型号

AMC23C11

封装

SOIC (8)

2 应用

5.85mm × 7.50mm

• 在以下器件中提供过流或过压检测功能：

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

– 电机驱动器

– 变频器

– 光伏逆变器

– 直流/直流转换器

High-side supply

(3..27 V)

Low-side supply

(2.7..5.5 V)

AMC23C11

VDD2

VDD1

LDO

LATCH

from MCU

100

OUT

to MCU

REF

GND1

–

GND2

典型应用

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SBASAC9

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内容

1 特性................................................................................... 1

2 应用................................................................................... 1

3 说明................................................................................... 1

4 修订历史记录.....................................................................2

5 引脚配置和功能................................................................. 3

6 规格................................................................................... 4

6.1 绝对最大额定值...........................................................4

6.2 ESD 等级.................................................................... 4

6.3 建议运行条件.............................................................. 5

6.4 热性能信息..................................................................6

6.5 功耗额定值..................................................................6

6.6 绝缘规格.....................................................................7

6.7 安全相关认证.............................................................. 8

6.8 安全限值......................................................................8

6.9 电气特性......................................................................9

6.10 开关特性..................................................................11

6.11 时序图......................................................................11

7 详细说明.......................................................................... 12

7.1 概述...........................................................................12

7.2 功能方框图................................................................12

7.3 特性说明....................................................................13

7.4 器件功能模式............................................................ 19

8 应用和实施.......................................................................20

8.1 应用信息....................................................................20

8.2 典型应用....................................................................20

8.3 必做事项和禁止事项..................................................23

9 电源相关建议...................................................................24

10 布局............................................................................... 24

10.1 布局指南..................................................................24

10.2 布局示例..................................................................24

11 器件和文档支持..............................................................25

11.1 文档支持..................................................................25

11.2 接收文档更新通知................................................... 25

11.3 支持资源..................................................................25

11.4 商标.........................................................................25

11.5 Electrostatic Discharge Caution..............................25

11.6 术语表..................................................................... 25

12 机械、封装和可订购信息...............................................25

4 修订历史记录

注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同

日期

修订版本

说明

2022 年2 月

初始发行版

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5 引脚配置和功能

VDD1

VDD2

LATCH

OUT

REF

GND1

GND2

Not to scale

图5-1. DWV 封装、8 引脚SOIC （顶视图）

表5-1. 引脚功能

引脚

类型

说明

编号

名称

VDD1

高侧电源。⁽¹⁾

高侧电源

模拟输入

比较器的模拟输入引脚。

定义跳变阈值的基准引脚。此引脚上的电压还会影响比较器的迟滞，具体如基准输入

部分所述。此引脚在内部链接至100μA 电流源。在REF 和GND1 之间连接一个电

阻器可以定义跳变阈值，而在REF 和GND1 之间连接一个电容器则可以对基准电压

进行滤波。为了最大限度地提高瞬态噪声抗扰度，应将电容器尽可能靠近引脚放置。

此引脚也可以通过外部电压源驱动。

REF

模拟输入

GND1

GND2

OUT

高侧接地端

低侧接地端

数字输出

高侧模拟接地。

低侧模拟接地。

比较器的开漏输出。连接至一个外部上拉电阻器。

用于选择开漏输出的锁存模式（高电平）或透明模式（低电平）的数字输入。不要让

该输入引脚处于未连接状态（悬空）。不使用时连接至GND2。

低侧电源。⁽¹⁾

闩锁

数字输入

低侧电源

VDD2

(1) 有关电源去耦方面的建议，请参阅布局部分。

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6 规格

6.1 绝对最大额定值

请参阅⁽¹⁾

最小值

最大值

单位

-0.3

VDD1 至GND1

VDD2 至GND2

REF 至GND1

电源电压

-0.3

-0.5

6.5

模拟输入电压

5.5

IN 至GND1

–6

VDD2 + 0.5

LATCH 至GND1

OUT 至GND2

–0.5

-10

数字输入电压

数字输出电压

输入电流

连续，除电源引脚外的任何引脚

结温，T_J

150

°C

温度

-65

150

贮存温度，T_stg

(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他

条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件、但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠

性、功能性和性能并缩短器件寿命。

6.2 ESD 等级

值

单位

人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准⁽¹⁾

充电器件模型(CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准⁽²⁾

±2000

V_(ESD）

静电放电

±1000

(1) JEDEC 文件JEP155 规定：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。

(2) JEDEC 文件JEP157 规定：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。

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6.3 建议运行条件

在工作环境温度范围内（除非另外注明）

最小值

标称值

最大值

单位

电源

V_VDD1

3.0

2.7

VDD1 至GND1

VDD2 至GND2

高侧电源电压

V_VDD2

3.3

5.5

低侧电源电压

模拟输入

IN 至GND1，VDD1 ≤4.3V

IN 至GND1，VDD1 > 4.3V

低迟滞模式

–0.4

VDD1 –0.3

V_IN

输入电压

基准电压

450

V_REF

600

1.4

2000⁽¹⁾

高迟滞模式

VDD1 –V_REF

基准电压余量

100

REF 引脚上的滤波器电容

数字输入/输出

数字输入电压

GND2

VDD2

LATCH 引脚

OUT 至GND2

OUT

数字输出电压

灌电流

温度范围

125

–55

–40

工作环境温度

额定环境温度

T_A

°C

(1) 基准电压(V_REF) >1.6V 要求V_VDD1> V_VDD1,MIN以保持1.4V 的最小余量(V_VDD1–V_REF)。

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6.4 热性能信息

DWV (SOIC)

