DRV5013-Q1 [TI]

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器;
DRV5013-Q1
型号: DRV5013-Q1
厂家: TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述:

汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

锁存器
文件: 总32页 (文件大小:1509K)
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DRV5013-Q1  
ZHCSDD4I DECEMBER 2014 REVISED FEBRUARY 2023  
DRV5013-Q1 汽车数字锁存霍尔效应传感器  
1 特性  
2 应用  
• 符合面向汽车应用AEC-Q100 标准:  
• 电动工具  
• 流量计  
• 阀和电磁阀状态  
• 无刷直流电机  
• 接近传感  
• 转速计  
DRV5013xxQ 1 TA = 40°C 125°C请  
参阅器件命名规则)  
DRV5013xxE 0 TA = 40°C 150°C请  
参阅器件命名规则)  
• 数字双极锁存霍尔传感器  
• 出色的温度稳定性  
3 描述  
– 工作温度范围BOP ±10%  
DRV5013-Q1 件是一款斩波稳定型霍尔效应传感  
可在温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成  
保护特性的磁场感应解决方案。  
• 多个灵敏度选(BOP/BRP  
)
±1.3mTFA请参阅器件命名规则)  
±2.7mTAD请参阅器件命名规则)  
±6mTAG请参阅器件命名规则)  
±12mTBC请参阅器件命名规则)  
• 支持宽电压范围  
磁场通过数字双极锁存输出表示。该集成电路 (IC) 配  
有一个灌电流能力达 30mA 的漏极开路输出级。该器  
件具2.7V 38V 的宽工作电压范围反极性保护高  
22V因此适用于各种汽车应用。  
2.7 V 38 V  
– 无需外部稳压器  
• 开漏输出30mA 灌电流)  
• 快速开通时35µs  
• 小型封装和外形尺寸  
针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流提供  
了内部保护功能。  
封装信息(1)  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
封装  
SOT-23 (3)  
TO-92 (3)  
– 表面贴3 SOT-23 (DBZ)  
2.92mm × 1.30mm  
4.00mm × 3.15mm  
2.92mm × 2.37mm  
– 穿孔3 TO-92LPG)  
4.00mm × 3.15mm  
DRV5013-Q1  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的封装选项附录。  
保护特性:  
– 反向电源保护-22V)  
– 支持高40V 的负载突降  
– 输出短路保护  
– 输出电流限制  
– 输出电池短路保护  
OUT  
B
hys  
B (mT)  
B
B
OP  
RP  
B
OF  
(North)  
(South)  
输出状态  
器件封装  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
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内容  
1 特性................................................................................... 1  
2 应用................................................................................... 1  
3 描述................................................................................... 1  
4 修订历史记录.....................................................................2  
5 引脚配置和功能................................................................. 3  
6 规格................................................................................... 4  
6.1 绝对最大额定值...........................................................4  
6.2 ESD 等级.................................................................... 4  
6.3 建议运行条件.............................................................. 4  
6.4 热性能信息..................................................................4  
6.5 电气特性......................................................................5  
6.6 开关特性......................................................................5  
6.7 磁特性......................................................................... 6  
6.8 典型特性......................................................................7  
7 详细说明............................................................................ 9  
7.1 概述.............................................................................9  
7.2 功能模块图..................................................................9  
7.3 特性说明....................................................................10  
7.4 器件功能模式............................................................ 14  
8 应用和实施.......................................................................15  
8.1 应用信息....................................................................15  
8.2 典型应用....................................................................15  
8.3 电源相关建议............................................................ 18  
8.4 布局...........................................................................18  
9 器件和文档支持............................................................... 19  
