DRV5013BCQLPGQ1
更新时间：2024-10-30 05:38:02
品牌：TI
描述：汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3 | -40 to 125
概述
数据手册
替代型号DRV5013BCQLPGQ1 概述
汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3 | -40 to 125 地磁传感器
DRV5013BCQLPGQ1 数据手册
通过下载DRV5013BCQLPGQ1数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。
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DRV5013-Q1 汽车数字锁存霍尔效应传感器
1 特性
2 应用
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准：
• 电动工具
• 流量计
• 阀和电磁阀状态
• 无刷直流电机
• 接近传感
• 转速计
– DRV5013xxQ 1 级：TA = –40°C 至125°C（请
参阅器件命名规则）
– DRV5013xxE 0 级：TA = –40°C 至150°C（请
参阅器件命名规则）
• 数字双极锁存霍尔传感器
• 出色的温度稳定性
3 描述
– 工作温度范围内BOP 为±10%
DRV5013-Q1 器件是一款斩波稳定型霍尔效应传感
器，可在温度范围内提供具有出色灵敏度稳定性和集成
保护特性的磁场感应解决方案。
• 多个灵敏度选项(BOP/BRP
)
– ±1.3mT（FA，请参阅器件命名规则）
– ±2.7mT（AD，请参阅器件命名规则）
– ±6mT（AG，请参阅器件命名规则）
– ±12mT（BC，请参阅器件命名规则）
• 支持宽电压范围
磁场通过数字双极锁存输出表示。该集成电路 (IC) 配
有一个灌电流能力达 30mA 的漏极开路输出级。该器
件具有2.7V 至38V 的宽工作电压范围，反极性保护高
达–22V，因此适用于各种汽车应用。
– 2.7 V 至38 V
– 无需外部稳压器
• 开漏输出（30mA 灌电流）
• 快速开通时间35µs
• 小型封装和外形尺寸
针对反向电源条件、负载突降和输出短路或过流，提供
了内部保护功能。
封装信息(1)
封装尺寸（标称值）
器件型号
封装
SOT-23 (3)
TO-92 (3)
– 表面贴装3 引脚SOT-23 (DBZ)
2.92mm × 1.30mm
4.00mm × 3.15mm
• 2.92mm × 2.37mm
– 穿孔式3 引脚TO-92（LPG）
• 4.00mm × 3.15mm
DRV5013-Q1
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
• 保护特性：
– 反向电源保护（高达-22V）
– 支持高达40V 的负载突降
– 输出短路保护
– 输出电流限制
– 输出电池短路保护
OUT
B
hys
B (mT)
B
B
OP
RP
B
OF
(North)
(South)
输出状态
器件封装
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLIS162
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 描述................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议运行条件.............................................................. 4
6.4 热性能信息..................................................................4
6.5 电气特性......................................................................5
6.6 开关特性......................................................................5
6.7 磁特性......................................................................... 6
6.8 典型特性......................................................................7
7 详细说明............................................................................ 9
7.1 概述.............................................................................9
7.2 功能模块图..................................................................9
7.3 特性说明....................................................................10
7.4 器件功能模式............................................................ 14
8 应用和实施.......................................................................15
8.1 应用信息....................................................................15
8.2 典型应用....................................................................15
8.3 电源相关建议............................................................ 18
8.4 布局...........................................................................18
9 器件和文档支持............................................................... 19
9.1 器件支持....................................................................19
9.2 接收文档更新通知..................................................... 19
9.3 支持资源....................................................................20
