BQ25713BRSNT [TI]
具有 USB type C PD 支持的 I2C 端口（地址 2）1 至 4 节 NVDC 降压/升压电池充电控制器 | RSN | 32 | -40 to 85;
| 型号： | BQ25713BRSNT |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有 USB type C PD 支持的 I2C 端口（地址 2）1 至 4 节 NVDC 降压/升压电池充电控制器 | RSN | 32 | -40 to 85 电池 控制器 光电二极管 |
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BQ25713, BQ25713B
ZHCSIH5C –JUNE 2018 –REVISED MAY 2023
BQ25713/BQ25713B 具有系统功率监测器和处理器热量监测器的I2C 窄VDC 降
压/升压电池充电控制器
• 安全相关认证：
– 经IEC 62368-1 CB 认证
• 低电池静态电流
1 特性
• 与BQ25703A 引脚对引脚和软件兼容
• 从各种输入源为1 至4 节电池充电
• 封装：32 引脚4×4 WQFN
– 3.5V 至24V 输入工作电压
– 支持USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1 (Type-C) 和
USB 电力输送(USB-PD) 输入电流设置
– 可在降压、降压/升压和升压操作之间进无缝转
换
2 应用
• 无人机、蓝牙扬声器、IP 摄像头、可拆卸电脑、平
板电脑和移动电源
• 工业和医疗设备
• 带可充电电池的便携式设备
– 提供输入电流和电压调节（IDPM 和VDPM）以
防电源过载
3 说明
• 用于CPU 节流的功率/电流监控器
此器件是一款同步 NVDC 降压/升压电池充电控制器，
可为空间受限的1-4 芯串联电池充电应用提供元件数很
少的高效解决方案。
– 综合PROCHOT 设置，符合IMVP8/IMVP9 要
求
– 输入和电池电流监控器
– 系统功率监控器，符合IMVP8/IMVP9 要求
• 窄电压DC (NVDC) 电源路径管理
器件信息
封装(1)
封装尺寸（标称值）
器件型号
– 即使没有电池或电池已深度放电亦可瞬时启动
– 适配器满载时，电池可为系统补充电量
– 电池MOSFET 可在补电模式下实现理想二极管
运行
WQFN (32)
4.00mm × 4.00mm
BQ25713、BQ25713B
(1) 要了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
• 通过电池给USB 端口加电(USB OTG)
– 具有8mV 分辨率的3V 至20.8V VOTG
– 输出电流限值最高为6.4A，且具有50mA 分辨
率
• TI 获得专利的直通模式(PTM)，可提高系统功效并
实现电池快速充电
• 当系统仅通过电池供电时，Vmin 有源保护(VAP)
模式将会在系统峰值功率尖峰期间通过输入电容器
为电池补电。
• 输入电流优化器(ICO) 可获取最大输入功率
• 用于2.2µH 至1.0µH 电感器的800kHz 或1.2MHz
可编程开关频率
应用示意图
• 可通过主机控制接口实现灵活系统配置
– I2C 端口优化系统性能与状态报告
– 硬件引脚可用于设置输入电流限制，无需EC 控
制
• 集成型ADC 可监控电压、电流和功率
• 高精度调节和监控
– ±0.5% 充电电压调节
– ±2% 输入/充电电流调节
– ±2% 输入/充电电流监测
– ±4% 功率监控器
• 安全
– 热关断
– 输入、系统和电池过压保护
– 输入、MOSFET 和电感器过流保护
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
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BQ25713, BQ25713B
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 说明（续）.........................................................................4
6 器件比较表.........................................................................5
7 引脚配置和功能................................................................. 6
8 规格................................................................................... 9
8.1 绝对最大额定值...........................................................9
8.2 ESD 等级.................................................................... 9
8.3 建议运行条件.............................................................. 9
8.4 热性能信息................................................................10
8.5 电气特性....................................................................10
8.6 时序要求....................................................................18
8.7 典型特性....................................................................20
9 详细说明.......................................................................... 22
9.1 概述...........................................................................22
9.2 功能模块图................................................................23
9.3 特性说明....................................................................24
9.4 器件功能模式............................................................ 30
9.5 编程...........................................................................31
9.6 寄存器映射................................................................34
10 应用和实施.....................................................................72
10.1 应用信息..................................................................72
10.2 典型应用..................................................................72
11 电源相关建议................................................................. 79
12 布局............................................................................... 80
12.1 布局指南..................................................................80
12.2 布局示例..................................................................80
13 器件和文档支持............................................................. 82
13.1 器件支持..................................................................82
13.2 文档支持..................................................................82
13.3 接收文档更新通知................................................... 82
13.4 支持资源..................................................................82
13.5 商标.........................................................................82
13.6 静电放电警告.......................................................... 82
13.7 术语表..................................................................... 82
14 机械、封装和可订购信息...............................................83
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision B (February 2021) to Revision C (May 2023)
Page
• 更改了图9-1 中的IVBUS................................................................................................................................. 27
• 更改了ChargeOption1 寄存器中的EN_PROCHOT_LPWR 01b 和10b..........................................................39
• 更改了ProchotOption0 寄存器中的ICRIT_DEG 01b、10b 和11b 以及INOM_DEG 0b 和1b.......................45
• 更改了ProchotOption1 寄存器中的IDCHG_DEG 和PROCHOT_PROFILE_VDPM...................................... 47
• 更改了ProchotStatus 寄存器中的PROCHOT_WIDTH 11b.............................................................................53
• 更新了典型应用图.............................................................................................................................................72
Changes from Revision A (July 2018) to Revision B (February 2021)
Page
• 向“特性”添加了“安全相关认证：IEC 62368-1 CB 认证”............................................................................1
• 更改了“电气特性”中多个参数的度量单位..................................................................................................... 10
• 更改了时序要求.................................................................................................................................................18
• 在“从直流电源上电”中添加了要点2............................................................................................................. 24
• 更改了“输入电压和电流限制设置”中的3.25A...............................................................................................24
• 更改了USB On-The-Go (OTG)........................................................................................................................ 25
• 添加了“系统短路断续模式”...........................................................................................................................30
• 更改了I2C 串行接口..........................................................................................................................................31
• 更改了ChargeOption0 寄存器中的内容........................................................................................................... 36
• 更改了ChargeOption2 寄存器中的内容........................................................................................................... 41
• 在ProchotOption0 寄存器中进行了更改...........................................................................................................45
• 在ProchotStatus 寄存器中进行了更改............................................................................................................. 53
• 更改了输入电流寄存器......................................................................................................................................60
• 更改了具有10mΩ检测电阻的IIN_DPM 寄存器..............................................................................................62
• 更改了ADCIINCMPIN 寄存器中的内容............................................................................................................69
• 更新了典型应用图.............................................................................................................................................72
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• 更新了ACP-ACN 输入滤波器图....................................................................................................................... 73
• 更新了输入电容器.............................................................................................................................................74
• 更新了输出电容器.............................................................................................................................................74
• 更改了布局指南.................................................................................................................................................80
• 在布局示例中添加了详细的布局参考................................................................................................................ 80
Changes from Revision * (June 2018) to Revision A (July 2018)
Page
• 将BQ25713 从“预告信息”更改为“量产数据”并添加了BQ25713B............................................................ 1
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5 说明（续）
通过 NVDC 配置，可将系统电压稳定在电池电压水平，但无法将其降至低于系统最低电压。即便在电池完全放电
或被取出时，系统也仍会继续工作。当负载功率超过输入源额定值时，电池会进入补电模式并防止系统崩溃。
BQ25713/BQ25713B 可通过包括USB 适配器、高电压USB PD 源和传统适配器在内的各种输入源为电池充电。
在加电期间，充电器基于输入源和电池状况，将转换器设置为降压、升压或降压/升压配置。充电器自动在降压、
升压、降压/升压配置间转换，无需主机控制。
在无输入源的情况下，BQ25713/BQ25713B 可支持适用于 1 到4 芯电池的 USB On-the-Go (OTG) 功能，从而在
VBUS 上生成具有8mV 分辨率的3V 至20.8V 可调电压。OTG 输出电压压摆率是可配置的，这符合USB PD 3.0
PPS 规范。
当仅通过电池为系统供电且 USB OTG 端口未连接任何外部负载时，BQ25713/BQ25713B 支持 Vmin 有源保护
(VAP) 特性，借助该特性，该器件会从电池给 VBUS 电压充电，从而将部分能量存储在输入解耦电容器中。在系
统峰值功率尖峰期间，大量电流从电池流出，导致从电池到系统的阻抗上出现较大压降。存储在输入电容器中的
能量会为系统补电，从而防止系统电压下降到最低系统电压之下进而导致系统崩溃。该 Vmin 主动保护 (VAP) 特
性旨在在SOC 高功率需求期间吸收系统功率峰值，Intel 强烈建议为具有1 至2 节电池的平台配备此特性。
BQ25713/BQ25713B 可监控适配器电流、电池电流和系统功率。灵活编程的 PROCHOT 输出直达 CPU，可根据
需要降低其频率。
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6 器件比较表
BQ25700A
SMBus
09h
BQ25703A
I2C
BQ25708
SMBus
09h
BQ25710
SMBus
09h
BQ25718
SMBus
09h
BQ25713
I2C
BQ25713B
I2C
接口
6Bh
6Bh
6Ah
器件地址
适用于IMVP9 的
否
否
否
是
是
是
是
VAP
直通模式
OTG 模式
否
是
否
是
否
否
是
是
是
否
是
是
是
是
4.48V-20.8V
64mV
4.48V-20.8V
64mV
3.0V-20.8V
8mV
3.0V-20.8V
8mV
3.0V-20.8V
8mV
OTG 电压范围
OTG 电压分辨率
充电电压分辨率
不适用
不适用
不适用
不适用
16mV
16mV
16mV
8mV
8mV
8mV
8mV
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7 引脚配置和功能
VBUS
ACN
1
2
3
4
5
6
7
8
24
23
22
21
20
19
18
17
HIDRV2
SW2
ACP
VSYS
CHRG_OK
OTG/VAP
ILIM_HIZ
VDDA
BATDRV
SRP
Thermal
Pad
SRN
CELL_BATPRESZ
COMP2
IADPT
图7-1. RSN 封装32 引脚WQFN 顶视图
表7-1. 引脚功能
引脚
I/O
说明
名称
编号
输入电流检测电阻负输入。ACP 和ACN 上的漏电流匹配。需要在检测电阻与ACN 引脚之间
放置一个R-C 低通滤波器，以抑制输入电流信号中的高频噪声。有关ACP/ACN 滤波器设
计，请参阅节10。
ACN
ACP
2
PWR
输入电流检测电阻正输入。ACP 和ACN 上的漏电流匹配。需要在检测电阻与ACP 引脚之间
放置一个R-C 低通滤波器，以抑制输入电流信号中的高频噪声。有关ACP/ACN 滤波器设
计，请参阅节10。
3
PWR
O
P 沟道电池FET (BATFET) 栅极驱动器输出。短接至VSYS 可关断BATFET。比VSYS 低
10V 可完全导通BATFET。BATFET 处于线性模式，以便在电池电量耗尽时将VSYS 调节至
最小系统电压。BATFET 在快速充电期间完全导通，并在补充模式下用作理想二极管。
BATDRV
21
降压模式高侧功率MOSFET 驱动器电源。在SW1 和BTST1 之间连接一个0.047μF 电容
器。REGN 和BTST1 之间的自举二极管为集成式二极管。
BTST1
BTST2
30
25
PWR
PWR
升压模式高侧功率MOSFET 驱动器电源。在SW2 和BTST2 之间连接一个0.047μF 电容
器。REGN 和BTST2 之间的自举二极管为集成式二极管。
用于1-4 节电池设置的电芯选择引脚。CELL_BATPRESZ 引脚从VDDA 偏置。
CELL_BATPRESZ 引脚还将1 节电池的SYSOVP 阈值设置为5V，2 节电池的SYSOVP 阈
值设置为12V，3 节/4 节电池的SYSOVP 阈值设置为19.5V。CELL_BATPRESZ 引脚拉至
低于VCELL_BATPRESZ_FALL 以指示电池移除。器件退出学习模式并禁用充电。充电电压寄存器
REG0x05/04() 恢复为默认值。
CELL_BATPRESZ
18
I
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表7-1. 引脚功能(continued)
引脚
I/O
说明
名称
编号
开漏高电平有效指示器，用于通知系统，正常电源已连接到充电器输入端。通过10kΩ电阻
器连接到上拉电源轨。当VBUS 升至3.5V 以上或降至24.5V 以下时，经过50ms 抗尖峰脉
冲时间后，CHRG_OK 为高电平。当VBUS 降至3.2V 以下或升至26V 以上时，CHRG_OK
为低电平。发生任何故障时，CHRG_OK 置为低电平。
CHRG_OK
4
O
独立比较器的输入。独立比较器将CMPIN 引脚上检测到的电压与内部基准电压进行比较，其
输出位于CMPOUT 引脚上。可通过I2C 主机选择内部基准、输出极性和抗尖峰脉冲时间。极
性为高电平(REG0x30[6] = 1) 时，在CMPIN 和CMPOUT 之间放置一个电阻器，以对迟滞进
行编程。极性为低电平(REG0x30[6] = 0) 时，内部迟滞为100mV。如果未使用独立比较器，
则将CMPIN 接地。
CMPIN
14
15
I
独立比较器的开漏输出。将上拉电阻器从CMPOUT 连接到上拉电源轨。可通过I2C 主机选择
内部基准、输出极性和抗尖峰脉冲时间。
CMPOUT
O
COMP2
COMP1
17
16
I
I
降压/升压转换器补偿引脚2。有关COMP2 引脚RC 网络，请参阅BQ2571X EVM 原理图。
降压/升压转换器补偿引脚1。有关COMP1 引脚RC 网络，请参阅BQ2571X EVM 原理图。
高电平有效，以启用OTG 或VAP 模式。当REG0x34[5]=1 时，拉高OTG/VAP 引脚并设置
REG0x35[4]=1 可以启用OTG 模式。当REG0x34[5]=0 时，拉高OTG/VAP 引脚将启用VAP
模式。
OTG/VAP
5
I
HIDRV1
HIDRV2
31
24
O
O
降压模式高侧功率MOSFET (Q1) 驱动器。连接到高侧N 沟道MOSFET 栅极。
升压模式高侧功率MOSFET (Q4) 驱动器。连接到高侧N 沟道MOSFET 栅极。
