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DRV5013AGQLPG [TI]

高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3 | -40 to 125;
DRV5013AGQLPG
型号： DRV5013AGQLPG
厂家： TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述：

高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3 | -40 to 125

锁存器
文件： 总35页 (文件大小：1654K)
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DRV5013  
ZHCSCA7L –MARCH 2014 –REVISED FEBRUARY 2023  
DRV5013 数字锁存霍尔效应传感器  
1 特性  
2 应用  
• 数字双极锁存霍尔传感器  
• 出色的温度稳定性  
• 电动工具  
• 流量计  
• 阀和电磁阀状态  
• 无刷直流电机  
• 接近传感  
• 转速计  
– 工作温度范围内BOP 为±10%  
• 多个灵敏度选项(BOP/BRP  
)
– ±1.3mT（FA，请参阅器件命名规则）  
– ±2.7mT（AD，请参阅器件命名规则）  
– ±6mT（AG，请参阅器件命名规则）  
– ±12mT（BC，请参阅器件命名规则）  
• 支持宽电压范围  
3 描述  
DRV5013 器件是一款斩波稳定型霍尔效应传感器，可  
在温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成保护特  
性的磁场感应解决方案。  
– 2.5 V 至38 V  
– 无需外部稳压器  
• 宽工作温度范围  
磁场通过数字双极锁存输出表示。该集成电路 (IC) 配  
有一个灌电流能力达 30mA 的漏极开路输出级。该器  
件具有2.5V 至38V 的宽工作电压范围，反极性保护高  
达–22V，因此适用于各种工业应用。  
– TA = –40 至+125°C（Q，请参阅器件命名规  
则）  
– TA = –40 至+150°C（E，请参阅器件命名规  
则）  
针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流，提供  
了内部保护功能。  
• 开漏输出（30mA 灌电流）  
• 快速开通时间35µs  
• 小型封装和外形尺寸  
封装信息(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
DRV5013  
封装  
SOT-23 (3)  
TO-92 (3)  
– 表面贴装3 引脚SOT-23 (DBZ)  
2.92mm × 1.30mm  
4.00mm × 3.15mm  
• 2.92mm × 2.37mm  
– 穿孔式3 引脚TO-92（LPG、LPE）  
• 4.00mm × 3.15mm  
• 保护特性：  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。  
– 反向电源保护（高达-22V）  
– 支持高达40V 的负载突降  
– 输出短路保护  
– 输出电流限制  
OUT  
B
hys  
B (mT)  
B
B
OP  
RP  
B
OF  
(North)  
(South)  
输出状态  
器件封装  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLIS150  
 
 
 