9.1 器件支持....................................................................19  
9.2 接收文档更新通知..................................................... 19  
9.3 支持资源....................................................................20  
9.4 商标...........................................................................20  
9.5 静电放电警告............................................................ 20  
9.6 术语表....................................................................... 20  
10 机械、封装和可订购信息...............................................20  
4 修订历史记录  
以前版本的页码可能与当前版本的页码不同  
Changes from Revision H (August 2018) to Revision I (February 2023)  
Page  
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1  
• 将表标题从“器件信息”更改为“封装信息”....................................................................................................1  
• 将电源相关建部分移到了应用和实部分........................................................................................18  
Changes from Revision G (October 2017) to Revision H (August 2018)  
Page  
• 更改了电源相关建部分................................................................................................................................. 18  
Changes from Revision F (September 2016) to Revision G (October 2017)  
Page  
• 将特定于汽车的特性要点的位置更改为“特性”部分的顶部.............................................................................. 1  
• 向特定于汽车的要点添加了器HBM CDM 分类子要点....................................................................... 1  
• 在器件功能模部分中添加了最后一句............................................................................................................14  
Changes from Revision E (August 2016) to Revision F (September 2016)  
Page  
• 更改了电气特表中的开通时间........................................................................................................................ 5  
Changes from Revision D (June 2016) to Revision E (August 2016)  
Page  
• 修订了磁特FA 版本的初步限制.............................................................................................................. 6  
• 添加了部分................................................................................................................................................18  
Changes from Revision C (May 2016) to Revision D (June 2016)  
Page  
• 修订FA 版本的初步限制................................................................................................................................. 6  
Changes from Revision B (February 2016) to Revision C (May 2016)  
Page  
• 修订FA 版本的初步限制................................................................................................................................. 6  
Changes from Revision A (December 2015) to Revision B (February 2016)  
Page  
• 添加FA 器件选项............................................................................................................................................ 1  
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• 在磁特表中添加了典型带宽值........................................................................................................................ 6  
Changes from Revision * (December 2014) to Revision A (June 2015) Page  
• 更正SOT-23 封装的尺寸并SIP 封装名称更正TO-92............................................................................. 1  
• 向绝对最大额定中添加BMAX ..................................................................................................................... 4  
• 在绝对最大额定中删除了有关工作结温测试的表注........................................................................................4  
• 添加了社区资................................................................................................................................................19  
• 更新了封装卷带选M 和空白..........................................................................................................................19  