9.4 商标...........................................................................20
9.5 静电放电警告............................................................ 20
9.6 术语表....................................................................... 20
10 机械、封装和可订购信息...............................................20
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision H (August 2018) to Revision I (February 2023)
Page
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
• 将表标题从“器件信息”更改为“封装信息”....................................................................................................1
• 将电源相关建议和布局部分移到了应用和实施部分........................................................................................18
Changes from Revision G (October 2017) to Revision H (August 2018)
Page
• 更改了电源相关建议部分................................................................................................................................. 18
Changes from Revision F (September 2016) to Revision G (October 2017)
Page
• 将特定于汽车的特性要点的位置更改为“特性”部分的顶部.............................................................................. 1
• 向特定于汽车的特性要点添加了器件HBM 和CDM 分类子要点....................................................................... 1
• 在器件功能模式部分中添加了最后一句............................................................................................................14
Changes from Revision E (August 2016) to Revision F (September 2016)
Page
• 更改了电气特性表中的开通时间........................................................................................................................ 5
Changes from Revision D (June 2016) to Revision E (August 2016)
Page
• 修订了磁特性表中FA 版本的初步限制.............................................................................................................. 6
• 添加了布局部分................................................................................................................................................18
Changes from Revision C (May 2016) to Revision D (June 2016)
Page
• 修订了FA 版本的初步限制................................................................................................................................. 6
Changes from Revision B (February 2016) to Revision C (May 2016)
Page
• 修订了FA 版本的初步限制................................................................................................................................. 6
Changes from Revision A (December 2015) to Revision B (February 2016)
Page
• 添加了FA 器件选项............................................................................................................................................ 1
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• 在磁特性表中添加了典型带宽值........................................................................................................................ 6
Changes from Revision * (December 2014) to Revision A (June 2015) Page
• 更正了SOT-23 封装的尺寸并将SIP 封装名称更正为TO-92............................................................................. 1
• 向绝对最大额定值中添加了BMAX ..................................................................................................................... 4
• 在绝对最大额定值中删除了有关工作结温测试的表注........................................................................................4