8 引脚

102.8

45.1

热指标⁽¹⁾

单位

R_θJA

°C/W

结至环境热阻

R_θJC(top)

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板热阻

R_θJB

63.0

14.3

Ψ_JT

结至顶部特征参数

结至电路板特征参数

结至外壳（底部）热阻

61.1

Ψ_JB

R_θJC(bot)

不适用

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅《半导体和IC 封装热指标》应用报告。

6.5 功耗额定值

参数

测试条件

VDD1 = 27V，VDD2 = 5.5V

VDD1 = VDD2 = 5.5V

VDD1 = VDD2 = 3.6 V

VDD1 = 25 V

值

101

单位

P_D

最大功耗（两侧）

P_D1

VDD1 = 5.5 V

最大功耗（高侧）

最大功耗（低侧）

VDD1 = 3.6 V

VDD2 = 5.5 V

P_D2

VDD2 = 3.6 V

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6.6 绝缘规格

在工作环境温度范围内（除非另外注明）

参数

测试条件

值

单位

常规

外部电气间隙⁽¹⁾

外部爬电距离⁽¹⁾

绝缘穿透距离

相对漏电起痕指数

材料组别

≥8.5

≥15.4

≥600

CLR

CPG

DTI

µm

引脚间的最短空间距离

引脚间的最短封装表面距离

绝缘层的最小内部间隙（内部间隙）

DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112

符合IEC 60664-1

CTI

I-III

额定市电电压≤600 V_RMS

过压类别

（符合IEC 60664-1）

I-II

额定市电电压≤1000 V_RMS

DIN VDE V 0884-11：2017-01

V_IORM

1060

750

V_PK

V_RMS

V_DC

最大重复峰值隔离电压

交流电压下

交流电压下（正弦波）

最大额定隔离

工作电压

V_IOWM

1060

7070

8485

直流电压下

V_TEST= V_IOTM，t = 60s（鉴定测试）

V_TEST= 1.2 × V_IOTM，t = 1s（100% 生产测试）

最大瞬态

隔离电压

V_IOTM

V_PK

采用符合IEC 60065 的测试方法，1.2/50μs 波形，

V_TEST= 1.6 × V_IOSM= 10000V_PK（鉴定测试）

最大浪涌

隔离电压⁽²⁾

V_IOSM

6250

≤5

V_PK

方法a，输入/输出安全测试子组2/3 后，

V_ini= V_IOTM，t_ini= 60s，V_pd(m)= 1.2 × V_IORM，t_m= 10s

方法a，环境测试子组1 后，

V_ini= V_IOTM，t_ini= 60s；V_pd(m)= 1.6 × V_IORM，t_m= 10s

视在电荷⁽³⁾

q_pd

方法b1，常规测试（100% 量产测试）和预调节（类型测

试），

V_ini= V_IOTM，t_ini= 1s；V_pd(m)= 1.875 × V_IORM，t_m= 1s

≤5

势垒电容，

C_IO

V_IO= 0.5V_PP(1MHz)

输入至输出⁽⁴⁾

V_IO= 500V (T_A= 25°C)

> 10¹²

> 10¹¹

> 10⁹

绝缘电阻，

R_IO

V_IO= 500V (100°C ≤T_A≤125°C)

V_IO= 500V，T_S= 150°C

输入至输出⁽⁴⁾

污染等级

气候类别

55/125/21

UL1577

V_TEST= V_ISO= 5000V_RMS或7071V_DC，t = 60s（鉴定测试），

V_TEST= 1.2 × V_ISO= 6000V_RMS，t = 1s（100% 量产测试）

V_ISO

5000

V_RMS

可承受的隔离电压

(1) 根据应用特定的设备隔离标准应用爬电距离和电气间隙要求。务必使爬电距离和电气间隙一直符合电路板设计的要求，从而确保在印刷

电路板(PCB) 上安装隔离器焊盘时不会导致此距离缩短。在某些特定情况下，PCB 的爬电距离和电气间隙相等。在PCB 上插入坡口、

肋或两者等技术用于帮助提高这些规格。

(2) 在空气或油中执行测试，以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。

(3) 视在电荷是由局部放电(pd) 引起的电气放电。

(4) 将隔离栅每一侧的所有引脚都连在一起，构成一个双引脚器件。

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6.7 安全相关认证

VDE

根据以下标准进行了认证：DIN VDE V 0884-11: 2017-01、

DIN EN 62368-1: 2016-05、EN 62368-1: 2014

和IEC 62368-1: 2014

在1577 组件认证计划下进行了认证

强化绝缘

单一绝缘保护

文件编号：E181974

认证正在申请中

6.8 安全限值

安全限制⁽¹⁾旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。I/O 发生故障时会导致低电阻接地或连接

到电源，如果没有限流电路，则会因为功耗过大而导致芯片过热并损坏隔离栅，甚至可能导致辅助系统出现故障。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