适配器电流监测输出引脚。V(IADPT) = 20 或40 × (V(ACP) –V(ACN))，可在REG0x00[4] 中选
择比率。在IADPT 引脚与接地端之间放置一个与所用电感相对应的电阻器。对于2.2µH 电
感，电阻器为137kΩ。在IADPT 引脚与接地端之间放置一个100pF 或更小的陶瓷去耦电容
器。IADPT 输出电压钳位在3.3V 以下。
IADPT
IBAT
8
9
O
O
电池电流监测输出引脚。对于充电电流，V(IBAT) = 8 或16 × (V(SRP) –V(SRN))，对于放电电
流，V(IBAT) = 8 或16 × (V(SRN) –V(SRP))，可在REG0x00[3] 中选择比率。在IBAT 引脚与接
地端之间放置一个100pF 或更小的陶瓷去耦电容器。该引脚不使用时可以悬空。其输出电压
钳制在3.3V 以下。
输入电流限制设置引脚。通过在电源轨与ILIM_HIZ 引脚之间连接一个电阻分压器并接地，对
ILIM_HIZ 电压进行编程。引脚电压的计算公式为：V(ILIM_HIZ) = 1V + 40 × IDPM × RAC，其
中IDPM 是目标输入电流。充电器使用的输入电流限制是ILIM_HIZ 引脚和REG0x0F/0E() 的
较低设置。当引脚电压低于0.4V 时，器件会以低静态电流进入高阻态模式。当引脚电压高于
0.8V 时，器件退出高阻态模式。
ILIM_HIZ
6
I
LODRV1
LODRV2
PGND
29
26
27
O
O
降压模式低侧功率MOSFET (Q2) 驱动器。连接到低侧N 沟道MOSFET 栅极。
升压模式低侧功率MOSFET (Q3) 驱动器。连接到低侧N 沟道MOSFET 栅极。
器件电源接地。
GND
处理器热量指示器的低电平有效开漏输出。它监测适配器输入电流、电池放电电流和系统电
压。触发PROCHOT 曲线中的任何事件后，系统会将一个脉冲置为有效。可在
REG0x23[6:3] 中调节最小脉冲宽度。
PROCHOT
PSYS
11
10
28
O
O
电流模式系统功率监测器。输出电流与适配器和电池的总功率成正比。可通过I2C 选择增益。
在PSYS 与接地端之间放置一个电阻器以生成输出电压。该引脚不使用时可以悬空。其输出
电压钳位在3.3V 以下。将一个电容器与电阻器并联以进行滤波。
由VBUS 或VSYS 供电的6V 线性稳压器输出。当VBUS 高于VVBUS_CONVEN 时，LDO 处于
活动状态。在REGN 与电源地之间连接一个2.2μF 或3.3μF 陶瓷电容器。REGN 引脚输出
用于功率级栅极驱动器。
REGN
PWR
I2C 时钟输入。连接到主机控制器或智能电池的时钟线。根据I2C 规范连接一个10kΩ上拉电
阻器。
SCL
SDA
13
12
I
I2C 开漏数据I/O。连接到主机控制器或智能电池的数据线。根据I2C 规范连接一个10kΩ上
拉电阻器。
I/O
充电电流检测电阻负输入。SRN 引脚也用于电池电压检测。将带有可选0.1μF 陶瓷电容器的
SRN 引脚连接到GND 以实现共模滤波。在SRP 和SRN 之间连接一个0.1μF 陶瓷电容器以
提供差模滤波。SRP 和SRN 上的漏电流匹配。
SRN
19
PWR
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表7-1. 引脚功能(continued)
引脚
I/O
说明
名称
编号
充电电流检测电阻正输入。将带有可选0.1μF 陶瓷电容器的SRP 引脚连接到GND 以实现共
模滤波。在SRP 和SRN 之间连接一个0.1μF 陶瓷电容器以提供差模滤波。SRP 和SRN 上
的漏电流匹配。
SRP
20
PWR
SW1
SW2
VBUS
32
23
1
PWR
PWR
PWR
降压模式高侧功率MOSFET 驱动器源。连接到高侧N 沟道MOSFET 的源极。
升压模式高侧功率MOSFET 驱动器源。连接到高侧N 沟道MOSFET 的源极。
充电器输入电压。建议使用1Ω和0.47µF（最小值）的输入低通滤波器。
内部基准偏置引脚。在REGN 与VDDA 之间连接一个10Ω电阻器，在VDDA 与电源地之间
连接一个1μF 陶瓷电容器。
VDDA
VSYS
7
PWR
PWR
-
充电器系统电压检测。在REG0x05/04() 和REG0X0D/0C() 中对系统电压调节限制进行编
程。
22
–
IC 下方的外露焊盘。始终将散热焊盘焊接到电路板上，并在连接到电源接地层的散热焊盘平
面上留有过孔。它用作散热焊盘以进行散热。
散热焊盘
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8 规格
8.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1) (2)
最小值
-0.3
-2
最大值
30
单位
SRN、SRP、ACN、ACP、VBUS、VSYS
SW1, SW2
30
-0.3
36
BTST1、BTST2、HIDRV1、HIDRV2、/BATDRV
LODRV1、LODRV2 (25nS)
-4
-4
-4
7
36
30
HIDRV1、HIDRV2 (25nS)
V
电压
SW1、SW2 (25nS)
SDA、SCL、REGN、PSYS、CHRG_OK、OTG/VAP、
CELL_BATPRESZ、ILIM_HIZ、LODRV1、LODRV2、VDDA、
COMP1、COMP2、CMPIN、CMPOUT
7
–0.3
/PROCHOT
5.5
3.6
7
–0.3
-0.3
–0.3
-0.5
-40
IADPT、IBAT、PSYS
BTST1-SW1、BTST2-SW2、HIDRV1-SW1、HIDRV2-SW2
V
差分电压
0.5
155
155
SRP-SRN、ACP-ACN
°C
°C
结温范围，TJ
温度
-40
贮存温度，Tstg
(1) 应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力等级，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间在最大绝对额定条件下运行会影响器件可靠性。
(2) 除非另有说明，否则所有电压均以接地为基准。电流是指定端子的正输入、负输出。有关封装的热限制和注意事项，请参阅数据手册的
“封装”部分。
8.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001，所有引脚(1)
±2000
V(ESD)
V
静电放电
充电器件模型(CDM)，符合JEDEC 规范
JESD22-C101，所有引脚(2)
±500
(1) JEDEC 文件JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
8.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
0
24
ACN、ACP、VBUS
SRN、SRP、VSYS
SW1、SW2
0
-2
0
19.2
24
30
BTST1、BTST2、HIDRV1、HIDRV2、/BATDRV
V
电压
SDA、SCL、REGN、PSYS、CHRG_OK、OTG/VAP、CELL_BATPRESZ、
ILIM_HIZ、LODRV1、LODRV2、VDDA、COMP1、COMP2、CMPIN、CMPOUT
0
6.5
/PROCHOT
0
0
5.3
3.3
6.5
0.5
IADPT、IBAT、PSYS
0
BTST1-SW1、BTST2-SW2、HIDRV1-SW1、HIDRV2-SW2
V
差分电压
-0.5
SRP-SRN、ACP-ACN
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8.3 建议运行条件(continued)
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
-20
125
°C
结温范围，TJ
85
°C
自然通风条件下的工作温度范围，TJ
–40
8.4 热性能信息
BQ25713/BQ25713B
热指标(1)
RSN (WQFN)
单位
32 引脚
37.2
26.1
7.8
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
0.3
ΨJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
YJB
7.8
RθJC(bot)
2.3
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
8.5 电气特性
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
VINPUT_OP
3.5
26
V
输入电压工作范围
调节精度
最大系统电压调节
系统电压调节，在VSYS 上测量
（禁用充电）
VSYSMAX_RNG
1.024
19.2
V
V
VSRN
160mV
+
REG0x05/04() = 0x41A0H
(16.800V)
-2%
-2%
2%
2%
3%
VSRN
160mV
+
V
V
V
REG0x05/04() = 0x3138H
(12.600V)
VSYSMAX_ACC
系统电压调节精度（禁用充电）
VSRN
160mV
+
REG0x05/04() = 0x20D0H
(8.400V)
–3%
VSRN
160mV
+
REG0x05/04() = 0x1068H
(4.200V)
3%
–3%
最小系统电压调节
VSYSMIN_RNG
1.024
19.2
V
系统电压调节，在VSYS 上测量
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
REG0x0D/0C() = 0x3000H
12.288
9.216
6.144
3.584
V
V
V
V
-2%
-2%
2%
2%
REG0x0D/0C() = 0x2400H
REG0x0D/0C() = 0x1800H
REG0x0D/0C() = 0x0E00H
最小系统电压调节精度（VBAT 低
于REG0x0D/0C() 设置）
VSYSMIN_REG_ACC
3%
–3%
–3%
1.024
–0.5%
–0.5%
–0.6%
–1.1%
0
3%
充电电压调节
VBAT_RNG
19.2
0.5%
0.5%
0.6%
1.2%
V
V
电池电压调节
REG0x05/04() = 0x41A0H
REG0x05/04() = 0x3138H
REG0x05/04() = 0x20D0H
REG0x05/04() = 0x1068H
16.8
12.6
8.4
V
V
V
电池电压调节精度（充电启用）
（0°C 至85°C）
VBAT_REG_ACC
4.2
快速充电中的充电电流调节
VIREG_CHG_RNG
81.28 mV
mA
VIREG_CHG = VSRP
–
VSRN
充电电流调节差分电压范围
4096
2048
1024
512
REG0x03/02() = 0x1000H
REG0x03/02() = 0x0800H
REG0x03/02() = 0x0400H
REG0x03/02() = 0x0200H
2%
–3%
–4%
-5%
mA
充电电流调节精度10mΩ检测电
阻，VBAT 高于REG0x0D/0C()
设置（0°C 至85°C）
3%
ICHRG_REG_ACC
mA
6%
mA
12%
–12%
LDO 模式下的充电电流调节
384
384
mA
mA
2 至4 节串联电池
单节电池，VSRN < 3V
ICLAMP
预充电电流钳位
单节电池，3V < VSRN <
VSYSMIN
2
A
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
REG0x03/02() = 0x0180H
2S-4S
最小值 典型值 最大值 单位
384
256
192
128
mA
mA
mA
-15%
15%
25%
1S
–25%
REG0x03/02() = 0x0100H
使用10mΩSRP/SRN 串联电
2S-4S
-20%
-35%
20%
35%
阻、VBAT 低于REG0x0D/0C()
设置（0°C 至85°C）时的预充电
电流调节精度
1S
IPRECHRG_REG_ACC
REG0x03/02() = 0x00C0H
2S-4S
25%
50%
–25%
1S
-50%
REG0x03/02() = 0x0080H
2S-4S
mA
µA
30%
10
–30%
–12
SRP、SRN 漏电流失配（0°C 至
85°C）
ILEAK_SRP_SRN
输入电流调节
VIREG_DPM_RNG
0.5
3800
2800
1300
300
64 mV
4000 mA
3000 mA
1500 mA
500 mA
VIREG_DPM = VACP –VACN
REG0x0F/0E() = 0x5000H
REG0x0F/0E() = 0x3C00H
REG0x0F/0E() = 0x1E00H
REG0x0F/0E() = 0x0A00H
输入电流调节差分电压范围
3900
2900
1400
400
使用10mΩACP/ACN 串联电阻
时的输入电流调节精度（-40°C 至
105°C）
IDPM_REG_ACC
ACP、ACN 漏电流失配（-40°C
至105°C）
ILEAK_ACP_ACN
10
4
µA
V
–16
输入电流调节的电压范围
（ILIM_HIZ 引脚）
VIREG_DPM_RNG_ILIM
1.15
VILIM_HIZ = 2.6V
VILIM_HIZ = 2.2V
VILIM_HIZ = 1.6V
VILIM_HIZ = 1.2V
3800
2800
1300
300
4000
3000
1500
500
4200 mA
3200 mA
1700 mA
700 mA
ILIM_HIZ 引脚上的输入电流调节
精度VILIM_HIZ = 1V + 40 × IDPM
×
IDPM_REG_ACC_ILIM
RAC，使用10mΩACP/ACN 串联
电阻
ILEAK_ILIM
-1
1
19.52
2%
µA
ILIM_HIZ 引脚漏电流
输入电压调节
VIREG_DPM_RNG
3.2
V
VBUS 上的电压
输入电压调节范围
REG0x0B/0A()=0x3C80H
18688
10880
4480
mV
–3%
–4%
-5%
REG0x0B/0A()=0x1E00H
REG0x0B/0A()=0x0500H
mV
mV
VDPM_REG_ACC
输入电压调节精度
2.5%
5%
OTG 电流调节
VIOTG_REG_RNG
0
2800
1300
300
81.28 mV
3200 mA
1700 mA
700 mA
OTG 输出电流调节差分电压范围 VIOTG_REG = VACP –VAC
N
REG0x09/08() = 0x3C00H
REG0x09/08() = 0x1E00H
REG0x09/08() = 0x0A00H
3000
1500
500
使用50mA LSB 和10mΩ
ACP/ACN 串联电阻时的OTG 输
出电流调节精度
IOTG_ACC
OTG 电压调节
VOTG_REG_RNG
3
20.8
V
OTG 电压调节范围
VBUS 上的电压
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
REG0x07/06() = 0x23F8H
REG0x34[2] = 0
20.002
12.004
5.002
V
V
V
-2%
-2%
2%
2%
3%
REG0x07/06() = 0x1710H
REG0x34[2] = 1
VOTG_REG_ACC
OTG 电压调节精度
REG0x07/06() = 0x099CH
REG0x34[2] = 1
–3%
基准和缓冲器
REGN 稳压器
REGN 稳压器电压(0mA –
60mA)
VREGN_REG
VVBUS = 10V
5.7
6
6.3
4.6
V
VDROPOUT
VVBUS = 5V，ILOAD = 20mA
3.8
50
4.3
65
V
压降模式下的REGN 电压
IREGN_LIM_Charging
mA
启用转换器时的REGN 电流限制 VVBUS = 10V，强制VREGN =4V
需要REGN 输出电容器来实现稳
ILOAD = 100µA 至50mA
定性
CREGN
2.2
1
µF
µF
需要REGN 输出电容器来实现稳
ILOAD = 100µA 至50mA
定性
CVDDA
静态电流
VBAT = 18V，REG0x01[7] = 1，
在低功耗模式下
22
45
µA
µA
VBAT = 18V，REG0x01[7] = 1，
REG0x31[5] = 1，REGN 关闭
125
195
由电池供电的系统。BATFET 开
启。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2
ISW1 + IBTST1 + IACP + IACN
IVBUS + IVSYS
+
VBAT = 18V，REG0x01[7] = 0，
REG0x31[4] = 0，REGN 开启，
DIS_PSYS
IBAT_BATFET_ON
+
880
980
1170
1270
µA
µA
VBAT = 18V，REG0x01[7] = 0，
REG0x31[4] = 1，REGN 开启，
EN_PSYS
降压模式下PFM 期间的输入电
流，无负载，IVBUS + IACP + IACN
VIN = 20V，VBAT = 12.6V，3s，
REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg =
4nC
IAC_SW_LIGHT_buck
IAC_SW_LIGHT_boost
IAC_SW_LIGHT_buckboost
2.2
2.7
2.4
mA
mA
mA
+ IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1
IBTST + ISW2 + IBTST2
+
升压模式下PFM 期间的输入电
流，无负载，IVBUS + IACP + IACN
VIN = 5V，VBAT = 8.4V，2s，
REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg =
4nC
+ IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1
IBTST2 + ISW2 + IBTST2
+
降压/升压模式下PFM 期间的输入
VIN = 12V，VBAT = 12V，
REG0x01[2] = 0；MOSFET Qg =
4nC
电流，无负载，IVBUS + IACP
+
IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1
+ IBTST1 + ISW2 + IBTST2
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
VBAT = 8.4V，VBUS = 5V，
800kHz 开关频率，MOSFET Qg
= 4nC
3
4.2
6.2
mA
mA
mA
OTG 模式下PFM 期间的静态电
流IVBUS + IACP + IACN + IVSYS
ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST2 + ISW2
+ IBTST2
VBAT = 8.4V，VBUS = 12V，
800kHz 开关频率，MOSFET Qg
= 4nC
+
IOTG_STANDBY
VBAT = 8.4V，VBUS = 20V，
800kHz 开关频率，MOSFET Qg
= 4nC
VACP/N_OP
VIADPT_CLAMP
IIADPT
3.8
3.1
26
3.3
1
V
V
ACP/ACN 上的电压
输入共模范围
3.2
I
I
ADPT 输出钳位电压
ADPT 输出电流
mA
V(IADPT) / V(ACP-ACN)
REG0x00[4] = 0
，
，
20
40
V/V
V/V
AIADPT
输入电流检测增益
V(IADPT) / V(ACP-ACN)
REG0x00[4] = 1
V(ACP-ACN) = 40.96mV
V(ACP-ACN) = 20.48mV
V(ACP-ACN) =10.24mV
V(ACP-ACN) = 5.12mV
-2%
–3%
–6%
-10%
2%
3%
6%
10%
100
18
VIADPT_ACC
输入电流监控器精度
CIADPT_MAX
VSRP/N_OP
VIBAT_CLAMP
IIBAT
pF
V
IADPT 引脚的最大电容
电池共模范围
2.5
SRP/SRN 上的电压
3.05
3.2
3.3
1
V
IBAT 输出钳位电压
IBAT 输出电流
mA
V(IBAT) / V(SRN-SRP)，REG0x00[3]
= 0，
8
V/V
V/V
IBAT 引脚上的充电和放电电流检
测增益
AIBAT
V(IBAT) / V(SRN-SRP)，REG0x00[3]
= 1，
16
V(SRN-SRP) = 40.96mV
V(SRN-SRP) = 20.48mV
V(SRN-SRP) =10.24mV
V(SRN-SRP) = 5.12mV
-2%
–4%
–7%
-15%
2%
4%
IBAT 引脚上的充电和放电电流监
控器精度
IIBAT_CHG_ACC
7%
15%
100
CIBAT_MAX
pF
IBAT 引脚处的最大电容
系统功率检测放大器
VPSYS
0
0
3.3
V
PSYS 输出电压范围
PSYS 输出电流
IPSYS
160
µA
V(PSYS) / (P(IN) +P(BAT))，
REG0x31[1] = 1
APSYS
1
µA/W
PSYS 系统增益
仅适用于系统电源= 19.5V /
45W、TA = -40°C 至85°C 的适配
器
4%
–4%
VPSYS_ACC
PSYS 增益精度(REG0x31[1] = 1)
PSYS 钳位电压
仅适用于系统电源= 11V / 44W、
TA = -40°C 至85°C 的电池
3%
3.3
–3%
VPSYS_CLAMP
3
V
V
比较器
VBUS 欠压锁定比较器
VVBUS_UVLOZ
2.30
2.55
2.80
VBUS 欠压上升阈值
VBUS 上升
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
VVBUS_UVLO
2.18
2.40
150
3.5
2.62
V
mV
V
VBUS 欠压下降阈值
VBUS 下降
VVBUS_UVLO_HYST
VVBUS_CONVEN
VVBUS_CONVENZ
VVBUS_CONVEN_HYST
VBUS 欠压迟滞
3.2
2.9
3.9
3.5
VBUS 转换器使能上升阈值
VBUS 转换器使能下降阈值
VBUS 转换器使能迟滞
VBUS 上升
VBUS 下降
3.2
V
400
mV
电池欠压锁定比较器
VVBAT_UVLOZ
2.35
2.2
2.55
2.4
2.75
2.6
V
V
VBAT 欠压上升阈值
VBAT 欠压下降阈值
VBAT 欠压迟滞
VSRN 上升
VSRN 下降
VVBAT_UVLO
VVBAT_UVLO_HYST
VVBAT_OTGEN
150
3.55
2.4
mV
V
3.25
2.2
3.85
2.6
VBAT OTG 使能上升阈值
VBAT OTG 使能下降阈值
VBAT OTG 使能迟滞
VSRN 上升
VSRN 下降
VVBAT_OTGENZ
V
VVBAT_OTGEN_HYST
VBUS 欠压比较器（OTG 模式）
VVBUS_OTG_UV
1100
mV
85
7
%
VBUS 欠压下降阈值
以REG0x07/06() 的百分比表示
以REG0x07/06() 的百分比表示
tVBUS_OTG_UV
ms
VBUS 欠压抗尖峰脉冲时间
VBUS 过压比较器（OTG 模式）
VVBUS_OTG_OV
110
10
%
VBUS 过压上升阈值
tVBUS_OTG_OV
ms
VBUS 过压抗尖峰脉冲时间
预充电到快速充电转换
LDO 模式至快速充电模式阈值，
VSRN 上升
VBAT_SYSMIN_RISE
VBAT_SYSMIN_FALL
VBAT_SYSMIN_HYST
98
100
97.5
2.5
102
%
%
%
以0x0D/0C() 的百分比表示
以0x0D/0C() 的百分比表示
以0x0D/0C() 的百分比表示
LDO 模式至快速充电模式阈值，
VSRN 下降
快速充电模式至LDO 模式阈值迟
滞
电池LOWV 比较器（1S 的预充电至快速充电阈值）
VBATLV_FALL
1s
2.8
3
V
V
BATLOWV 下降阈值
BATLOWV 上升阈值
BATLOWV 迟滞
VBATLV_RISE
VBATLV_RHYST
200
mV
输入过压比较器(ACOVP)
VACOV_RISE
25
26
24.5
1.5
100
1
27
25
V
V
VBUS 过压上升阈值
VBUS 欠压下降阈值
VBUS 过压迟滞
VBUS 上升
VBUS 下降
VACOV_FALL
23.5
VACOV_HYST
V
tACOV_RISE_DEG
tACOV_FALL_DEG
输入过流比较器(ACOC)
µs
ms
VBUS 抗尖峰脉冲过压上升
VBUS 抗尖峰脉冲过压下降
VBUS 转换器上升到停止转换器
VBUS 转换器下降以启动转换器
ACP 至ACN 上升阈值，基准为
REG0x37[7:4] 中的ILIM2
输入检测电阻两端的电压上升，
REG0x32[2] = 1
VACOC
1.8
2
2.2
VACOC_FLOOR
44
50
180
250
250
56 mV
188 mV
µs
在ACP 和ACN 之间进行测量
在ACP 和ACN 之间进行测量
上升抗尖峰脉冲时间
放松时间
将IDPM 设置为最小值
VACOC_CEILING
172
将IDPM 设置为最大值
tACOC_DEG_RISE
tACOC_RELAX
触发ACOC 的抗尖峰脉冲时间
转换器再次启动之前的放松时间
ms
系统过压比较器(SYSOVP)
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
1s
4.85
11.7
19
5
12
5.1
12.2
20
V
V
V
V
V
V
VSYSOVP_RISE
2s
关闭转换器的系统过压上升阈值
系统欠压下降阈值
3s，4s
1s
19.5
4.8
VSYSOVP_FALL
2s
11.5
19
3s，4s
触发SYSOVP 停止开关时的放电
电流
ISYSOVP
20
mA
在SYS 上
BAT 过压比较器(BATOVP)
VBATOVP_RISE
过压上升阈值占REG0x05/04() 中
VBAT_REG 的百分比
1s，4.2V
2s - 4s
1s