5 引脚配置和功能  
有关更多配置信息请参阅器件标机械、封装和可订购信息。  
OUT  
2
1
2
3
3
GND  
1
V
CC  
5-1. DBZ 3 SOT-23 顶视图  
VCC  
OUT  
GND  
5-2. LPG 3 TO-92 顶视图  
5-1. 引脚功能  
引脚  
类型  
说明  
DBZ  
LPG  
名称  
GND  
OUT  
3
2
2
3
接地  
输出  
接地引脚  
霍尔传感器开漏输出。开漏需要一个上拉电阻器。  
2.7V 38V 电源。使用额定值VCC 0.01µF最小值陶瓷电容器将此引脚旁路至  
GND 引脚。  
VCC  
1
1
Power  
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6 规格  
6.1 绝对最大额定值  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得除非另有说明(1)  
最小值  
-22(2)  
无限  
最大值  
单位  
VCC  
40  
V
电压斜升速(VCC)VCC < 5V  
电源电压  
V/µs  
0
-0.5  
0
2
电压斜升速(VCC)VCC > 5V  
40  
V
输出引脚电压  
100  
mA  
反向电源条件下的输出引脚反向电流  
磁通量密度BMAX  
无限  
-40  
-40  
-65  
150  
175  
150  
Q请参阅9-1  
°C  
°C  
运行结温TJ  
E请参阅9-1  
贮存温度Tstg  
(1) 超出绝对最大额定的运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定并不表示器件在这些条件下或在建议运行条以外的任何其  
他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件、但在绝对最大额定范围内使用器件可能不会完全正常运行这可能影响器件的可  
靠性、功能和性能并缩短器件寿命。  
(2) 根据设计确定。仅针20V 进行了测试。  
6.2 ESD 等级  
单位  
人体放电模(HBM)AEC Q100-002(1)  
HBM ESD 分类等2  
±2500  
V(ESD)  
V
静电放电  
充电器件模(CDM)AEC Q100-011  
HBM ESD 分类等C4B  
±500  
(1) AEC Q100-002 指示应当按ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执HBM 应力测试。  
6.3 建议运行条件  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得除非另有说明)  
最小值  
最大值  
单位  
VCC  
VO  
2.7  
38  
38  
V
电源电压  
0
0
V
输出引脚电(OUT)  
输出引脚灌电(OUT)(1)  
ISINK  
30  
mA  
-40  
-40  
125  
150  
Q请参阅9-1  
E请参阅9-1  
TA  
°C  
工作环境温度  
(1) 必须遵循功率耗散和热限值。  
6.4 热性能信息  
DRV5013-Q1  
热指标(1)  
DBZ (SOT-23)  
3 引脚  
333.2  
99.9  
LPG (TO-92)  
3 引脚  
180  
单位  
RθJA  
RθJC(top)  
RθJB  
ψJT  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
结至环境热阻  
98.6  
结至外壳顶部热阻  
结至电路板热阻  
66.9  
154.9  
40  
4.9  
结至顶部特征参数  
结至电路板特征参数  
65.2  
154.9  
ψJB  
(1) 有关新旧热指标的更多信息请参阅半导体IC 封装热指应用报告。  
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6.5 电气特性  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得除非另有说明)  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
(VCC  
)
VCC  
2.7  
38  
V
VCC 工作电压  
2.7  
3
VCC = 2.7V 38VTA = 25°C  
VCC = 2.7V 38VTA = TA, MAX  
ADAGBC 版本  
ICC  
mA  
工作电源电流  
(1)  
3.5  
50  
70  
35  
35  
ton  
µs  
加电时间  
FA 版本  
开漏输(OUT)  
VCC = 3.3VIO = 10mATA = 25°C  
VCC = 3.3VIO = 10mATA = 125 (1)  
输出高阻态  
22  
36  
rDS(on)  
FET 导通电阻  
Ω
50  
1
Ilkg(off)  
µA  
关断状态漏电流  
保护电路  
VCCR  
V
22  
反向电源电压  
过流保护等级  
IOCP  
15  
30  
45  
mA  
OUT VCC  
(1) Q 1 级器件TA, MAX 125°CE 0 级器件150°C请参阅9-1。  
6.6 开关特性  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得除非另有说明)  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值  
单位  
开漏输(OUT)  
td  
tr  
tf  
13  
200  
31  
25  
µs  
ns  
ns  
输出延迟时间  
B = BRP 10mT BOP + 10mT1µs )  
R1 = 1kΩCO = 50pFVCC = 3.3V  
R1 = 1kΩCO = 50pFVCC = 3.3V  
输出上升时间10% 90%)  
输出下降时间90% 10%)  
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6.7 磁特性  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得除非另有说明)  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位(1)  
带宽(2)  
20  
30  
kHz  
ƒBW  
DRV5013FA±1.3mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
1.3  
3.4  
0.6  
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点请参阅7-2  
释放点请参阅7-2  
迟滞Bhys = (BOP BRP  
0.6  
-3.4  
1.2  
1.3  
2.6  
0
)
1.5  
磁偏移BO = (BOP + BRP) / 2  
1.5  
DRV5013AD±2.7mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
1
2.7  
5
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点请参阅7-2  
释放点请参阅7-2  
迟滞Bhys = (BOP BRP  
-5  
-1  
2.7  
5.4  
0
)
1.5  
磁偏移BO = (BOP + BRP) / 2  
1.5  
DRV5013AG±6mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
3
6
-6  
12  
0
9
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点请参阅7-2  
释放点请参阅7-2  
迟滞Bhys = (BOP BRP  
-9  
3  
)
1.5  
磁偏移BO = (BOP + BRP) / 2  
1.5  