R_θJA= 102.8°C/W，

VDD1 = VDD2 = 5.5V，

T_J= 150°C，T_A= 25°C

220

I_S

安全输入、输出或电源电流

R_θJA= 102.8°C/W，

VDD1 = VDD2 = 3.6V，

T_J= 150°C，T_A= 25°C

340

_θJA= 102.8°C/W，

P_S

T_S

1220

150

°C

安全输入、输出或总电源

最高安全温度

T_J= 150°C，T_A= 25°C

(1) 最高安全温度T_S具有与为器件指定的最大结温T_J相同的值。I_S

和P_S参数分别表示安全电流和安全功率。不要超过I_S和P_S的最大限值。这些

限值会因环境温度T_A而异。

热性能信息表中的结至空气热阻R_θJA所属器件安装在含引线的表面贴装封装对应的

高K 测试板上。可以使用以下公式来计算各个参数的值：

T_J= T_A+ R_θJA× P，其中P 为器件上消耗的功率。

T_J(max)= T_S= T_A+ R_θJA× P_S，其中T_J(max)为最大结温。

P_S= I_S× AVDD_max+ I_S× DVDD_max，其中AVDD_max为最大高侧电压，而DVDD_max为最大控制器侧电源电压。

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6.9 电气特性

最小值和最大值规格的适用条件为：T_A= –40°C 至125°C，VDD1 = 3.0V 至27V，VDD2 = 2.7V 至5.5V，V_REF= 20mV 至

2.7V⁽¹⁾且V_IN= –400mV 至4V⁽²⁾；典型值规格的条件为T_A= 25°C，VDD1 = 5V 且VDD2 = 3.3V（除非另有说明）

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

模拟输入

–1.5

IN 引脚，0V ≤V_IN≤4V

I_BIAS

输入偏置电流

输入电容

IN 引脚，–400mV ≤V_IN≤0V

IN 引脚

C_IN

基准引脚

I_REF

500

450

100

550

500

102

600

550

REF 至GND1，20mV < V_REF≤2.7V

μA

基准电流

_REF上升

_REF下降

V_MSEL

模式选择阈值

模式选择阈值迟滞

正向跳变阈值

比较器

V_IT+

V_REF+ V_HYS

(V_IT+–V_REF–V_HYS)，

V_REF= 20mV，V_HYS= 4mV

-1.2

-2.5

-5

1.2

2.5

(V_IT+–V_REF–V_HYS)，

V_REF= 250mV，V_HYS= 4mV

E_IT+

正向跳变阈值误差

(V_IT+–V_REF–V_HYS)，

V_REF= 2V，V_HYS= 25mV

V_IT-

V_REF

负向跳变阈值

-1.2

-2.5

-5

1.2

2.5

(V_IT––V_REF)，V_REF= 20mV

(V_IT––V_REF)，V_REF= 250mV

(V_IT––V_REF)，V_REF= 2V

E_IT–

负向跳变阈值误差

负向跳变阈值

V_IT-

–V_REF–V_HYS

-1.2

(V_IT–+ V_REF+ V_HYS)，

V_REF= 20mV，V_HYS= 4mV

1.2

2.5

E_IT–

负向跳变阈值误差

(V_IT–+ V_REF+ V_HYS)，

V_REF= 250mV，V_HYS= 4mV

-2.5

V_IT+

E_IT+

–V_REF

正向跳变阈值

(V_IT++ V_REF)，V_REF= 20mV

(V_IT++ V_REF)，V_REF= 250mV

(V_IT+–V_IT–)，V_REF≤450mV

(V_IT+–V_IT–)，V_REF≥600mV

-1.2

-2.5

1.2

2.5

正向跳变阈值误差

V_HYS

跳变阈值迟滞

数字输入/输出

0.7 x

VDD2

VDD2 +

0.3

V_IH

LATCH 引脚

高电平输入电压

0.3 x

VDD2

V_IL

-0.3

低电平输入电压

C_IN

LATCH 引脚

输入电容

V_OL

I_SINK= 4mA

130

250

低电平输出电压

共模瞬态抗扰度

CMTI

kV/µs

|V_IN–V_REF| ≥10mV

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6.9 电气特性(continued)

最小值和最大值规格的适用条件为：T_A= –40°C 至125°C，VDD1 = 3.0V 至27V，VDD2 = 2.7V 至5.5V，V_REF= 20mV 至