102.5
102.5
100
104
104
102
102
2
106
105
104
103
%
%
%
%
%
过压下降阈值占REG0x05/04() 中
VBAT_REG 的百分比
VBATOVP_FALL
2s - 4s
1s
100
过压迟滞占REG0x05/04() 中
VBAT_REG 的百分比
VBATOVP_HYST
2s - 4s
2
%
IBATOVP
20
mA
BATOVP 期间的放电电流
在VSYS 引脚上
关闭BATDRV 以禁用充电的过压
上升抗尖峰脉冲
tBATOVP_RISE
20
ms
转换器过流比较器(Q2)
REG0x32[5] = 1
REG0x32[5] = 0
REG0x32[5] = 1
REG0x32[5] = 0
150
210
45
mV
mV
mV
mV
VOCP_limit_Q2
转换器过流限制
VOCP_limit_SYSSHORT_Q2
转换器过流比较器(ACX)
VOCP_limit_ACX
系统短路或SRN < 2.4V
60
REG0x32[4] = 1
REG0x32[4] = 0
REG0x32[4] = 1
REG0x32[4] = 0
150
280
90
mV
mV
mV
mV
转换器过流限制
VOCP_limit_SYSSHORT_ACX
系统短路或SRN < 2.4V
150
热关断比较器
TSHUT_RISE
TSHUTF_FALL
TSHUT_HYS
tSHUT_RDEG
tSHUT_FHYS
155
135
20
°C
°C
°C
µs
ms
热关断上升温度
温度升高
温度降低
热关断下降温度
热关断迟滞
100
12
热抗尖峰脉冲关断上升
热抗尖峰脉冲关断下降
VSYS PROCHOT 比较器
REG0x36[7:4] = 0111，2s - 4s
REG0x36[7:4] = 0100，1s
REG0x36[3:2] = 10，2s - 4s
REG0x36[3:2] = 10，1s
6.6
3.5
6.5
3.5
4
V
V
VSYS_TH1
VSYS_TH1 比较器下降阈值
V
VSYS_TH2
VSYS_TH2 比较器下降阈值
V
tSYS_PRO_falling_DEG
µs
用于节流的VSYS 下降抗尖峰脉冲
ICRIT PROCHOT 比较器
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
用于节流的输入电流上升阈值以比
ILIM2 (REG0x37[7:3]) 高10% 表 仅当ILIM2 设置高于2A 时
示
VICRIT_PRO
105
110
117
%
INOM PROCHOT 比较器
VINOM_PRO
INOM 上升阈值以比IIN
(REG0x0F/0E()) 高10% 表示
105
110
116
%
IDCHG PROCHOT 比较器
6272
mA
%
VIDCHG_PRO
独立比较器
VINDEP_CMP
REG0x39[7:2] = 001100
IDSCHG 6A 节流的IDCHG 阈值
95
103
1.17
2.27
1.2
2.3
1.23
2.33
V
V
REG0x30[7] = 1，CMPIN 下降
REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降
REG0x30[7] = 0，CMPIN 下降
独立比较器阈值
独立比较器迟滞
VINDEP_CMP_HYS
功率MOSFET 驱动器
PWM 振荡器和斜坡
FSW
100
mV
REG0x01[1] = 0
REG0x01[1] = 1
1020
680
1200
800
1380 kHz
920 kHz
PWM 开关频率
BATFET 栅极驱动器(BATDRV)
VBATDRV_ON
8.5
2.5
10
30
11.5
V
BATFET 上的栅极驱动电压
理想二极管运行期间BATFET 上
的漏源电压
VBATDRV_DIODE
RBATDRV_ON
RBATDRV_OFF
mV
通过向BATDRV 提供10µA 电流
进行测量
4
6
kΩ
kΩ
通过从BATDRV 灌入10µA 电流
进行测量
1.2
2.1
PWM 高侧驱动器(HIDRV Q1)
RDS_HI_ON_Q1
VBTST1 - VSW1 = 5V
VBTST1 - VSW1 = 5V
6
高侧驱动器(HSD) 导通电阻
Ω
Ω
RDS_HI_OFF_Q1
1.3
2.2
4.6
高侧驱动器关断电阻
当请求低侧刷新脉冲时VBTST1
VSW1
-
VBTST1_REFRESH
3.2
3.1
3.7
V
自举刷新比较器下降阈值电压
PWM 高侧驱动器(HIDRV Q4)
RDS_HI_ON_Q4
VBTST2 - VSW2 = 5V
VBTST2 - VSW2 = 5V
6
高侧驱动器(HSD) 导通电阻
Ω
Ω
RDS_HI_OFF_Q4
1.5
2.4
4.5
高侧驱动器关断电阻
当请求低侧刷新脉冲时VBTST2
VSW2
-
VBTST2_REFRESH
3.7
V
自举刷新比较器下降阈值电压
PWM 低侧驱动器(LODRV Q2)
RDS_LO_ON_Q2
VBTST1 - VSW1 = 5.5V
VBTST1 - VSW1 = 5.5V
6
低侧驱动器(LSD) 导通电阻
Ω
Ω
RDS_LO_OFF_Q2
1.7
2.6
4.6
低侧驱动器关断电阻
PWM 低侧驱动器(LODRV Q3)
RDS_LO_ON_Q3
VBTST2 - VSW2 = 5.5V
VBTST2 - VSW2 = 5.5V
7.6
2.9
低侧驱动器(LSD) 导通电阻
Ω
Ω
RDS_LO_OFF_Q3
低侧驱动器关断电阻
充电使能期间的内部软启动
SSSTEP_DAC
64
8
mA
µs
软启动步长
SSSTEP_DAC
软启动步长时间
集成BTST 二极管(D1)
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8.5 电气特性(continued)
测试条件为：TJ = -40°C 至125°C（除非另有说明）
参数
测试条件
25°C 时IF = 20mA
最小值 典型值 最大值 单位
VF_D1
0.8
V
V
正向偏置电压
VR_D1
20
25°C 时IR = 2µA
反向击穿电压
集成BTST 二极管(D2)
VF_D2
0.8
V
V
25°C 时IF = 20mA
25°C 时IR = 2µA
正向偏置电压
VR_D2
20
反向击穿电压
接口
逻辑输入（SDA、SCL、OTG/VAP）
VIN_ LO
VIN_ HI
I2C
I2C
0.4
V
V
输入低阈值
输入高阈值
1.3
-1
逻辑输出开漏（SDA、CHRG_OK、CMPOUT）
VOUT_LO
0.4
1
V
5mA 漏极电流
输出饱和电压
VOUT_ LEAK
V = 7V
µA
漏电流
逻辑输出开漏SDA
VOUT_ LO_SDA
0.4
1
V
5mA 漏极电流
输出饱和电压
漏电流
VOUT_ LEAK_SDA
V = 7V
-1
µA
逻辑输出开漏CHRG_OK
VOUT_ LO_CHRG_OK
VOUT_ LEAK _CHRG_OK
逻辑输出开漏CMPOUT
VOUT_ LO_CMPOUT
VOUT_ LEAK _CMPOUT
逻辑输出开漏(PROCHOT)
VOUT_ LO_PROCHOT
VOUT_ LEAK_PROCHOT
模拟输入(ILIM_HIZ)
VHIZ_ LO
0.4
1
V
5mA 漏极电流
输出饱和电压
漏电流
V = 7V
-1
µA
0.4
1
V
5mA 漏极电流
输出饱和电压
漏电流
V = 7V
-1
µA
300 mV
50Ω上拉至1.05V/5mA
输出饱和电压
漏电流
V = 5.5V
-1
1
µA
0.8
V
V
退出HIZ 模式的电压
启用HIZ 模式的电压
ILIM_HIZ 引脚上升
ILIM_HIZ 引脚下降
VHIZ_ HIGH
0.4
模拟输入(CELL_BATPRESZ)
REGN 的REGN = 6V，以百分比
形式表示
VCELL_4S
VCELL_3S
VCELL_2S
VCELL_1S
4S
3S
2S
1S
68.4
51.7
35
75
55
40
25
%
%
%
%
REGN 的REGN = 6V，以百分比
形式表示
65
49.1
31.6
REGN 的REGN = 6V，以百分比
形式表示
REGN 的REGN = 6V，以百分比
形式表示
18.4
18
VCELL_BATPRESZ_RISE
VCELL_BATPRESZ_FALL
%
%
CELL_BATPRESZ 上升
CELL_BATPRESZ 下降
存在电池
15
电池被移除
8.6 时序要求
最小值
标称值
最大值
单位
I2C 时序特性
tr
300
ns
SCLK/SDATA 上升时间
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8.6 时序要求(continued)
最小值
标称值
最大值
单位
tf
300
ns
SCLK/SDATA 下降时间
SCLK 脉冲宽度高电平
tW(H)
0.6
1.3
0.6
0.6
100
300
0.6
1.3
10
50
µs
µs
µs
µs
ns
tW(L)
SCLK 脉冲宽度，低电平
START 条件的建立时间
START 条件保持时间，在此时间之后生成第一个时钟脉冲
数据设置时间
tSU(STA)
tH(STA)
tSU(DAT)
tH(DAT)
tSU(STOP)
t(BUF)
ns
数据保持时间
µs
µs
kHz
STOP 条件的建立时间
START 和STOP 条件之间的总线空闲时间
时钟频率
FS(CL)
400
35
主机通信故障
I2C 总线释放超时(1)
ttimeout
25
10
4
ms
ms
s
tDeg_WD
针对看门狗复位信号的抗尖峰脉冲
看门狗超时周期，ChargeOption() 位[14:13] = 01(2)
看门狗超时周期，ChargeOption() 位[14:13] = 10(2)
看门狗超时周期，ChargeOption() 位[14:13] = 11(2)
5.5
88
7
105
210
tWDI
70
140
s
175
s
(1) 如有任何时钟低电平超过25ms 最小超时周期时，则参与传输的器件将超时。检测到超时条件的器件必须在不晚于35ms 的最大超时周
期内复位通信。主器件和从器件都必须遵守指定的最大值，因为它包含主器件(10ms) 和从器件(25ms) 的累积拉伸限制。
(2) 用户可通过I2C ChargeOption() REG0x01/00() 调整阈值。
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8.7 典型特性
90
90
85
80
75
70
65
60
85
80
75
70
65
60
VOUT = 6.1 V
VOUT = 8.4 V
VOUT = 9.2 V
VOUT = 12.5 V
VOUT = 6.1 V
VOUT = 8.4 V
VOUT = 9.2 V
VOUT = 12.5 V
0
0
0
0.01
0.02 0.03
Output Current (A)
0.04
0.05
0
0
0
0.01
0.02 0.03
Output Current (A)
0.04
0.05
D001
D001
VIN = 5V
VIN = 12V
图8-1. 轻负载效率
图8-2. 轻负载效率
90
85
80
75
70
65
60
96
94
92
90
88
86
84
82
80
VOUT = 6.1 V
VOUT = 8.4 V
VOUT = 9.2 V
VOUT = 12.5 V
VOUT = 3.7 V
VOUT = 7.4 V
VOUT = 11.1 V
VOUT = 14.8 V
0.01
0.02 0.03
Output Current (A)
0.04
0.05
1
2
3
Output Current (A)
4
5
6
D001
D001
VIN = 20 V
VIN = 5V
图8-3. 轻负载效率
图8-4. 系统效率
98
96
94
92
90
88
86
84
82
80
98
96
94
92
90
88
86
84
82
80
VOUT = 3.7 V
VOUT = 7.4 V
VOUT = 11.1 V
VOUT = 14.8 V
VOUT = 3.7 V
VOUT = 7.4 V
VOUT = 11.1 V
VOUT = 14.8 V
1
2
3
Output Current (A)
4
5
6
1
2
3
Output Current (A)
4
5
6
D001
D001
VIN = 9 V
VIN = 12V
图8-5. 系统效率
图8-6. 系统效率
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8.7 典型特性(continued)
98
96
94
92
90
88
86
84
82
80
96
94
92
90
88
86
84
82
80
VOTG = 5 V
VOTG = 12 V
VOTG = 20 V
VOUT = 3.7 V
VOUT = 7.4 V
VOUT = 11.1 V
VOUT = 14.8 V
0
1
2
3
Output Current (A)
4
5
6
0
1
2
Output Current (A)
3
4
5
D001
D001
图8-8. 使用1 节电池时的OTG 效率
VIN = 20 V
图8-7. 系统效率
96
94
92
90
88
86
84
82
80
98
96
94
92
90
88
86
84
82
80
VOTG = 5 V
VOTG = 12 V
VOTG = 20 V
VOTG = 5 V
VOTG = 12 V
VOTG = 20 V
0
1
2
3
Output Current (A)
4
5
6
0
1
2
3
Output Current (A)
4
5
6
D001
D001
图8-9. 使用2 节电池时的OTG 效率
图8-10. 使用3 节电池时的OTG 效率
98
96
94
92
90
88
86
84
82
VOTG = 5 V
VOTG = 12 V
VOTG = 20 V
80
0
1
2
3
Output Current (A)
4
5
6
D001
图8-11. 使用4 节电池时的OTG 效率
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9 详细说明
9.1 概述
BQ25713/BQ25713B 是一款窄 VDC 降压/升压充电器控制器，适用于笔记本电脑、可拆卸笔记本、超极本、平板
电脑和其他带可充电电池的移动设备等便携式电子产品。它可在不同的转换器运行模式（降压、升压或降压/升
压）之间无缝转换，提供快速瞬态响应和较高的轻负载效率。
BQ25713/BQ25713B 支持多种电源，包括USB PD 端口、传统USB 端口、传统交流/直流适配器等。它的输入电
压为 3.5V 至 24V，可为 1-4 节串联电池充电。在无输入源的情况下，BQ25713/BQ25713B 支持 1-4 节电池的
USB On-the-Go (OTG) 功能，在 USB 端口生成具有 8mV 分辨率的 3V 至 20.8V 可调电压。OTG 输出电压转换
压摆率是可配置的，这符合USB Power Delivery 3.0 PPS 规范。
仅当通过电池为系统供电且 USB OTG 端口未连接外部负载时，BQ25713/BQ25713B 提供 Vmin 主动保护 (VAP)
特性。在 VAP 运行期间，BQ25713/BQ25713B 首先对输入去耦电容器进行充电，使其电压达到 VBUS，以存储
一定的能量。在系统峰值功率尖峰期间，大量电流从电池流出，导致从电池到系统的阻抗出现较大压降。然后，
存储在输入电容器中的能量会为系统补电，从而防止在系统电压下降到最低系统电压之下时出现系统黑屏。该
VAP 设计用于在高需求期间吸收系统功率峰值，以提高系统涡轮性能，Intel 强烈建议为具有 1 至2 节串联电池的
平台配备此特性。
BQ25713/BQ25713B 具有动态电源管理 (DPM) 功能，可限制输入功率并避免交流适配器过载。在电池充电期
间，随着系统功耗的增加，充电电流将降低，以便保持总输入电流低于适配器额定值。如果系统功耗需求暂时超
过适配器额定值，则 BQ25713/BQ25713B 支持 NVDC 架构，让电池释放能量来补充系统电力。有关详细信息，
请参阅节9.6.5.1。
为了与符合 Intel IMVP8/IMVP9 标准的系统兼容，BQ25713/BQ25713B 包含 PSYS 功能，可监测适配器和电池
的平台总功率。除了 PSYS 之外，该器件还提供独立的输入电流缓冲器 (IADPT) 和具有高精度电流检测放大器的
电池电流缓冲器 (IBAT)。如果平台功率超过适配器和电池的可用功率，则系统会向 CPU 发出 PROCHOT 信号，
以便CPU 根据系统的可用功率优化其性能。
I2C 通过高分辨率、高精度调节限制来控制输入电流、充电电流和充电电压寄存器。它还设置 PROCHOT 时序和
阈值曲线来满足系统要求。
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9.2 功能模块图
4
CHRG_OK
CHRG_OK_DRV
50ms Rising
Deglitch
BQ25713/BQ25713B Block Diagram
** programmable in register
EN_REGN
50ms Rising
Deglitch
3.9V
1
VBUS
VREF_CMP**
CMP_DEG**
14
CMPIN
ACOVP
CMPOUT
15
26V
VREF_VDPM or VREF_VOTG
VSNS_VDPM or VSYS_VOTG
COMP1
COMP2
16
17
EN_HIZ
VREF_ILIM
6
Decoder
ILIM_HIZ
VSYS
VREF_IDPM, or VREF_IOTG
2
3
ACP
ACN
LDO Mode
Gate Control
VSNS_IDPM, or VSNS_IOTG
21
BATDRV
BTST1
20X**
VSYS-10V
IADPT
IBAT
8
9
VSNS_ICHG
30
VSNS_IDCHG
31 HIDRV1
32 SW1
Loop Selector
and
Error Amplifier
16X
PWM
VDDA
7
VREF_ICHG
VSNS_ICHG
REGN
28
SRP
EN_REGN
20
REGN
LDO
20X**
SRN 19
EN_HIZ
EN_LEARN
EN_LDO
VREF_VBAT
VSNS_VBAT
EN_CHRG
EN_OTG
29 LODRV1
PWM Driver
Logic
27
PGND
22
VREF_VSYS
VSNS_VSYS
VSYS
25 BTST2
24
23
HIDRV2
SW2
VSNS_VSYS
VSNS_VBAT
VSNS_ICHG
ACN
(ACP-ACN)
SRN
Over Current
Over Voltage
Detect
10
PSYS
VSNS_IDCHG
VSNS_IDPM
VSNS_VDPM
(SRN-SRP)
26 LODRV2
EN_HIZ
EN_LEARN
EN_LDO
EN_CHRG
EN_OTG
BATPRESZ
CELL_CONFIG
SDA
12
SMBUS/I2C Interface
Decoder
18 CELL_BATPRESZ
ChargeOption0()
ChargeOption1()
ChargeOption2()
ChargeCurrent()
ChargeVoltage()
InputCurrent()
VREF_VSYS
SCL 13
VREF_VBAT
VREF_ICHG
VREF_IDPM
VREF_VDPM
VREF_IOTG
VREF_VOTG
InputVoltage()
IADPT
IBAT
Loop Regulation
Reference
MinSysVoltage()
OTGVoltage()
OTGCurrent()
OTG/VAP
5
Processor
Hot
11
PROCHOT
VSYS
CHRG_OK
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9.3 特性说明
9.3.1 从不带直流电源的电池上电
如果仅存在电池且电压高于 VVBAT_UVLOZ，则 BATFET 导通并将电池连接到系统。默认情况下，充电器处于低功
耗模式 (REG0x01[7] = 1) 且静态电流极低。LDO 保持关闭状态。当器件进入性能模式 (REG0x01[7] = 0) 时，主
机可通过 I2C 启用 IBAT 缓冲器来监测放电电流。主机也可通过 I2C 命令启用 PSYS、PROCHOT 或独立比较
器。在性能模式下，始终可以使用REGN LDO 为其他特性提供精确的基准。
9.3.2 仅电池模式下的Vmin 主动保护(VAP)
在VAP 模式运行期间，降压/升压充电器从电池输送能量，以便为输入去耦电容器 (VBUS) 充电，使其电压尽可能
高（如 20V）。如果 SoC 和主板系统尖峰重合，则 2S1P 或 1S2P 系统的系统峰值功率脉冲可高达 100W。这些
尖峰预计非常罕见，但还是有可能出现。在这些高功率尖峰期间，充电器应对电池进行补充（从充电器的输入去
耦电容器汲取能量），以防止系统电压下降。VAP 允许 SoC 为 SoC 设置高得多的峰值功率级别，从而提供更好
的涡轮性能。
按照以下步骤进入VAP 运行模式：
1. 在REG0x07/06() 中设置电压限制，为VBUS 充电。
2. 在REG0x09/08() 和REG0x39[7:2] 中设置电流限制，为VBUS 充电。
3. 在REG0x0D[5:0] 中设置系统电压调节点，当输入电容补充电池时，VSYS_MIN 调节环路将在该调节点保持
VSYS。
4. 在REG0x36[7:4] 中设置PROCHOT_VSYS_TH1 阈值，触发VAP 将VBUS 放电。
5. 在REG0x36[3:2] 中设置PROCHOT_VSYS_TH2 阈值，将节流SoC 的/PROCHOT 低电平有效信号置为有
效。
6. 启用VAP 模式，方法是设置REG0x34[5] = 0、REG0x35[4] = 0 并将OTG/VAP 引脚拉至高电平。
要退出VAP 模式，主机应写入REG0x34[5] = 1 或将OTG/VAP 引脚拉至低电平。
任何处于VAP 模式的充电器常规故障条件都将复位REG0x34[5] = 1，充电器将自动退出VAP 模式。
9.3.3 从直流电源上电
当输入源插入时，充电器会检查输入源电压以开启 LDO 和所有偏置电路。它会在转换器启动前设置输入电流限
制。
直流电源的上电顺序如下：
1. VBUS 高于VVBUS_CONVEN 之后50ms，启用6V LDO 并且CHRG_OK 变为高电平
2. 在VBUS 首次升至高于VVBUS_UVLOZ 后50ms 执行VBUS 认证。如果
VVBUS_UVLOZ < VBUS < VVBUS_CONVEN，则充电器未通过VBUS 认证，充电器将每隔2s 重新验证一次
VBUS。
3. 输入电压和电流限制设置
4. 电池电芯配置
5. VBUS 高于VVBUS_CONVEN 之后150ms，转换器上电。
9.3.3.1 CHRG_OK 指示器
CHRG_OK 是一个高电平有效开漏指示器。当满足以下条件时，它指示充电器处于正常工作状态：
• VBUS 高于VVBUS_CONVEN
• VBUS 低于VACOV
• 无MOSFET/电感器或过压、过流、热关断故障
9.3.3.2 输入电压和电流限制设置
在 CHRG_OK 变为高电平后，充电器会将 REG0x0F/0E() 中的默认输入电流限制设置为 3.25A。器件采用的实际
输入电流限制是REG0x0F/0E() 和ILIM_HIZ 引脚的较低设置。
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在启用转换器之前，充电器会在没有任何负载（空载时的 VBUS）的情况下启动 VBUS 电压测量。VBUS 空载时
的默认VINDPM 阈值为1.28V。
设置输入电流和电压限值后，充电器器件准备加电。在充电器加电后，主机始终可以根据输入源类型对输入电流
和电压限制进行编程。
9.3.3.3 电池电芯配置
CELL_BATPRESZ 引脚通过从 REGN 至 CELL_BATPRESZ 至 GND 的电阻分压器进行偏置。激活 VDDA LDO
后，器件会通过CELL_BATPRESZ 引脚偏置电压检测电池配置。有关电芯设置阈值，请参阅表9-1。
表9-1. 电池电芯配置
SYSOVP
19.5 V
19.5 V
12V
引脚电压，以VDDA 为基准
电池电压(REG0x05/04)
电芯数
4S
75%
55%
40%
25%
16.800 V
3S
12.592 V
2S
8.400 V
1S
4.192 V
5V
9.3.3.4 器件高阻态状态
当 ILIM_HIZ 引脚电压低于 0.4V 或 REG0x35[7] 设置为 1 时，充电器进入高阻态模式。在高阻态模式下，输入源
存在，并且充电器处于低静态电流模式，同时启用了REGN LDO。
9.3.4 USB On-The-Go (OTG)
该器件支持 USB OTG 运行，可通过 USB 端口从电池向其他便携式器件供电。在 REG0x07/06() 中设置 OTG 模
式输出电压。在REG0x09/08() 中设置OTG 模式输出电流。如果条件有效，则可以启用OTG 操作：
• 有效电池电压在REG0x05/04() 中设置，该电池电压不应触发BATOVP 阈值，否则转换器将停止开关。
• OTG 输出电压在REG0x07/06() 和REG0x34[2] 中设置，如果REG0x34[2] = 0，则VOTG 数字DAC 偏移
1.28V，以实现4.28V 至20.8V 的更大范围，如果REG0x34[2] = 1，则VOTG 数字DAC 的范围为3V 至
19.52V。
• OTG 输出电流在REG0x09/08() 中设置。
• EN_OTG 引脚为高电平，REG0x35[4] = 1 且REG0x34[5] = 1。
• VBUS 低于VVBUS_CONVENZ
。
• 上述条件有效后的10ms，转换器启动，VBUS 斜升至目标电压。如果REG0x01[3] = 1，则CHRG_OK 引脚
变为高电平。
9.3.5 转换器运行
充电器采用同步降压/升压转换器，这允许从标准 5V 电源或高压电源进行充电。充电器以降压、降压/升压和升压
模式运行。降压/升压可跨三种工作模式不间断地连续运行。
表9-2. MOSFET 运行
MODE
Q1
BUCK
BUCK-BOOST
升压
打开
OFF
开关
开关
OFF
开关
Q2
开关
Q3
开关
开关
开关
Q4
打开
开关
9.3.5.1 通过IADPT 引脚检测电感
在转换器启动之前，充电器通过连接到 IADPT 引脚的电阻读取电感值。1uH、2.2uH、3.3uH 电感的推荐阻值分