DRV5013BC±12mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
6
12  
18  
-6  
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点请参阅7-2  
释放点请参阅7-2  
迟滞Bhys = (BOP BRP  
18  
12  
24  
)
0
1.5  
磁偏移BO = (BOP + BRP) / 2  
1.5  
(1) 1mT = 10 高斯。  
(2) 带宽描述了可以检测到并转换为输出的变化最快的磁场。  
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6.8 典型特性  
3.5  
3.5  
TA = œ40°C  
TA = 25°C  
TA = 75°C  
TA = 125°C  
TA = 150°C  
VCC = 3.3 V  
VCC = 13.2 V  
VCC = 38 V  
3
3
2.5  
2.5  
2
0
2
-50  
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-25  
0
25  
50  
75  
Ambient Temperature (°C)  
100  
125  
150  
D009  
D010  
6-1. ICC VCC 之间的关系  
6-2. ICC 与温度之间的关系  
14  
12  
10  
8
14  
12  
10  
8
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
6
6
4
4
2
2
0
0
0
-50  
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-25  
0
25  
50  
75  
Ambient Temperature (°C)  
100  
125  
150  
D001  
D002  
TA = 25°C  
6-3. BOP VCC 之间的关系  
VCC = 3.3V  
6-4. BOP 与温度之间的关系  
0
-2  
0
-2  
-4  
-4  
-6  
-6  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
-8  
-8  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
-10  
-12  
-14  
-10  
-12  
-14  
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
Ambient Temperature (°C)  
50  
75  
100  
125  
150  
D003  
D004  
TA = 25°C  
VCC = 3.3V  
6-6. BRP 与温度之间的关系  
6-5. BRP VCC 之间的关系  
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6.8 典型特(continued)  
30  
30  
25  
20  
15  
10  
5
25  
20  
15  
10  
5
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
0
0
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
Ambient Temperature (°C)  
75  
100  
125  
150  
D007  
D008  
TA = 25°C  
VCC = 3.3V  
6-8. 迟滞与温度之间的关系  
6-7. 迟滞VCC 之间的关系  
0.25  
0.125  
0
0.25  
0.125  
0
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
-0.125  
-0.25  
-0.125  
-0.25  
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
Ambient Temperature (°C)  
75  
100  
125  
150  
D005  
D006  
TA = 25°C  
VCC = 3.3V  
6-10. 偏移与温度之间的关系  
6-9. 偏移VCC 之间的关系  
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7 详细说明  
7.1 概述  
DRV5013-Q1 器件是一款具有数字锁存输出的斩波稳定型霍尔传感器适用于磁感应应用。DRV5013-Q1 器件可  
由介于 2.7V 38V 之间的电源电压供电并可连续承受 –22V 的反向电池情况。在向 VCC 引脚施加 –22V 至  
2.4V 的电压相对于 GND 引脚DRV5013-Q1 器件不工作。此外该器件可承受高达 40V 的瞬态持续电  
压。  
磁场极性定义如下靠近封装标记面的南极为正磁场。靠近封装标记面的北极是负磁场。  
输出状态取决于垂直于封装的磁场。靠近封装标记侧的南极使输出拉至低电平操作点BOP),靠近封装标记侧  
北极使输出释放释放点BRP。工作点和释放点之间存在迟滞因此磁场噪声不会意外触发输出。  
需要OUT 引脚上连接一个外部上拉电阻器。可以OUT 引脚上拉至 VCC 或其他电源电压。这样可以更轻松地  
连接控制器电路。  
7.2 功能模块图  
2.7 V to 38 V  
C1  
V
CC  
Regulated Supply  
R1  
Temperature  
Compensation  
Bias  
OUT  
C2  
(Optional)  
OCP  
+
Gate  
Drive  
Hall Element  
œ
Reference  
GND  
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7.3 特性说明  
7.3.1 场方向定义  
7-1 显示了定义为靠近封装标记侧的南极的正磁场。  
SOT-23 (DBZ)  
TO-92 (LPG)  
B > 0 mT  
B < 0 mT  
B > 0 mT  
B < 0 mT  
N
S
S
N
S
S
N
N
1
2
3
1
2
3
(Bottom view)  
N = 北极S = 南极  
7-1. 场方向定义  
7.3.2 器件输出  
如果器件在介于 BRP BOP 之间的磁场强度下开通则器件输出是不确定的可能是高阻态或低电平。如果场强  
BOP则输出被拉至低电平。如果场强小BRP则输出被释放。  
OUT  
Bhys  
B (mT)  
BRP (North)  
BOF  
BOP (South)  
7-2. DRV5013-Q1 - BOP > 0  
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7.3.3 上电时间  
在向 DRV5013-Q1 器件施加 VCC 之后必须经过 ton OUT 引脚才有效。在上电顺序期间输出为高阻抗。会  
ton 结束时产生7-3 7-4 所示的脉冲。该脉冲使主机处理器能够在启动后确定 DRV5013-Q1 输出何时有  
效。在案17-3和案27-4定义输出时假定恒定磁B > BOP B < BRP。  
VCC  
t (s)  
B (mT)  
BOP  
BRP  
t (s)  
OUT  
Valid Output  
t (s)  
ton  
7-3. 1B > BOP 时开通  
VCC  
t (s)  
B (mT)  
BOP  
BRP  
t (s)  
OUT  
Valid Output  
t (s)  
ton  
7-4. 2B < BRP 时开通  
如果器件在磁场强度 BRP < B < BOP 时开通则器件输出是不确定的可能是高阻态或被拉至低电平。在上电序  
列期间输出保持高阻态ton 结束。ton 结束时OUT 引脚上提供一个脉冲ton 已经过去。在  
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ton 之后如果磁场发生变化使得 BOP < B则输出被释放。案例 37-5和案例 47-6显示了该行为  