2.7V⁽¹⁾且V_IN= –400mV 至4V⁽²⁾；典型值规格的条件为T_A= 25°C，VDD1 = 5V 且VDD2 = 3.3V（除非另有说明）

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源

2.9

2.2

2.7

1.9

3.3

2.2

VDD1 上升

VDD1 下降

VDD2 上升

VDD2 下降

VDD1_UV

VDD1 欠压检测阈值

VDD1 上电复位阈值

VDD2 欠压检测阈值

VDD1_POR

VDD2_UV

I_DD1

I_DD2

2.7

1.8

高侧电源电流

低侧电源电流

(1) 基准电压>1.6V 要求VDD1 > VDD1_MIN。详细信息请参阅建议运行条件表。

(2) 但不要超过建议运行条件表中指定的最大输入电压。

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6.10 开关特性

在工作环境温度范围内（除非另外注明）

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

锁存输入

1.8

3.2

µs

抗尖峰脉冲时间

开漏输出

下降沿

VDD2 = 3.3V，V_REF= 250mV，

V_OVERDRIVE= 10mV，C_L= 15pF

t_pH

240

340

传播延迟时间，|V_IN| 上升

VDD2 = 3.3V，V_REF= 250mV，

V_OVERDRIVE= 10mV，C_L= 15pF

t_pL

t_f

240

传播延迟时间，|V_IN| 下降

R_PULLUP= 4.7kΩ，C_L= 15pF

输出信号下降时间

模式选择

t_HSEL

µs

_REF上升或下降

_REF上升

比较器迟滞选择抗尖峰脉冲时间

比较器禁用抗尖峰脉冲时间

比较器启用抗尖峰脉冲时间

t_DIS13

t_EN13

100

_REF下降

启动时序

t_{LS ,STA}

µs

VDD2 步进至2.7V，VDD1 ≥3.0V

VDD1 步进至3.0V，VDD2 ≥2.7V

低侧启动时间

t_{HS ,STA}

t_HS,BLK

t_HS,FLT

高侧启动时间

200

100

高侧消隐时间

高侧故障检测延迟时间

6.11 时序图

V_REF+ V_OVERDRIVE

V_OVERDRIVE

V_REF

V_OVERDRIVE

V_REF– V_OVERDRIVE

t_pH

t_pL

OUT

90%

50%

10%

t_f

图6-1. 上升、下降和延迟时间定义（LATCH = 低电平）

V_REF

V_IN

OUT

LATCH

latch mode

transparent mode

图6-2. 功能时序图

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7 详细说明

7.1 概述

当REF 引脚上的电压大于V_MSEL时，该器件采用正比较器模式工作。此模式在监测正电压时尤其有用。负比较器

(Cmp1) 处于禁用状态，只有正比较器(Cmp0) 正常运行。此模式中的基准电压可高达2.7V。

AMC23C11 是一款具有开漏输出和可选锁存功能的隔离式比较器。该比较器将输入电压 (V_IN) 与 V_IT+阈值进行比

较，其中该阈值可通过一个内部生成的100μA 基准电流和一个外部电阻器在20mV 至3V 之间调节。当输入电压

(V_IN) 大于基准值 V_REF时，开漏输出主动拉至低电平。V_IN降至跳变阈值以下时的行为由LATCH 引脚决定，具体

如开漏数字输出一节所述。

该器件高压侧与低压侧之间的电气隔离通过跨过基于SiO₂的增强型电容式隔离栅发送比较器状态来实现。此隔离

栅支持高水平的磁场抗扰度，如ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度应用报告所述。由于AMC23C11 采用数字调制方

案来跨过隔离栅发送数据，另外再加上隔离栅的自身特性，该器件具有高可靠性和共模瞬态抗扰度。

7.2 功能方框图

AMC23C11

VDD1

VDD2

LDO

LATCH

100 μA

REF

OUT

GND1

GND2

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7.3 特性说明

7.3.1 模拟输入

当输入电压 (V_IN) 上升到 V_IT+阈值以上时，该比较器会发生跳变，其中该阈值被定义为基准值加上内部迟滞电

压。当V_IN降至V_IT–阈值以下时，该比较器会释放，其中该阈值等于基准值。

V_IT+与V_IT–之间的差值被称为比较器迟滞，对于小于450mV 的基准电压，该差值为4mV。由于存在集成迟滞，

AMC23C11 对输入噪声不那么敏感，无需添加外部正反馈来产生迟滞，即可在高噪声环境中稳定工作。当基准值

(V_REF) 大于600mV 时，迟滞会增加到25mV。更多详细信息，请参阅基准输入说明。

图7-1 展示了迟滞与开关阈值之间关系的时序图。

V_IT+

V_HYS

V_IN

V_IT–(V_REF)