别为93kΩ、137kΩ和169kΩ。必须使用容差为±3% 或更高的表面贴装芯片电阻器来实现精确的电感检测。
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表9-3. 通过IADPT 电阻进行电感器检测
IADPT 引脚上的电阻
使用中的电感器
1µH
93kΩ
2.2 µH
137kΩ
3.3µH
169kΩ
9.3.5.2 连续导通模式(CCM)
在具有足够的充电电流或系统电流的情况下，电感器电流不会超过 0A，这定义为 CCM。控制器开始一个新的周
期，斜坡从200mV 上升。只要误差放大器输出电压高于斜坡电压，高侧MOSFET (HSFET) 就会保持导通状态。
当斜坡电压超过误差放大器输出电压时，HSFET 关断，低侧 MOSFET (LSFET) 导通。在周期结束时，斜坡会复
位且 LSFET 关断，为下一个周期做好准备。在转换过程中始终存在先断后合逻辑，以防止跨导和击穿。在两个
MOSFET 均关断的死区时间内，低侧功率MOSFET 的体二极管传导电感器电流。
在 CCM 期间，电感器电流始终流动并形成固定的双极系统。在 HSFET 处于关断状态时使 LSFET 导通，这可保
持较低的功耗，并允许在大电流下安全充电。
9.3.5.3 脉冲频率调制(PFM)
为了提高转换器轻负载效率，BQ25713/BQ25713B 在轻负载时切换到 PFM 运行模式。当系统负载降低时，有效
开关频率将相应降低。启用OOA 特性后（ChargeOption0() 位[10]=1），最小频率可限制为25kHz。
9.3.6 电流和功率监控器
9.3.6.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和IBAT）
作为行业标准，高精度电流检测放大器 (CSA) 用于在正向充电模式期间监测充电器输入电流，或在 OTG 模式
(IADPT) 期间监测输出电流以及电池充电/放电电流 (IBAT)。IADPT 电压是 ACP 和 ACN 两端差分电压的 20 倍或
40 倍。IBAT 电压是SRP 和SRN 两端电压差的 8 倍/16 倍（充电期间）或8 倍/16 倍（放电期间）。输入电压或
电池电压高于 UVLO 后，IADPT 输出变为有效。为了降低电流监控上的电压，可以使用从 CSA 输出到 GND 的
电阻分压器，并且仍然可以实现整个温度范围内的精度。
• V(IADPT) = 20 或40 × (V(ACP) –V(ACN))（在正向模式期间），或20 或40 × (V(ACN) –V(ACP))（在反向OTG
模式期间）。
• V(IBAT) = 8 或16 × (V(SRP) –V(SRN))（对于电池充电电流）。
• V(IBAT) = 8 或16 × (V(SRN) –V(SRP))（对于电池放电电流）。
为了对高频噪声进行去耦，建议在输出端连接一个最大值为 100pF 的电容器。如果需要额外的滤波，则可选择附
加的RC 滤波器。请注意，添加滤波也会增加额外的响应延迟。CSA 输出电压被钳位在3.3V。
9.3.6.2 高精度功率检测放大器(PSYS)
充电器监控系统总功率。在正向模式期间，输入适配器为系统供电。在反向 OTG 模式下，电池为系统和 VBUS
输出供电。PSYS 引脚输出电流与系统总功率之比 KPSYS 可被设定为 REG0x31[1]，默认值为 1μA/W。在
REG0x31[3:2] 中选择输入和充电检测电阻（RAC 和 RSR）。PSYS 电压可通过方程式 1 计算得出，其中当充电
器在连接适配器的情况下正向充电时，IIN>0 IBAT<0，当电池处于放电模式时IBAT>0。
VPSYS = RPSYS ìKPSYS(VACP ìIIN + VBAT ìIBAT
)
(1)
为确保PSYS 功能正常，RAC 和RSR 值限制在10mΩ和20mΩ。
为了尽可能减小静态电流，默认情况下会禁用PSYS 功能。可通过设置REG0x31[4] = 1 来启用此功能。
9.3.7 输入源动态电源管理
请参阅节9.6.6。
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9.3.8 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
通常，适配器可在几毫秒至几十毫秒内提供高于直流额定值的电流。该充电器采用两级输入电流限制或峰值功率
模式，以充分利用过载能力，并在 CPU 涡轮模式期间尽可能地减少电池放电。在 REG0x33[5:4] 中启用峰值功率
模式。直流电流限制 (ILIM1) 与 REG0x0F/0E() 中设置的适配器直流电流相同。过载电流 (ILIM2) 在 REG0x37[7:3]
中设置为ILIM1 的百分比。
当充电器检测到负载瞬态导致的输入电流浪涌和电池放电（适配器和电池一起支持系统）时，或者当充电器检测
到负载瞬态导致系统电压开始下降（只有适配器支持系统）时，充电器将首先在 REG0x33[7:6] 中为 TOVLD 施加
ILIM2，然后在长达 TMAX –TOVLD 的时间内施加 ILIM1。在REG0x33[1:0] 中对TMAX 进行编程。在TMAX 之后，如
果负载仍处于高电平，则开始另一个峰值下电上电。在TMAX 期间禁用充电；一旦 TMAX 到期，便继续充电。如果
T
OVLD 编程为等于TMAX，则峰值功率模式始终开启。
ICRIT_DEG
ICRIT
ILIM2
ILIM1
TOVLD
TOVLD
TMAX
IBUS
ISYS
IBAT
0A
Ba ery Discharge
PROCHOT_WIDTH
PROCHOT
图9-1. 两级适配器电流限制时序图
9.3.9 处理器热量指示
当CPU 运行涡轮模式时，系统峰值功率可能会超过适配器和电池的可用功率总和。适配器电流和电池放电峰值电
流或系统压降表明系统功耗过高。充电器处理器热量函数会监测这些事件，如果系统功耗过高，则PROCHOT 脉
冲将置为有效。一旦 CPU 从充电器接收到 PROCHOT 脉冲，它就会减慢速度以降低系统功耗。由处理器热量函
数监测的事件包括：
• ICRIT：适配器峰值电流，为ILIM2 的110%
• INOM：适配器平均电流（输入电流限制的110%）
• IDCHG：电池放电电流
• VSYS：VSYS 上的系统电压
• 适配器移除：移除适配器后（CHRG_OK 引脚从高电平变为低电平）
• 电池移除：移除电池后（CELL_BATPRESZ 引脚变为低电平）
• CMPOUT：独立比较器输出（CMPOUT 引脚从高电平变为低电平）
• VDPM：VBUS 低于VINDPM 阈值的80%/90%/100%。
• EXIT_VAP：每当充电器退出VAP 模式时。
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可通过 I2C 对 ICRIT、IDCHG、VSYS 或 VDPM 的阈值以及 ICRIT、INOM、IDCHG 或 CMPOUT 的抗尖峰脉冲
时间进行编程。除了 PROCHOT_EXIT_VAP 始终处于启用状态外，其他触发事件可在 REG0x38[7:0] 中单独启
用。触发 PROCHOT 曲线中的任何已启用事件后，PROCHOT 在单脉冲中被置为低电平，其最小宽度可在
REG0x23[5:4] 中编程。在单脉冲结束时，如果 PROCHOT 事件仍处于活动状态，则脉冲会扩展，直到事件被移
除。
如果通过设置 REG0x23[6] = 1 启用 PROCHOT 脉冲扩展模式，即使触发事件已被移除，PROCHOT 引脚也将保
持低电平，直到主机写入REG0x23[3]21[11] = 0。
如果触发了 PROCHOT_VDPM 或 PROCHOT_EXIT_VAP，则无论 PROCHOT 处于单脉冲模式还是扩展模式，
PROCHOT 引脚都将始终保持低电平，直到主机将其清除。
PP_ICRIT
IADPT
+
ICRIT
Adjustable
Deglitch
EXIT_VAP
(triggered by IN_VAP
falling edge)
Low Pass
Filter
VDD
PP_INOM
+
INOM
PP_IDCHG
IDCHG
PROCHOT
+
IDCHG_VTH
VSYS_VTH
< 0.3V
10ms
Debounce
PP_VSYS
+
V_SRP
≥ 10ms
Fixed
Deglitch
PP_VDPM
A*VDPM
+
VBUS
PP_ACOK
CHRG_OK
(one shot on pin falling edge)
PP_CMP
PP_BATPRES
CMPOUT
CELL_BATPRESZ
(one shot on pin falling edge)
图9-2. PROCHOT 曲线
9.3.9.1 低功耗模式期间的PROCHOT
在低功耗模式 (REG0x01[7] = 1) 期间，充电器提供一个具有极低静态电流消耗 (~150μA) 的低功耗 PROCHOT
函数，该函数使用独立比较器来监测系统电压，并在系统功耗过高时向CPU 发出PROCHOT 指令。
下面列出了在低功耗模式下启用PROCHOT 监测系统电压的寄存器设置。
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• REG0x01[7] = 1 可启用充电器低功耗模式。
• REG0x38[7:0] = 00h
• REG0x30[6:4] = 100
• 独立比较器阈值始终为1.2V
• 当REG0x31[5] = 1 时，充电器监测系统电压。将CMPIN 连接到与系统成正比的电压。当CMPIN 电压上升到
1.2V 以上时，PROCHOT 将触发，从高电平变为低电平。
PROCHOT
1.2 V
Independent
Comparator
CMPIN
Voltage îVSYS
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图9-3. PROCHOT 低功耗模式实现
9.3.9.2 PROCHOT 状态
REG0x22[7:0] 和 REG0x23[0] 将报告在相应位设置为 1 的情况下，曲线中的哪个事件会触发 PROCHOT。如果
当前PROCHOT 事件不再处于活动状态，则状态位被主机读取后可复位回0。
假设有两个 PROCHOT 事件：事件 A 和事件 B。事件 A 首先触发 PROCHOT，但事件 B 也处于活动状态。两个
状态位都将为高电平。在10ms PROCHOT 脉冲结束时，如果任何PROCHOT 事件仍处于活动状态（A 或B），
则PROCHOT 脉冲将扩展。
9.3.10 器件保护
9.3.10.1 看门狗计时器
如果充电器在175s 内没有接收到写入MaxChargeVoltage() 或写入ChargeCurrent() 命令（可通过REG0x01[6:5]
进行调节），则充电器包括用于终止充电的看门狗计时器。如果发生看门狗超时，则除了ChargeCurrent() 复位为
零之外， 所有寄存器值都保持不变。电池充电暂停。必须重新发送写入 MaxChargeVoltage() 或写入
ChargeCurrent() 命令，以复位看门狗计时器并恢复充电。写入REG0x01[6:5] = 00 禁用看门狗计时器也会恢复充
电。
9.3.10.2 输入过压保护(ACOV)
充电器具有固定的 ACOV 电压。当 VBUS 引脚电压高于 ACOV 时，它被视为适配器过压。CHRG_OK 将被拉
低，转换器将被禁用。当系统电压低于电池电压时，BATFET 将导通。当VBUS 引脚电压降至 ACOV 以下时，被
认为适配器电压恢复到正常电压。CHRG_OK 由外部上拉电阻器拉高。如果启用条件有效，转换器将恢复。
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9.3.10.3 输入过流保护(ACOC)
如果输入电流超过 ILIM2_VTH (REG0x37[7:3]) 设定值的 1.33× 或 2× (REG0x32[2])，转换器将停止开关。300ms
后，转换器再次开始开关。
9.3.10.4 系统过压保护(SYSOVP)
当转换器启动时，BQ25713/BQ25713B 读取 CELL 引脚配置并设置 MaxChargeVoltage() 和 SYSOVP 阈值（1s
– 5V，2s – 12V，3s/4s – 19.5V）。在主机写入 REGx05/04() 之前，电池配置将随 CELL 引脚电压而变化。
发生 SYSOVP 时，器件会锁存转换器。REG0x20[4] 设置为 1。用户可通过向 SYSOVP 位写入 0 或者通过移除
并重新插入适配器来清除锁存。清除锁存后，转换器再次启动。
9.3.10.5 电池过压保护(BATOVP)
在充电过程中取出电池或用户插入错误的电池时，可能会发生电池过压。BATOVP 阈值为在 REG0x05/04() 中设
置的调节电压的104% (1s) 或102%（2s 至4s）。
9.3.10.6 电池短路
如果BAT 电压在充电期间降至低于SYSMIN，则最大电流限制为384mA。
9.3.10.7 系统短路断续模式
VSYS 引脚正在监测系统电压，当 VSYS 低于 2.4V 时，经过 2ms 抗尖峰脉冲时间后，充电器将关断并持续
500ms。充电器将重启 10ms 并再次测量 VSYS，如果仍低于 2.4V，则充电器将再次关断。系统将持续尝试该断
续模式，如果在90 秒内充电器重启失败 7 次，充电器将被锁存。REG0x20[3] 将设置为 1 以报告系统短路故障。
仅当主机写入REG0x20[3]= 0 时，充电器才可以再次启用。
可通过写入REG0x00[6]= 1 来禁用充电器系统短路断续模式。
9.3.10.8 热关断(TSHUT)
WQFN 封装具有低热阻抗，可提供从器件到环境的良好热传导，从而保持低结温。随着保护等级的增加，只要结
温超过 155°C，充电器转换器就会关闭以实现自我保护。充电器保持关断状态，直到结温降至 135°C 以下。在热
关断期间，LDO 电流限制降至 16mA，REGN LDO 保持关断状态。当温度降至 135°C 以下时，可通过软启动恢
复充电。
9.4 器件功能模式
9.4.1 正向模式
当输入源连接到VBUS 时，BQ25713/BQ25713B 处于正向模式以调节系统和为电池充电。
9.4.1.1 采用窄VDC 架构的系统电压调节
BQ25713/BQ25713B 采用窄 VDC 架构 (NVDC) ， BATFET 将系统与电池分离。最小系统电压由
MinSystemVoltage() 设置。即使电池电量深度耗尽，也可将系统调节至高于最小系统电压。
当电池电压低于最小系统电压设置时，BATFET 以线性模式（LDO 模式）运行。
当电池电压升至高于最小系统电压时，BATFET 在充电或补充模式下完全导通，系统和电池之间的电压差为
BATFET 的VDS。BATFET 关断（无充电或无补充电流）时，系统电压调节为高于电池电压160mV。
BATDRV 引脚只能在Ciss 低于5nF 的情况下驱动电池MOSFET。建议使用1nF 至3nF 范围内的Ciss。
有关系统电压调节和寄存器编程的详细信息，请参阅节9.6.5.1。
9.4.1.2 电池充电
BQ25713/BQ25713B 以恒定电流 (CC) 和恒定电压 (CV) 模式为 1-4 芯电池充电。根据 CELL_BATPREZ 引脚设
置，充电器将默认电池电压 4.2V/芯设置为 ChargeVoltage() 或 REG0x05/04()。根据电池容量，主机将适当的充
电电流编程为 ChargeCurrent() 或 REG0x03/02()。当电池充满或电池未处于良好状态供充电时，主机通过将
REG0x00[0] 设置为1 或将ChargeCurrent() 设置为零来终止充电。
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有关寄存器编程的详细信息，请参阅节9.3。
9.4.2 USB On-The-Go
BQ25713/BQ25713B 支持 USB OTG 功能，可通过 USB 端口从电池向其他便携式器件供电（反向模式）。OTG
输出电压符合 USB PD 规范，包括5V、9V、15V 和20V。输出电流调节符合 USB Type C 规范，包括500mA、
1.5A、3A 和5A。
与正向运行类似，该器件在轻负载时从PWM 运行切换到PFM 运行，以提高效率。
9.4.3 直通模式(PTM)
当系统处于睡眠模式或轻负载条件时，充电器可在直通模式下运行以提高轻负载效率。在 TI 获得专利的直通模式
(PTM) 下，降压和升压高侧 FET 均导通，而降压和升压低侧 FET 均关断。输入功率直接通过充电器传递到系
统。节省了MOSFET 的开关损耗和电感器磁芯损耗。
器件将通过以下方式从正常的降压/升压运行转换为PTM 运行：
• 设置REG0x32[7] = 0，以禁用EN_EXITILIM。
• 设置REG0x31[0] = 1。
• 设置REG0x30[2] = 1。
• 将ILIM_HIZ 引脚接地。
器件将通过以下方式退出具有主机控制功能的PTM 模式：
• 设置REG0x30[2] = 0。
• 将ILIM_HIZ 引脚拉至高电平。
• 如果VINDPM 跳闸，器件将退出PTM 以进行降压/升压操作。
• 在故障条件下，器件将退出PTM 以进行降压/升压操作
9.5 编程
充电器支持使用写入字或读取字协议的电池充电器命令，如节 9.5.1 所述。I2C 地址为 D6h。分配的
ManufacturerID 和DeviceID 寄存器用于识别充电器器件。ManufacturerID 寄存器命令始终返回40h。
9.5.1 I2C 串行接口
BQ25713/BQ25713B 使用与 I2C 兼容的接口，可实现灵活的充电参数编程和瞬时器件状态报告。I2C 是一种双向
2 线制串行接口。只需要两条总线线路：一条串行数据线 (SDA) 和一条串行时钟线 (SCL)。在执行数据传输时，
器件可被视为主器件或从器件。主器件是在总线上发起数据传输并生成时钟信号以允许该传输的器件。此时，任
何被寻址的器件都被视为从器件。
该器件作为地址为 D6H 的从器件运行，通过 REG00-REG3A 接收来自微控制器或数字信号处理器等主器件的控
制输入。I2C 接口支持标准模式（高达100kbit）和快速模式（高达400kbit）。通过电流源或上拉电阻器连接到正
电源电压。当总线空闲时，两条线路都为高电平。SDA 和SCL 引脚为开漏。
9.5.1.1 数据有效性
在时钟的高电平期间，SDA 线上的数据必须保持稳定。数据线的高电平或低电平状态只能在SCL 线上的时钟信号
为低电平时发生变化。为每个已传输的数据位生成一个时钟脉冲。
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SDA
SCL
Data line stable;
Data valid
Change
of data
allowed
图9-4. 在I2C 总线上的位传输
9.5.1.2 START 和STOP 条件
所有事务均以 START (S) 开始，并可由 STOP (P) 终止。当 SCL 为高电平时，SDA 线上从低电平到高电平的转
换将定义START 条件。当SCL 为高电平时，SDA 线上从低电平到高电平的转换定义了STOP 条件。
START 和STOP 条件始终由主器件产生。总线在START 条件之后被视为繁忙状态，在STOP 条件之后被视为空
闲状态。
SDA
SCL
SDA
SCL
STOP (P)
START (S)
图9-5. START 和STOP 条件
9.5.1.3 字节格式
SDA 线上每个字节的长度都必须为 8 位。每次传输所要传输的字节数不受限制。每个数据字节必须后跟一个确认
位。传输数据时，最高有效位 (MSB) 优先。如果从器件在已执行某个其他功能之前，无法接收或发送另外一个完
整的数据字节，则它可以将时钟线 SCL 保持为低电平，以强制主器件进入等待状态（时钟延展）。当从器件准备
好接收另一个数据字节并释放时钟线SCL 时，数据传输将继续。
Acknowledgement
Acknowledgement
signal from receiver
signal from slave
MSB
SDA
S or Sr
1
2
7
8
9
1
2
8
9
P or Sr
SCL
ACK
ACK
START or
Repeated
START
STOP or
Repeated
START
图9-6. I2C 总线上的数据传输
9.5.1.4 确认(ACK) 和否定确认(NACK)
确认会在每个字节之后发生。确认位允许接收器向发送器发送信号，指示已成功接收该字节且可发送另一个字
节。所有时钟脉冲（包括确认第9 个时钟脉冲）均由主器件生成。
发送器在确认时钟脉冲期间释放 SDA 线，因此接收器可以将 SDA 线拉至低电平，并在此时钟脉冲的高电平期间
保持稳定的低电平。
当SDA 在第9 个时钟脉冲期间保持高电平时，这是“否定确认”信号。然后，主器件可以生成 STOP（停止）来
中止传输，或者生成重复的START（开始）来开始新的传输。
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9.5.1.5 从器件地址和数据方向位
在 START 之后，发送从器件地地址。该地址为 7 位长，后跟第八位作为数据方向位（位 R/W）。零表示传输
(WRITE)，一表示数据请求(READ)。
SDA
S
8
9
8
9
8
9
P
SCL
1-7
1-7
1-7
START
ADDRESS
R/W
ACK
DATA
ACK
DATA
ACK
STOP
图9-7. 完整数据传输
9.5.1.6 单独读取和写入
图9-8. 单独写入
图9-9. 单次读取
如果未定义寄存器地址，则充电器IC 发回NACK 并返回到空闲状态。
9.5.1.7 多重读取和多重写入
充电器器件支持多重读取和多重写入。
图9-10. 多重写入
图9-11. 多重读取
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9.5.1.8 写入2 字节I2C 命令
一些I2C 命令将两个8 位寄存器组合在一起，形成一个完整值。这些命令包括：
• ChargeCurrent()
• MaxChargeVoltage()
• IIN_DPM()
• OTGVoltage()
• InputVoltage()
主机必须先写入 LSB 命令，然后再写入 MSB 命令。这两次写入之间不能插入其他命令。充电器等待对两个寄存
器的完整写入，以决定是接受还是忽略新值。
LSB 和 MSB 字节完成后，这两个字节将同时更新。如果主机首先写入 MSB 字节，则会忽略该命令。如果 LSB
和MSB 字节写入之间的时间超过看门狗计时器的时间，则LSB 和MSB 命令都将忽略。
9.6 寄存器映射
表9-4. 充电器命令摘要
I2C ADDR
(MSB/LSB)
寄存器名称
ChargeOption0()
类型
R/W
说明
链接
01/00h
充电选项0
转到
转到
03/02h
05/04h
ChargeCurrent()
R/W
7 位充电电流设置
LSB 64mA，范围：0mA –8128mA
MaxChargeVoltage()
R/W
12 位充电电压设置
转到
LSB 8mV，默认值：1S-4200mV、
2S-8400mV、3S-12600mV、4S-16800mV
31/30h
33/32h
35/34h
37/36h
39/38h
3B/3Ah
21/20h
23/22h
25/24h
ChargeOption1()
ChargeOption2()
ChargeOption3()
ProchotOption0()
ProchotOption1()
ADCOption()
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R
充电选项1
转到
转到
转到
转到
转到
转到
转到
转到
转到
充电选项2
充电选项3
PROCHOT 选项0
PROCHOT 选项1
ADC 选项
ChargerStatus()
ProchotStatus()
IIN_DPM()
充电器状态
R
Prochot 状态
R
使用中的7 位输入电流限制
LSB：50mA，范围：50mA - 6400mA
27/26h
29/28h
2B/2Ah
2D/2Ch
07/06h
ADCVBUS/PSYS()
R
输入电压的8 位数字输出，
系统电源的8 位数字输出
PSYS：完整范围：3.06V，LSB：12mV
VBUS：完整范围：3.2V - 19.52V，LSB 64mV
转到
转到
转到
转到
转到
ADCIBAT()
R
电池充电电流的8 位数字输出，
电池放电电流的8 位数字输出
ICHG：完整范围8.128A，LSB 64mA
IDCHG：完整范围：32.512A，LSB：256mA
ADCIINCMPIN()
ADCVSYSVBAT()
OTGVoltage()
R
输入电流的8 位数字输出，
CMPIN 电压的8 位数字输出
POR 状态- IIN：完整范围：12.75A，LSB 50mA
CMPIN：完整范围3.06V，LSB：12 mV
R
系统电压的8 位数字输出，
电池电压的8 位数字输出
VSYS：完整范围：2.88V - 19.2V，LSB：64mV
VBAT：完整范围：2.88V - 19.2V，LSB 64mV
R/W
12 位OTG 电压设置
LSB 8mV，范围：3000 mV –20800 mV
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表9-4. 充电器命令摘要(continued)
I2C ADDR
(MSB/LSB)
寄存器名称
类型
说明
链接
09/08h
0B/0Ah
0D/0Ch
OTGCurrent()
InputVoltage()
R/W
R/W
R/W
7 位OTG 输出电流设置
LSB 50mA，范围：0A –6350mA
转到
转到
转到
8 位输入电压设置
LSB 64mV，范围：3200 mV –19520 mV
MinSystemVoltage()
6 位最小系统电压设置
LSB：256mV，范围：1024mV - 16182mV
默认值：1S-3.584V、2S-6.144V、3S-9.216V、
4S-12.288V
0F/0Eh
IIN_HOST()
R/W
由主机设置的6 位输入电流限制
转到
LSB：50mA，范围：50mA - 6400mA
2Eh
2Fh
ManufacturerID()
DeviceID()
R
R
制造商ID - 0x0040H
器件ID
转到
转到
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9.6.1 设置充电和PROCHOT 选项
9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（I2C 地址= 01/00h）[复位= E70Eh]