 
DRV5013  
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ZHCSCA7L –MARCH 2014 –REVISED FEBRUARY 2023  
内容  
1 特性................................................................................... 1  
2 应用................................................................................... 1  
3 描述................................................................................... 1  
4 修订历史记录.....................................................................2  
5 引脚配置和功能................................................................. 3  
6 规格................................................................................... 5  
6.1 绝对最大额定值...........................................................5  
6.2 ESD 等级.................................................................... 5  
6.3 建议运行条件.............................................................. 5  
6.4 热性能信息..................................................................5  
6.5 电气特性......................................................................6  
6.6 开关特性......................................................................6  
6.7 磁特性......................................................................... 7  
6.8 典型特性......................................................................8  
7 详细说明.......................................................................... 10  
7.1 概述...........................................................................10  
7.2 功能模块图................................................................10  
7.3 特性说明....................................................................11  
7.4 器件功能模式............................................................ 15  
8 应用和实施.......................................................................16  
8.1 应用信息....................................................................16  
8.2 典型应用....................................................................16  
8.3 电源相关建议............................................................ 19  
8.4 布局...........................................................................19  
9 器件和文档支持............................................................... 20  
9.1 器件支持....................................................................20  
9.2 接收文档更新通知..................................................... 20  
9.3 支持资源....................................................................21  
9.4 商标...........................................................................21  
9.5 静电放电警告............................................................ 21  
9.6 术语表....................................................................... 21  
10 机械、封装和可订购信息...............................................21  
4 修订历史记录  
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同  
Changes from Revision K (August 2019) to Revision L (February 2023)  
Page  
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1  
• 将表标题从“器件信息”更改为“封装信息”....................................................................................................1  
• 将电源相关建议和布局部分移到了应用和实施部分........................................................................................19  
Changes from Revision J (June 2019) to Revision K (August 2019)  
Page  
• 在绝对最大额定值表中更改了TJ 以表明现有范围适用于Q 版本器件............................................................... 5  
• 在绝对最大额定值表中添加了TJ 的E 版本....................................................................................................... 5  
• 在建议运行条件表中更改了TA，以表明现有范围适用于Q 版本器件................................................................5  
• 在建议运行条件表中为TA 添加了E 版本.......................................................................................................... 5  
• 将TA 的ICC 测试条件从125 更改为TA,MAX，以突出E 和Q 版本器件之间的差异。........................................ 6  
• 将TA 的rDS(on) 测试条件从125 更改为TA,MAX，以突出E 和Q 版本器件之间的差异。................................... 6  
• 将TA 最大值的所有测试条件从125 更改为TA,MAX，以突出E 和Q 器件之间的差异........................................7  
• 向典型特性部分中添加了新条件说明................................................................................................................. 8  
• 在图1、图2、图4、图6、图8 和图10 中添加了高达150°C 的数据.............................................................. 8  
Changes from Revision I (August 2018) to Revision J (June 2019)  
Page  
• 向数据表中添加了TO-92 (LPE) 封装..................................................................................................................1  
Changes from Revision H (September 2016) to Revision I (August 2018)  
Page  
• 更改了电源相关建议部分................................................................................................................................. 19  
Changes from Revision G (August 2016) to Revision H (September 2016)  
Page  