的示例。  
V
CC  
t (s)  
t (s)  
t (s)  
B (mT)  
B
B
OP  
RP  
OUT  
Valid Output  
t
t
d
on  
7-5. 3BRP < B < BOP 时开通B > BOP  
VCC  
B (mT)  
OUT  
t (s)  
t (s)  
t (s)  
BOP  
BRP  
Valid Output  
ton  
td  
7-6. 4BRP < B < BOP 时开通B < BRP  
7.3.4 输出级  
7-7 显示DRV5013-Q1 NMOS 输出结构其额定灌电流高30mA。为确保正常运行请使用方程1  
来计算上拉电阻R1 的阻值。  
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V
ref max  
Vref min  
Ç R1Ç  
30 mA  
100 µA  
(1)  
R1 的大小是 OUT 上升时间与 OUT 被拉至低电平时的电流之间权衡的结果。较低的电流通常更好但更快的转  
换和带宽需要较小的电阻器以实现更快的开关。  
此外应确R1 的值大500Ω,以便输出驱动器可以OUT 引脚拉至接GND。  
备注  
Vref 不限VCC绝对最大额定中指定了该引脚的允许电压范围。  
Vref  
R1  
OUT  
ISINK  
C2  
OCP  
Gate  
Drive  
GND  
7-7. NMOS 开漏输出  
根据方程2 所示的系统带宽规格C2 选择合适的值。  
1
2 ì ƒBW (Hz) <  
2p ì R1ì C2  
(2)  
大多数应用不需要C2 滤波电容器。  
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7.3.5 保护电路  
DRV5013-Q1 器件在过流和反向电源情况下受到全面保护。7-1 显示了保护电路概要。  
7-1. 保护电路概要  
故障  
条件  
器件  
工作  
工作  
禁用  
说明  
恢复  
IO < IOCP  
VCC 38V  
VCC 2.7V  
FET (OCP)  
I
SINK IOCP  
输出电流被钳位IOCP  
38 V < VCC < 40 V  
-22 V < VCC < 0 V  
负载突降  
反向电源  
器件将在瞬态持续时间内运行  
器件将能够承受这种情况  
7.3.5.1 过流保(OCP)  
模拟限流电路可限制流经 FET 的电流。驱动器电流被钳位到 IOCP。在此钳位期间输出 FET rDS(on) 从标称值  
增加。  
7.3.5.2 负载突降保护  
DRV5013-Q1 器件可在标称高达 38V 的直流 VCC 条件下运行并且还可承受 VCC = 40V 的电压。此保护不需要  
限流串联电阻器。  
7.3.5.3 反向电源保护  
DRV5013-Q1 器件会VCC 引脚GND 引脚反向22V时受到保护。  
备注  
在反向电源条件下OUT 引脚反向电流不得超过绝对最大额定中指定的额定值。  
7.4 器件功能模式  
DRV5013-Q1 器件仅VCC 2.7V 38V 之间时正常工作。  
当存在反向电源条件时该器件不工作。对于一些需要分析器件的每个可能输出的行业标准内部时钟不太可能  
耦合到输出。  
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8 应用和实施  
备注  
以下应用部分中的信息不属TI 器件规格的范围TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定  
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计以确保系统功能。  
8.1 应用信息  
DRV5013-Q1 器件用于磁场检测应用。  
8.2 典型应用  
8.2.1 标准电路  
C2  
680 pF  
(Optional)  
OUT  
2
1
R1  
10 k  
3
V
CC  
V
CC  
C1  
0.01 µF  
(minimum)  
8-1. 典型应用电路  
8.2.1.1 设计要求  
本设计示例使用8-1 中所列的参数作为输入参数。  
8-1. 设计参数  
设计参数  
电源电压  
系统带宽  
基准  
示例值  
3.2 3.4 V  
10kHz  
VCC  
ƒBW  
8.2.1.2 详细设计过程  
8-2. 外部组件  
1  
2  
GND  
组件  
C1  
推荐  
VCC  
OUT  
OUT  
额定电压VCC 0.01µF最小值陶瓷电容器  
可选将一个陶瓷电容器连接GND  
需要一个上拉电阻器  
C2  
GND  
R1  
REF(1)  
(1) REF DRV5013-Q1 器件上的引脚OUT 引脚需要一REF 电源电压上拉电阻器OUT 引脚可以被上拉VCC。  
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8.2.1.2.1 配置示例  
3.3V 系统中3.2V Vref 3.4V。使用方程3 来计R1 的允许范围。  
V
ref max  
Vref min  
Ç R1Ç  
30 mA  
100 µA  
(3)  
对于该设计示例使用方程4 来计R1 的允许范围。  
3.4 V  
3.2 V  
Ç R1Ç  
30 mA  
100 µA  
(4)  
(5)  
因此:  
113ΩR1 32kΩ  
在找R1 的允许范围方程5之后R1 选择一个介50032k之间的值。  
假设系统带宽10kHz使用方程6 来计C2 的值。  
1
2 ì ƒBW (Hz) <  
2p ì R1ì C2  
(6)  
(7)  
对于该设计示例使用方程7 来计C2 的值。  
1
2 ì 10 kHz <  
2p ì R1ì C2  
10kΩR1 值和小820pF C2 值可满10kHz 系统带宽的要求。  
R1 = 10kΩC2 = 680pF 可使低通滤波器的拐角频率23.4kHz。  
8.2.1.3 应用曲线  
OUT  
OUT  
C2 = 680pF  
R1 = 10kΩ拉电  
C2  
R1 = 10kΩ拉电  
阻器  
阻器  
8-2. 10kHz 开关磁场  
8-3. 10kHz 开关磁场  
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0
-2  
-4  
-6  
-8  
-10  
-12  
-14  
100  
1000  
10000  
100000  
Frequency (Hz)  
D011  
C2 = 680pF  
R1 = 10kΩ拉电阻器  
8-4. 低通滤波  
8.2.2 替代两线制应用  
对于需要极少导线数的系统可通过一个电阻器将器件输出连接到 VCC并且可以在控制器附近检测总供电电  
流。  
R1  
+
œ
OUT  
VCC  
2
1
C1  
3
GND  
Controller  
Current  
sense  
8-5. 两线制应用  
可以使用分流电阻器或其他电路来检测电流。  
8.2.2.1 设计要求  
8-3 列出了相关的设计参数。  
8-3. 设计参数  
设计参数  
电源电压  
基准  
VCC  
R1  
示例值  
12V  
OUT 电阻器  
1kΩ  
C1  
0.1µF  
旁路电容器  
IRELEASE  
IOPERATE  
B < BRP 时的电流  
B > BOP 时的电流  
3mA  
15mA  
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8.2.2.2 详细设计过程  
当器件的开漏输出为高阻抗时通过路径的电流等于器件ICC3mA。  
当输出拉至低电平时添加了一个并联电流路径其电流大小等VCC/(R1 + rDS(on))。使12V 1kΩ该并联  
电流约12mA使总电流约15mA。  
本地旁路电容C1 应至少0.1µF如果电源线互连中存在高电感则应使用更大的值。  
8.3 电源相关建议  
DRV5013-Q1 器件可在介2.7V 和  
38V 之间的输入电压电源 (VM) 范围内正常工作。必须在尽量靠近 DRV5013-Q1 器件的位置放置一个额定电压为  