图9-12. ChargeOption0 寄存器（I2C 地址= 01/00h）[复位= E70Eh]
7
6
5
4
3
2
1
0
EN_LWPWR
WDTMR_ADJ
R/W
IDPM_AUTO_
DISABLE
OTG_ON_
CHRGOK
EN_OOA
PWM_FREQ
PTM_LL_EFF
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
7
6
5
4
3
2
1
0
SYS_SHORT
DISABLE
EN_LEARN
IADPT_GAIN
IBAT_GAIN
EN_LDO
EN_IDPM
CHRG_INHIBIT
保留
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-5. ChargeOption0 寄存器（I2C 地址= 01h）字段说明
I2C
01h
字段
类型
复位
说明
7
EN_LWPWR
R/W
1b
低功耗模式启用
0b：禁用低功耗模式。器件处于性能模式，仅使用电池。PROCHOT、电流/功
率监控缓冲器和比较器遵循寄存器设置。
1b：启用低功耗模式。器件处于低功耗模式，仅使用电池，以实现最低静态电
流。LDO 关断。PROCHOT、放电电流监控缓冲器、电源监控缓冲器和独立比
较器被禁用。ADC 在低功耗模式下不可用。可通过将REG0X31()[6] 或[5] 设置
为1 来启用独立比较器。<POR 时的默认值>
6-5
WDTMR_ADJ
11b
读/写
看门狗计时器调节
设置充电电压或充电电流命令的连续I2C 写入之间的最大延迟。
如果器件在看门狗时间段内未收到对REG0x05/04() 或REG0x03/02() 的写入，
则会通过将REG0x03/02() 设置为0mA 来暂停充电器。
到期后，计时器将在写入REG0x03/02()、REG0x05/04() 或REG0x01[6:5] 时
恢复。如果值有效，充电器将恢复。
00b：禁用看门狗计时器
01b：已启用，5 秒
10b：已启用，88 秒
11b：启用看门狗计时器，175 秒<POR 时的默认值>
4
IDPM_AUTO_
DISABLE
R/W
0b
IDPM 自动禁用
当CELL_BATPRESZ 引脚为低电平时，充电器通过将EN_IDPM (REG0x00[1])
设置为0 来自动禁用IDPM 功能。主机稍后可以通过向EN_IDPM 位
(REG0x00[1]) 写入1 来启用IDPM 功能。
0b：禁用此功能。当CELL_BATPRESZ 变为低电平时，不禁用IDPM。<POR
时的默认值>
1b：启用此功能。当CELL_BATPRESZ 变为低电平时，禁用IDPM。
3
2
OTG_ON_
CHRGOK
R/W
R/W
0b
1b
将OTG 添加到CHRG_OK
当器件处于OTG 模式时，将CHRG_OK 驱动为高电平。
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
EN_OOA
Out-of-Audio 启用
0b：PFM 突发频率无限制
1b：将最小PFM 突发频率设置为高于25kHz，以避免音频噪声<POR 时的默
认值>
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I2C
表9-5. ChargeOption0 寄存器（I2C 地址= 01h）字段说明(continued)
字段
类型
复位
说明
01h
1
PWM_FREQ
R/W
1b
开关频率
两个转换器开关频率。一个用于小电感器，另一个用于大电感器。
推荐800kHz 和2.2µH 或3.3µH，以及1.2MHz 和1µH 或1.5µH。主机必须在
器件POR 后设置正确的PWM 频率。
0b：1200 kHz
1b：800kHz <POR 时的默认值>
0
LOW_PTM_
RIPPLE
R/W
1b
PTM 模式输入电压和电流纹波降低
0b：禁用
1b：启用<POR 时的默认值>
表9-6. ChargeOption0 寄存器（I2C 地址= 00h）字段说明
I2C
00h
字段
保留
类型
复位
说明
7
6
R/W
0b
0b
保留
SYS_SHORT_DISABLE R/W
在系统短路保护期间禁用断续模式。
0b：当VSYS 短路至低于2.4V 时，充电器进入断续模式<POR 时的默认值>
1b：在系统短路故障期间禁用充电器断续模式
5
EN_LEARN
R/W
0b
借助LEARN（学习）功能，电池能够在适配器存在时放电。它在一个完整的放
电/充电周期内校准电池电量监测计。当电池电压低于电池电量耗尽阈值时，主
机将系统切换回适配器输入。当CELL_BATPRESZ 引脚为低电平时，器件退出
学习模式并且该位设回为0。
0b：禁用学习模式<POR 时的默认值>
1b：启用学习模式
4
3
2
IADPT_GAIN
IBAT_GAIN
EN_LDO
R/W
R/W
R/W
0b
1b
1b
IADPT 放大器比率
IADPT 上的电压与ACP 和ACN 上的电压之比。
0b：20× <POR 时的默认值>
1b：40×
IBAT 放大器比率
IBAT 上的电压与SRP 和SRN 上的电压之比
0b：8×
1b：16× <POR 时的默认值>
LDO 模式启用
当电池电压低于最小系统电压(REG0x0D/0C()) 时，充电器在启用LDO 模式的
情况下进行预充电。
0b：禁用LDO 模式，BATFET 完全开启。预充电电流由电池包内部电阻器设
置。系统由MaxChargeVoltage 寄存器调节。
1b：启用LDO 模式，预充电电流由ChargeCurrent 寄存器设置并钳位在低于
384mA（2 芯–4 芯）或2A（1 芯）。系统由MinSystemVoltage 寄存器进行
调节。<POR 时的默认值>
1
EN_IDPM
R/W
1b
IDPM 启用
主机写入此位以启用IDPM 调节环路。当充电器禁用IDPM 时（请参阅
IDPM_AUTO_DISABLE），该位变为低电平。
0b：IDPM 已禁用
1b：IDPM 已启用<POR 时的默认值>
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表9-6. ChargeOption0 寄存器（I2C 地址= 00h）字段说明(continued)
I2C
00h
字段
类型
复位
说明
0
CHRG_INHIBIT
R/W
0b
充电禁止
当该位为0 时，电池充电将以MaxChargeVoltage 寄存器和ChargeCurrent 寄
存器中的有效值开始。
0b：启用充电<POR 时的默认值>
1b：禁止充电
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9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（I2C 地址= 31/30h）[复位= 0211h]
图9-13. ChargeOption1 寄存器（I2C 地址= 31/30h）[复位= 0211h]
7
6
5
4
3
2
1
0
EN_IBAT
R/W
EN_PROCHOT_LPWR
R/W
EN_PSYS
R/W
RSNS_RAC
R/W
RSNS_RSR
R/W
PSYS_RATIO
R/W
PTM_PINSEL
R/W
7
6
5
4
3
2
1
0
CMP_REF
CMP_POL
CMP_DEG
R/W
FORCE_
LATCHOFF
EN_PTM
EN_SHIP_
DCHG
AUTO_
WAKEUP_EN
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-7. ChargeOption1 寄存器（I2C 地址= 31h）字段说明
I2C
31h
字段
类型
复位
说明
7
EN_IBAT
R/W
0b
IBAT 启用
启用IBAT 输出缓冲器。在低功耗模式下(REG0x01[7] = 1)，无论该位值如何，
IBAT 缓冲器始终处于禁用状态。
0b 关闭IBAT 缓冲器以尽可能减小Iq <POR 时的默认值>
1b：打开IBAT 缓冲器
6-5
EN_PROCHOT
_LPWR
00b
读/写
在仅电池低功耗模式期间启用PROCHOT
仅使用电池，在PROCHOT 中以低功耗启用VSYS。请勿在存在适配器的情况下
启用此功能。更多详细信息，请参阅节9.3.9.1。
00b：禁用低功耗PROCHOT <POR 时的默认值>
01b：启用VSYS 低功耗PROCHOT
10b：保留
11b：保留
4
EN_PSYS
R/W
0b
PSYS 启用
启用PSYS 检测电路和输出缓冲器（整个PSYS 电路）。在低功耗模式
(REG0x01[7]= 1) 下，无论该位值如何，PSYS 检测和缓冲器始终处于禁用状态。
0b：关闭PSYS 缓冲器以尽可能减小Iq <POR 时的默认值>
1b：打开PSYS 缓冲器
3
2
1
RSNS_RAC
RSNS_RSR
PSYS_RATIO
R/W
R/W
R/W
0b
0b
1b
输入检测电阻RAC
0b：10mΩ<POR 时的默认值>
1b：20 mΩ
充电检测电阻RSR
0b：10mΩ<POR 时的默认值>
1b：20 mΩ
PSYS 增益
PSYS 输出电流与总输入和电池功率之比，检测电阻为10mΩ。
0b：0.25µA/W
1b：1µA/W <POR 时的默认值>
0
PTM_PINSEL
R/W
0b
选择ILIM_HIZ 引脚功能
0b：当拉低ILIM_HIZ 引脚时，充电器进入高阻态模式。<POR 时的默认值>
1b：当拉低ILIM_HIZ 引脚时，充电器进入PTM。
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表9-8. ChargeOption1 寄存器（I2C 地址= 30h）字段说明
I2C
30h
字段
类型
复位
说明
7
CMP_REF
R/W
0b
独立比较器内部基准。
0b：2.3V <POR 时的默认值>
1b：1.2V
6
CMP_POL
CMP_DEG
R/W
0b
独立比较器输出极性
0b：当CMPIN 高于内部阈值时，CMPOUT 为低电平（内部迟滞）<POR 时的默
认值>
1b：当CMPIN 低于内部阈值时，CMPOUT 为低电平（外部迟滞）
5-4
01b
读/写
独立比较器抗尖峰脉冲时间，仅适用于CMPOUT 的下降沿（高电平→低电
平）。
00b：独立比较器已禁用
01b：独立比较器启用，输出抗尖峰脉冲时间为1µs <POR 时的默认值>
10b：启用独立比较器，输出抗尖峰脉冲时间为2ms
11b：启用独立比较器，输出抗尖峰脉冲时间为5 秒
3
FORCE_LATCHOFF
R/W
0b
强制电源路径关闭
当触发独立比较器时，充电器会关闭Q1 和Q4（与禁用转换器相同），从而使系
统与输入源断开连接。同时，CHRG_OK 信号变为低电平以通知系统。
0b：禁用此功能<POR 时的默认值>
1b：启用此功能
2
1
EN_PTM
R/W
R/W
0b
0b
PTM 启用寄存器位
0b：禁用PTM。<POR 时的默认值>
1b：启用PTM。
EN_SHIP_DCHG
运输模式的放电SRN
当该位为1 时，SRN 引脚在140ms 内放电至低于3.8V。当140ms 结束时，该位
复位为0。
0b：禁用运输模式<POR 时的默认设置>
1b：启用运输模式
0
AUTO_WAKEUP_EN
R/W
1b
自动唤醒启用
当此位为高电平时，如果电池低于最小系统电压(REG0x0D/0C())，器件将自动启
用128mA 充电电流达30 分钟。当电池充电超过最低系统电压时，充电将终止，
该位复位为低电平。
0b：禁用
1b：启用<POR 时的默认值>
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9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（I2C 地址= 33/32h）[复位= 02B7h]
图9-14. ChargeOption2 寄存器（I2C 地址= 33/32h）[复位= 02B7h]
7
6
5
4
3
2
1
0
PKPWR_TOVLD_DEG
EN_PKPWR_
IDPM
EN_PKPWR_
VSYS
PKPWR_
OVLD_STAT
PKPWR_
RELAX_STAT
PKPWR_TMAX[1:0]
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
7
6
5
4
3
2
1
0
EN_EXTILIM
EN_ICHG
_IDCHG
Q2_OCP
ACX_OCP
EN_ACOC
ACOC_VTH
EN_
_VTH
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-9. ChargeOption2 寄存器（I2C 地址= 33h）字段说明
I2C
33h
字段
类型
复位
说明
7-6
PKPWR_
TOVLD_DEG
00b
读/写
峰值功率模式下的输入过载时间
00b：1ms <POR 时的默认值>
01b：2ms
10b：10ms
11b：20ms
5
EN_PKPWR_IDPM
EN_PKPWR_VSYS
R/W
R/W
0b
0b
启用由输入电流过冲触发的峰值功率模式
如果REG0x33[5:4] 为00b，则禁用峰值功率模式。移除适配器后，这些
位复位为00b。
0b：禁用由输入电流过冲触发的峰值功率模式<POR 时的默认值>
1b：启用由输入电流过冲触发的峰值功率模式。
4
启用由系统电压下冲触发的峰值功率模式
如果REG0x33[5:4] 为00b，则禁用峰值功率模式。移除适配器后，这些
位复位为00b。
0b：禁用由系统电压下冲触发的峰值功率模式<POR 时的默认值>
1b：启用由系统电压下冲触发的峰值功率模式。
3
2
PKPWR_
OVLD_STAT
R/W
R/W
读/写
0b
指示器件处于过载周期。写入0 以退出过载周期。
0b：未处于峰值功率模式。<POR 时的默认值>
1b：处于峰值功率模式。
PKPWR_
RELAX_STAT
0b
指示器件处于弛豫周期。写入0 以退出弛豫周期。
0b：未处于弛豫周期。<POR 时的默认值>
1b：处于弛豫模式。
1-0
PKPWR_
10b
峰值功率模式过载和弛豫周期时间。
TMAX[1:0]
当REG0x33[7:6] 编程时间长于REG0x33[1:0] 时，没有弛豫时间。
00b：5ms
01b：10ms
10b：20ms <POR 时的默认值>
11b：40ms
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表9-10. ChargeOption2 寄存器（I2C 地址= 32h）字段说明
I2C
32h
字段
类型
复位
说明
7
EN_EXTILIM
R/W
1b
启用ILIM_HIZ 引脚以设置输入电流限制
0b：输入电流限制由REG0x0F/0E 设置。
1b：输入电流限制由ILIM_HIZ 引脚和REG0x0F/0E 的较低值设置。
<POR 时的默认值>
6
5
EN_ICHG
_IDCHG
R/W
R/W
0b
1b
0b：IBAT 引脚作为放电电流。<POR 时的默认值>
1b：IBAT 引脚作为充电电流。
Q2_OCP
通过检测Q2 VDS 获得Q2 OCP 阈值
0b：210mV
1b：150mV <POR 时的默认值>
4
3
ACX_OCP
EN_ACOC
R/W
R/W
1b
0b
通过检测ACP-ACN 获得输入电流OCP 阈值。
0b：280mV
1b：150mV <POR 时的默认值>
ACOC 启用
通过检测ACP 和ACN 上的电压实现输入过流(ACOC) 保护。实施
ACOC 后（100µs 消隐时间后），转换器被禁用。
0b：禁用ACOC <POR 时的默认值>
1b：ACOC 阈值133% 或200% ILIM2
2
1
ACOC_VTH
EN_BATOC
R/W
R/W
1b
1b
ACOC 限制
将MOSFET OCP 阈值设置为IDPM 的百分比，电流从RAC 检测到。
0b：133% 的ILIM2
1b：200% 的ILIM2 <POR 时的默认值>
BATOC 启用
通过检测SRN 和SRP 上的电压实现电池放电过流(BATOC) 保护。实施
BATOC 后，转换器被禁用。
0b：禁用BATOC
1b：BATOC 阈值133% 或200% PROCHOT IDCHG <POR 时的默认值
>
0
BATOC_VTH
R/W
1b
将电池放电过流阈值设置为PROCHOT 电池放电电流限制的百分比。
0b：133% 的PROCHOT IDCHG
1b：200% 的PROCHOT IDCHG <POR 时的默认值>
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9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（I2C 地址= 35/34h）[复位= 0030h]
图9-15. ChargeOption3 寄存器（I2C 地址= 35/34h）[复位= 0030h]
7
6
5
4
3
2
1
0
0
EN_HIZ
RESET_REG
RESET_
VINDPM
EN_OTG
EN_ICO
MODE
保留
R/W
6
R/W
5
R/W
4
R/W
3
R/W
1
读/写
7
2
EN_CONS
VAP
OTG_VAP
_MODE
IL_AVG
R/W
OTG_RANGE
_LOW
BATFETOFF_
HIZ
PSYS_OTG_
IDCHG
保留
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-11. ChargeOption3 寄存器（I2C 地址= 35h）字段说明
I2C
35h
字段
类型
复位
说明
7
EN_HIZ
R/W
0b
器件高阻态模式启用
当充电器处于高阻态模式时，器件消耗的静态电流最小。且VBUS 高于
UVLO。REGN LDO 保持开启状态，系统由电池供电。
0b：器件未处于高阻态模式<POR 时的默认值>
1b：器件处于高阻态模式
6
RESET_REG
R/W
0b
复位寄存器
除VINDPM 寄存器外，所有寄存器都恢复为默认设置。VSYS_MIN 将始终
返回到1S 默认设置(3.584V)，并且根据电芯引脚设置，充电电压将恢复
到默认值。
0b：空闲<POR 时的默认值>
1b：将所有寄存器复位为默认值。复位后，该位返回到0。
当电池电压低于最低系统电压或电池被移除时，不建议使用该位将寄存器
复位为默认值。
5
4
RESET_VINDPM
EN_OTG
R/W
R/W
0b
0b
复位VINDPM 阈值
0b：空闲
1b：禁用转换器以测量VINDPM 阈值。完成VINDPM 测量后，该位返回
到0，转换器启动。
OTG 模式启用
当EN_OTG 引脚为高电平时，在OTG 模式下启用器件。
0b：禁用OTG <POR 时的默认值>
1b：启用OTG 模式，以从电池为VBUS 供电。
3
EN_ICO_MODE
R/W
R/W
0b
0b
启用ICO 算法
0b：禁用ICO 算法。<POR 时的默认值>
1b：启用ICO 算法。
2-0
保留
保留
表9-12. ChargeOption3 寄存器（I2C 地址= 34h）字段说明
I2C
34h
字段
类型
复位
说明
7
6
R/W
R/W
0b
0b
保留
保留
EN_CON_VAP
启用保守VAP 模式。
0b：已禁用<POR 时的默认值>
1b：被启用
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表9-12. ChargeOption3 寄存器（I2C 地址= 34h）字段说明(continued)
I2C
34h
字段
类型
复位
说明
5
OTG_VAP_MODE
R/W
1b
外部OTG/VAP 引脚控制的选择。
0b：外部OTG/VAP 引脚控制EN/DIS VAP 模式
1b：外部OTG/VAP 引脚控制EN/DIS OTG 模式<POR 时的默认值>
4-3
IL_AVG
10b
读/写
4 级电感器平均电流钳位。
00b：6A
01b：10A
10b：15A <POR 时的默认值>
11b：被禁用
2
1
0
OTG_RANGE_LOW
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
选择不同的OTG 输出电压范围。
0b：VOTG 高范围4.28V - 20.8V <POR 时的默认值>
1b：VOTG 低范围3V - 19.52V
BATFETOFF_
HIZ
在高阻态模式期间控制BATFET。
0b：BATFET 在高阻态模式期间开启<POR 时的默认值>
1b：BATFET 在高阻态模式期间关闭
PSYS_OTG_
IDCHG
OTG 模式期间的PSYS 功能。
0b：PSYS 作为电池放电功率减去OTG 输出功率<POR 时的默认值>
1b：PSYS 仅用作电池放电电源
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9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（I2C 地址= 37/36h）[复位= 4A65h]
图9-16. ProchotOption0 寄存器（I2C 地址= 37/36h）[复位= 4A65h]
7-3
2-1
0
ILIM2_VTH
ICRIT_DEG
PROCHOT_
VDPM_80_90
R/W
R/W
R/W
0
7-4
3-2
1
VSYS_TH1
VSYS_TH2
INOM_DEG
LOWER_
PROCHOT
_VDPM
R/W
R/W
R/W
R/W
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-13. ProchotOption0 寄存器（I2C 地址= 37h）字段说明
I2C
37h
字段
类型
复位
说明
7-3
ILIM2_VTH
R/W
01001b
I
LIM2 阈值
5 位，0x0F/0EH 中IDPM 的百分比。测量ACP 和ACN 之间的电流。
当电流高于此阈值时触发：
00001b - 11001b：110% - 230%，阶跃5%
11010b - 11110b：250% - 450%，阶跃50%
11111b：超出范围（忽略）
默认为150%，或01001
2-1
ICRIT_DEG
01b
读/写
ICRIT 抗尖峰脉冲时间
ICRIT 设置为ILIM2 的110%。
触发PROCHOT 的典型ICRIT 抗尖峰脉冲时间。
00b：15µs
01b：120µs <POR 时的默认值>
10b：500µs
11b：1ms
0
PROCHOT_
VDPM_80_90
R/W
0b
PROCHOT_VDPM 比较器的阈值下限
当REG0x36[0]=1 时，PROCHOT_VDPM 比较器的阈值由该位设置决定。
0b：VinDPM 阈值的80% <POR 时的默认值>。
1b：VinDPM 阈值的90%
表9-14. ProchotOption0 寄存器（I2C 地址= 36h）字段说明
I2C
36h
字段
类型
复位
说明
7-4
VSYS_TH1
R/W
0110b
VAP 模式下用于触发VBUS 放电的VSYS 阈值。
使用固定的5µs 抗尖峰脉冲时间测量VSYS。当SYS 引脚电压低于阈值时触发。
2-4 节电池
0000b - 1111b：5.9V 至7.4V，步长为0.1V。
1 节电池
0000b - 0111b：3.1V 至3.8V，步长为0.1V。
1000b - 1111b：3.1V 至3.8V，步长为0.1V。
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表9-14. ProchotOption0 寄存器（I2C 地址= 36h）字段说明(continued)
I2C
36h
字段
类型
复位
说明
3-2
VSYS_TH2
01b
读/写
用于将/PROCHOT_VSYS 置为有效的VSYS 阈值。
使用固定的5µs 抗尖峰脉冲时间测量VSYS。当SYS 引脚电压低于阈值时触发。
2-4 节电池
00b：5.9V；01b：6.2V <POR 时的默认值>；
10b：6.5V；11b：6.8V。
1 节电池
00b：3.1V；01b：3.3V <POR 时的默认值>；
10b：3.5V；11b：3.7V。
1
0
INOM_DEG
R/W
R/W
0b
1b
INOM 抗尖峰脉冲时间
在0x0F/0EH 中，INOM 始终比IDPM 高10%。测量ACP 和ACN 之间的电流。
当电流高于此阈值时触发。
0b：1ms <POR 时的默认值>
1b：50ms
LOWER_
PROCHOT
_VDPM
启用PROCHOT_VDPM 比较器的阈值下限
0b：PROCHOT_VDPM 比较器的阈值遵循相同的VinDPM REG0x0A/0B() 设置。
1b：PROCHOT_VDPM 比较器的阈值较低，由REG0x37[0] 设置确定。<POR 时
的默认值>
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9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（I2C 地址= 39/38h）[复位= 81A0h]
图9-17. ProchotOption1 寄存器（I2C 地址= 39/38h）[复位= 81A0h]
7-2
IDCHG_VTH
R/W
1-0
IDCHG_DEG
R/W
7
6
5
4
3
2
1
0
PP_VDPM
PROCHOT_PR
OFILE_IC
PP_ICRIT
PP_INOM
PP_IDCHG
PP_VSYS
PP_BATPRES
PP_ACOK
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
当 REG0x38[7:0] 设置为禁用时，将不再在 PROCHOT 状态寄存器 REG0x22[7:0] 中报告与该位关联的
PROCHOT 事件，如果发生该事件，PROCHOT 引脚将不再拉至低电平。
表9-15. ProchotOption1 寄存器（I2C 地址= 39h）字段说明
I2C
39h
字段
类型
复位
说明
7-2
IDCHG_VTH
R/W
100000b
IDCHG 阈值
6 位，范围，范围为0A 至32256mA，阶跃512mA。有一个128mA 的偏移量。
测量SRN 和SRP 之间的电流。
当放电电流高于阈值时触发。
如果该值编程为000000b，则始终会触发PROCHOT。
默认值： 16384mA 或100000b
1-0
IDCHG_DEG
01b
读/写
典型IDCHG 抗尖峰脉冲时间
00b：2ms
01b：130µs <POR 时的默认值>
10b：8ms
11b：16ms