• 更改了电气特性表中FA 版本的开通时间...........................................................................................................6  
Changes from Revision F (May 2016) to Revision G (August 2016)  
Page  
• 更改了磁特性表中FA 版本的最大BOP 和最小BRP .......................................................................................... 7  
• 添加了布局部分................................................................................................................................................19  
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Changes from Revision E (February 2016) to Revision F (May 2016)  
Page  
• 修订了FA 版本的初步限制................................................................................................................................. 7  
Changes from Revision D (December 2015) to Revision E (February 2016) Page  
• 添加了FA 器件选项............................................................................................................................................ 1  
• 在磁特性表中添加了典型带宽值........................................................................................................................ 7  
Changes from Revision C (September 2014) to Revision D (June 2015)  
Page  
• 更正了SOT-23 封装的尺寸并将SIP 封装名称更正为TO-92............................................................................. 1  
• 向绝对最大额定值中添加了BMAX ..................................................................................................................... 5  
• 从结温中删除了表注........................................................................................................................................... 5  
• 添加了社区资源................................................................................................................................................20  
• 更新了封装卷带选项M 和空白..........................................................................................................................20  
Changes from Revision B (July 2014) to Revision C (September 2014)  
Page  
• 更新了高灵敏度选项........................................................................................................................................... 1  
• 将最大工作结温更改为150°C.............................................................................................................................5  
• 在开关特性中更新了输出上升和下降时间典型值并删除了最大值......................................................................6  
• 更新了磁特性中的值.......................................................................................................................................... 7  
• 更新了所有典型特性图.......................................................................................................................................8  
• 更新了方程式4 ................................................................................................................................................ 17  
• 更新了图9-1 .................................................................................................................................................... 20  
Changes from Revision A (March 2014) to Revision B (June 2014)  
Page  
• 在电气特性中将IOCP MIN 和MAX 值分别从20 和40 更改为15 和45............................................................ 6  
• 更新了磁特性表中每个器件选项的迟滞值..........................................................................................................7  
• 在磁特性表中将±2.3mt BRP 的MIN 值从–4 更改为–5................................................................................. 7  
Changes from Revision * (March 2014) to Revision A (March 2014)  
Page  
• 将对霍尔IC 的所有引用更改为霍尔效应传感器..................................................................................................1  
• 将应用列表中的RPM 表更改为转速计.............................................................................................................1  
• 将特性列表中的开通值从50µs 更改为35µs......................................................................................................1  
• 在引脚功能表中将OUT 端子的类型从OD 更改为输出..................................................................................... 3  
• 删除了输出引脚电流并在电源电压的电压斜升速率之后将VCCmax 更改为VCC ................................................5  
• 在开关特性表中将tr 和tf 的测试条件中的RO 更改为R1...................................................................................6  
• 在磁特性表中将±2.3mt BRP 的MIN 值从+2.3 更改为–2.3.............................................................................7  
• 从典型特性中删除了条件说明，并将图条件中的所有TJ 改为TA ..................................................................... 8  
• 从开通时间案例名称中删除了编号；在案例时序图的标题中添加了条件.......................................................... 12  
• 在输出级部分中的公式之后添加了R1 权衡和较低电流文本............................................................................13  
• 在输出级部分中的第二个公式之后添加了有关大多数应用不需要C2 的文本...................................................13  