0 V

OUT

LATCH

图7-1. 开关阈值与迟滞

7.3.2 基准输入

REF 引脚上的电压决定比较器的跳变阈值。内部精密电流源会强制100μA 的电流流过从REF 引脚连接到GND1

的外部电阻器。电阻器上的对应电压 (V_REF) 等于跳变阈值；请参阅图 7-1。将一个 100nF 电容器与电阻器并联放

置，以对基准电压进行滤波。此电容器必须在上电期间使用 100μA 电流源充电，而充电时间可能超过高侧消隐

时间 (t_HS,BLK)。在这种情况下，如图 7-2 所示，比较器可能会在高侧消隐时间过期后输出错误的状态，直到 V_REF

达到最终值。有关上电行为的更多详细信息，请参阅上电和断电行为一节。

VDD1

VDD2

<1%

OUT not valid

if V_INis in this range

during power-up

V_REF

OUT

V_REFsettling time

low

t_{HS, STA}+ t_HS,BLK

Output not valid

Output valid

图7-2. 导致基准电压长建立时间的输出行为

该基准引脚可由外部电压源驱动以在工作期间更改比较器阈值。不过，在正常工作期间，不要动态驱动 V_REF越过

_MSEL阈值，因为这样做会改变比较器的迟滞，并导致输出意外切换。

图7-3 显示了模式选择时序图。

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V_REF

V_MSEL

t_HSEL

Hysteresis

4 mV

25 mV

4 mV

Mode of operation

low-hysteresis mode

high-hysteresis mode

low-hysteresis mode

图7-3. 模式选择

7.3.3 隔离通道信号传输

AMC23C11 使用开关键控 (OOK) 调制方案（如图 7-4 所示），跨过基于 SiO₂的隔离栅来传输比较器输出状态。

功能方框图所示发送驱动器(TX) 跨过隔离栅发送一个内部生成的高频载波来表示数字一，不发送信号则指示数字

零。

隔离栅另一端的接收器 (RX) 会恢复并解调信号，然后向驱动开漏输出缓冲器的逻辑提供数据。AMC23C11 传输

通道经过优化，可实现最高的共模瞬态抗扰度 (CMTI) 和最小的辐射发射（高频载波和 RX/TX 缓冲器开关所

致）。

Data

on High-side

Signal Across Isolation Barrier

Recovered Data

on Low-side

图7-4. 基于OOK 的调制方案

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7.3.4 开漏数字输出

AMC23C11 提供了一个具有可选锁存功能的开漏输出。当 V_IN超过由 REF 引脚电压定义的阈值时，该输出主动

拉至低电平，具体请参阅图7-1。

开漏输出通过二极管连接到 VDD2 电源（请参阅功能方框图），因此，在较大的电流开始流向 OUT 引脚前，不

能将该输出拉高到超过 VDD2 电源 500mV。特别是，如果 VDD2 为 GND2 电平，该开漏输出会被钳位至一个高

于地的二极管电压。这种行为由图7-5 至图7-10 中的灰色阴影表示。

7.3.4.1 透明输出模式

当LATCH 引脚被拉至低电平时，器件被设置为透明模式，从而允许输出状态发生变化并跟随输入信号相对于编程

跳变阈值的情况。例如，当输入信号上升到跳变阈值以上时，OUT 引脚会被拉至低电平。当输入信号降至跳变阈

值以下时，输出会返回到默认的高电平输出状态。在透明模式下使用该器件的一个常见实现是将OUT 引脚连接到

控制器上的硬件中断输入。一旦器件检测到存在超出范围的状况并且OUT 引脚被拉至低电平，控制器中断端子会

检测到输出状态变化并开始更改系统工作情况来解决超出范围问题。

7.3.4.2 锁存输出模式

一些应用不具备通过持续检测OUT 引脚状态来检测过流状况的能力。此应用的典型示例是，系统仅能够定期轮询

OUT 端子状态来确定该系统是否正常运行。在此类应用中将器件设置为透明模式后，如果超出范围的情况未在定

期轮询期间出现，则可能会错过OUT 引脚的状态变化。

锁存模式专用于此类应用。通过将LATCH 端子上的电压设置为逻辑高电平，可将该器件置于锁存模式。锁存模式

和透明模式之间的区别在于，输出在超出范围事件结束时的响应方式不同。在透明模式中，当输入信号降至跳变

阈值以下时，输出状态会返回默认高电平设置，以指示超出范围事件已结束。

在锁存模式下，检测到超出范围事件且 OUT 引脚被拉至低电平后，如果输入信号降至跳变阈值电平以下，则

OUT 引脚不会恢复到默认的高电平状态。若要清除该事件，必须将 LATCH 端子拉至低电平，并至少持续 4μs。

只有输入信号降至跳变阈值以下，通过将 LATCH 引脚拉至低电平，OUT 引脚可以返回到默认的高电平状态。如

果将 LATCH 引脚拉至低电平时输入信号仍高于阈值，则 OUT 端子会保持低电平。当系统控制器检测到超出范围

事件时，LATCH 引脚可以恢复到高电平状态，以使器件恢复到锁存模式。

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7.3.5 上电和断电行为

当低侧电源 (VDD2) 开启时，开漏输出以高阻抗状态（高阻态）上电。上电后，如果高侧还未正常运行，输出会

主动拉至低电平。这种情况在低侧启动时间加上高侧故障检测延迟时间 (t_LS,STA+ t_HS,FLT) 之后发生，如图 7-5 所

示。类似地，如果正常工作期间高侧电源电压降至欠压阈值 (VDD1_UV) 以下并且持续时间超过高侧故障检测延迟

时间，则开漏输出被拉至低电平，如图7-8 所示。此延迟让系统能够在高侧电源缺失时可靠地关断。

比较器高侧和低侧之间的通信具有一定的延迟，即高侧消隐时间（t_HS,BLK，在高压侧实现的时间常数），以便内

部300mV 基准和REF 引脚的电压能够建立，同时避免在上电期间意外切换比较器输出。

图7-5 至图7-10 展示了典型的上电和断电情况。

在图 7-5 中，低侧电源 (VDD2) 开启，但高侧电源 (VDD1) 保持关闭。输出以高阻态上电。经过 t_{HS, FLT}后，OUT

被拉至低电平，指示高侧出现无电源故障。

在图7-6 中，高侧电源(VDD1) 在低侧电源(VDD2) 开启很长时间后开启。输出最初处于低电平有效状态；请参阅

实例 (1)。在高侧电源启用后，需要保持一段时间 (t_{HS, STA}+ t_{HS, BLK})，器件才会正常运行，并且输出会反映比较

器的当前状态。

VDD1

(high-side)

VDD1

(high-side)

VDD1_UV

VDD2

(low-side)

VDD2_UV

t_LS

VDD2

(low-side)

,_STA+ t_HS,BLK

STA

t_HS

OUT

(open-drain)

90%

OUT

(open-drain)

normal

operation

(Hi-Z)

fault

10%

t_HS,FLT

图7-5. VDD2 开启且VDD1 保持关闭

图7-6. VDD2 保持开启；VDD1 开启

（长延迟）

在图7-7 中，低侧电源(VDD2) 开启，然后在短暂延迟后，高侧电源(VDD1) 开启。输出最初处于高阻态。高侧故

障检测延迟 (t_HS,FLT) 短于高侧消隐时间 (t_HS,BLK)，因此在经过 t_HS,FLT后，输出被拉至低电平，指示高侧还未正常

工作。经过高侧消隐时间(t_HS,BLK) 后，器件才会正常运行，并且输出会反映比较器的当前状态。

在图7-8 中，高侧电源(VDD1) 关闭，接着低侧电源(VDD2) 关闭。经过高侧故障检测延迟时间(t_HS,FLT) 后，输出

主动拉至低电平。一旦VDD2 降至VDD2_UV阈值以下，输出便会进入高阻态。

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VDD1

(high-side)

VDD1

(high-side)

VDD1_UV

t_HS

VDD1_UV

,_STA+ t_HS,BLK

VDD2

(low-side)

VDD2

(low-side)