表9-16. ProchotOption1 寄存器（I2C 地址= 38h）字段说明
I2C
38h
字段
类型
复位
说明
7
PROCHOT
_PROFILE_VDPM
R/W
1b
PROCHOT 曲线
当所有REG0x38[7:0] 位都为0 时，将禁用PROCHOT 函数。
Bit7 PP_VDPM 检测VBUS 电压
0b：禁用
1b：启用<POR 时的默认值>
6
5
4
3
2
PROCHOT
_PROFILE_COMP
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
1b
0b
0b
0b
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
PROCHOT
_PROFILE_ICRIT
0b：禁用
1b：启用<POR 时的默认值>
PROCHOT
_PROFILE_INOM
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
PROCHOT
_PROFILE_IDCHG
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
PROCHOT
_PROFILE_VSYS
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
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表9-16. ProchotOption1 寄存器（I2C 地址= 38h）字段说明(continued)
I2C
38h
字段
类型
复位
说明
1
PROCHOT
_PROFILE_BATPRES
R/W
0b
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用（触发单稳态下降沿）
如果取出电池后在PROCHOT 中启用了BATPRES，它将立即发出单稳态
PROCHOT 脉冲。
0
PROCHOT
_PROFILE_ACOK
R/W
0b
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
ChargeOption0[15] = 0，可在移除适配器后将PROCHOT 脉冲置为有效。
如果移除适配器后在PROCHOT 中启用了PROCHOT_PROFILE_ACOK，则会
将其拉至低电平。
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9.6.1.7 ADCOption 寄存器（I2C 地址= 3B/3Ah）[复位= 2000h]
图9-18. ADCOption 寄存器（I2C 地址= 3B/3Ah）[复位= 2000h]
7
6
5
4-0
ADC_CONV
ADC_START
ADC_
保留
FULLSCALE
R/W
6
R/W
5
R/W
2
读/写
7
4
3
1
0
EN_ADC_
CMPIN
EN_ADC_
VBUS
EN_ADC_
PSYS
EN_ADC_
IIN
EN_ADC_
IDCHG
EN_ADC_
ICHG
EN_ADC_
VSYS
EN_ADC_
VBAT
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
ADC 寄存器的读取顺序如下：VBAT、VSYS、ICHG、IDCHG、IIN、PSYS、VBUS、CMPIN。在低功率模式下
禁用ADC。启用ADC 时，器件在仅使用电池工作时会退出低功耗模式。
表9-17. ADCOption 寄存器（I2C 地址= 3Bh）字段说明
I2C
3Bh
字段
类型
复位
说明
7
ADC_CONV
R/W
0b
典型的ADC 转换时间为10ms。
0b：一次性更新。在ADC_START = 1 后，对寄存器REG0x27/26()、
REG0x29/28()、REG0x2B/2A() 和REG0x2D/2C() 执行一组转换更新。
1b：持续更新。每1 秒对寄存器REG0x27/26()、REG0x29/28()、
REG0x2B/2A() 和REG0x2D/2C() 执行一组转换更新。
6
5
ADC_START
R/W
R/W
0b
1b
0b：无ADC 转换
1b：开始ADC 转换。一次性更新完成后，该位自动复位为零
ADC_
FULLSCALE
ADC 输入电压范围。当输入电压低于5V 或电池为1S 时，建议使用完整范围
2.04V。
0b：2.04 V
1b：3.06V <POR 时的默认值>
4-0
00000b
保留
读/写
保留
表9-18. ADCOption 寄存器（I2C 地址= 3Ah）字段说明
I2C
3Ah
字段
类型
复位
说明
7
6
5
4
3
2
EN_ADC_CMPIN
R/W
0b
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
EN_ADC_VBUS
EN_ADC_PSYS
EN_ADC_IIN
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
0b
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
EN_ADC_IDCHG
EN_ADC_ICHG
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
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表9-18. ADCOption 寄存器（I2C 地址= 3Ah）字段说明(continued)
I2C
3Ah
字段
类型
复位
说明
1
EN_ADC_VSYS
R/W
0b
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
0
EN_ADC_VBAT
R/W
0b
0b：禁用<POR 时的默认值>
1b：启用
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9.6.2 充电和PROCHOT 状态
9.6.2.1 ChargerStatus 寄存器（I2C 地址= 21/20h）[复位= 0000h]
图9-19. ChargerStatus 寄存器（I2C 地址= 21/20h）[复位= 0000h]
7
6
5
4
3
2
1
0
AC_STAT
ICO_DONE
IN_VAP
IN_VINDPM
IN_IINDPM
IN_FCHRG
IN_PCHRG
IN_OTG
R
7
R
R
R
4
R
3
R
2
R
1
R
0
6
5
SYSOVP
_STAT
Fault_OTG
_OVP
Fault_OTG
_OCP
故障ACOV
故障BATOC
故障ACOC
故障SYS
_SHORT
故障闭锁
R
R
R
R/W
R/W
R
R
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-19. ChargerStatus 寄存器（I2C 地址= 21h）字段说明
I2C
21h
字段
类型
复位
说明
7
AC_STAT
R
0b
输入源状态，与CHRG_OK 位相同
0b：输入不存在
1b：输入存在
6
ICO_DONE
R
0b
ICO 例程成功执行后，该位变为1。
0b：ICO 未完成
1b：ICO 完成
5
4
IN_VAP
R
R
0b
0b
0b：充电器未在VAP 模式下运行
1b：充电器在VAP 模式下运行
IN_VINDPM
0b：充电器在正向模式期间不处于VINDPM 状态，或在OTG 模式期
间不处于电压调节状态
1b：充电器在正向模式期间处于VINDPM 状态，或在OTG 模式期间
处于电压调节状态
3
2
1
0
IN_IINDPM
IN_FCHRG
IN_PCHRG
IN_OTG
R
R
R
R
0b
0b
0b
0b
0b：充电器不处于IINDPM 状态
1b：充电器处于IINDPM 状态
0b：充电器未处于快速充电状态
1b：充电器处于快速充电状态
0b：充电器未处于预充电状态
1b：充电器处于预充电状态
0b：充电器未处于OTG 模式
1b：充电器处于OTG 模式
表9-20. ChargerStatus 寄存器（I2C 地址= 20h）字段说明
I2C
20h
字段
类型
复位
说明
7
R
0b
故障ACOV
故障锁存，直到从主机读取。
0b：无故障
1b：ACOV
6
R
0b
故障BATOC
故障锁存，直到从主机读取。
0b：无故障
1b：BATOC
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表9-20. ChargerStatus 寄存器（I2C 地址= 20h）字段说明(continued)
I2C
20h
字段
类型
复位
说明
5
R
0b
故障ACOC
故障锁存，直到从主机读取。
0b：无故障
1b：ACOC
4
SYSOVP_STAT
R/W
0b
SYSOVP 状态和清除
当SYSOVP 发生时，该位为高电平。在SYSOVP 期间，转换器被禁
用。
移除SYSOVP 后，用户必须向该位写入0 或拔下适配器来清除
SYSOVP 条件，从而再次启用转换器。
0b：未处于SYSOVP 状态<POR 时的默认值>
1b：处于SYSOVP 状态。当移除SYSOVP 时，写入0 以清除
SYSOVP 锁存。
3
2
1
0
R/W
R
0b
0b
0b
0b
故障SYS_SHORT
故障闭锁
故障锁存，直到通过向该位写入0 来从主机清除。
0b：无故障<POR 时的默认值>
1b：当SYS 低于2.4V 时，则7 次重启尝试失败。
故障锁存，直到从主机读取。
0b：无故障
1b：闭锁(REG0x30[3])
Fault_OTG_OVP
Fault_OTG_UVP
R
故障锁存，直到从主机读取。
0b：无故障
1b：OTG OVP
R
故障锁存，直到从主机读取。
0b：无故障
1b：OTG UVP
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9.6.2.2 ProchotStatus 寄存器（I2C 地址= 23/22h）[复位= A800h]
图9-20. ProchotStatus 寄存器（I2C 地址= 23/22h）[复位= A800h]
7
6
5
4
3
2
1
0
EN_PROCHOT
_EXIT
PROCHOT_WIDTH
PROCHOT
_CLEAR
STAT_VAP
_FAIL
STAT_EXIT
_VAP
保留
保留
R
R/W
6
R/W
R/W
3
R
R/W
1
R/W
0
7
5
4
2
STAT_VDPM
STAT_COMP
STAT_ICRIT
STAT_INOM
STAT_IDCHG
STAT_VSYS
STAT_BAT
_Removal
STAT_ADPT
_Removal
R/W
R
R
R
R
R
R
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-21. ProchotStatus 寄存器（I2C 地址= 23h）字段说明
I2C
23h
字段
类型
复位
说明
7
6
R
1b
0b
保留
保留
EN_PROCHOT _EXIT
R/W
PROCHOT 脉冲扩展启用。启用脉冲扩展后，保持PROCHOT 引
脚电压为低电平，直到主机写入REG0x23[3] = 0。
0b：禁用脉冲扩展<POR 时的默认值>
1b：启用脉冲扩展
5-4
PROCHOT _WIDTH
10b
读/写
PROCHOT 脉冲宽度。
当REG0x23[6] = 0 时，PROCHOT 脉冲宽度最小
00b：100us
01b：1ms
10b：10ms <POR 时的默认值>
11b：5ms
3
PROCHOT _CLEAR
R/W
1b
PROCHOT 脉冲清除。
当0x23[6] = 1 时清除PROCHOT 脉冲。
0b：清除PROCHOT 脉冲并将PROCHOT 引脚驱动为高电平
1b：空闲<POR 时的默认值>
2
1
R
0b
0b
保留
保留
STAT_VAP_FAIL
R/W
该状态位报告在VAP 模式下VBUS 连续7 次加载失败，这表明电
池电压可能不足以进入VAP 模式，或VAP 负载电流设置过高。
0b：不是VAP 故障<POR 时的默认值>
1b：在VAP 故障时，充电器退出VAP 模式并锁存，直到主机将该
位写为0。
0
STAT_EXIT_VAP
R/W
0b
当充电器在VAP 模式下运行时，如果通过主机禁用或存在任何充电
器故障，则该充电器可以退出VAP。
0b：PROCHOT_EXIT_VAP 处于非活动状态<POR 时的默认值>
1b：PROCHOT_EXIT_VAP 处于活动状态，PROCHOT 引脚为低
电平，直到主机将该状态位写为0。
表9-22. ProchotStatus 寄存器（I2C 地址= 22h）字段说明
I2C
22h
字段
类型
复位
说明
7
STAT_VDPM
R/W
0b
0b：未触发
1b：触发
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表9-22. ProchotStatus 寄存器（I2C 地址= 22h）字段说明(continued)
I2C
22h
字段
类型
复位
说明
6
5
4
3
2
1
0
STAT_COMP
R
0b
0b：未触发
1b：触发
STAT_ICRIT
R
R
R
R
R
R
0b
0b
0b
0b
0b
0b
0b：未触发
1b：触发
STAT_INOM
0b：未触发
1b：触发
STAT_IDCHG
0b：未触发
1b：触发
STAT_VSYS
0b：未触发
1b：触发
STAT_Battery_Removal
STAT_Adapter_Removal
0b：未触发
1b：触发
0b：未触发
1b：触发
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9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（I2C 地址= 03/02h）[复位= 0000h]
要设置充电电流，请使用图 9-21、表 9-23 和表 9-24 中列出的数据格式编写一个 16 位的 ChargeCurrent() 命令
(REG0x03/02h())。
该充电器具有10mΩ检测电阻，可提供64mA 至8.128A 的充电电流范围，步进分辨率为64mA。POR 后，当自
动唤醒未激活时，ChargeCurrent() 为 0A。导致 CHRG_OK 为低电平的任何条件（ACOV 除外）都会将
ChargeCurrent() 复位为零。CELL_BATPRESZ 变为低电平（移除电池）会将 ChargeCurrent() 寄存器复位为
0A。
在ACOC、TSHUT、电源路径闭锁(REG0x30[1]) 和SYSOVP 中，充电电流不会复位。
建议在 SRP 和 SRN 之间使用一个 0.1µF 的电容器进行差模滤波；在 SRN 和接地之间使用一个可选的 0.1µF 电
容器，并在 SRP 和接地之间使用一个可选的 0.1µF 电容器，来进行共模滤波。同时，SRP 上的电容不应高于
0.1µF，以便正确检测SRP 和SRN 两端的电压，来实现逐周期电流检测。
SRP 和SRN 引脚用于检测 RSR（默认值为 10mΩ）两端的压降。但是，也可以使用其他值的电阻。对于更大的
检测电阻，会提供更大的检测电压和更高的调节精度；但会以更高的导通损耗为代价。建议电流检测电阻值不超
过20mΩ。
图9-21. 带10mΩ检测电阻的ChargeCurrent 寄存器（I2C 地址= 03/02h）[复位= 0h]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
R/W
6
充电电流，位6 充电电流，位5 充电电流，位4 充电电流，位3 充电电流，位2
R/W
4
R/W
3
R/W
2
R/W
1
R/W
0
7
5
充电电流，位1 充电电流，位0
R/W
保留
R/W
保留
R/W
读/写
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-23. 带10mΩ检测电阻的ChargeCurrent 寄存器(14h)（I2C 地址= 03h）字段说明
I2C
03h
字段
类型
复位
000b
0b
说明
7-5
4
保留
读/写
未使用。1 = 无效写入。
R/W
充电电流，位6
0 = 增加0mA 的充电器电流。
1 = 增加4096mA 的充电器电流。
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
充电电流，位5
充电电流，位4
充电电流，位3
充电电流，位2
0 = 增加0mA 的充电器电流。
1 = 增加2048mA 的充电器电流。
0 = 增加0mA 的充电器电流。
1 = 增加1024mA 的充电器电流。
0 = 增加0mA 的充电器电流。
1 = 增加512mA 的充电器电流。
0 = 增加0mA 的充电器电流。
1 = 增加256mA 的充电器电流。
表9-24. 带10mΩ检测电阻的ChargeCurrent 寄存器(14h)（I2C 地址= 02h）字段说明
I2C
02h
字段
类型
复位
说明
7
R/W
0b
充电电流，位1
0 = 增加0mA 的充电器电流。
1 = 增加128mA 的充电器电流。
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表9-24. 带10mΩ检测电阻的ChargeCurrent 寄存器(14h)（I2C 地址= 02h）字段说明(continued)
I2C
字段
类型
复位
说明
02h
6
R/W
0b
充电电流，位0
0 = 增加0mA 的充电器电流。
1 = 增加64mA 的充电器电流。
5-0
R/W
000000b
保留
未使用。忽略值。
9.6.3.1 电池预充电电流钳位
在预充电期间，BATFET 在线性模式或 LDO 模式下工作（默认 REG0x00[2] = 1）。对于 2-4 芯电池，系统在
REG0x0D/0C() 中调节至最小系统电压，并且预充电电流钳位在384mA。对于 1 芯电池，预充电至快速充电阈值
为 3V，预充电电流钳位在 384mA。然而，BATFET 保持为 LDO 模式运行，直到电池电压高于最小系统电压
(~3.6V)。在3V 至3.6V 的电池电压范围内，快速充电电流钳位在2A。
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9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（I2C 地址= 05/04h）[基于CELL_BATPRESZ 引脚设置的复位值]
要设置输出充电电压，请使用图 9-22、表 9-25 和表 9-26 中列出的数据格式编写一个 16 位 ChargeVoltage 寄存
器命令(REG0x05/04())。该充电器的充电电压范围为1.024V 至19.200V，步进分辨率为8mV。任何低于1.024V
或高于19.200V 的写入将会被忽略。
POR 时，REG0x05/04() 默认设置为 4200mV（持续 1s）、8400mV（持续 2s）、12600mV（持续 3s）或
16800mV（持续 4s）。在 CHRG_OK 变为高电平后，当主机将充电电流写入 REG0x03/02() 时，将开始充电，
如果未对 REG0x05/04() 进行编程，则使用默认充电电压。如果电池不同于 4.2V/节，则主机必须在写入
REG0x03/02() 之前写入 REG0x05/04()，以实现正确的电池电压设置。将 REG0x05/04() 写为 0 将会根据
CELL_BATPRESZ 引脚将REG0x05/04() 设置为默认值，并强制REG0x03/02() 为零以禁用充电。
SRN 引脚可检测电池电压以进行电压调节，应尽可能靠近电池进行连接，并直接将去耦电容器（建议 0.1µF）放
置在尽可能靠近器件的位置，以对高频噪声进行去耦。
图9-22. MaxChargeVoltage 寄存器（I2C 地址= 05/04h）[基于CELL_BATPRESZ 引脚设置的复位值]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压，
第11 位
R/W
6
第10 位
R/W
5
第9 位
R/W
4
第8 位
R/W
3
第7 位
R/W
2
第6 位
R/W
1
第5 位
R/W
0
R/W
7
最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压， 最大充电电压，
保留
第4 位
第3 位
第2 位
第1 位
第1 位
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
读/写
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-25. MaxChargeVoltage 寄存器（I2C 地址= 05h）字段说明
I2C
05h
字段
类型
R/W
R/W
复位
说明
7
6
0b
保留
未使用。1 = 无效写入。
0b
最大充电电压，第11 位
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加16384mV 的充电器电压。
5
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
0b
0b
最大充电电压，第10 位
最大充电电压，第9 位
最大充电电压，第8 位
最大充电电压，第7 位
最大充电电压，第6 位
最大充电电压，第5 位
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加8192mV 的充电器电压。
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加4096mV 的充电器电压。
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加2048mV 的充电器电压。
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加1024mV 的充电器电压。
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加512mV 的充电器电压。
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加256mV 的充电器电压。
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表9-26. MaxChargeVoltage 寄存器（I2C 地址= 04h）字段说明
I2C
04h
字段
类型
复位
说明
7
R/W
0b
最大充电电压，第4 位
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加128mV 的充电器电压。
6
R/W
R/W
R/W
R/W
读/写
0b
最大充电电压，第3 位
最大充电电压，第2 位
最大充电电压，第1 位
最大充电电压，第0 位
保留
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加64mV 的充电器电压。
5
0b
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加32mV 的充电器电压。
4
0b
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加16mV 的充电器电压。
3
0b
0 = 增加0mV 的充电器电压。
1 = 增加8mV 的充电器电压。
2-0
000b
未使用。忽略值。
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9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（I2C 地址= 0D/0Ch）[基于CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]
要设置最小系统电压，请使用 图 9-23、表 9-27 和表 9-28 中列出的数据格式写入 16 位 MinSystemVoltage 寄存
器命令 (REG0x0D/0C())。此充电器提供 1.024V 至 16.128V 的最小系统电压范围，步进分辨率为 256mV。将忽
略任何低于 1.024V 或高于 16.128V 的写入。POR 后，MinSystemVoltage 寄存器的值如下：1S 为 3.584V；2S
为6.144V；3S 为9.216V；4S 为12.288V。
图9-23. MinSystemVoltage 寄存器（I2C 地址= 0D/0Ch）[基于CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
最小系统电压， 最小系统电压， 最小系统电压， 最小系统电压， 最小系统电压， 最小系统电压，
第5 位
R/W
5
第4 位
R/W
4
第3 位
R/W
3
第2 位
R/W
2
第1 位
R/W
1
第0 位
R/W
0
R/W
7
6
保留
读/写
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-27. MinSystemVoltage 寄存器（I2C 地址= 0Dh）字段描述
I2C
0Dh
字段
类型
复位
00b
0b
说明
7-6
5
保留
读/写
未使用。1 = 无效写入。
R/W
最小系统电压，第5 位
0 = 增加0mV 的系统电压。
1 = 增加8192mV 的系统电压。
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
0b
最小系统电压，第4 位
最小系统电压，第3 位
最小系统电压，第2 位
最小系统电压，第1 位
最小系统电压，第0 位
0 = 增加0mV 的系统电压。
1 = 增加4096mV 的系统电压。
0 = 增加0mV 的系统电压。
1 = 增加2048mV 的系统电压。
0 = 增加0mV 的系统电压。
1 = 增加1024mV 的系统电压。
0 = 增加0mV 的系统电压。
1 = 增加512mV 的系统电压。
0 = 增加0mV 的系统电压。
1 = 增加256mV 的系统电压。
表9-28. MinSystemVoltage 寄存器（I2C 地址= 0Ch）字段描述
I2C
0Ch
字段
保留
类型
复位
说明
7-0
00000000
b
读/写
未使用。忽略值。
9.6.5.1 系统电压调节