• 在反向电源保护部分中，将FET 过载故障条件说明中的IO 更改为ISINK ........................................................15  
5 引脚配置和功能  
有关更多配置信息，请参阅器件标识和机械、封装和可订购信息。  
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OUT  
2
1
2
3
3
GND  
1
V
CC  
图5-1. DBZ 封装3 引脚SOT-23 顶视图  
VCC  
OUT  
GND  
图5-2. LPG 和LPE 封装3 引脚TO-92 顶视图  
表5-1. 引脚功能  
引脚  
类型  
说明  
LPG、  
DBZ  
LPE  
名称  
GND  
OUT  
3
2
2
3
接地  
输出  
接地引脚  
霍尔传感器开漏输出。开漏需要一个上拉电阻器。  
2.5V 至38V 电源。使用额定值为VCC 的0.01µF（最小值）陶瓷电容器将此引脚旁路至  
GND 引脚。  
VCC  
1
1
Power  
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6 规格  
6.1 绝对最大额定值  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)  
最小值  
-22(2)  
无限  
最大值  
单位  
VCC  
40  
V
电压斜升速率(VCC)，VCC < 5V  
电源电压  
V/µs  
0
-0.5  
0
2
电压斜升速率(VCC)，VCC > 5V  
40  
V
输出引脚电压  
100  
mA  
反向电源条件下的输出引脚反向电流  
磁通量密度，BMAX  
无限  
-40  
-40  
-65  
150  
175  
150  
Q，请参阅图9-1  
°C  
°C  
运行结温，TJ  
E，请参阅图9-1  
贮存温度，Tstg  
(1) 超出绝对最大额定值的运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其  
他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件、但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可  
靠性、功能和性能并缩短器件寿命。  
(2) 根据设计确定。仅针对–20V 进行了测试。  
6.2 ESD 等级  
值
单位  
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001，所有引脚(1)  
充电器件模式（CDM），符合JEDEC 规范JESD22-C101，所有引脚(2)  
±2500  
V(ESD)  
V
静电放电  
±500  
(1) JEDEC 文件JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。  
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。  
6.3 建议运行条件  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）  
最小值  
最大值  
单位  
VCC  
VO  
2.5  
38  
V
电源电压  
0
0
38  
30  
V
输出引脚电压(OUT)  
输出引脚灌电流(OUT)(1)  
ISINK  
mA  
-40  
-40  
125  
150  
Q，请参阅图9-1  
E，请参阅图9-1  
TA  
°C  
工作环境温度  
(1) 必须遵循功率耗散和热限值。  
6.4 热性能信息  
DRV5013  
热指标(1)  
DBZ (SOT-23)  
LPG、LPE (TO-92)  
单位  
3 引脚  
333.2  
99.9  
66.9  
4.9  
3 引脚  
180  
RθJA  
RθJC(top)  
RθJB  
ψJT  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
结至环境热阻  
98.6  
154.9  
40  
结至外壳（顶部）热阻  
结至电路板热阻  
结至顶部特征参数  
结至电路板特征参数  
65.2  
154.9  
ψJB  
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。  
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6.5 电气特性  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
电源(VCC  
)
VCC  
2.5  
38  
V
VCC 工作电压  
2.7  
3
VCC = 2.5V 至38V，TA = 25°C  
VCC = 2.5V 至38V，TA = TA, MAX  
AD、AG、BC 版本  
ICC  
mA  
工作电源电流  
(1)  
3.5  
50  
70  
35  
35  
ton  
µs  
加电时间  
FA 版本  
开漏输出(OUT)  
VCC = 3.3V，IO = 10mA，TA = 25°C  
VCC = 3.3V，IO = 10mA，TA = TA, MAX  
输出高阻态  
22  
36  
rDS(on)  
FET 导通电阻  
Ω
(1)  
50  
1
Ilkg(off)  
µA  
关断状态漏电流  
保护电路  
VCCR  
V
–22  
反向电源电压  
过流保护等级  
IOCP  
15  
30  
45  
mA  
OUT 短路VCC  
(1) Q 器件的TA, MAX 为125°C，E 器件为150°C（请参阅图9-1）。  
6.6 开关特性  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值  
单位  
开漏输出(OUT)  
td  
tr  
tf  
13  
200  
31  
25  
µs  
ns  
ns  
输出延迟时间  
B = BRP –10mT 至BOP + 10mT（在1µs 内）  
R1 = 1kΩ，CO = 50pF，VCC = 3.3V  
R1 = 1kΩ，CO = 50pF，VCC = 3.3V  
输出上升时间（10% 至90%）  
输出下降时间（90% 至10%）  
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6.7 磁特性  
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位(1)  
带宽(2)  
20  
30  
kHz  
ƒBW  
DRV5013FA：±1.3mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
1.3  
3.4  
0.6  
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点；请参阅图7-2  
释放点；请参阅图7-2  
迟滞；Bhys = (BOP –BRP  
–0.6  
-3.4  
1.2  
–1.3  
2.6  
0
(1)  
(1)  
(1)  
(1)  
TA = –40°C 至TA,MAX  
)
1.5  
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2  
–1.5  
DRV5013AD：±2.7mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
1
2.7  
5
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点；请参阅图7-2  
释放点；请参阅图7-2  
迟滞；Bhys = (BOP –BRP  
-5  
-1  
–2.7  
5.4  
0
TA = –40°C 至TA,MAX  
TA = –40°C 至TA,MAX  
TA = –40°C 至TA,MAX  
)
1.5  
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2  
–1.5  
DRV5013AG：±6mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
3
6
-6  
12  
0
9
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点；请参阅图7-2  
释放点；请参阅图7-2  
迟滞；Bhys = (BOP –BRP  
-9  
–3  
)
1.5  
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2  
–1.5  
DRV5013BC：±12mT  
BOP  
BRP  
Bhys  
BO  
6
12  
18  
-6  
mT  
mT  
mT  
mT  
操作点；请参阅图7-2  
释放点；请参阅图7-2  
迟滞；Bhys = (BOP –BRP  
–18  
–12  
24  
)
0
1.5  
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2  
–1.5  
(1) 1mT = 10 高斯。  
(2) 带宽描述了可以检测到并转换为输出的变化最快的磁场。  
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6.8 典型特性  
TA > 125°C 数据仅对E 温度范围器件有效，请参阅图9-1。TA > 125°C 数据仅对0 级器件有效（E，请参阅图9-1）  
3.5  
3.5  
VCC = 2.5 V  
VCC = 3.3 V  
VCC = 13.2 V  
VCC = 38 V  
TA = œ40°C  
TA = 25°C  
TA = 75°C  
TA = 125°C  
TA = 150°C  
3
3
2.5  
2.5  
2
-50  
2
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
Ambient Temperature (èC)  
D010  
D009  
图6-2. ICC 与温度之间的关系  
图6-1. ICC 与VCC 之间的关系  
14  
12  
10  
8
14  
12  
10  
8
