CSD17581Q5AT [TI]
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQJ | 8 | -55 to 150;
| 型号： | CSD17581Q5AT |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | DQJ | 8 | -55 to 150 局域网 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 |
| 文件： | 总15页 (文件大小：563K) |
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CSD17581Q5A
ZHCSFG6 –SEPTEMBER 2016
CSD17581Q5A 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
1 特性
产品概要
1
•
•
•
•
•
•
•
•
低 Qg 和 Qgd
TA=25°C
VDS
典型值
单位
V
低 RDS(on)
漏源极电压
30
20
4
低热阻抗
Qg
栅极电荷总量 (4.5V)
栅极电荷 栅极到漏极
nC
nC
mΩ
mΩ
V
雪崩级
Qgd
VGS = 4.5V
VGS = 10V
1.3
3.5
2.9
无铅引脚镀层
RDS(on) 漏源导通电阻
VGS(th) 阈值电压
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
.
器件信息(1)
数量
2 应用范围
器件
包装介质
封装
SON
运输
CSD17581Q5A
CSD17581Q5AT
13 英寸卷带 2500
7 英寸卷带 250
•
用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降
压转换器
5.00mm × 6.00mm
塑料封装
卷带式
•
针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了 优化
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
3 说明
绝对最大额定值
TA = 25°C
值
30
单位
V
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 30V、2.9mΩ、
NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中
大大降低 损耗。
VDS 漏源极电压
VGS 栅源电压
±20
60
V
持续漏极电流（受封装限制）
持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时
测得
俯视图
ID
123
A
持续漏极电流(1)
脉冲漏极电流(2)
功率耗散(1)
24
256
3.1
83
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
IDM
PD
A
W
功率耗散，TC = 25°C
TJ， 工作结温，
-55 至 150
°C
Tstg
储存温度
D
D
雪崩能量，单一脉冲
ID = 39A，L = 0.1mH，RG = 25Ω
EAS
76
mJ
P0093-01
(1) RθJA = 40°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4)
印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司铜焊盘上测得的典型
值。
.
.
(2) 最大 RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
RDS(on) 与 VGS 间的关系
栅极电荷
10
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
ID = 16 A
VDS = 15 V
TC = 25°C, I D = 16 A
TC = 125°C, I D = 16 A
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
Qg - Gate Charge (nC)
D007
D004
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SLPS630
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目录
6.1 接收文档更新通知 ..................................................... 7
6.2 社区资源.................................................................... 7
6.3 商标........................................................................... 7
6.4 静电放电警告............................................................. 7
6.5 Glossary.................................................................... 7
机械、封装和可订购信息 ......................................... 8
7.1 Q5A 封装尺寸............................................................ 8
7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局...................................... 9
7.3 建议模板开口........................................................... 10
7.4 Q5A 卷带信息.......................................................... 10
1
2
3
4
5
特性.......................................................................... 1
应用范围................................................................... 1
说明.......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
Specifications......................................................... 3
5.1 Electrical Characteristics........................................... 3
5.2 Thermal Information.................................................. 3
5.3 Typical MOSFET Characteristics.............................. 4
器件和文档支持........................................................ 7
7
6
4 修订历史记录
日期
修订版本
注释
2016 年 9 月
*
最初发布。
2
版权 © 2016, Texas Instruments Incorporated
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5 Specifications
5.1 Electrical Characteristics
TA = 25°C (unless otherwise stated)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX UNIT
STATIC CHARACTERISTICS
BVDSS
IDSS
Drain-to-source voltage
VGS = 0 V, ID = 250 μA
30
V
Drain-to-source leakage current
Gate-to-source leakage current
Gate-to-source threshold voltage
VGS = 0 V, VDS = 24 V
VDS = 0 V, VGS = 20 V
VDS = VGS, ID = 250 μA
VGS = 4.5 V, ID = 16 A
VGS = 10 V, ID = 16 A
VDS = 3 V, ID = 16 A
1
100
1.7
4.2
3.4
μA
nA
V
IGSS
VGS(th)
1.0
1.3
3.5
2.9
85
mΩ
mΩ
S
RDS(on)
gfs
Drain-to-source on-resistance