该器件采用窄VDC 架构(NVDC)，BATFET 可将系统与电池分离。最小系统电压由REG0x0D/0C() 设置。即使电
池电量深度耗尽，也可通过BATFET 将系统调节至高于最小系统电压。
当电池电压低于最小系统电压设置时，BATFET 以线性模式（LDO 模式）运行，并且系统调节至高于最小系统电
压设置。当电池电压升至高于最小系统电压时，BATFET 在充电或补充模式下完全导通，系统和电池之间的电压
差为BATFET 的VDS。BATFET 关断（无充电或无补充电流）时，系统电压调节为高于电池电压160mV。
移除 BATFET 后，系统节点 VSYS 将被短接至 SRP。在转换器开始运行之前，需要禁用 LDO 模式。要在没有
BATFET 的情况下配置充电器，需要按顺序执行以下操作。
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1. 在适配器插入之前，将充电器置于高阻态模式。（将引脚6 ILIM_HIZ 拉至接地，或将REG0x35[7] 设置为
1）
2. 将0x00[2] 设置为0 以禁用LDO 模式。
3. 将0x30[0] 设置为0 以禁用自动唤醒模式。
4. 检查是否已正确对电池电压进行编程(REG0x05/04)
5. 设置预充电/充电电流(REG0x03/02)
6. 将器件退出高阻态模式。（从接地释放ILIM_HIZ 并将REG0x35[7] 设置为0）。
为了防止任何意外的软件错误，主机会在器件退出高阻态模式时设置低输入电流限制（几百毫安）。
9.6.6 用于动态电源管理的输入电流和输入电压寄存器
充电器支持动态电源管理 (DPM)。通常，输入电源为系统负载供电或为电池充电。当输入电流超过输入电流设置
或输入电压降至输入电压设置以下时，充电器会降低充电电流，以优先为系统负载提供保护。随着系统电流的上
升，可用的充电电流相应地下降至零。如果系统负载在充电电流降至零后持续增加，则系统电压开始下降。当系
统电压降至低于电池电压时，电池将放电以提供重系统负载。
9.6.6.1 输入电流寄存器
要设置最大输入电流限制，请使用表 9-29 和表 9-30 中列出的数据格式写入一个 16 位 IIN_HOST 寄存器命令
(REG0x0F/0E())。使用 10mΩ 检测电阻时，充电器提供 50mA 至 6400mA 的输入电流限制范围，分辨率为
50mA。默认电流限制为 3.25A。由于 USB 电流设置要求，寄存器设置会指定最大电流而不是典型电流。移除适
配器后，输入电流限制重置为默认值3.25A。使用代码0，输入电流限制为50mA。
ACP 和ACN 引脚用于检测RAC，默认值为10mΩ。对于20mΩ的检测电阻，可提供更大的检测电压和更高的调
节精度，但以更高的传导损耗为代价。
用户可以构建外部输入电流调节环路，而不是使用内部DPM 环路，并在ILIM_HIZ 引脚上提供反馈信号。
V
= 1V + 40´ V
(
- VACN = 1+ 40´IDPM ´RAC
)
ILIM_HIZ
ACP
(2)
为了禁用ILIM_HIZ 引脚，主机可以写入0x32[7] 以禁用ILIM_HIZ 引脚，或将ILIM_HIZ 引脚拉至4.0V 以上。
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9.6.6.1.1 具有10mΩ检测电阻的IIN_HOST 寄存器（I2C 地址= 0F/0Eh）[复位= 4100h]
使用代码0 时，输入电流限制读回为50mA。
图9-24. 具有10mΩ检测电阻的IIN_HOST 寄存器（I2C 地址= 0F/0Eh）[复位= 4100h]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
主机设置的输入 主机设置的输入 主机设置的输入 主机设置的输入 主机设置的输入 主机设置的输入 主机设置的输入
电流，第6 位
电流，第5 位
电流，第4 位
电流，第3 位
电流，第2 位
电流，第1 位
电流，第0 位
R/W
7
R/W
6
R/W
5
R/W
4
R/W
3
R/W
2
R/W
1
R/W
0
保留
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-29. 具有10mΩ检测电阻的IIN_HOST 寄存器（I2C 地址= 0Fh）字段说明
I2C
0Fh
字段
类型
R/W
R/W
复位
说明
7
6
0b
保留
未使用。1 = 无效写入。
1b
主机设置的输入电流，第6 位
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加3200mA 的输入电流。
5
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
0b
1b
主机设置的输入电流，第5 位
主机设置的输入电流，第4 位
主机设置的输入电流，第3 位
主机设置的输入电流，第2 位
主机设置的输入电流，第1 位
主机设置的输入电流，第0 位
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加1600mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加800mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加400mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加200mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加100mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加50mA 的输入电流。
表9-30. 具有10mΩ检测电阻的IIN_HOST 寄存器（I2C 地址= 0Eh）字段说明
I2C
0Eh
字段
保留
类型
复位
说明
7-0
R
00000000
b
未使用。忽略值。
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9.6.6.1.2 具有10mΩ检测电阻的IIN_DPM 寄存器（I2C 地址= 25/24h）[复位= 4100h]
IIN_DPM 寄存器反映了寄存器中编程的实际输入电流限制，无论是来自主机还是来自ICO。
ICO 之后，DPM 调节使用的电流限制可能与 IIN_HOST 寄存器设置不同。实际 DPM 限制在 REG0x25/24() 中报
告。使用代码0 时，输入电流限制读回为50mA。
图9-25. 具有10mΩ检测电阻的IIN_DPM 寄存器（I2C 地址= 25/24h）[复位= 4100h]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
DPM 中的输入 DPM 中的输入 DPM 中的输入 DPM 中的输入 DPM 中的输入 DPM 中的输入 DPM 中的输入
电流，第6 位
电流，第5 位
电流，第4 位
电流，第3 位
电流，第2 位
电流，第1 位
电流，第0 位
R
7
R
6
R
5
R
4
R
3
R
2
R
1
R
0
保留
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-31. 具有10mΩ检测电阻的IIN_DPM 寄存器（I2C 地址= 25h）字段说明
I2C
25h
字段
类型
复位
说明
7
6
R
0b
保留
未使用。1 = 无效写入。
R
0b
DPM 中的输入电流，第6 位
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加3200mA 的输入电流。
5
4
3
2
1
0
R
R
R
R
R
R
0b
0b
0b
0b
0b
0b
DPM 中的输入电流，第5 位
DPM 中的输入电流，第4 位
DPM 中的输入电流，第3 位
DPM 中的输入电流，第2 位
DPM 中的输入电流，第1 位
DPM 中的输入电流，第0 位
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加1600mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加800mA 的输入电流
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加400mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加200mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加100mA 的输入电流。
0 = 增加0mA 的输入电流。
1 = 增加50mA 的输入电流。
表9-32. 具有10mΩ检测电阻的IIN_DPM 寄存器（I2C 地址= 24h）字段说明
I2C
24h
字段
保留
类型
复位
说明
7-0
R
00000000b
未使用。忽略值。
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9.6.6.1.3 InputVoltage 寄存器（I2C 地址= 0B/0Ah）[复位= VBUS-1.28V]
要设置输入电压限制，请使用图 9-26、表 9-33 和表 9-34 中列出的数据格式写入一个 16 位 InputVoltage 寄存器
命令(REG0x0B/0A())。
如果输入电压降幅超过 InputVoltage 寄存器允许的值，器件会进入 DPM 并减小充电电流。默认失调电压比空载
VBUS 电压低1.28V。直流失调电压为3.2V (0000000)。
图9-26. InputVoltage 寄存器（I2C 地址= 0B/0Ah）[复位= VBUS-1.28V]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
输入电压，第7 输入电压，第6 输入电压，第5 输入电压，第4 输入电压，第3 输入电压，第2
位
位
位
位
位
位
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
7
6
5
4
3
2
1
0
输入电压，第1 输入电压，第0
保留
位
位
R/W
R/W
读/写
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-33. InputVoltage 寄存器（I2C 地址= 0Bh）字段说明
I2C
0Bh
字段
类型
复位
00b
0b
说明
7-6
5
保留
读/写
未使用。1 = 无效写入。
R/W
输入电压，第7 位
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加8192mV 的输入电压。
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
0b
输入电压，第6 位
输入电压，第5 位
输入电压，第4 位
输入电压，第3 位
输入电压，第2 位
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加4096mV 的输入电压。
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加2048mV 的输入电压。
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加1024mV 的输入电压。
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加512mV 的输入电压。
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加256mV 的输入电压。
表9-34. InputVoltage 寄存器（I2C 地址= 0Ah）字段说明
I2C
0Ah
字段
类型
复位
说明
7
R/W
0b
输入电压，第1 位
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加128mV 的输入电压。
6
R/W
R/W
0b
输入电压，第0 位
0 = 添加0mV 的输入电压。
1 = 添加64mV 的输入电压
5-0
000000b
保留
未使用。忽略值。
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9.6.7 OTGVoltage 寄存器（I2C 地址= 07/06h）[复位= 0000h]
要设置OTG 输出电压限制，请使用图9-27、表9-35 和表9-36 中列出的数据格式写入REG0x07/06()。
DAC 在数字核心中被钳制在最小 3V 和最大 20.8V。任何低于最小值或高于最大值的寄存器写入都将被忽略。当
REG0x34[2] = 1 时，不存在DAC 失调电压。当REG0x34[2] = 0 时，DAC 偏移1.28V
图9-27. OTGVoltage 寄存器（I2C 地址= 07/06h）[复位= 0000h]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第
11 位
10 位
9 位
8 位
7 位
6 位
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
7
6
5
4
3
2
1
0
OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第 OTG 电压，第
保留
5 位
4 位
3 位
2 位
1 位
0 位
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
读/写
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-35. OTGVoltage 寄存器（I2C 地址= 07h）字段描述
I2C
07h
字段
类型
复位
00b
0b
说明
7-6
5
保留
读/写
未使用。1 = 无效写入。
R/W
OTG 电压，第11 位
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加16656mV 的OTG 电压。
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
0b
OTG 电压，第10 位
OTG 电压，第9 位
OTG 电压，第8 位
OTG 电压，第7 位
OTG 电压，第6 位
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加8328mV 的OTG 电压。
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加4164mV 的OTG 电压。
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加2082mV 的OTG 电压。
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加1041mV 的OTG 电压。
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加521mV 的OTG 电压。
表9-36. OTGVoltage 寄存器（I2C 地址= 06h）字段描述
I2C
06h
字段
类型
复位
说明
7
6
5
4
3
R/W
0b
OTG 电压，第5 位
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加260mV 的OTG 电压。
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
OTG 电压，第4 位
OTG 电压，第3 位
OTG 电压，第2 位
OTG 电压，第1 位
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加130mV 的OTG 电压。
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加65mV 的OTG 电压。
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加33mV 的OTG 电压。
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加16mV 的OTG 电压。
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I2C
表9-36. OTGVoltage 寄存器（I2C 地址= 06h）字段描述(continued)
字段
类型
复位
说明
06h
2
R/W
0b
OTG 电压，第0 位
0 = 增加0mV 的OTG 电压。
1 = 增加8.1mV 的OTG 电压。
1-0
00b
保留
读/写
未使用。忽略值。
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9.6.8 OTGCurrent 寄存器（I2C 地址= 09/08h）[复位= 0000h]
要设置OTG 输出电流限制，请使用图9-28、表9-37 和表9-38 中列出的数据格式写入REG0x09/08()。
图9-28. OTGCurrent 寄存器（I2C 地址= 09/08h）[复位= 0000h]
7
6
5
4
3
2
1
0
保留
由主机设置的
由主机设置的
由主机设置的
由主机设置的
由主机设置的
由主机设置的
由主机设置的
OTG 电流，第 OTG 电流，第 OTG 电流，第 OTG 电流，第 OTG 电流，第 OTG 电流，第 OTG 电流，第
6 位
5 位
4 位
3 位
2 位
1 位
0 位
R/W
7
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
6
5
4
3
2
1
0
保留
读/写
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-37. OTGCurrent 寄存器（I2C 地址= 09h）字段描述
I2C
09h
字段
类型
R/W
R/W
复位
说明
7
6
0b
保留
未使用。1 = 无效写入。
0b
由主机设置的OTG 电流，第6 位
0 = 增加0mA 的OTG 电流。
1 = 增加3200mA 的OTG 电流。
5
4
3
2
1
0
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
R/W
0b
0b
0b
0b
0b
0b
由主机设置的OTG 电流，第5 位
由主机设置的OTG 电流，第4 位
由主机设置的OTG 电流，第3 位
由主机设置的OTG 电流，第2 位
由主机设置的OTG 电流，第1 位
由主机设置的OTG 电流，第0 位
0 = 增加0mA 的OTG 电流。
1 = 增加1600mA 的OTG 电流。
0 = 增加0mA 的OTG 电流。
1 = 增加800mA 的OTG 电流。
0 = 增加0mA 的OTG 电流。
1 = 增加400mA 的OTG 电流。
0 = 增加0mA 的OTG 电流。
1 = 增加200mA 的OTG 电流。
0 = 增加0mA 的OTG 电流。
1 = 增加100mA 的OTG 电流。
0 = 增加0mA 的OTG 电流。
1 = 增加50mA 的OTG 电流。
表9-38. OTGCurrent 寄存器（I2C 地址= 08h）字段描述
I2C
08h
字段
保留
类型
复位
说明
7-0
00000000b
读/写
未使用。忽略值。
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9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（I2C 地址= 27/26h）
• PSYS：完整范围：3.06V，LSB：12 mV
• VBUS：完整范围：3200mV 至19520mV，LSB：64 mV
图9-29. ADCVBUS/PSYS 寄存器（I2C 地址= 27/26h）
7
R
7
6
R
6
5
R
5
4
R
4
3
R
3
2
R
2
1
R
1
0
R
0
R
R
R
R
R
R
R
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-39. ADCVBUS/PSYS 寄存器（I2C 地址= 27h）字段说明
位
字段
字段
类型
复位
说明
7-0
R
输入电压的8 位数字输出
表9-40. ADCVBUS/PSYS 寄存器（I2C 地址= 26h）字段说明
位
类型
复位
说明
7-0
R
系统电源的8 位数字输出
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9.6.10 ADCIBAT 寄存器（I2C 地址= 29/28h）
• ICHG：完整范围：8.128A，LSB：64mA
• IDCHG：完整范围：32.512A，LSB：256 mA
图9-30. ADCIBAT 寄存器（I2C 地址= 29/28h）
7
6
R
6
5
R
5
4
R
4
3
R
3
2
R
2
1
R
1
0
R
0
保留
7
R
R
R
R
R
R
R
保留
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-41. ADCIBAT 寄存器（I2C 地址= 29h）字段说明
位
7
字段
保留
类型
复位
说明
R
未使用。忽略值。
电池充电电流的7 位数字输出
6-0
R
表9-42. ADCIBAT 寄存器（I2C 地址= 28h）字段说明
位
7
字段
保留
类型
复位
说明
R
未使用。忽略值。
电池放电电流的7 位数字输出
6-0
R
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9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（I2C 地址= 2B/2Ah）
• IIN：完整范围：12.75A，LSB：50mA。对于10mΩ检测电阻，IIN 完整范围= 6.4A
• CMPIN：完整范围：3.06V，LSB：12 mV
图9-31. ADCIINCMPIN 寄存器（I2C 地址= 2B/2Ah）
7
R
7
6
R
6
5
R
5
4
R
4
3
R
3
2
R
2
1
R
1
0
R
0
R
R
R
R
R
R
R
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-43. ADCIINCMPIN 寄存器（I2C 地址= 2Bh）字段说明
位
字段
字段
类型
复位
说明
7-0
R
输入电流的8 位数字输出
表9-44. ADCIINCMPIN 寄存器（I2C 地址= 2Ah）字段说明
位
类型
复位
说明
7-0
R
CMPIN 电压的8 位数字输出
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9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（I2C 地址= 2D/2Ch）
• VSYS：完整范围：2.88V 至19.2V，LSB：64 mV
• VBAT：完整范围：2.88V 至19.2V，LSB：64 mV
图9-32. ADCVSYSVBAT 寄存器（I2C 地址= 2D/2Ch）
7
R
7
6
R
6
5
R
5
4
R
4
3
R
3
2
R
2
1
R
1
0
R
0
R
R
R
R
R
R
R
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-45. ADCVSYSVBAT 寄存器（I2C 地址= 2Dh）字段说明
位
字段
字段
类型
复位
说明
7-0
R
系统电压的8 位数字输出
表9-46. ADCVSYSVBAT 寄存器（I2C 地址= 2Ch）字段说明
位
类型
复位
说明
7-0
R
电池电压的8 位数字输出
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9.6.13 ID 寄存器
9.6.13.1 ManufactureID 寄存器（I2C 地址= 2Eh）[复位= 0040h]
图9-33. ManufactureID 寄存器（I2C 地址= 2Eh）[复位= 0040h]
7-0
MANUFACTURE_ID
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-47. ManufactureID 寄存器字段说明
I2C
2Eh
说明（只读）
字段
类型
复位
7-0
MANUFACTURE_ID
R
40h
9.6.13.2 器件ID (DeviceAddress) 寄存器（I2C 地址= 2Fh）[复位= 0h]
图9-34. 器件ID (DeviceAddress) 寄存器（I2C 地址= 2Fh）[复位= 0h]
7-0
DEVICE_ID
R
说明：R/W = 读/写；R = 只读；-n = 复位后的值
表9-48. 器件ID (DeviceAddress) 寄存器字段说明
I2C
2Fh
说明（只读）
字段
类型
复位
7-0
DEVICE_ID
R
0b
I2C：88h (BQ25713)；8Ah (BQ25713B)
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10 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
10.1 应用信息
BQ2571xEVM-017 评估模块 (EVM) 是一个完整的充电器模块，用于评估 BQ25713/BQ25713B。应用曲线是使用
BQ2571xEVM-017 绘制的。有关EVM 的信息，请参阅EVM 用户指南。
10.2 典型应用
VSYS
6x10 µ F
2.2 µH
RAC=10 mΩ
RSR=10 mΩ
0.1 mF
ADAPTER
Q4
Q2
2.2 Ω
Q3
BATT
6x10 µ F
10 nF
Q1
47 nF
4.99 Ω
47 nF
(1 œ 4S)
1 µ F
1 mF
1 Ω
33 nF
33 nF
HIDRV1 LODRV1 SW1 BTST1
VBUS
BTST2
SW2
LODRV2 HIDRV2
10 W
10 W
Optional
snubber
SYS
470 nF
/BATDRV
SRP
ACN
ACP
10 Ω
SRN
REGN
VDDA
REGN
383 kW