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
6
6
4
4
2
2
0
0
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
Ambient Temperature (°C)  
75  
100  
125  
150  
D001  
D002  
TA = 25°C  
VCC = 3.3V  
图6-4. BOP 与温度之间的关系  
图6-3. BOP 与VCC 之间的关系  
0
-2  
0
-2  
-4  
-4  
-6  
-6  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
-8  
-8  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
-10  
-12  
-14  
-10  
-12  
-14  
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
Ambient Temperature (°C)  
75  
100  
125  
150  
D003  
D004  
TA = 25°C  
VCC = 3.3V  
图6-6. BRP 与温度之间的关系  
图6-5. BRP 与VCC 之间的关系  
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6.8 典型特性(continued)  
TA > 125°C 数据仅对E 温度范围器件有效，请参阅图9-1。TA > 125°C 数据仅对0 级器件有效（E，请参阅图9-1）  
30  
25  
20  
15  
10  
5
30  
25  
20  
15  
10  
5
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
0
0
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
Ambient Temperature (°C)  
75  
100  
125  
150  
D007  
D008  
TA = 25°C  
VCC = 3.3V  
图6-8. 迟滞与温度之间的关系  
图6-7. 迟滞与VCC 之间的关系  
0.25  
0.125  
0
0.25  
0.125  
0
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
DRV5013AD  
DRV5013AG  
DRV5013BC  
-0.125  
-0.25  
-0.125  
-0.25  
0
10  
20  
Supply Voltage (V)  
30  
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
Ambient Temperature (°C)  
75  
100  
125  
150  
D005  
D006  
TA = 25°C  
VCC = 3.3V  
图6-10. 偏移与温度之间的关系  
图6-9. 偏移与VCC 之间的关系  
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7 详细说明  
7.1 概述  
DRV5013 器件是一款具有数字锁存输出的斩波稳定型霍尔传感器，适用于磁感应应用。DRV5013 器件可由介于  
2.5V 和 38V 之间的电源电压供电，并可连续承受 –22V 的反向电池情况。在向 VCC 引脚施加 –22V 至 2.4V 的  
电压（相对于GND 引脚）时，DRV5013 器件不工作。此外，该器件可承受高达40V 的瞬态持续电压。  
磁场极性定义如下：靠近封装标记面的南极为正磁场。靠近封装标记面的北极是负磁场。  
输出状态取决于垂直于封装的磁场。靠近封装标记侧的南极使输出拉至低电平（操作点，BOP），靠近封装标记侧  
的北极使输出释放（释放点，BRP）。工作点和释放点之间存在迟滞，因此磁场噪声不会意外触发输出。  
需要在OUT 引脚上连接一个外部上拉电阻器。可以将OUT 引脚上拉至 VCC 或其他电源电压。这样可以更轻松地  
连接控制器电路。  
7.2 功能模块图  
2.5 to 38 V  
C1  
VCC  
Regulated Supply  
R1  
Temperature  
Compensation  
Bias  
OUT  
C2  
OCP  
(Optional)  
+
Gate  
Drive  
Hall Element  
œ
Reference  
GND  
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7.3 特性说明  
7.3.1 场方向定义  
图7-1 显示了定义为靠近封装标记侧的南极的正磁场。  
SOT-23 (DBZ)  
TO-92 (LPG, LPE)  
B > 0 mT  
B < 0 mT  
B > 0 mT  
B < 0 mT  
N
S
S
N
S
S
N
N
1
2
3
1
2
3
(Bottom view)  
N = 北极，S = 南极  
图7-1. 场方向定义  
7.3.2 器件输出  
如果器件在介于 BRP 和BOP 之间的磁场强度下开通，则器件输出是不确定的，可能是高阻态或低电平。如果场强  
大于BOP，则输出被拉至低电平。如果场强小于BRP，则输出被释放。  
OUT  
Bhys  
B (mT)  
BRP (North)  
BOF  
BOP (South)  
图7-2. DRV5013 - BOP > 0  
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7.3.3 上电时间  
在向 DRV5013 器件施加 VCC 之后，必须经过 ton 后 OUT 引脚才有效。在上电顺序期间，输出为高阻抗。会在  
ton 结束时产生图 7-3 和图 7-4 所示的脉冲。该脉冲使主机处理器能够在启动后确定 DRV5013 输出何时有效。在  
案例1（图7-3）和案例2（图7-4）中，定义输出时假定恒定磁场B > BOP 和B < BRP。  
VCC  
t (s)  
B (mT)  
BOP  
BRP  
t (s)  
OUT  
Valid Output  
t (s)  
ton  
图7-3. 情况1：B > BOP 时开通  
VCC  
t (s)  
B (mT)  
BOP  
BRP  
t (s)  
OUT  
Valid Output  
t (s)  
ton  
图7-4. 情况2：B < BRP 时开通  
如果器件在磁场强度 BRP < B < BOP 时开通，则器件输出是不确定的，可能是高阻态或被拉至低电平。在上电序  
列期间，输出保持高阻态，直到ton 结束。在ton 结束时，会在OUT 引脚上提供一个脉冲，表示ton 已经过去。在  
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ton 之后，如果磁场发生变化，使得 BOP < B，则输出被释放。案例 3（图 7-5）和案例 4（图 7-6）显示了该行为  
的示例。  
V
CC  
t (s)  
t (s)  
t (s)  
B (mT)  
B
B
OP  
RP  
OUT  
Valid Output  
t
t
d
on  
图7-5. 情况3：当BRP < B < BOP 时开通，然后B > BOP  
VCC  
B (mT)  
OUT  
t (s)  
t (s)  
t (s)  
BOP  
BRP  
Valid Output  
ton  
td  
图7-6. 情况4：当BRP < B < BOP 时开通，然后B < BRP  
7.3.4 输出级  
图 7-7 显示了 DRV5013 开漏 NMOS 输出结构，其额定灌电流高达 30mA。为确保正常运行，请使用方程式 1 来  
计算上拉电阻器R1 的阻值。  
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V
ref max  
Vref min  
Ç R1Ç  
30 mA  
100 µA  
(1)  
R1 的大小是 OUT 上升时间与 OUT 被拉至低电平时的电流之间权衡的结果。较低的电流通常更好，但更快的转  
换和带宽需要较小的电阻器以实现更快的开关。  
此外，应确保R1 的值大于500Ω，以便输出驱动器可以将OUT 引脚拉至接近GND。  
备注  
Vref 不限于VCC。绝对最大额定值中指定了该引脚的允许电压范围。  
Vref  
R1  
OUT  
ISINK  
C2  
OCP  
Gate  
Drive  
GND  
图7-7. NMOS 开漏输出  
根据方程式2 所示的系统带宽规格为C2 选择合适的值。  
1
2 ì ƒBW (Hz) <  
2p ì R1ì C2  
(2)  
大多数应用不需要该C2 滤波电容器。  
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7.3.5 保护电路  
DRV5013 器件在过流和反向电源情况下受到全面保护。表7-1 显示了保护电路概要。  
表7-1. 保护电路概要  
故障  
条件  
器件  
工作  
工作  
禁用  
说明  
恢复  
IO < IOCP  
FET 过载(OCP)  
I
SINK ≥IOCP  
输出电流被钳位至IOCP  
38 V < VCC < 40 V  
-22 V < VCC < 0 V  
VCC ≤38V  
VCC ≥2.5V  
负载突降  
反向电源  
器件将在瞬态持续时间内运行  
器件将能够承受这种情况  
7.3.5.1 过流保护(OCP)  
模拟限流电路可限制流经 FET 的电流。驱动器电流被钳位到 IOCP。在此钳位期间，输出 FET 的 rDS(on) 从标称值  
增加。  
7.3.5.2 负载突降保护  
DRV5013 器件可在标称高达 38V 的直流 VCC 条件下运行，并且还可承受 VCC = 40V 的电压。此保护不需要限流  
串联电阻器。  
7.3.5.3 反向电源保护  
DRV5013 器件会在VCC 引脚和GND 引脚反向（高达–22V）时受到保护。  
备注  
在反向电源条件下，OUT 引脚反向电流不得超过绝对最大额定值中指定的额定值。  
7.4 器件功能模式  
DRV5013 器件仅在VCC 介于2.5V 和38V 之间时正常工作。  
当存在反向电源条件时，该器件不工作。  
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8 应用和实施  