• 添加了社区资源................................................................................................................................................19
• 更新了封装卷带选项M 和空白..........................................................................................................................19
5 引脚配置和功能
有关更多配置信息，请参阅器件标识和机械、封装和可订购信息。
OUT
2
1
2
3
3
GND
1
V
CC
图5-1. DBZ 封装3 引脚SOT-23 顶视图
VCC
OUT
GND
图5-2. LPG 封装3 引脚TO-92 顶视图
表5-1. 引脚功能
引脚
类型
说明
DBZ
LPG
名称
GND
OUT
3
2
2
3
接地
输出
接地引脚
霍尔传感器开漏输出。开漏需要一个上拉电阻器。
2.7V 至38V 电源。使用额定值为VCC 的0.01µF（最小值）陶瓷电容器将此引脚旁路至
GND 引脚。
VCC
1
1
Power
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
-22(2)
无限
最大值
单位
VCC
40
V
电压斜升速率(VCC)，VCC < 5V
电源电压
V/µs
0
-0.5
0
2
电压斜升速率(VCC)，VCC > 5V
40
V
输出引脚电压
100
mA
反向电源条件下的输出引脚反向电流
磁通量密度，BMAX
无限
-40
-40
-65
150
175
150
Q，请参阅图9-1
°C
°C
运行结温，TJ
E，请参阅图9-1
贮存温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值的运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其
他条件下能够正常运行。如果超出建议运行条件、但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可
靠性、功能和性能并缩短器件寿命。
(2) 根据设计确定。仅针对–20V 进行了测试。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合AEC Q100-002(1)
HBM ESD 分类等级2
±2500
V(ESD)
V
静电放电
充电器件模型(CDM)，符合AEC Q100-011
器件HBM ESD 分类等级C4B
±500
(1) AEC Q100-002 指示应当按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执行HBM 应力测试。
6.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
VCC
VO
2.7
38
38
V
电源电压
0
0
V
输出引脚电压(OUT)
输出引脚灌电流(OUT)(1)
ISINK
30
mA
-40
-40
125
150
Q，请参阅图9-1
E，请参阅图9-1
TA
°C
工作环境温度
(1) 必须遵循功率耗散和热限值。
6.4 热性能信息
DRV5013-Q1
热指标(1)
DBZ (SOT-23)
3 引脚
333.2
99.9
LPG (TO-92)
3 引脚
180
单位
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ψJT
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
98.6
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
66.9
154.9
40
4.9
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
65.2
154.9
ψJB
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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6.5 电气特性
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源(VCC
)
VCC
2.7
38
V
VCC 工作电压
2.7
3
VCC = 2.7V 至38V，TA = 25°C
VCC = 2.7V 至38V，TA = TA, MAX
AD、AG、BC 版本
ICC
mA
工作电源电流
(1)
3.5
50
70
35
35
ton
µs
加电时间
FA 版本
开漏输出(OUT)
VCC = 3.3V，IO = 10mA，TA = 25°C
VCC = 3.3V，IO = 10mA，TA = 125 (1)
输出高阻态
22
36
rDS(on)
FET 导通电阻
Ω
50
1
Ilkg(off)
µA
关断状态漏电流
保护电路
VCCR
V
–22
反向电源电压
过流保护等级
IOCP
15
30
45
mA
OUT 短路VCC
(1) Q 1 级器件的TA, MAX 为125°C，E 0 级器件为150°C（请参阅图9-1）。
6.6 开关特性
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值
单位
开漏输出(OUT)
td
tr
tf
13
200
31
25
µs
ns
ns
输出延迟时间
B = BRP –10mT 至BOP + 10mT（在1µs 内）
R1 = 1kΩ，CO = 50pF，VCC = 3.3V
R1 = 1kΩ，CO = 50pF，VCC = 3.3V
输出上升时间（10% 至90%）
输出下降时间（90% 至10%）
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6.7 磁特性
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位(1)
带宽(2)
20
30
kHz
ƒBW
DRV5013FA：±1.3mT
BOP
BRP
Bhys
BO
1.3
3.4
0.6
mT
mT
mT
mT
操作点；请参阅图7-2
释放点；请参阅图7-2
迟滞；Bhys = (BOP –BRP
–0.6
-3.4
1.2
–1.3
2.6
0
)
1.5
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2
–1.5
DRV5013AD：±2.7mT
BOP
BRP
Bhys
BO
1
2.7
5
mT
mT
mT
mT
操作点；请参阅图7-2
释放点；请参阅图7-2
迟滞；Bhys = (BOP –BRP
-5
-1
–2.7
5.4
0
)
1.5
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2
–1.5
DRV5013AG：±6mT