VCC 0.01µF最小值陶瓷电容器。可能需要较大的旁路电容器容值来衰减电源产生的任何显著高频纹波和噪  
声分量。TI 建议将电源电压变化限制50mVPP 以下。  
8.4 布局  
8.4.1 布局指南  
旁路电容器应放置在 DRV5013-Q1 器件附近以便以极小的电感实现高效的电力输送。外部上拉电阻器应放置在  
微控制器输入端附近以在输入端提供最稳定的电压或者可以使用微控制GPIO 中的集成上拉电阻器。  
通常DRV5013-Q1 器件下方使用 PCB 铜平面对磁通量没有影响也不会影响器件性能。这是因为铜不是铁  
磁材料。不过如果附近的系统元件包含铁或镍那么这些元件可能会以不可预测的方式重定向磁通量。  
8.4.2 布局布线示例  
VCC  
OUT  
GND  
8-6. DRV5013-Q1 布局示例  
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9 器件和文档支持  
9.1 器件支持  
9.1.1 器件命名规则  
9-1 显示了读DRV5013-Q1 器件完整器件名称的图例。  
DRV5013  
(AD)  
(Q)  
(DBZ)  
(R)  
(Q1)  
Prefix  
DRV5013: Digital latch Hall sensor  
AEC-Q100  
Q1: Automotive qualification  
Blank: Non-auto  
BOP/BRP  
FA: 1.3/œ1.3 mT  
AD: 2.7/œ2.7 mT  
AG: 6/œ6 mT  
Tape and Reel  
R: 3000 pcs/reel  
T: 250 pcs/reel  
M: 3000 pcs/box (ammo)  
Blank: 1000 pcs/bag (bulk)  
BC: 12/œ12 mT  
Package  
DBZ: 3-pin SOT-23  
LPG: 3-pin TO-92  
Temperature Range  
Q: œ40 to 125°C  
E: œ40 to 150°C  
9-1. 器件命名规则  
9.1.2 器件标识  
Marked Side Front  
Marked Side  
3
1
2
3
1
2
Marked Side  
1
2
3
(Bottom view)  
9-2. SOT-23 (DBZ) 封装  
9-3. TO-92LPG封装  
9.2 接收文档更新通知  
要接收文档更新通知请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册即可每周接收产品信息更  
改摘要。有关更改的详细信息请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。  
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9.3 支持资源  
TI E2E支持论坛是工程师的重要参考资料可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解  
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。  
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范并且不一定反映 TI 的观点请参阅  
TI 《使用条款》。  
9.4 商标  
TI E2Eis a trademark of Texas Instruments.  
所有商标均为其各自所有者的财产。  
9.5 静电放电警告  
静电放(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理  
和安装程序可能会损坏集成电路。  
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏这是因为非常细微的参  
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。  
9.6 术语表  
TI 术语表  
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。  
10 机械、封装和可订购信息  
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更恕不另行通知且  
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本请查阅左侧的导航栏。  
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PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
DRV5013ADEDBZJQ1  
DRV5013ADEDBZRQ1  
DRV5013ADEDBZTQ1  
DRV5013ADELPGMQ1  
DRV5013ADELPGQ1  
DRV5013ADQDBZRQ1  
DRV5013ADQDBZTQ1  
DRV5013ADQLPGMQ1  
DRV5013ADQLPGQ1  
DRV5013AGEDBZRQ1  
DRV5013AGEDBZTQ1  
DRV5013AGELPGMQ1  
DRV5013AGELPGQ1  
DRV5013AGQDBZRQ1  
DRV5013AGQDBZTQ1  
DRV5013AGQLPGMQ1  
DRV5013AGQLPGQ1  
DRV5013BCEDBZRQ1  
DRV5013BCEDBZTQ1  
DRV5013BCELPGMQ1  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
TO-92  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
LPG  
LPG  
DBZ  
DBZ  
LPG  
LPG  
DBZ  
DBZ  
LPG  
LPG  
DBZ  
DBZ  
LPG  
LPG  
DBZ  
DBZ  
LPG  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
10000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
NIPDAUAG  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
N / A for Pkg Type  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 150  
+NJAD  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
NIPDAUAG  
NIPDAUAG  
SN  
+NJAD  
+NJAD  
+NJAD  
+NJAD  
+NKAD  
+NKAD  
+NKAD  
+NKAD  
+NJAG  
+NJAG  
+NJAG  
+NJAG  
+NKAG  
+NKAG  
+NKAG  
+NKAG  
+NJBC  
+NJBC  
+NJBC  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
TO-92  
SN  
SOT-23  
SOT-23  
TO-92  
NIPDAUAG  
NIPDAUAG  
SN  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
TO-92  
SN  
SOT-23  
SOT-23  
TO-92  
NIPDAUAG  
NIPDAUAG  
SN  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
TO-92  
SN  
SOT-23  
SOT-23  
TO-92  
NIPDAUAG  
NIPDAUAG  
SN  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
TO-92  
SN  
SOT-23  
SOT-23  
TO-92  
NIPDAUAG  
NIPDAUAG  