备注  
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定  
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。  
8.1 应用信息  
DRV5013 器件用于磁场检测应用。  
8.2 典型应用  
8.2.1 标准电路  
C2  
680 pF  
(Optional)  
OUT  
2
1
R1  
10 kΩ  
3
V
CC  
V
CC  
C1  
0.01 µF  
(minimum)  
图8-1. 典型应用电路  
8.2.1.1 设计要求  
本设计示例使用表8-1 中所列的参数作为输入参数。  
表8-1. 设计参数  
设计参数  
电源电压  
系统带宽  
基准  
示例值  
3.2 至3.4 V  
10kHz  
VCC  
ƒBW  
8.2.1.2 详细设计过程  
表8-2. 外部组件  
引脚1  
引脚2  
GND  
组件  
C1  
推荐  
VCC  
OUT  
OUT  
额定电压为VCC 的0.01µF（最小值）陶瓷电容器  
可选：将一个陶瓷电容器连接到GND  
需要一个上拉电阻器  
C2  
GND  
R1  
REF(1)  
(1) REF 不是DRV5013 器件上的引脚，但OUT 引脚需要一个REF 电源电压上拉电阻器；OUT 引脚可以被上拉至VCC。  
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8.2.1.2.1 配置示例  
在3.3V 系统中，3.2V ≤Vref ≤3.4V。使用方程式3 来计算R1 的允许范围。  
V
ref max Vref min  
Ç R1Ç  
30 mA  
100 µA  
(3)  
对于该设计示例，使用方程式4 来计算R1 的允许范围。  
3.4 V  
3.2 V  
Ç R1Ç  
30 mA  
100 µA  
(4)  
(5)  
因此：  
113Ω≤R1 ≤32kΩ  
在找到R1 的允许范围（方程式5）之后，为R1 选择一个介于500Ω 和32kΩ 之间的值。  
假设系统带宽为10kHz，使用方程式6 来计算C2 的值。  
1
2 ì ƒBW (Hz) <  
2p ì R1ì C2  
(6)  
(7)  
对于该设计示例，使用方程式7 来计算C2 的值。  
1
2 ì 10 kHz <  
2p ì R1ì C2  
10kΩ的R1 值和小于820pF 的C2 值可满足10kHz 系统带宽的要求。  
选择R1 = 10kΩ和C2 = 680pF 可使低通滤波器的拐角频率为23.4kHz。  
8.2.1.3 应用曲线  
OUT  
OUT  
C2 = 680pF  
R1 = 10kΩ上拉电  
无C2  
R1 = 10kΩ上拉电  
阻器  
阻器  
图8-2. 10kHz 开关磁场  
图8-3. 10kHz 开关磁场  
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0
-2  
-4  
-6  
-8  
-10  
-12  
-14  
100  
1000  
10000  
100000  
Frequency (Hz)  
D011  
C2 = 680pF  
R1 = 10kΩ上拉电阻器  
图8-4. 低通滤波  
8.2.2 替代两线制应用  
对于需要极少导线数的系统，可通过一个电阻器将器件输出连接到 VCC，并且可以在控制器附近检测总供电电  
流。  
R1  
+
œ
OUT  
VCC  
2
1
C1  
3
GND  
Controller  
Current  
sense  
图8-5. 两线制应用  
可以使用分流电阻器或其他电路来检测电流。  
8.2.2.1 设计要求  
表8-3 列出了相关的设计参数。  
表8-3. 设计参数  
设计参数  
电源电压  
基准  
VCC  
R1  
示例值  
12V  
OUT 电阻器  
1kΩ  
C1  
0.1µF  
旁路电容器  
IRELEASE  
IOPERATE  
B < BRP 时的电流  
B > BOP 时的电流  
约3mA  
约15mA  
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8.2.2.2 详细设计过程  
当器件的开漏输出为高阻抗时，通过路径的电流等于器件的ICC（大约3mA）。  
当输出拉至低电平时，添加了一个并联电流路径，其电流大小等于VCC/(R1 + rDS(on))。使用12V 和1kΩ，该并联  
电流约为12mA，使总电流约为15mA。  
本地旁路电容器C1 应至少为0.1µF，如果电源线互连中存在高电感，则应使用更大的值。  
8.3 电源相关建议  
DRV5013 器件可在介于 2.5V 和38V 之间的输入电压电源 (VM) 范围内正常工作。必须在尽量靠近 DRV5013 器  
件的位置放置一个额定电压为 VCC 的0.01µF（最小值）陶瓷电容器。可能需要较大的旁路电容器容值来衰减电源  
产生的任何显著高频纹波和噪声分量。TI 建议将电源电压变化限制在50mVPP 以下。  
8.4 布局  
8.4.1 布局指南  
旁路电容器应放置在 DRV5013 器件附近，以便以极小的电感实现高效的电力输送。外部上拉电阻器应放置在微  
控制器输入端附近，以在输入端提供最稳定的电压；或者，可以使用微控制器GPIO 中的集成上拉电阻器。  
通常，在 DRV5013 器件下方使用 PCB 铜平面对磁通量没有影响，也不会影响器件性能。这是因为铜不是铁磁材  
料。不过，如果附近的系统元件包含铁或镍，那么这些元件可能会以不可预测的方式重定向磁通量。  
8.4.2 布局布线示例  
VCC  
OUT  
GND  
图8-6. DRV5013 布局示例  
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9 器件和文档支持  
9.1 器件支持  
9.1.1 器件命名规则  
图9-1 显示了读取DRV5013 器件完整器件名称的图例。  
DRV5013  
(AD)  
(Q)  
(DBZ)  
(R)  
()  
Prefix  
DRV5013: Digital latch Hall sensor  
AEC-Q100  
Q1: Automotive qualification  
Blank: Non-auto  
BOP/BRP  
FA: 1.3/œ1.3 mT  
AD: 2.7/œ2.7 mT  
AG: 6/œ6 mT  
Tape and Reel  
R: 3000 pcs/reel  
T: 250 pcs/reel  
M: 3000 pcs/box (ammo)  
Blank: 1000 pcs/bag (bulk)  
BC: 12/œ12 mT  
Package  
DBZ: 3-pin SOT-23  
LPG: 3-pin TO-92  
LPE: 3-pin TO-92  
Temperature Range  
Q: œ40 to 125°C  
E: œ40 to 150°C  
图9-1. 器件命名规则  
9.1.2 器件标识  
Marked Side Front  
Marked Side  
3
1
2
3
1
2
Marked Side  
1
2
3
(Bottom view)  
图9-2. SOT-23 (DBZ) 封装  
图9-3. TO-92（LPG、LPE）封装  
9.2 接收文档更新通知  
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更  
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。  
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9.3 支持资源  
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解  
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。  
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅  
TI 的《使用条款》。  
9.4 商标  
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.  
所有商标均为其各自所有者的财产。  
9.5 静电放电警告  
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理  
和安装程序，可能会损坏集成电路。  
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参  
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。  
9.6 术语表  
TI 术语表  
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。  
10 机械、封装和可订购信息  
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且  
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。  
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PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
DRV5013ADQDBZR  
DRV5013ADQDBZT  
ACTIVE  
SOT-23  
SOT-23  
DBZ  
3
3
3000 RoHS & Green  
250 RoHS & Green  
NIPDAUAG | SN  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
(+NLAD, 13AD, 1J52  
)
Samples  
Samples  
ACTIVE  
DBZ  
NIPDAUAG | SN  
(+NLAD, 13AD, 1J52  
)
DRV5013ADQLPG  
DRV5013ADQLPGM  
DRV5013AGQDBZR  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
TO-92  
TO-92  
LPG  
LPG  
DBZ  
3
3
3