BOP
BRP
Bhys
BO
3
6
-6
12
0
9
mT
mT
mT
mT
操作点；请参阅图7-2
释放点；请参阅图7-2
迟滞；Bhys = (BOP –BRP
-9
–3
)
1.5
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2
–1.5
DRV5013BC：±12mT
BOP
BRP
Bhys
BO
6
12
18
-6
mT
mT
mT
mT
操作点；请参阅图7-2
释放点；请参阅图7-2
迟滞；Bhys = (BOP –BRP
–18
–12
24
)
0
1.5
磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2
–1.5
(1) 1mT = 10 高斯。
(2) 带宽描述了可以检测到并转换为输出的变化最快的磁场。
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6.8 典型特性
3.5
3.5
TA = œ40°C
TA = 25°C
TA = 75°C
TA = 125°C
TA = 150°C
VCC = 3.3 V
VCC = 13.2 V
VCC = 38 V
3
3
2.5
2.5
2
0
2
-50
10
20
Supply Voltage (V)
30
40
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature (°C)
100
125
150
D009
D010
图6-1. ICC 与VCC 之间的关系
图6-2. ICC 与温度之间的关系
14
12
10
8
14
12
10
8
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
6
6
4
4
2
2
0
0
0
-50
10
20
Supply Voltage (V)
30
40
-25
0
25
50
75
Ambient Temperature (°C)
100
125
150
D001
D002
TA = 25°C
图6-3. BOP 与VCC 之间的关系
VCC = 3.3V
图6-4. BOP 与温度之间的关系
0
-2
0
-2
-4
-4
-6
-6
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
-8
-8
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
-10
-12
-14
-10
-12
-14
0
10
20
Supply Voltage (V)
30
40
-50
-25
0
25
Ambient Temperature (°C)
50
75
100
125
150
D003
D004
TA = 25°C
VCC = 3.3V
图6-6. BRP 与温度之间的关系
图6-5. BRP 与VCC 之间的关系
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6.8 典型特性(continued)
30
30
25
20
15
10
5
25
20
15
10
5
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
0
0
0
10
20
Supply Voltage (V)
30
40
-50
-25
0
25
50
Ambient Temperature (°C)
75
100
125
150
D007
D008
TA = 25°C
VCC = 3.3V
图6-8. 迟滞与温度之间的关系
图6-7. 迟滞与VCC 之间的关系
0.25
0.125
0
0.25
0.125
0
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
DRV5013AD
DRV5013AG
DRV5013BC
-0.125
-0.25
-0.125
-0.25
0
10
20
Supply Voltage (V)
30
40
-50
-25
0
25
50
Ambient Temperature (°C)
75
100
125
150
D005
D006
TA = 25°C
VCC = 3.3V
图6-10. 偏移与温度之间的关系
图6-9. 偏移与VCC 之间的关系
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7 详细说明
7.1 概述
DRV5013-Q1 器件是一款具有数字锁存输出的斩波稳定型霍尔传感器，适用于磁感应应用。DRV5013-Q1 器件可
由介于 2.7V 和 38V 之间的电源电压供电，并可连续承受 –22V 的反向电池情况。在向 VCC 引脚施加 –22V 至
2.4V 的电压（相对于 GND 引脚）时，DRV5013-Q1 器件不工作。此外，该器件可承受高达 40V 的瞬态持续电
压。
磁场极性定义如下：靠近封装标记面的南极为正磁场。靠近封装标记面的北极是负磁场。
输出状态取决于垂直于封装的磁场。靠近封装标记侧的南极使输出拉至低电平（操作点，BOP），靠近封装标记侧
的北极使输出释放（释放点，BRP）。工作点和释放点之间存在迟滞，因此磁场噪声不会意外触发输出。
需要在OUT 引脚上连接一个外部上拉电阻器。可以将OUT 引脚上拉至 VCC 或其他电源电压。这样可以更轻松地
连接控制器电路。
7.2 功能模块图
2.7 V to 38 V
C1
V
CC
Regulated Supply
R1
Temperature
Compensation
Bias
OUT
C2
(Optional)
OCP
+
Gate
Drive
Hall Element
œ
Reference
GND
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7.3 特性说明
7.3.1 场方向定义
图7-1 显示了定义为靠近封装标记侧的南极的正磁场。
SOT-23 (DBZ)
TO-92 (LPG)
B > 0 mT
B < 0 mT
B > 0 mT
B < 0 mT
N
S
S
N
S
S
N
N
1
2
3
1
2
3
(Bottom view)
N = 北极，S = 南极
图7-1. 场方向定义
7.3.2 器件输出
如果器件在介于 BRP 和BOP 之间的磁场强度下开通，则器件输出是不确定的，可能是高阻态或低电平。如果场强
大于BOP，则输出被拉至低电平。如果场强小于BRP，则输出被释放。
OUT
Bhys
B (mT)
BRP (North)
BOF
BOP (South)
图7-2. DRV5013-Q1 - BOP > 0
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7.3.3 上电时间
在向 DRV5013-Q1 器件施加 VCC 之后，必须经过 ton 后 OUT 引脚才有效。在上电顺序期间，输出为高阻抗。会
在 ton 结束时产生图 7-3 和图 7-4 所示的脉冲。该脉冲使主机处理器能够在启动后确定 DRV5013-Q1 输出何时有
效。在案例1（图7-3）和案例2（图7-4）中，定义输出时假定恒定磁场B > BOP 和B < BRP。
VCC