VDD2_UV

t_LS,STA+ t_HS,FLT

90%

VDD2_UV

t_HS,FLT

OUT

(open-drain)

normal

operation

OUT normal

(open-drain) operation

90%

(Hi-Z) (Hi-Z)

fault

(Hi-Z)

10%

图7-7. VDD2 和VDD1 先后开启

（短暂延迟）

图7-8. VDD1 和VDD2 先后关闭

在图 7-9 中，低侧电源 (VDD2) 会在高侧完全上电后（VDD1 与 VDD2 之间的延迟大于 (t_HS,STA+ t_HS,BLK)）开

启。经过低侧启动时间(t_LS,STA) 后，器件会进入正常工作状态。

在图7-10 中，低侧电源(VDD2) 会关闭，接着高侧电源(VDD1) 会关闭。一旦VDD2 降至VDD2_UV阈值以下，输

出会进入高阻态。

VDD1

(high-side)

VDD1

(high-side)

VDD1_UV

>t_HS,STA+ t_HS

BLK

VDD2

(low-side)

VDD2

(low-side)

VDD2_UV

OUT

(open-drain)

normal

operation

OUT normal

(open-drain) operation

90%

(Hi-Z)

t_LS

STA

图7-9. VDD1 和VDD2 先后开启

（长延迟）

图7-10. VDD2 和VDD1 先后关闭

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7.3.6 VDD1 欠压和失去电源行为

欠压是指这样一种情况：VDD1 电源电压降至规定的工作电压范围以下，但器件仍工作正常。失去电源是指这样

一种情况：VDD1 电源电压降至某个电平以下，此时器件将停止工作。根据持续时间和电压电平，在器件的输出

端可能会也可能不会注意到欠压情况。失去电源情况则始终会体现在隔离比较器的输出端。

图7-11 至图7-13 显示了典型的欠压和失去电源情况。

在图 7-11 中，VDD1 降至欠压检测阈值 (VDD1_UV) 以下，但在高侧故障检测延迟时间 (t_HS,FLT) 过期之前恢复正

常。该欠压事件对比较器输出没有影响。

在图 7-12 中，VDD1 降至欠压检测阈值 (VDD1_UV) 以下并且持续时间超过高侧故障检测延迟时间 (t_HS,FLT)。欠压

情况被检测为故障，同时在经过t_HS,FLT的延迟后，输出会被拉至低电平。一旦VDD1 恢复到VDD1_UV阈值以上，

器件就会恢复正常工作。

VDD1_UV

t_{HS, FLT}

VDD1

(high-side)

VDD1

(high-side)

VDD1_UV

< t_{HS, FLT}

VDD2

(low-side)

VDD2

(low-side)

OUT

(open-drain)

OUT normal

(open-drain) operation

normal

operation

90%

no change on output

fault

图7-11. VDD1 上短暂欠压事件的输出响应

图7-12. VDD1 上较长欠压事件的输出响应

在图 7-13 中，VDD1 降至上电复位 (POR) 阈值 (VDD1_POR) 以下。失去电源情况被检测为故障，同时在经过

_HS,FLT延迟后，输出会被拉至低电平。VDD1 恢复到 VDD1_UV阈值以上后，器件会在经过 t_HS,STA+ t_HS,BLK延迟

后恢复正常运行。

VDD1

(high-side)

VDD1_UV

t_HS

VDD1_POR

_STA+ t_{HS, BLK}

VDD2

(low-side)