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
SN  
SN  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
+NLAD  
Samples  
Samples  
Samples  
+NLAD  
SOT-23  
NIPDAUAG | SN  
(+NLAG, 13AG, 1IW2  
)
DRV5013AGQDBZT  
ACTIVE  
SOT-23  
DBZ  
3
250  
RoHS & Green  
NIPDAUAG | SN  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
(+NLAG, 13AG, 1IW2  
)
Samples  
DRV5013AGQLPG  
DRV5013AGQLPGM  
DRV5013BCELPE  
DRV5013BCELPEM  
DRV5013BCQDBZR  
DRV5013BCQDBZT  
DRV5013BCQLPG  
DRV5013BCQLPGM  
DRV5013FAQDBZR  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
TO-92  
TO-92  
TO-92  
TO-92  
SOT-23  
SOT-23  
TO-92  
TO-92  
SOT-23  
LPG  
LPG  
LPE  
LPE  
DBZ  
DBZ  
LPG  
LPG  
DBZ  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
SN  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
N / A for Pkg Type  
N / A for Pkg Type  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 150  
-40 to 150  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
+NLAG  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
Samples  
SN  
+NLAG  
SN  
1UVJ  
SN  
1UVJ  
NIPDAUAG | SN  
(+NLBC, 1IX2)  
(+NLBC, 1IX2)  
+NLBC  
250  
RoHS & Green  
NIPDAUAG | SN  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
SN  
SN  
SN  
+NLBC  
(+NLFA, 1IZ2)  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
Addendum-Page 1  
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
www.ti.com  
6-Jul-2023  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information  
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and  
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.  
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.  
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF DRV5013 :  
Automotive : DRV5013-Q1  
•
NOTE: Qualified Version Definitions:  
Automotive - Q100 devices qualified for high-reliability automotive applications targeting zero defects  
•
Addendum-Page 2  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
17-Feb-2023  
TAPE AND REEL INFORMATION  
REEL DIMENSIONS  
TAPE DIMENSIONS  
K0  
P1  
W
B0  
Reel  
Diameter  
Cavity  
A0  
A0 Dimension designed to accommodate the component width  
B0 Dimension designed to accommodate the component length  
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness  
Overall width of the carrier tape  
W
P1 Pitch between successive cavity centers  
Reel Width (W1)  
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE  
Sprocket Holes  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
User Direction of Feed  
Pocket Quadrants  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Package Pins  
Type Drawing  
SPQ  
Reel  
Reel  
A0  
B0  
K0  
P1  
W
Pin1  
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant  
(mm) W1 (mm)  
DRV5013ADQDBZR  
DRV5013ADQDBZR  
DRV5013ADQDBZT  
DRV5013ADQDBZT  
DRV5013AGQDBZR  
DRV5013AGQDBZR  
DRV5013AGQDBZT  
DRV5013AGQDBZT  
DRV5013BCQDBZR  
DRV5013BCQDBZR  
DRV5013BCQDBZT  
DRV5013BCQDBZT  
DRV5013FAQDBZR  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3000  
3000  
250  
180.0  
178.0  
178.0  
180.0  
180.0  
178.0  
180.0  
178.0  
178.0  
180.0  
178.0  
180.0  
180.0  
8.4  
9.0  
9.0  
8.4  
8.4  
9.0  
8.4  
9.0  
9.0  
8.4  
9.0  
8.4  
8.4  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
3.15  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
2.77  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
1.22  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
250  
3000  
3000  
250  
250  
3000  
3000  
250  
250  
3000  
Pack Materials-Page 1  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
17-Feb-2023  
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS  
Width (mm)  
H
W
L
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Type Package Drawing Pins  
SPQ  
Length (mm) Width (mm) Height (mm)  
DRV5013ADQDBZR  
DRV5013ADQDBZR  
DRV5013ADQDBZT  
DRV5013ADQDBZT  
DRV5013AGQDBZR  
DRV5013AGQDBZR  
DRV5013AGQDBZT  
DRV5013AGQDBZT  
DRV5013BCQDBZR  
DRV5013BCQDBZR  
DRV5013BCQDBZT  
DRV5013BCQDBZT  
DRV5013FAQDBZR  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
DBZ  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3000  
3000  
250  
202.0  
180.0  
180.0  
202.0  
202.0  
180.0  
202.0  
180.0  
180.0  
202.0  
180.0  
202.0  
202.0  
201.0  
180.0  
180.0  
201.0  
201.0  
180.0  
201.0  
180.0  
180.0  
201.0  
180.0  
201.0  
201.0  
28.0  
18.0  
18.0  
28.0  
28.0  
18.0  
28.0  
18.0  
18.0  
28.0  
18.0  
28.0  
28.0  
250  
3000  
3000  
250  
250  
3000  
3000  
250  
250  
3000  
Pack Materials-Page 2  
PACKAGE OUTLINE  
DBZ0003A  
SOT-23 - 1.12 mm max height  
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
C
2.64  
2.10  
1.12 MAX  
1.4  
1.2  
B
A
0.1 C  
PIN 1  
INDEX AREA  
1
0.95  
(0.125)  
3.04  
2.80  
1.9  