t (s)
B (mT)
BOP
BRP
t (s)
OUT
Valid Output
t (s)
ton
图7-3. 情况1：B > BOP 时开通
VCC
t (s)
B (mT)
BOP
BRP
t (s)
OUT
Valid Output
t (s)
ton
图7-4. 情况2：B < BRP 时开通
如果器件在磁场强度 BRP < B < BOP 时开通，则器件输出是不确定的，可能是高阻态或被拉至低电平。在上电序
列期间，输出保持高阻态，直到ton 结束。在ton 结束时，会在OUT 引脚上提供一个脉冲，表示ton 已经过去。在
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ton 之后，如果磁场发生变化，使得 BOP < B，则输出被释放。案例 3（图 7-5）和案例 4（图 7-6）显示了该行为
的示例。
V
CC
t (s)
t (s)
t (s)
B (mT)
B
B
OP
RP
OUT
Valid Output
t
t
d
on
图7-5. 情况3：当BRP < B < BOP 时开通，然后B > BOP
VCC
B (mT)
OUT
t (s)
t (s)
t (s)
BOP
BRP
Valid Output
ton
td
图7-6. 情况4：当BRP < B < BOP 时开通，然后B < BRP
7.3.4 输出级
图7-7 显示了DRV5013-Q1 开漏NMOS 输出结构，其额定灌电流高达30mA。为确保正常运行，请使用方程式1
来计算上拉电阻器R1 的阻值。
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V
ref max
Vref min
Ç R1Ç
30 mA
100 µA
(1)
R1 的大小是 OUT 上升时间与 OUT 被拉至低电平时的电流之间权衡的结果。较低的电流通常更好，但更快的转
换和带宽需要较小的电阻器以实现更快的开关。
此外，应确保R1 的值大于500Ω，以便输出驱动器可以将OUT 引脚拉至接近GND。
备注
Vref 不限于VCC。绝对最大额定值中指定了该引脚的允许电压范围。
Vref
R1
OUT
ISINK
C2
OCP
Gate
Drive
GND
图7-7. NMOS 开漏输出
根据方程式2 所示的系统带宽规格为C2 选择合适的值。
1
2 ì ƒBW (Hz) <
2p ì R1ì C2
(2)
大多数应用不需要该C2 滤波电容器。
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7.3.5 保护电路
DRV5013-Q1 器件在过流和反向电源情况下受到全面保护。表7-1 显示了保护电路概要。
表7-1. 保护电路概要
故障
条件
器件
工作
工作
禁用
说明
恢复
IO < IOCP
VCC ≤38V
VCC ≥2.7V
FET 过载(OCP)
I
SINK ≥IOCP
输出电流被钳位至IOCP
38 V < VCC < 40 V
-22 V < VCC < 0 V
负载突降
反向电源
器件将在瞬态持续时间内运行
器件将能够承受这种情况
7.3.5.1 过流保护(OCP)
模拟限流电路可限制流经 FET 的电流。驱动器电流被钳位到 IOCP。在此钳位期间，输出 FET 的 rDS(on) 从标称值
增加。
7.3.5.2 负载突降保护
DRV5013-Q1 器件可在标称高达 38V 的直流 VCC 条件下运行，并且还可承受 VCC = 40V 的电压。此保护不需要
限流串联电阻器。
7.3.5.3 反向电源保护
DRV5013-Q1 器件会在VCC 引脚和GND 引脚反向（高达–22V）时受到保护。
备注
在反向电源条件下，OUT 引脚反向电流不得超过绝对最大额定值中指定的额定值。
7.4 器件功能模式
DRV5013-Q1 器件仅在VCC 介于2.7V 和38V 之间时正常工作。
当存在反向电源条件时，该器件不工作。对于一些需要分析器件的每个可能输出的行业标准，内部时钟不太可能
耦合到输出。
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8 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
8.1 应用信息
DRV5013-Q1 器件用于磁场检测应用。
8.2 典型应用
8.2.1 标准电路
C2
680 pF
(Optional)
OUT
2
1
R1
10 kΩ
3
V
CC
V
CC
C1
0.01 µF
(minimum)
图8-1. 典型应用电路
8.2.1.1 设计要求
本设计示例使用表8-1 中所列的参数作为输入参数。
表8-1. 设计参数
设计参数
电源电压
系统带宽
基准
示例值
3.2 至3.4 V
10kHz
VCC
ƒBW
8.2.1.2 详细设计过程
表8-2. 外部组件
引脚1
引脚2
GND
组件
C1
推荐
VCC
OUT
OUT
额定电压为VCC 的0.01µF（最小值）陶瓷电容器
可选：将一个陶瓷电容器连接到GND
需要一个上拉电阻器
C2
GND
R1
REF(1)
(1) REF 不是DRV5013-Q1 器件上的引脚，但OUT 引脚需要一个REF 电源电压上拉电阻器；OUT 引脚可以被上拉至VCC。
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8.2.1.2.1 配置示例
在3.3V 系统中，3.2V ≤Vref ≤3.4V。使用方程式3 来计算R1 的允许范围。
V
ref max
Vref min
Ç R1Ç
30 mA
100 µA
(3)
对于该设计示例，使用方程式4 来计算R1 的允许范围。
3.4 V
3.2 V
Ç R1Ç
30 mA
100 µA
(4)
(5)
因此：
113Ω≤R1 ≤32kΩ
在找到R1 的允许范围（方程式5）之后，为R1 选择一个介于500Ω 和32kΩ 之间的值。
假设系统带宽为10kHz，使用方程式6 来计算C2 的值。
1
2 ì ƒBW (Hz) <
2p ì R1ì C2
(6)
(7)
对于该设计示例，使用方程式7 来计算C2 的值。
1
2 ì 10 kHz <
2p ì R1ì C2
10kΩ的R1 值和小于820pF 的C2 值可满足10kHz 系统带宽的要求。
选择R1 = 10kΩ和C2 = 680pF 可使低通滤波器的拐角频率为23.4kHz。
8.2.1.3 应用曲线
OUT
OUT
C2 = 680pF
R1 = 10kΩ上拉电
无C2
R1 = 10kΩ上拉电
阻器
阻器
图8-2. 10kHz 开关磁场
图8-3. 10kHz 开关磁场
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0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
100
1000
10000
100000
Frequency (Hz)
D011
C2 = 680pF
R1 = 10kΩ上拉电阻器
图8-4. 低通滤波
8.2.2 替代两线制应用
对于需要极少导线数的系统，可通过一个电阻器将器件输出连接到 VCC，并且可以在控制器附近检测总供电电
流。
R1
+
œ
OUT
VCC
2
1
C1
3
GND