t_{HS, FLT}

OUT normal

(open-drain) operation

normal

operation

90%

fault

图7-13. VDD1 上失去电源事件的输出响应

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7.4 器件功能模式

施加电源电压VDD1 和VDD2 时，AMC23C11 器件可正常运行，如建议运行条件表中所述。

REF 引脚上的电压会影响比较器的阈值。当基准电压低于V_MSEL阈值时，比较器采用低迟滞模式工作。当基准电

压高于V_MSEL阈值时，比较器采用高迟滞模式工作，如基准输入一节中所述。

该器件具有透明模式和锁存模式这两种输出工作模式，具体根据LATCH 输入引脚设置来选择。这两个模式会影响

OUT 引脚对输入信号条件变化的响应方式。详细信息，请参阅开漏数字输出一节。

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8 应用和实施

备注

以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定

器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。

8.1 应用信息

AMC23C11 具有快速响应时间、高共模瞬态抗扰度 (CMTI) 和增强型隔离栅，能够在恶劣和嘈杂的环境中为高压

应用提供快速可靠的过流和过压检测功能。

8.2 典型应用

8.2.1 直流链路过流检测

直流链路过流检测是直流/直流转换器和电机驱动设计的一项常见要求。尽管直流/直流转换器的电感器电流检测或

电机驱动器的相电流检测通常用于控制目的，但仅依靠相电流检测还不足以检测所有可能的过流状况（例如，功

率级中的击穿或 DC+ 和 DC– 接地短路）。若要实现直流链路过流检测，一种较为全面的方法是监测 DC+ 和

DC–线路中的电流。如图8-1 所示，这种检测可通过监测两个分流电阻器上的压降来实现。

流过分流电阻器 R10 的 DC+ 负载电流会产生压降，该压降由 AMC23C11 进行监测。当 R10 上的压降超过由外

部电阻器R11 设置的基准值时，比较器会发生跳变，指示开漏输出OUT 上发生了过流事件。

流过分流电阻器 R20 的 DC– 负载电流会产生压降，该压降由另一个 AMC23C11 进行监测。当 R20 上的压降超

过由外部电阻器R21 设置的基准值时，比较器会发生跳变，指示开漏输出OUT 上发生了过流事件。

两个 AMC23C11 比较器的开漏输出短接在一起，产生一个发送至微控制器单元 (MCU) 的警报信号。类似地，两

个LATCH 信号连接在一起，并可通过来自MCU 的单个GPIO 引脚进行控制。

DC+ 侧的隔离式比较器要求采用以 DC+ 电势为基准的高侧电源。一种低成本的解决方案基于推挽驱动器 SN6501

和支持所需隔离电压额定值的变压器。AMC23C11 高侧上的集成式低压降 (LDO) 稳压器支持将 VDD1 引脚直接

连接到变压器输出，无需对变压器输出电压进行进一步预调节。

DC–侧的隔离式比较器要求采用以 DC–电势为基准的高侧电源。一种常见的解决方案是通过低侧栅极驱动器电

源（如图 8-1 所示）或任何其他以 DC– 为基准的电压电源为隔离式比较器供电。AMC23C11 高侧上的集成式低

压降(LDO) 稳压器支持宽输入电压范围，并显著简化了电源设计。

快速响应时间和高共模瞬态抗扰度(CMTI) 确保AMC23C11 即便在高噪声环境中，也能可靠、准确地工作。

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Low-side supply

(3.3 V or 5.5 V)

SN6501

GND

4.7 μF

VCC

GND

R14

10 μF 100 nF

AMC23C11

VDD1

VDD2

R12

4.7 k

LATCH

OUT

R15

REF

GND1

GND2

C12

C11

C16

R11

C15

C13

100 nF

C14

1 µF

1 µF 100 nF 1 nF 2.94 k 100 nF

R10

10 m

DC +

LS Gate Driver supply

(2.7..27 V)

–

DC –

R20

R24

10 m

AMC23C11

VDD1

VDD2

LATCH

OUT

from MCU (optional)

to MCU

R25

REF

GND1

GND2

C22

C21

C26

R21

C25

C23

C24

1 µF 100 nF 1 nF 2.94 k 100 nF

100 nF

1 µF

图8-1. 利用AMC23C11 进行DC+ 和DC–过流检测

8.2.1.1 设计要求

表8-1 列出了图8-1 中所含应用示例的各项参数。

表8-1. 设计要求

参数

值

3V 至27V

2.7V 至5.5V

10mΩ

高侧电源电压

低侧电源电压

分流电阻器值

过流检测阈值

30A

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8.2.1.2 详细设计过程

本例中，分流电阻器（R10 和R20）的值为 10mΩ。在所需的 30A 过流检测电平条件下，分流电阻器上的压降为

10mΩ × 30A = 300mV。比较器的正向跳变阈值为 V_REF+ V_HYS，其中 V_HYS为 4mV（如电气特性表中所述），

而V_REF为REF 与GND1 引脚之间所连 R11（或R12，相应地）上的电压。R11 和R12 的计算方式为 (V_TRIP

–

V_HYS) / I_REF= (300mV – 4mV) / 100μA = 2.96kΩ。E96 系列（精度 1%）的下一个较小值为 2.94kΩ，因此过

流跳变阈值（上升）为29.8A。

比较器的输入端放置了一个 10Ω、1nF RC 滤波器（分别为 R15、C16 和 R25、C26），用于过滤输出信号并降

低噪声敏感度。该滤波器会增加10Ω× 1nF = 10ns 的传播延迟，在计算保护电路的总体响应时间时，必须考虑到

这一延迟。如果系统可以承受额外的延迟，那么最好使用较大的滤波常数，以增加噪声抗扰度。

表8-2 汇总了该设计的主要参数。

表8-2. 过流检测设计示例

参数

值

基准电阻值（R11、R21）

基准电容值（C15、C25）

基准电压

2.94kΩ

100nF

296 mV

基准电压建立时间（达到最终值的90%）

过流跳变阈值（上升）

690μs

298mV/29.8A

294mV/29.4A

过流跳变阈值（下降）

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8.3 必做事项和禁止事项

检测电阻低侧与 AMC23C11 GND1 引脚之间应保持较短的低阻抗连接。只要接地线存在任何压降，就会导致比较

器输入端检测到的电压出现误差，进而导致跳变阈值不准确。

为了最大限度地提高瞬态噪声抗扰度，应将滤波电容器C5 尽可能靠近REF 引脚放置，如图10-1 所示。

不要在 REF 引脚偏置接近 V_MSEL阈值（450mV 至 600mV 范围）时使用该器件，以避免比较器迟滞出现动态切

换，如基准输入部分所述。

AMC23C11 提供了有限的 200μs 消隐时间 (t_HS,BLK)，从而在启动期间建立基准电压 (V_REF)。对于众多应用而

言，基准电压建立所需的时间都要超过200μs 消隐时间，这时比较器的输出可能会在系统启动期间出现毛刺，如

图7-2 所示。整体系统启动设计中需要考虑基准电压建立时间。

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9 电源相关建议

AMC23C11 无需任何具体的上电时序。高侧电源 (VDD1) 通过与低 ESR、1µF 电容器 (C2) 并联的低 ESR、

100nF 电容器(C1) 进行去耦。低侧电源(VDD2) 同样通过与低ESR、1µF 电容器(C4) 并联的低ESR、100nF 电

容器 (C3) 进行去耦。这四个电容器（C1、C2、C3 和C4）都应尽可能靠近器件放置。图9-1 展示了 AMC23C11

的去耦示意图。

对于高VDD1 电源电压(>5.5V)，可将VDD1 电源与一个10Ω电阻器(R4) 串联在一起以提供额外滤波。

High-side supply (3..27 V)