3
(0.15)  
NOTE 4  
2
0.5  
0.3  
3X  
0.10  
0.01  
(0.95)  
TYP  
0.2  
C A B  
0.25  
GAGE PLANE  
0.20  
0.08  
TYP  
0.6  
0.2  
TYP  
SEATING PLANE  
0 -8 TYP  
4214838/D 03/2023  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. Reference JEDEC registration TO-236, except minimum foot length.  
4. Support pin may differ or may not be present.  
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EXAMPLE BOARD LAYOUT  
DBZ0003A  
SOT-23 - 1.12 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
3X (1.3)  
1
3X (0.6)  
SYMM  
3
2X (0.95)  
2
(R0.05) TYP  
(2.1)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
SCALE:15X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
0.07 MIN  
ALL AROUND  
0.07 MAX  
ALL AROUND  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK  
DEFINED  
(PREFERRED)  
SOLDER MASK DETAILS  
4214838/D 03/2023  
NOTES: (continued)  
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
www.ti.com  
EXAMPLE STENCIL DESIGN  
DBZ0003A  
SOT-23 - 1.12 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
3X (1.3)  
1
3X (0.6)  
SYMM  
3
2X(0.95)  
2
(R0.05) TYP  
(2.1)  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 THICK STENCIL  
SCALE:15X  
4214838/D 03/2023  
NOTES: (continued)  
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
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PACKAGE OUTLINE  
LPE0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
S
C
A
L
E
1
.
3
0
0
TRANSISTOR OUTLINE  
4.1  
3.9  
3.25  
3.05  
0.51  
0.40  
3X  
5.05  
MAX  
3
1
3X (0.8)  
3X  
16.0  
15.6  
0.48  
0.33  
0.51  
0.33  
3X  
3X  
2X 1.27 0.05  
2.64  
2.44  
2.68  
2.28  
1.62  
1.42  
2X (45 )  
(0.55)  
1
3
2
0.86  
0.66  
4224358/A 06/2018  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
LPE0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
TRANSISTOR OUTLINE  
FULL R  
TYP  
0.05 MAX  
ALL AROUND  
TYP  
(1.07)  
METAL  
TYP  
3X ( 0.75) VIA  
2X  
METAL  
(1.7)  
2X (1.7)  
2X  
SOLDER MASK  
OPENING  
2
3
1
2X (1.07)  
(R0.05) TYP  
(1.27)  
SOLDER MASK  
OPENING  
(2.54)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
NON-SOLDER MASK DEFINED  
SCALE:20X  
4224358/A 06/2018  
www.ti.com  
TAPE SPECIFICATIONS  
LPE0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
TRANSISTOR OUTLINE  
0
1
13.0  
12.4  
0
1
1 MAX  
21  
18  
2.5 MIN  
6.5  
5.5  
9.5  
8.5  
0.25  
0.15  
19.0  
17.5  
3.8-4.2 TYP  
0.45  
0.35  
6.55  
6.15  
12.9  
12.5  
4224358/A 06/2018  
www.ti.com  
PACKAGE OUTLINE  
LPG0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
S
C
A
L
E
1
.
3
0
0
TRANSISTOR OUTLINE  
4.1  
3.9  
3.25  
3.05  
0.55  
0.40  
3X  
5.05  
MAX  
3
1
3X (0.8)  
3X  
15.5  
15.1  
0.48  
0.35  
0.51  
0.36  
3X  
3X  
2X 1.27 0.05  
2.64  
2.44  
2.68  
2.28  
1.62  
1.42  
2X (45 )  
1
3
2
0.86  
0.66  
(0.5425)  
4221343/C 01/2018  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
LPG0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
TRANSISTOR OUTLINE  
FULL R  
TYP  
0.05 MAX  
ALL AROUND  
TYP  
(1.07)  
METAL  
TYP  
3X ( 0.75) VIA  
2X  
METAL  
(1.7)  
2X (1.7)  
2X  
SOLDER MASK  
OPENING  
2
3
1
2X (1.07)  
(R0.05) TYP  
(1.27)  
SOLDER MASK  
OPENING  
(2.54)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
NON-SOLDER MASK DEFINED  
SCALE:20X  
4221343/C 01/2018  
www.ti.com  
TAPE SPECIFICATIONS  
LPG0003A  
TO-92 - 5.05 mm max height  
TRANSISTOR OUTLINE  
0
1
13.0  
12.4  
0
1
1 MAX  
21  
18  
2.5 MIN  
6.5  
5.5  
9.5  
8.5  
0.25  
0.15  
19.0  
17.5  
3.8-4.2 TYP  
0.45  
0.35  
6.55  
6.15  
12.9  
12.5  
4221343/C 01/2018  
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相关型号：

SI9130DB

 5- and 3.3-V Step-Down Synchronous Converters

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-
VISHAY

SI9135LG-T1

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9135LG-T1-E3

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9135_11

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9136_11

 Multi-Output Power-Supply Controller

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-
VISHAY

SI9130CG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130LG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9130_11

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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-
VISHAY

SI9137

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137DB

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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-
VISHAY

SI9137LG

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY

SI9122E

 500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification Drivers

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-
VISHAY
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