Controller
Current
sense
图8-5. 两线制应用
可以使用分流电阻器或其他电路来检测电流。
8.2.2.1 设计要求
表8-3 列出了相关的设计参数。
表8-3. 设计参数
设计参数
电源电压
基准
VCC
R1
示例值
12V
OUT 电阻器
1kΩ
C1
0.1µF
旁路电容器
IRELEASE
IOPERATE
B < BRP 时的电流
B > BOP 时的电流
约3mA
约15mA
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8.2.2.2 详细设计过程
当器件的开漏输出为高阻抗时，通过路径的电流等于器件的ICC（大约3mA）。
当输出拉至低电平时，添加了一个并联电流路径，其电流大小等于VCC/(R1 + rDS(on))。使用12V 和1kΩ，该并联
电流约为12mA，使总电流约为15mA。
本地旁路电容器C1 应至少为0.1µF，如果电源线互连中存在高电感，则应使用更大的值。
8.3 电源相关建议
DRV5013-Q1 器件可在介于2.7V 和
38V 之间的输入电压电源 (VM) 范围内正常工作。必须在尽量靠近 DRV5013-Q1 器件的位置放置一个额定电压为
VCC 的 0.01µF（最小值）陶瓷电容器。可能需要较大的旁路电容器容值来衰减电源产生的任何显著高频纹波和噪
声分量。TI 建议将电源电压变化限制在50mVPP 以下。
8.4 布局
8.4.1 布局指南
旁路电容器应放置在 DRV5013-Q1 器件附近，以便以极小的电感实现高效的电力输送。外部上拉电阻器应放置在
微控制器输入端附近，以在输入端提供最稳定的电压；或者，可以使用微控制器GPIO 中的集成上拉电阻器。
通常，在 DRV5013-Q1 器件下方使用 PCB 铜平面对磁通量没有影响，也不会影响器件性能。这是因为铜不是铁
磁材料。不过，如果附近的系统元件包含铁或镍，那么这些元件可能会以不可预测的方式重定向磁通量。
8.4.2 布局布线示例
VCC
OUT
GND
图8-6. DRV5013-Q1 布局示例
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9 器件和文档支持
9.1 器件支持
9.1.1 器件命名规则
图9-1 显示了读取DRV5013-Q1 器件完整器件名称的图例。
DRV5013
(AD)
(Q)
(DBZ)
(R)
(Q1)
Prefix
DRV5013: Digital latch Hall sensor
AEC-Q100
Q1: Automotive qualification
Blank: Non-auto
BOP/BRP
FA: 1.3/œ1.3 mT
AD: 2.7/œ2.7 mT
AG: 6/œ6 mT
Tape and Reel
R: 3000 pcs/reel
T: 250 pcs/reel
M: 3000 pcs/box (ammo)
Blank: 1000 pcs/bag (bulk)
BC: 12/œ12 mT
Package
DBZ: 3-pin SOT-23
LPG: 3-pin TO-92
Temperature Range
Q: œ40 to 125°C
E: œ40 to 150°C
图9-1. 器件命名规则
9.1.2 器件标识
Marked Side Front
Marked Side
3
1
2
3
1
2
Marked Side
1
2
3
(Bottom view)
图9-2. SOT-23 (DBZ) 封装
图9-3. TO-92（LPG）封装
9.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
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9.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
9.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
9.5 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
9.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
10 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
DRV5013ADEDBZJQ1
DRV5013ADEDBZRQ1
DRV5013ADEDBZTQ1
DRV5013ADELPGMQ1
DRV5013ADELPGQ1
DRV5013ADQDBZRQ1
DRV5013ADQDBZTQ1
DRV5013ADQLPGMQ1
DRV5013ADQLPGQ1
DRV5013AGEDBZRQ1
DRV5013AGEDBZTQ1
DRV5013AGELPGMQ1
DRV5013AGELPGQ1
DRV5013AGQDBZRQ1
DRV5013AGQDBZTQ1
DRV5013AGQLPGMQ1
DRV5013AGQLPGQ1
DRV5013BCEDBZRQ1
DRV5013BCEDBZTQ1
DRV5013BCELPGMQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SOT-23
SOT-23
TO-92
DBZ
DBZ
DBZ
LPG
LPG
DBZ
DBZ
LPG
LPG
DBZ
DBZ
LPG
LPG
DBZ
DBZ
LPG
LPG
DBZ
DBZ
LPG
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
10000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAUAG
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
N / A for Pkg Type
N / A for Pkg Type
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
N / A for Pkg Type
N / A for Pkg Type
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
N / A for Pkg Type
N / A for Pkg Type
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
N / A for Pkg Type
N / A for Pkg Type
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
N / A for Pkg Type
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
+NJAD
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAUAG
NIPDAUAG
SN
+NJAD
+NJAD
+NJAD
+NJAD
+NKAD
+NKAD
+NKAD
+NKAD
+NJAG
+NJAG
+NJAG