SN  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
Addendum-Page 1  
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Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
DRV5013BCELPGQ1  
DRV5013BCQDBZRQ1  
DRV5013BCQDBZTQ1  
DRV5013BCQLPGMQ1  
DRV5013BCQLPGQ1  
DRV5013FAEDBZRQ1  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
TO-92  
SOT-23  
SOT-23  
TO-92  
LPG  
DBZ  
DBZ  
LPG  
LPG  
DBZ  
3
3
3
3
3
3
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
SN  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 150  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 150  
+NJBC  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
NIPDAUAG  
NIPDAUAG  
SN  
+NKBC  
+NKBC  
+NKBC  
+NKBC  
+NJFA  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
TO-92  
SN  
SOT-23  
SN  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Addendum-Page 2  
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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17-Feb-2023  
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OTHER QUALIFIED VERSIONS OF DRV5013-Q1 :  
Catalog : DRV5013  
NOTE: Qualified Version Definitions:  
Catalog - TI's standard catalog product  
Addendum-Page 3  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
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17-Feb-2023  
TAPE AND REEL INFORMATION  
REEL DIMENSIONS  
TAPE DIMENSIONS  
K0  
P1  
W
B0  
Reel  
Diameter  
Cavity  
A0  
A0 Dimension designed to accommodate the component width  
B0 Dimension designed to accommodate the component length  
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness  
Overall width of the carrier tape  
W
P1 Pitch between successive cavity centers  
Reel Width (W1)  
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE  
Sprocket Holes  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
User Direction of Feed  
Pocket Quadrants  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Package Pins  
Type Drawing  
SPQ  
Reel  
Reel  
A0  
B0  
K0  
P1  
W
Pin1  
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant  
(mm) W1 (mm)  
DRV5013ADEDBZJQ1 SOT-23  
DRV5013ADEDBZRQ1 SOT-23  
DRV5013ADEDBZTQ1 SOT-23  
DRV5013ADQDBZRQ1 SOT-23  
DRV5013ADQDBZTQ1 SOT-23  
DRV5013AGEDBZRQ1 SOT-23  
DRV5013AGEDBZTQ1 SOT-23  
DRV5013AGQDBZRQ1 SOT-23  
DRV5013AGQDBZTQ1 SOT-23  
DRV5013BCEDBZRQ1 SOT-23  
DRV5013BCEDBZTQ1 SOT-23  
DRV5013BCQDBZRQ1 SOT-23  
DRV5013BCQDBZTQ1 SOT-23  
DRV5013FAEDBZRQ1 SOT-23  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
10000  
3000  
250  
330.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
180.0  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
8.4  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
Pack Materials-Page 1  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
17-Feb-2023  
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS  
Width (mm)  
H
W
L
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Type Package Drawing Pins  
SPQ  
Length (mm) Width (mm) Height (mm)  
DRV5013ADEDBZJQ1  
DRV5013ADEDBZRQ1  
DRV5013ADEDBZTQ1  
DRV5013ADQDBZRQ1  
DRV5013ADQDBZTQ1  
DRV5013AGEDBZRQ1  
DRV5013AGEDBZTQ1  
DRV5013AGQDBZRQ1  
DRV5013AGQDBZTQ1  
DRV5013BCEDBZRQ1  
DRV5013BCEDBZTQ1  
DRV5013BCQDBZRQ1  
DRV5013BCQDBZTQ1  
DRV5013FAEDBZRQ1  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
10000  
3000  
250  
346.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
202.0  
346.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
201.0  
29.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
28.0  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
250  
3000  
Pack Materials-Page 2  
PACKAGE OUTLINE  
LPG0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
S
C
A
L
E
1