220 kW
VDDA
ILIM_HIZ
1 uF
2.2 œ 3.3 uF
BQ25713
BQ25713B
GND
350 kΩ
CELL_BATPRESZ
250 kΩ
COMP1
COMP2
40.2 kΩ
33 pF
10 kΩ
680 pF
IADPT
IBAT
15pF
1800 pF
137 kΩ
100 pF
100 pF
PSYS
50 Ω
/PROCHOT
30 kΩ
SDA
SCL CHRG_OK EN_OTG
CMPIN
1.05 V
CMPOUT
10 kΩ
To CPU
10 kΩ
10 kΩ
3.3 V or 1.8 V
10 kΩ
Host
(I2C)
图10-1. 应用示意图
10.2.1 设计要求
设计参数
示例值
输入电压(2)
3.5V < 适配器电压< 24V
对于65W 适配器为3.2A
输入电流限制(2)
电池充电电压(1)
电池充电电流(1)
最小系统电压(1)
对于2 芯串联电池为8400mV
对于2 芯串联电池为3072mA
对于2 芯串联电池为6144mV
(1) 有关设置，请参阅电池规格。
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(2) 有关输入电压和输入电流限制的设置，请参阅适配器规格。
10.2.2 详细设计过程
可使用评估软件对这些参数进行配置。简化版应用电路（请参阅图 10-1，应用示意图）显示了最低元件要求。本
节的其余部分将介绍电感器、电容器和MOSFET 选择。有关完整的应用原理图，请参阅EVM 用户指南。
10.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
BQ25713/BQ25713B 具有平均电流模式控制。通过ACP/ACN 进行输入电流检测对于恢复电感器电流纹波至关重
要。板载寄生电感将在 ACP-ACN 上产生高频振铃，这会淹没转换器检测到的电感器电流信息，因此很难管理基
于不同 PCB 布局产生的寄生电感。更大的寄生电感将产生更大的检测电流振铃，这将导致平均电流控制环路进入
振荡状态。
对于实际的系统板条件，我们建议使用以下电路设计来获得最佳结果，并滤除由不同 PCB 寄生因素引起的噪声。
由于滤波器的时间常数为 47ns 至200ns，因此对振铃进行滤波是有效的，同时，检测到的信号的延迟很小，因此
不需要考虑平均电流模式控制。
RAC
Q1
6x10uF
(0805)
RACN
4.99ohm
RACP
4.99ohm
10nF(0402) 1nF(0402)
CDIFF
Open
CACN
33nF
CACP
33nF
ACP
ACN
HIDRV1
图10-2. ACN-ACP 输入滤波器
10.2.2.2 电感器选型
BQ25713/BQ25713B 具有两种可选的固定开关频率。更高的开关频率允许使用更小的电感器和电容器值。电感器
饱和电流应高于充电电流(ICHG) 加上一半的纹波电流(IRIPPLE)：
ISAT ³ ICHG + (1/2) IRIPPLE
(3)
降压运行模式下的电感器纹波电流取决于输入电压(VIN)、占空比(DBUCK = VOUT/VIN)、开关频率(fS) 和电感(L)：
V
´ D ´ (1 - D)
fS ´ L
IN
IRIPPLE_BUCK
=
(4)
在升压运行期间，占空比为：
DBOOST = 1 –(VIN/VBAT
纹波电流为：
)
IRIPPLE_BOOST = (VIN × DBOOST) / (fS × L)
最大电感器纹波电流发生在 D = 0.5 或接近 0.5 时。例如，3 节电池组成的电池包的电池充电电压范围为 9V 至
12.6V。对于 20V 适配器电压，10V 电池电压可提供最大电感器纹波电流。另一个示例是 4 节电池，电池电压范
围为12V 至16.8V，12V 电池电压可提供最大的电感器纹波电流。
通常，电感器纹波的设计范围为(20–40%) 最大充电电流，这是实际设计中电感器尺寸和效率之间的折衷。
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10.2.2.3 输入电容器
输入电容器应具有足够的额定纹波电流以吸收输入开关纹波电流。在降压模式下，当占空比为 0.5 时，最坏情况
下的 RMS 纹波电流是充电电流的一半（加上有任何系统负载时的系统电流）。如果转换器不以 50% 的占空比运
行，则最坏情况下的电容器RMS 电流发生在占空比最接近50% 的位置，可通过方程式5 估算得出：
ICIN = ICHG
´
D × (1 - D)
(5)
X7R 或X5R 等低ESR 陶瓷电容是输入去耦电容的首选，应放置在RAC 电流检测的前面，并尽可能靠近功率级半
桥MOSFET。功率级半桥之前RAC 后的电容应限制为10nF + 1nF，请参见图10-2。这是因为，如果RAC 后的电
容过大，可能会滤除RAC 电流检测纹波信息。电容器的额定电压必须高于正常输入电压电平，19V 至20V 输入电
压下最好使用25V 额定电压或更高的电容器。表10-1 给出了最小输入有效电容建议。
陶瓷电容器 (MLCC) 显示了直流偏置效应。在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时，这种效应可减小有效电容，就
像是在充电器的输入电容器上一样。这种影响可能会导致显著的电容压降，尤其是对于高输入电压和小型电容器
封装。请参阅制造商的数据表，了解施加直流偏置电压时的降额性能。为了在运行点获得所需的有效电容值，也
许有必要选择一个更高的额定电压或者标称电容值。考虑到 25V 0603 封装 MLCC 电容在 19V 至 20V 输入电压
下降额，建议的实际电容配置也可在表 10-1 中找到。钽电容器 (POSCAP) 可避免直流偏置效应和温度变化影
响，推荐用于功率更高的90W 至130W 应用。
表10-1. 最小输入电容要求
65W
90W
130W
输入电容器与总输入功率的关系
最低有效输入电容
4μF
6μF
13μF
最小实际输入电容器配置
4 个10μF (0603 25V MLCC) 6 个10μF (0603 25V MLCC) 3 个10μF (0603 25V MLCC)
1 个10μF（25V 至35V
POSCAP）
10.2.2.4 输出电容器
输出电容器还应具有足够的纹波电流额定值，以吸收输出开关纹波电流。为获得良好的环路稳定性，输出电感器
和输出电容器的谐振频率应设计为 10kHz 至 20kHz。输出电容器的首选陶瓷电容器为 25V X7R 或 X5R。建议将
至少 7 个 10μF 0603 封装电容器放置在尽可能靠近 Q3 和 Q4 半桥的位置（在 Q4 漏极端子和 Q3 源极端子之
间）。沿 VSYS 配电线路的总最小输出有效电容为 50μF，请参阅表 10-2。建议在充电电流检测电阻之后放置至
少20μF 的MLCC 电容器，以实现出色的稳定性。
陶瓷电容器表现出直流偏置效应。在陶瓷电容器上施加直流偏置电压时，这种效应可减小有效电容，就像是在充
电器的输出电容器上一样。这种影响可能会导致显著的电容压降，尤其是对于高输出电压和小型电容器封装。请
参阅制造商的数据表，了解施加直流偏置电压时的降额性能。为了在运行点获得所需的电容值，也许有必要选择
一个更高的额定电压或者标称电容值。考虑到 25V 0603 封装MLCC 电容在 21V 至23V 输出电压下降额，VSYS
输出端子处的建议实际电容器配置也可在表 10-2 中找到。钽电容器 (POSCAP) 可避免直流偏置效应和温差效
应，建议沿VSYS 输出配电线路使用，以满足总最小有效输出电容要求。
表10-2. 最小输出电容要求
65W
90W
130W
输出电容器与总输入功率间的关系
最小有效输出电容
50μF
50μF
50μF
充电器VSYS 输出端子上的最小输出电容器
沿VSYS 配电线路的附加输出电容器
7*10μF (0603 25V MLCC)
9*10μF (0603 25V MLCC)
9*10μF (0603 25V MLCC)
2*22μF（25V 至35V
POSCAP）
2*22μF（25V 至35V
POSCAP）
2*22μF（25V 至35V
POSCAP）
10.2.2.5 功率MOSFET 选择
四个外部 N 沟道 MOSFET 用于同步开关电池充电器。栅极驱动器在内部集成到具有 6V 栅极驱动电压的 IC 中。
对于19V 至20V 输入电压，首选30V 或更高额定电压的MOSFET。
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品质因数 (FOM) 通常用于根据导通损耗和开关损耗之间的权衡来选择合适的 MOSFET。对于顶部 MOSFET，
FOM 定义为 MOSFET 导通电阻 RDS(ON) 与栅漏电荷 QGD 的乘积。对于底部 MOSFET，FOM 定义为 MOSFET
导通电阻RDS(ON) 与总栅极电荷QG 的乘积。
FOMtop = RDS(on) x QGD；FOMbottom = RDS(on) x QG
(6)
FOM 值越低，总功率损耗越低。通常，在相同的封装尺寸下，较低的RDS(ON) 具有较高的成本。
顶部 MOSFET 损耗包括导通损耗和开关损耗。它是占空比 (D=VOUT/VIN)、充电电流 (ICHG)、MOSFET 导通电阻
(RDS(ON))、输入电压(VIN)、开关频率(fS)、导通时间(ton) 和关断时间(toff) 的函数：
1
2
= D ´ ICHG ´ RDS(on)
P
+
´ V ´ ICHG ´ (ton + toff ) ´ fs
IN
top
2
(7)
第一项表示导通损耗。通常，MOSFET RDS(ON) 在结温升高 100°C 时增加 50%。第二项表示开关损耗。
MOSFET 导通时间和关断时间的计算公式如下：
QSW
QSW
ton
=
, toff =
Ion
Ioff
(8)
其中Qsw 是开关电荷，Ion 是导通栅极驱动电流，Ioff 是关断栅极驱动电流。如果MOSFET 数据表中未给出开关电
荷，则可通过栅漏电荷(QGD) 和栅源电荷(QGS) 来估算开关电荷：
1
QSW = QGD
+
´ QGS
2
(9)
可通过栅极驱动器的 REGN 电压 (VREGN)、MOSFET 平坦电压 (Vplt)、总导通栅极电阻 (Ron) 和关断栅极电阻
(Roff) 来估算栅极驱动电流：
VREGN - Vplt
Vplt
Ion
=
, Ioff =
Ron
Roff
(10)
当底部MOSFET 在同步连续导通模式下运行时，其导通损耗的计算公式如下：
Pbottom = (1 - D) x ICHG 2 x RDS(on)
(11)
当充电器在非同步模式下运行时，底部 MOSFET 关断。因此，所有续流电流都流过底部 MOSFET 的体二极管。
体二极管功率损耗取决于其正向压降(VF)、非同步模式充电电流(INONSYNC) 和占空比(D)。
PD = VF x INONSYNC x (1 - D)
(12)
对于 10mΩ 充电电流检测电阻，非同步模式下的最大充电电流可达 0.25A，如果电池电压低于 2.5V，则可达
0.5A。当电池电压最低时，占空比最小。选择具有能够承载最大非同步模式充电电流的内部肖特基二极管或体二
极管的底部MOSFET。
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10.2.3 应用曲线
CH1: VBUS
CH2: VDDA
CH1: VBUS
CH2: VDDA
CH3: CHRG_OK
CH4: VSYS
CH3: CHRG_OK
CH4: VSYS
2 芯不带电池
2 芯不带电池
图10-3. 从20V 上电
图10-4. 从5V 上电
CH1: VBUS
CH1: VBUS
CH2: SW1
CH2: SW1
CH3: SW2
CH3: SW2
CH4: VSYS with 9Vos
CH4: IL
3 芯VBAT = 10V
VBUS 5V 至20V
图10-5. 从12V 断电
图10-6. 系统调节
CH2: SW1
CH1: HIDRV1
CH2: SW1
CH3: LODRV1
CH3: SW2
CH1: IL
CH4: IL
VBUS = 20V，VSYS = 10V，ISYS = 200mA
图10-8. PWM 运行
图10-7. PFM 运行
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CH2: SW2
CH2: SW1
CH3: SW2
CH1: HIDRV2
CH3: LODRV2
CH4: IL
CH4: IL
VBUS = 5V，VBAT = 10V
VBUS = 12V，VBAT = 12V
图10-9. 升压模式期间切换
图10-10. 降压/升压模式期间切换
CH1: VSYS
CH2: IIN
CH1: VSYS
CH2: IIN
CH3: ISYS
CH3: ISYS
VBUS = 9V/3.3A，3 芯，VSYS = 9V，无电池
VBUS = 12V/3.3A，3 芯，VSYS = 9V，无电池
图10-12. 降压/升压模式下的系统调节
图10-11. 降压模式下的系统调节
CH1: VSYS
CH2: IIN
CH2: IIN
CH3: ISYS
CH4: IBAT
CH3: ISYS
VBUS = 20V/3.3V，VBAT = 7.5V
VBUS = 5V/3.3A，3 芯，VSYS = 9V，无电池
图10-14. 降压模式下的输入电流调节
图10-13. 升压模式下的系统调节
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CH2:IIN
CH1: EN_OTG
CH2: VBUS
CH3:ISYS
CH4:IBAT
VBUS = 5V/3.3V，VBAT = 7.5V
VBUS = 5 V
图10-15. 升压模式下的输入电流
图10-16. OTG 通过8V 电池上电
CH1: SCL
CH1: SCL
CH2: VBUS
CH2: VBUS
CH3: SW2
CH3: SW2
VBAT = 10V，VBUS 5V 至20V，IOTG = 500mA
图10-18. OTG 断电
图10-17. OTG 电压斜升
CH2: VBUS
CH3: IVBUS
VBAT = 10V，VBUS = 20V
图10-19. OTG 负载瞬态
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11 电源相关建议
适配器的有效电压范围为3.5V (VVBUS_CONVEN) 至24V (ACOV)，额定电流至少为 500mA。当CHRG_OK 变为高
电平时，系统通过充电器从适配器供电。移除适配器后，系统通过 BATFET 连接到电池。通常，电池电量耗尽阈
值应大于最小系统电压，从而可以充分利用电池容量，以实现较长的电池寿命。
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12 布局
12.1 布局指南
对于防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题，采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路（参阅节
12.2）非常重要。以下是正确布局的PCB 布局优先级列表。
表12-1. PCB 布局指南
影响
规则
元件
功能
指南
1
PCB 层堆叠
热性能、效率、信号 建议使用多层PCB。至少分配一个接地层。BQ257XXEVM 使用
完整性
4 层PCB（顶层、接地层、信号层和底层）。
2
CBUS、RAC、
Q1、Q2
输入环路
高频噪声，纹波
VBUS 电容器、RAC、Q1 和Q2 构成一个小环路1。最好将它们
放在同一侧。用大面积的铜连接它们以减少寄生电阻。将部分
CBUS 移到PCB 的另一侧，以实现高密度设计。在Q1 和Q2 功
率级之前的RAC 之后，建议将10nF + 1nF（0402 封装）去耦电
容器尽可能靠近IC 放置，以便对开关环路高频噪声进行去耦。
3
4
5
6
7
RAC、Q1、L1、
Q4
电流路径
输出环路
电流路径
功率级
效率
从VBUS 到VSYS 通过RAC、Q1、L1、Q4 的电流路径具有低阻
抗。请留意过孔电阻是否不在同一侧。对于1oz 铜厚度的10mil
过孔，过孔数量可估算为1A 至2A/过孔。
CSYS、Q3、Q4
QBAT、RSR
高频噪声，纹波
VSYS 电容器Q3 和Q4 构成一个小环路2。最好将它们放在同一
侧。用大面积的铜连接它们以减少寄生电阻。将部分CSYS 移到
PCB 的另一侧，以实现高密度设计。
效率、电池电压检测 将QBAT 和RSR 放置在电池端子附近。从VBAT 到VSYS 通过
RSR 和QBAT 的电流路径具有低阻抗。请留意过孔电阻是否不在
同一侧。该器件通过电池端子附近的SRN 检测电池电压。
Q1、Q2、L1、
Q3、Q4
热性能、效率
将Q1、Q2、L1、Q3 和Q4 彼此相邻放置。留出足够的铜面积来
散热。建议铜面积为焊盘尺寸的2 到4 倍。多个散热过孔可用于
将更多铜层连接在一起并散发更多热量。
RAC、RSR
电流检测
调节精度
对RAC 和RSR 电流检测电阻使用开尔文检测技术。将电流检测走
线连接到焊盘的中心，并将电流检测走线用作差分对。
8
9
小电容
IC 旁路电容器
HS 栅极驱动
噪声、抖动、纹波
将VBUS 电容、VCC 电容、REGN 电容靠近IC 放置。
BST 电容器
高频噪声，纹波
将HS MOSFET 升压自举电路电容器放置在靠近IC 的位置并位
于PCB 板的同一侧。建议电容器SW1/2 节点使用宽铜多边形连
接到功率级，建议电容器BST1/2 节点使用至少8mil 的迹线连接
到IC BST1/2 引脚。
10
接地分区
测量精度、调节精
度、抖动、纹波
优先选择单独的模拟接地(AGND) 和电源接地(PGND)。PGND
应用于所有功率级相关的接地网。AGND 应用于所有检测、补偿
和控制网络接地，例如ACP/ACN/COMP1/COMP2/CMPIN/
CMPOUT/IADPT/IBAT/PSYS。将所有模拟接地端连接到专用的
低阻抗覆铜平面，该覆铜平面连接到IC 外露焊盘下方的电源接地
端。如果可能，请使用专用的COMP1、COMP2 AGND 布线。使
用电源板作为单一接地连接点，将模拟接地和电源接地连接在一
起。
12.2 布局示例
12.2.1 布局示例参考顶视图
根据上述布局指南，降压/升压充电器布局示例顶视图如下所示，其中包括所有关键电源元件。
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图12-1. 降压/升压充电器布局参考示例顶视图
12.2.2 内层布局和布线示例
对于输入检测电阻器和充电电流检测电阻，建议使用差分检测和布线方法，如下图中突出显示的那样。栅极驱动
布线使用宽迹线，迹线宽度最小为 15mil。将所有模拟接地端连接到专用的低阻抗覆铜平面，该覆铜平面连接到
IC 外露焊盘下方的电源接地端。建议使用专用的COMP1、COMP2 模拟接地线迹，如下图所示。
图12-2. 降压/升压充电器栅极驱动/电流检测/AGND 信号层布线示例
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13 器件和文档支持
13.1 器件支持
13.1.1 第三方产品免责声明
TI 发布的与第三方产品或服务有关的信息，不能构成与此类产品或服务或保修的适用性有关的认可，不能构成此
类产品或服务单独或与任何TI 产品或服务一起的表示或认可。
13.2 文档支持
13.2.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• “半导体和IC 封装热指标”应用报告
• BQ2571x 评估模块用户指南
• “QFN/SON PCB 连接”应用报告
13.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
13.4 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
13.5 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
13.6 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
13.7 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
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14 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
BQ25713BRSNR
BQ25713BRSNT
ACTIVE
QFN
QFN
RSN
32
32
3000 RoHS & Green NIPDAU | NIPDAUAG Level-2-260C-1 YEAR
250 RoHS & Green NIPDAU | NIPDAUAG Level-2-260C-1 YEAR
3000 RoHS & Green NIPDAU | NIPDAUAG Level-2-260C-1 YEAR
250 RoHS & Green NIPDAU | NIPDAUAG Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 85
-40 to 85
BQ
25713B
Samples
Samples
ACTIVE
RSN
BQ
25713B
BQ25713RSNR
BQ25713RSNT
ACTIVE
ACTIVE
QFN
QFN
RSN
RSN
32
32
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BQ25713
Samples
Samples
BQ25713
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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25-May-2023
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
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PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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25-May-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
BQ25713BRSNR
BQ25713BRSNR
BQ25713BRSNT
BQ25713BRSNT
BQ25713RSNR
BQ25713RSNR
BQ25713RSNT
BQ25713RSNT
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
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3000
3000
250
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330.0
180.0
180.0
330.0
330.0
180.0
180.0
12.4
12.4
12.5
12.4
12.4
12.4
12.5
12.4
4.35
4.25
4.35
4.25
4.25
4.35
4.35
4.25
4.35
4.25
4.35
4.25
4.25
4.35
4.35
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1.1
1.15
1.1
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
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Q2
Q2
Q2
Q2
Q2
Q2
Q2
Q2
250
1.15
1.15
1.1
3000
3000
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1.1
250
1.15
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
25-May-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
BQ25713BRSNR
BQ25713BRSNR
BQ25713BRSNT
BQ25713BRSNT
BQ25713RSNR
BQ25713RSNR
BQ25713RSNT
BQ25713RSNT
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
QFN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
RSN
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32
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3000
3000
250
338.0
367.0
205.0
210.0
367.0
338.0
205.0
210.0
355.0
367.0
200.0
185.0
367.0
355.0
200.0
185.0
50.0
35.0
33.0
35.0
35.0
50.0
33.0
35.0
250
3000
3000
250
250
Pack Materials-Page 2
重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
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邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Copyright © 2023，德州仪器 (TI) 公司
相关型号：
SI9130DB
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VISHAY
SI9135LG-T1
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SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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