Low-side supply (2.7..5.5 V)

4.7 k

AMC23C11

10 Ω

VDD1

VDD2

LATCH

OUT

from MCU

to MCU

REF

GND1

GND2

1 µF 100 nF 1 nF 2.94 k 100 nF

100 nF 1 µF

图9-1. 去耦AMC23C11

在应用中出现的适用直流偏置条件下，电容器必须能够提供足够的有效电容。在实际条件下，通常仅使用多层陶

瓷电容器 (MLCC) 标称电容的一小部分，因此在选择这些电容器时，必须考虑到这个因素。此问题在低厚度电容

器中尤为严重，在该类电容器中，电容器越薄，电介质电场强度越大。知名电容器制造商提供了电容与直流偏置

关系曲线，这大大简化了元件选型。

10 布局

10.1 布局指南

图 10-1 给出了布局建议，其中说明了去耦电容器的关键布局（尽可能靠近 AMC23C11 电源引脚放置）以及器件

所需的其他组件的放置方式。

10.2 布局示例

High-side

Low-side

supply

Clearance area, to be

kept free of any

conductive materials.

from MCU

to MCU

LATCH

OUT

AMC23C11

REF

GND2

GND1

Top Metal

Inner or Bottom Layer Metal

Via

图10-1. 建议布局AMC23C11

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11 器件和文档支持

11.1 文档支持

11.1.1 相关文档

请参阅如下相关文档：

• 德州仪器(TI)，隔离相关术语应用报告

• 德州仪器(TI)，半导体和IC 封装热指标应用报告

• 德州仪器(TI)，ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度应用报告

• 德州仪器(TI)，SN6501 用于隔离电源的变压器驱动器数据表

• 德州仪器(TI)，隔离放大器电压感测Excel 计算器设计工具

11.2 接收文档更新通知

要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新进行注册，即可每周接收产品信息更

改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。

11.3 支持资源

TI E2E^™支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解

答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。

链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅

TI 的《使用条款》。

11.4 商标

TI E2E^™is a trademark of Texas Instruments.

所有商标均为其各自所有者的财产。

11.5 Electrostatic Discharge Caution

This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled

with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.

ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may

be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published

specifications.

11.6 术语表

TI 术语表

本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。

12 机械、封装和可订购信息

以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，

且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。

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PACKAGE OPTION ADDENDUM

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PACKAGING INFORMATION

Orderable Device

Status Package Type Package Pins Package

Eco Plan

Lead finish/

Ball material

MSL Peak Temp

Op Temp (°C)

Device Marking

Samples

Drawing

Qty

(1)

(2)

(3)

(4/5)

(6)

AMC23C11DWV

AMC23C11DWVR

ACTIVE

SOIC

DWV

RoHS & Green

NIPDAU

Level-3-260C-168 HR

-40 to 125

MC23C11

Samples

1000 RoHS & Green

NIPDAU

⁽¹⁾The marketing status values are defined as follows:

ACTIVE: Product device recommended for new designs.

LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.

NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.

PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.

OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.

⁽²⁾RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance

do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may

reference these types of products as "Pb-Free".

RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.

Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based

flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.

⁽³⁾MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.

⁽⁴⁾There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.

⁽⁵⁾Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation

of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.

(6)

Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two

lines if the finish value exceeds the maximum column width.

Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information

provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and

continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.

TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.

In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.

Addendum-Page 1

PACKAGE OPTION ADDENDUM

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31-Jan-2023

Addendum-Page 2

PACKAGE OUTLINE

DWV0008A

SOIC - 2.8 mm max height

SOIC

SEATING PLANE

11.5 0.25

TYP

PIN 1 ID

AREA

0.1 C

6X 1.27

5.95

5.75

NOTE 3

3.81

0.51

0.31

7.6

7.4

0.25

C A

2.8 MAX

NOTE 4

0.33

0.13

TYP

SEE DETAIL A

(2.286)

0.25

GAGE PLANE

0.46

0.36

0 -8

1.0

0.5

DETAIL A

TYPICAL

(2)

4218796/A 09/2013

NOTES:

1. All linear dimensions are in millimeters. Dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing

per ASME Y14.5M.

2. This drawing is subject to change without notice.

3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not

exceed 0.15 mm, per side.

4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.

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EXAMPLE BOARD LAYOUT

DWV0008A

SOIC - 2.8 mm max height

SOIC

8X (1.8)

SEE DETAILS

SYMM

8X (0.6)

6X (1.27)

(10.9)

LAND PATTERN EXAMPLE

9.1 mm NOMINAL CLEARANCE/CREEPAGE

SCALE:6X

SOLDER MASK

OPENING

SOLDER MASK

OPENING

METAL

0.07 MAX

ALL AROUND

0.07 MIN

ALL AROUND

SOLDER MASK

DEFINED

NON SOLDER MASK

DEFINED

SOLDER MASK DETAILS

4218796/A 09/2013

NOTES: (continued)

5. Publication IPC-7351 may have alternate designs.

6. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.

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EXAMPLE STENCIL DESIGN

DWV0008A

SOIC - 2.8 mm max height

SOIC

SYMM

8X (1.8)

8X (0.6)

SYMM

6X (1.27)

(10.9)

SOLDER PASTE EXAMPLE

BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL

SCALE:6X

4218796/A 09/2013

NOTES: (continued)

7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate

design recommendations.

8. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.

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AMC23C11 [TI]

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