.
3
0
0
TRANSISTOR OUTLINE  
4.1  
3.9  
3.25  
3.05  
0.55  
0.40  
3X  
5.05  
MAX  
3
1
3X (0.8)  
3X  
15.5  
15.1  
0.48  
0.35  
0.51  
0.36  
3X  
3X  
2X 1.27 0.05  
2.64  
2.44  
2.68  
2.28  
1.62  
1.42  
2X (45 )  
1
3
2
0.86  
0.66  
(0.5425)  
4221343/C 01/2018  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
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EXAMPLE BOARD LAYOUT  
LPG0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
TRANSISTOR OUTLINE  
FULL R  
TYP  
0.05 MAX  
ALL AROUND  
TYP  
(1.07)  
METAL  
TYP  
3X ( 0.75) VIA  
2X  
METAL  
(1.7)  
2X (1.7)  
2X  
SOLDER MASK  
OPENING  
2
3
1
2X (1.07)  
(R0.05) TYP  
(1.27)  
SOLDER MASK  
OPENING  
(2.54)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
NON-SOLDER MASK DEFINED  
SCALE:20X  
4221343/C 01/2018  
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TAPE SPECIFICATIONS  
LPG0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
TRANSISTOR OUTLINE  
0
1
13.0  
12.4  
0
1
1 MAX  
21  
18  
2.5 MIN  
6.5  
5.5  
9.5  
8.5  
0.25  
0.15  
19.0  
17.5  
3.8-4.2 TYP  
0.45  
0.35  
6.55  
6.15  
12.9  
12.5  
4221343/C 01/2018  
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PACKAGE OUTLINE  
DBZ0003A  
SOT-23 - 1.12 mm max height  
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
C
2.64  
2.10  
1.12 MAX  
1.4  
1.2  
B
A
0.1 C  
PIN 1  
INDEX AREA  
1
0.95  
(0.125)  
3.04  
2.80  
1.9  
3
(0.15)  
NOTE 4  
2
0.5  
0.3  
3X  
0.10  
0.01  
(0.95)  
TYP  
0.2  
C A B  
0.25  
GAGE PLANE  
0.20  
0.08  
TYP  
0.6  
0.2  
TYP  
SEATING PLANE  
0 -8 TYP  
4214838/D 03/2023  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. Reference JEDEC registration TO-236, except minimum foot length.  
4. Support pin may differ or may not be present.  
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EXAMPLE BOARD LAYOUT  
DBZ0003A  
SOT-23 - 1.12 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
3X (1.3)  
1
3X (0.6)  
SYMM  
3
2X (0.95)  
2
(R0.05) TYP  
(2.1)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
SCALE:15X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
0.07 MIN  
ALL AROUND  
0.07 MAX  
ALL AROUND  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK  
DEFINED  
(PREFERRED)  
SOLDER MASK DETAILS  
4214838/D 03/2023  
NOTES: (continued)  
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
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EXAMPLE STENCIL DESIGN  
DBZ0003A  
SOT-23 - 1.12 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
3X (1.3)  
1
3X (0.6)  
SYMM  
3
2X(0.95)  
2
(R0.05) TYP  
(2.1)  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 THICK STENCIL  
SCALE:15X  
4214838/D 03/2023  
NOTES: (continued)  
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
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相关型号:

SI9130DB

5- and 3.3-V Step-Down Synchronous Converters

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-
VISHAY

SI9135LG-T1

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9135LG-T1-E3

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9135_11

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9136_11

Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9130CG-T1-E3

Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130LG-T1-E3

Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130_11

Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9137

Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137DB

Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137LG

Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY

SI9122E

500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification Drivers

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-
VISHAY