+NJAG
+NKAG
+NKAG
+NKAG
+NKAG
+NJBC
+NJBC
+NJBC
250
RoHS & Green
3000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
TO-92
SN
SOT-23
SOT-23
TO-92
NIPDAUAG
NIPDAUAG
SN
250
RoHS & Green
3000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
TO-92
SN
SOT-23
SOT-23
TO-92
NIPDAUAG
NIPDAUAG
SN
250
RoHS & Green
3000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
TO-92
SN
SOT-23
SOT-23
TO-92
NIPDAUAG
NIPDAUAG
SN
250
RoHS & Green
3000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
TO-92
SN
SOT-23
SOT-23
TO-92
NIPDAUAG
NIPDAUAG
SN
250
RoHS & Green
3000 RoHS & Green
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
DRV5013BCELPGQ1
DRV5013BCQDBZRQ1
DRV5013BCQDBZTQ1
DRV5013BCQLPGMQ1
DRV5013BCQLPGQ1
DRV5013FAEDBZRQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
TO-92
SOT-23
SOT-23
TO-92
LPG
DBZ
DBZ
LPG
LPG
DBZ
3
3
3
3
3
3
1000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
SN
N / A for Pkg Type
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
N / A for Pkg Type
N / A for Pkg Type
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 150
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 150
+NJBC
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAUAG
NIPDAUAG
SN
+NKBC
+NKBC
+NKBC
+NKBC
+NJFA
250
RoHS & Green
3000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
TO-92
SN
SOT-23
SN
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Addendum-Page 2
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF DRV5013-Q1 :
Catalog : DRV5013
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Catalog - TI's standard catalog product
•
Addendum-Page 3
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
DRV5013ADEDBZJQ1 SOT-23
DRV5013ADEDBZRQ1 SOT-23
DRV5013ADEDBZTQ1 SOT-23
DRV5013ADQDBZRQ1 SOT-23
DRV5013ADQDBZTQ1 SOT-23
DRV5013AGEDBZRQ1 SOT-23
DRV5013AGEDBZTQ1 SOT-23
DRV5013AGQDBZRQ1 SOT-23
DRV5013AGQDBZTQ1 SOT-23
DRV5013BCEDBZRQ1 SOT-23
DRV5013BCEDBZTQ1 SOT-23
DRV5013BCQDBZRQ1 SOT-23
DRV5013BCQDBZTQ1 SOT-23
DRV5013FAEDBZRQ1 SOT-23
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
10000
3000
250
330.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
3.15
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
2.77
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
1.22
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
3000
250
3000
250
3000
250
3000
250
3000
250
3000
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
17-Feb-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
DRV5013ADEDBZJQ1
DRV5013ADEDBZRQ1
DRV5013ADEDBZTQ1
DRV5013ADQDBZRQ1
DRV5013ADQDBZTQ1
DRV5013AGEDBZRQ1
DRV5013AGEDBZTQ1
DRV5013AGQDBZRQ1
DRV5013AGQDBZTQ1
DRV5013BCEDBZRQ1
DRV5013BCEDBZTQ1
DRV5013BCQDBZRQ1
DRV5013BCQDBZTQ1
DRV5013FAEDBZRQ1
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
DBZ
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
10000
3000
250
346.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
202.0
346.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
201.0
29.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
28.0
3000
250
3000
250
3000
250
3000
250
3000
250
3000
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
LPG0003A
TO-92 - 5.05 mm max height
S
C
A
L
E
1
.