Transconductance
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Ciss
Coss
Crss
RG
Input capacitance
2800
342
150
1.8
20
3640
445
195
3.6
pF
pF
pF
Ω
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Series gate resistance
Gate charge total (4.5 V)
Gate charge total (10 V)
Gate charge gate-to-drain
Gate charge gate-to-source
Gate charge at Vth
Output charge
VGS = 0 V, VDS = 15 V, ƒ = 1 MHz
Qg
25
nC
Qg
41
54
Qgd
Qgs
Qg(th)
Qoss
td(on)
tr
VDS = 15 V, ID = 16 A
VDS = 15 V, VGS = 0 V
4.0
6.9
3.6
11.7
12
nC
nC
nC
nC
ns
Turnon delay time
Rise time
21
ns
VDS = 15 V, VGS = 10 V,
IDS = 16 A, RG = 0 Ω
td(off)
tf
Turnoff delay time
Fall time
25
ns
10
ns
DIODE CHARACTERISTICS
VSD
Qrr
trr
Diode forward voltage
Reverse recovery charge
Reverse recovery time
ISD = 16 A, VGS = 0 V
0.8
13
11
1.0
V
nC
ns
VDS= 15 V, IF = 16 A,
di/dt = 300 A/μs
5.2 Thermal Information
TA = 25°C (unless otherwise stated)
THERMAL METRIC
Junction-to-case thermal resistance(1)
Junction-to-ambient thermal resistance(1)(2)
θJC is determined with the device mounted on a 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz (0.071-mm) thick Cu pad on a 1.5-in × 1.5-in
MIN
TYP
MAX
UNIT
RθJC
RθJA
1.5
50
°C
(1)
R
(3.81-cm × 3.81-cm), 0.06-in (1.52-mm) thick FR4 PCB. RθJC is specified by design, whereas RθJA is determined by the user’s board
design.
(2) Device mounted on FR4 material with 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz (0.071-mm) thick Cu.
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
3
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GATE
Source
GATE
Source
Max RθJA = 50°C/W
when mounted on 1-in2
(6.45-cm2) of
2-oz (0.071-mm) thick
Cu.
Max RθJA = 125°C/W
when mounted on a
minimum pad area of
2-oz (0.071-mm) thick
Cu.
DRAIN
DRAIN
M0137-02
M0137-01
5.3 Typical MOSFET Characteristics
TA = 25°C (unless otherwise stated)
Figure 1. Transient Thermal Impedance
4
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Typical MOSFET Characteristics (continued)
TA = 25°C (unless otherwise stated)
200
200
180
160
140
120
100
80
TC = 125°C
TC = 25°C
TC = -55°C
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
VGS = 4.5 V
VGS = 6 V
VGS = 10 V
20
0
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
D002
D003
VDS = 5 V
Figure 2. Saturation Characteristics
Figure 3. Transfer Characteristics
10000
1000
100
10
8
6
4
2
Ciss = Cgd + Cgs
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
Qg - Gate Charge (nC)
D005
D004
VDS = 15 V
ID = 16 A
Figure 5. Capacitance
Figure 4. Gate Charge
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
TC = 25°C, I D = 16 A
TC = 125°C, I D = 16 A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
TC - Case Temperature (°C)
D007
D006
ID = 250 µA
Figure 7. On-State Resistance vs Gate-to-Source Voltage
Figure 6. Threshold Voltage vs Temperature
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Typical MOSFET Characteristics (continued)
TA = 25°C (unless otherwise stated)
100
10
1.8
TC = 25°C
TC = 125°C
VGS = 4.5 V
VGS = 10 V
1.6
1.4
1.2
1
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.8
0.6
0.4
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
TC - Case Temperature (°C)
VSD - Source-to-Drain Voltage (V)
D008
D009
ID = 16 A
Figure 8. Normalized On-State Resistance vs Temperature
Figure 9. Typical Diode Forward Voltage
1000
100
10
1
TC = 25è C
TC = 125è C
100
10
1
DC
10 ms
1 ms
100 µs
10 µs
0.1
0.1
0.01
0.1
1
1
10
100
TAV - Time in Avalanche (ms)
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
D011
D010
Single pulse, max RθJC = 1.5°C/W
Figure 11. Single Pulse Unclamped Inductive Switching
Figure 10. Maximum Safe Operating Area (SOA)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TC - Case Temperature (°C)
D012
Figure 12. Maximum Drain Current vs Temperature
6
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6 器件和文档支持
6.1 接收文档更新通知
如需接收文档更新通知，请访问 www.ti.com.cn 网站上的器件产品文件夹。点击右上角的提醒我 (Alert me) 注册
后，即可每周定期收到已更改的产品信息。有关更改的详细信息，请查阅已修订文档中包含的修订历史记录。
6.2 社区资源
The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective
contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of
Use.