3
0
0
TRANSISTOR OUTLINE
4.1
3.9
3.25
3.05
0.55
0.40
3X
5.05
MAX
3
1
3X (0.8)
3X
15.5
15.1
0.48
0.35
0.51
0.36
3X
3X
2X 1.27 0.05
2.64
2.44
2.68
2.28
1.62
1.42
2X (45 )
1
3
2
0.86
0.66
(0.5425)
4221343/C 01/2018
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
LPG0003A
TO-92 - 5.05 mm max height
TRANSISTOR OUTLINE
FULL R
TYP
0.05 MAX
ALL AROUND
TYP
(1.07)
METAL
TYP
3X ( 0.75) VIA
2X
METAL
(1.7)
2X (1.7)
2X
SOLDER MASK
OPENING
2
3
1
2X (1.07)
(R0.05) TYP
(1.27)
SOLDER MASK
OPENING
(2.54)
LAND PATTERN EXAMPLE
NON-SOLDER MASK DEFINED
SCALE:20X
4221343/C 01/2018
www.ti.com
TAPE SPECIFICATIONS
LPG0003A
TO-92 - 5.05 mm max height
TRANSISTOR OUTLINE
0
1
13.0
12.4
0
1
1 MAX
21
18
2.5 MIN
6.5
5.5
9.5
8.5
0.25
0.15
19.0
17.5
3.8-4.2 TYP
0.45
0.35
6.55
6.15
12.9
12.5
4221343/C 01/2018
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
2.64
2.10
1.12 MAX
1.4
1.2
B
A
0.1 C
PIN 1
INDEX AREA
1
0.95
(0.125)
3.04
2.80
1.9
3
(0.15)
NOTE 4
2
0.5
0.3
3X
0.10
0.01
(0.95)
TYP
0.2
C A B
0.25
GAGE PLANE
0.20
0.08
TYP
0.6
0.2
TYP
SEATING PLANE
0 -8 TYP
4214838/D 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Reference JEDEC registration TO-236, except minimum foot length.
4. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
3X (1.3)
1
3X (0.6)
SYMM
3
2X (0.95)
2
(R0.05) TYP
(2.1)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
0.07 MIN
ALL AROUND
0.07 MAX
ALL AROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214838/D 03/2023
NOTES: (continued)
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBZ0003A
SOT-23 - 1.12 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
3X (1.3)
1
3X (0.6)
SYMM
3
2X(0.95)
2
(R0.05) TYP
(2.1)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 THICK STENCIL
SCALE:15X
4214838/D 03/2023
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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DRV5013BCQLPGQ1 CAD模型
引脚图
封装焊盘图
DRV5013BCQLPGQ1 替代型号
| 型号 | 制造商 | 描述 | 替代类型 | 文档 |
| DRV5013BCQLPGMQ1 | TI | 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | LPG | 3 | 完全替代 |
|
DRV5013BCQLPGQ1 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| DRV5013FAEDBZRQ1 | TI | 汽车类、高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 150 | 获取价格 |
|
| DRV5013FAQDBZR | TI | 高电压（高达 38V）、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 125 | 获取价格 |
|
| DRV5015 | TI | 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | 获取价格 |
|
| DRV5015-Q1 | TI | 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器 | 获取价格 |
|
| DRV5015A1EDBZRQ1 | TI | 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 150 | 获取价格 |
|
| DRV5015A1QDBZR | TI | 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 125 | 获取价格 |
|
| DRV5015A1QDBZT | TI | 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 125 | 获取价格 |
|
| DRV5015A2EDBZRQ1 | TI | 汽车类、高灵敏度 (±2mT)、低电压（高达 5.5V）霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 150 | 获取价格 |
|
| DRV5015A2QDBZR | TI | 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 125 | 获取价格 |
|
| DRV5015A2QDBZT | TI | 高灵敏度 (±2mT)、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | DBZ | 3 | -40 to 125 | 获取价格 |
|
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