TI E2E™ Online Community TI's Engineer-to-Engineer (E2E) Community. Created to foster collaboration
among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help
solve problems with fellow engineers.
Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and
contact information for technical support.
6.3 商标
NexFET, E2E are trademarks of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
6.4 静电放电警告
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损
伤。
6.5 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
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7
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7 机械、封装和可订购信息
以下页中包括机械、封装和可订购信息。这些信息是针对指定器件可提供的最新数据。这些数据会在无通知且不对
本文档进行修订的情况下发生改变。欲获得该数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏
7.1 Q5A 封装尺寸
毫米
DIM
最小值
0.90
0.33
0.20
4.80
3.61
5.90
5.70
3.38
3.03
1.17
0.27
0.15
0.41
1.10
0.51
0.06
0°
标称值
1.00
0.41
0.25
4.90
3.81
6.00
5.75
3.58
3.13
1.27
0.37
0.25
0.56
—
最大值
1.10
0.51
0.34
5.00
4.02
6.10
5.80
3.78
3.23
1.37
0.47
0.35
0.71
—
A
b
c
D1
D2
E
E1
E2
E3
e
e1
e2
H
K
L
0.61
0.13
—
0.71
0.20
12°
L1
θ
8
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7.2 建议印刷电路板 (PCB) 布局
F1
F7
F6
F10
M0139-01
毫米
英寸
最小值
DIM
最小值
最大值
6.305
4.56
4.56
0.7
最大值
0.248
0.18
F1
F2
6.205
4.46
4.46
0.65
0.62
0.63
0.7
0.244
0.176
0.176
0.026
0.024
0.025
0.028
0.026
0.024
0.193
0.176
F3
0.18
F4
0.028
0.026
0.027
0.031
0.028
0.026
0.197
0.18
F5
0.67
0.68
0.8
F6
F7
F8
0.65
0.62
4.9
0.7
F9
0.67
5
F10
F11
4.46
4.56
要获得与印刷电路板 (PCB) 设计相关的建议电路布局布线，请参见《应用说明》SLPA005 - 通过 PCB 布局布线技
巧来减少振铃。
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9
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7.3 建议模板开口
(0.020) 8x
0.500
(0.020)
0.500
0.500
(0.020) 8x
1.235
(0.049)
1.585
(0.062)
(0.024)
0.620
(0.170)
4.310
0.385
(0.015)
(0.062)
4x
1.570
(0.050)
1.270
0.615
1.105
(0.024)
(0.044)
3.020
(0.119)
7.4 Q5A 卷带信息
K0
4.00 0.10 ꢀ(SS ꢁNoS 1ꢂ
0.30 0.05
2.00 0.05
+0.10
–0.00
Ø 1.50
B0
A0
8.00 0.10
R 0.30 MAX
Ø 1.50 MIꢁ
R 0.30 TYP
A0 = 6.50 0.10
B0 = 5.30 0.10
K0 = 1.40 0.10
M0138-01
注：
1. 10 链轮孔距累积容差 ±0.2
2. 每 100mm 长度的翘曲不能超过 1mm，在 250mm 长度上不累积 (Camber not to exceed 1 mm in 100 mm,
noncumulative over 250 mm)
3. 材料：黑色抗静电聚苯乙烯
4. 全部尺寸单位为 mm（除非另外注明）
10
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Q5A 卷带信息 (接下页)
5. 高于孔眼底部 0.3mm 的平面上测量得到 A0 和 B0 值
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11
重要声明
德州仪器(TI) 及其下属子公司有权根据 JESD46 最新标准, 对所提供的产品和服务进行更正、修改、增强、改进或其它更改， 并有权根据
JESD48 最新标准中止提供任何产品和服务。客户在下订单前应获取最新的相关信息, 并验证这些信息是否完整且是最新的。所有产品的销售
都遵循在订单确认时所提供的TI 销售条款与条件。
TI 保证其所销售的组件的性能符合产品销售时 TI 半导体产品销售条件与条款的适用规范。仅在 TI 保证的范围内，且 TI 认为 有必要时才会使
用测试或其它质量控制技术。除非适用法律做出了硬性规定，否则没有必要对每种组件的所有参数进行测试。
TI 对应用帮助或客户产品设计不承担任何义务。客户应对其使用 TI 组件的产品和应用自行负责。为尽量减小与客户产品和应 用相关的风险，
客户应提供充分的设计与操作安全措施。
TI 不对任何 TI 专利权、版权、屏蔽作品权或其它与使用了 TI 组件或服务的组合设备、机器或流程相关的 TI 知识产权中授予 的直接或隐含权
限作出任何保证或解释。TI 所发布的与第三方产品或服务有关的信息，不能构成从 TI 获得使用这些产品或服 务的许可、授权、或认可。使用
此类信息可能需要获得第三方的专利权或其它知识产权方面的许可，或是 TI 的专利权或其它 知识产权方面的许可。
对于 TI 的产品手册或数据表中 TI 信息的重要部分，仅在没有对内容进行任何篡改且带有相关授权、条件、限制和声明的情况 下才允许进行
复制。TI 对此类篡改过的文件不承担任何责任或义务。复制第三方的信息可能需要服从额外的限制条件。
在转售 TI 组件或服务时，如果对该组件或服务参数的陈述与 TI 标明的参数相比存在差异或虚假成分，则会失去相关 TI 组件 或服务的所有明
示或暗示授权，且这是不正当的、欺诈性商业行为。TI 对任何此类虚假陈述均不承担任何责任或义务。
客户认可并同意，尽管任何应用相关信息或支持仍可能由 TI 提供，但他们将独力负责满足与其产品及在其应用中使用 TI 产品 相关的所有法
律、法规和安全相关要求。客户声明并同意，他们具备制定与实施安全措施所需的全部专业技术和知识，可预见 故障的危险后果、监测故障
及其后果、降低有可能造成人身伤害的故障的发生机率并采取适当的补救措施。客户将全额赔偿因 在此类安全关键应用中使用任何 TI 组件而
对 TI 及其代理造成的任何损失。
在某些场合中，为了推进安全相关应用有可能对 TI 组件进行特别的促销。TI 的目标是利用此类组件帮助客户设计和创立其特 有的可满足适用
的功能安全性标准和要求的终端产品解决方案。尽管如此，此类组件仍然服从这些条款。
TI 组件未获得用于 FDA Class III（或类似的生命攸关医疗设备）的授权许可，除非各方授权官员已经达成了专门管控此类使 用的特别协议。
只有那些 TI 特别注明属于军用等级或“增强型塑料”的 TI 组件才是设计或专门用于军事/航空应用或环境的。购买者认可并同 意，对并非指定面
向军事或航空航天用途的 TI 组件进行军事或航空航天方面的应用，其风险由客户单独承担，并且由客户独 力负责满足与此类使用相关的所有
法律和法规要求。
TI 已明确指定符合 ISO/TS16949 要求的产品，这些产品主要用于汽车。在任何情况下，因使用非指定产品而无法达到 ISO/TS16949 要
求，TI不承担任何责任。
产品
应用
www.ti.com.cn/telecom
数字音频
www.ti.com.cn/audio
www.ti.com.cn/amplifiers
www.ti.com.cn/dataconverters
www.dlp.com
通信与电信
计算机及周边
消费电子
能源
放大器和线性器件
数据转换器
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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10-Dec-2020
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
2500
250
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
CSD17581Q5A
CSD17581Q5AT
ACTIVE
VSONP
VSONP
DQJ
8
8
RoHS-Exempt
& Green
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-55 to 150
-55 to 150
CSD17581
CSD17581
ACTIVE
DQJ
RoHS-Exempt
& Green
SN
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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10-Dec-2020
Addendum-Page 2
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担保。
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相关型号：
CSD17585F5T
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJK | 3 | -55 to 150
TI
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