DRV8428ERTER [TI]
具有集成电流感应功能的 35V、1A 双极步进或双路有刷电机驱动器 | RTE | 16 | -40 to 125;
| 型号： | DRV8428ERTER |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有集成电流感应功能的 35V、1A 双极步进或双路有刷电机驱动器 | RTE | 16 | -40 to 125 电机 驱动 驱动器 |
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DRV8428E
ZHCSMP0A – JUNE 2020 – REVISED NOVEMBER 2020
具有集成电流感应和智能调优技术的 DRV8428E/P 双路 H 桥电机驱动器
感应采用内部电流镜架构，无需大功率分流电阻器，可
1 特性
以节省电路板面积并降低系统成本。提供的低功耗睡眠
模式可通过关断大部分内部电路实现超低静态电流消
耗 。 提 供 的 内 部 保 护 功 能 包 括 ： 电 源 欠 压 锁 定
(UVLO)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (TSD)。
•
双路 H 桥电机驱动器
– 一个双极步进电机
– 两个双向有刷直流电机
– 四个单向有刷直流电机
集成式电流感应功能
表 3-1. 器件信息 (1)
封装
•
封装尺寸（标称值）
器件型号
– 无需使用感应电阻器
– ±6% 满量程电流精度
DRV8428EPWPR
DRV8428ERTER
DRV8428EDYYR
DRV8428PPWPR
DRV8428PRTER
DRV8428PDYYR
HTSSOP (16)
WQFN (16)
TSOT (16)
HTSSOP (16)
WQFN (16)
TSOT (16)
5mm x 4.4mm
3.0mm x 3.0mm
4.2mm x 3.26mm
5mm x 4.4mm
• 4.2V 至 33V 工作电源电压范围
•
多种控制接口选项
– 相位/使能 (PH/EN)
– PWM (IN/IN)
3.0mm x 3.0mm
4.2mm x 3.26mm
•
智能调优和混合衰减选项
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
• 24V、25°C 时为 1500mΩ HS + LS RDS(ON)
•
•
电流容量：1.7A 峰值，0.7A rms
可配置关断时间 PWM 斩波
– 7、16 或 32μs
•
•
•
•
•
•
支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
低电流睡眠模式 (2μA)
展频时钟，以降低 EMI
有刷直流应用中的浪涌电流限制
小型封装和外形尺寸
保护特性
– VM 欠压锁定 (UVLO)
– 过流保护 (OCP)
图 3-1. DRV8428E 简化原理图
– 热关断 (OTSD)
2 应用
•
•
•
•
•
•
•
•
•
有刷直流电机
打印机和扫描仪
点钞机和 EPOS
办公和家庭自动化
工厂自动化和机器人
小型家用电器
缝纫机
扫地机器人、类人机器人和玩具机器人
智能仪表
图 3-2. DRV8428P 简化原理图
3 说明
DRV8428E/P 器件是适用于各种工业应用的双路 H 桥
电机驱动器。这些器件可用于驱动两个直流电机或一个
双极步进电机。DRV8428E/P 能够驱动高达 1A 的满量
程电流或 0.7A rms 输出电流（取决于 PCB 设计）。
驱动器的输出级包括配置为两个全 H 桥的 N 沟道功率
MOSFET、电流感应和调节以及保护电路。集成电流
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
5.1 引脚功能......................................................................4
6 规格................................................................................... 6
6.1 绝对最大额定值...........................................................6
6.2 ESD 等级.................................................................... 6
6.3 建议运行条件.............................................................. 7
6.4 热性能信息..................................................................7
6.5 电气特性......................................................................8
7 详细说明.......................................................................... 11
7.1 概述...........................................................................11
7.2 功能方框图................................................................12
7.3 特性说明....................................................................14
7.4 器件功能模式............................................................ 23
8 应用和实施.......................................................................24
8.1 应用信息....................................................................24
8.2 典型应用....................................................................24
8.3 备选应用....................................................................27
9 电源相关建议...................................................................29
9.1 大容量电容................................................................29
10 布局............................................................................... 30
10.1 布局指南..................................................................30
11 器件和文档支持..............................................................31
11.1 器件支持（可选） .................................................. 31
11.2 文档支持（如果适用） ........................................... 31
11.3 相关链接..................................................................31
11.4 接收文档更新通知................................................... 31
11.5 社区资源..................................................................31
11.6 商标.........................................................................31
12 机械、封装和可订购信息...............................................32
4 修订历史记录
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5 引脚配置和功能
图 5-1. PWP PowerPAD™ 封装 16 引脚 HTSSOP DRV8428E 俯视图
图 5-2. DYY 封装 16 引脚 TSOT DRV8428E 俯视图
图 5-3. RTE 封装 16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘） DRV8428E 俯视图
图 5-4. PWP PowerPAD™ 封装 16 引脚 HTSSOP DRV8428P 俯视图
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图 5-5. DYY 封装 16 引脚 TSOT DRV8428P 俯视图
图 5-6. RTE 封装 16 引脚 WQFN（带有外露散热焊盘） DRV8428P 俯视图
5.1 引脚功能
引脚
RTE
PWP、DYY
DRV8428E DRV8428P
类型
说明
名称
DRV8428E
DRV8428P
DECAY/
TOFF
11
15
11
—
15
14
9
9
I
I
I
I
衰减模式和关断设置引脚；七电平引脚。
电桥 A 使能输入。逻辑高电平启用电桥 A；
逻辑低电平禁用电桥，高阻态。
AEN
AIN1
AIN2
13
—
—
—
13
12
电桥 A PWM 输入。逻辑控制 H 桥 A 的状
态；内部下拉。
—
—
电桥 B PWM 输入。逻辑控制 H 桥 B 的状
态；内部下拉。
AOUT1
AOUT2
3
4
3
4
1
2
1
2
O
O
绕组 A 输出。连接到电机绕组。
绕组 A 输出。连接到电机绕组。
电桥 A 相位输入。逻辑高电平驱动电流从
AOUT1 流向 AOUT2。
APH
14
10
13
—
12
8
I
I
I
I
—
—
基准电压输入。该引脚上的电压将设置 H 桥
A 中的满量程斩波电流。
VREFA
BEN
10
8
电桥 B 使能输入。逻辑高电平启用电桥 B；
逻辑低电平禁用电桥，高阻态。
11
—
—
—
电桥 B PWM 输入。逻辑控制 H 桥 B 的状
态；内部下拉。
BIN1
13
11
电桥 B PWM 输入。逻辑控制 H 桥 B 的状
态；内部下拉。
BIN2
12
6
10
4
I
—
—
BOUT1
6
4
O
绕组 B 输出。连接到电机绕组。
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引脚
RTE
PWP、DYY
类型
说明
名称
BOUT2
BPH
DRV8428E
DRV8428P
DRV8428E
DRV8428P
5
5
3
3
O
I
绕组 B 输出。连接到电机绕组。
电桥 B 相位输入。逻辑高电平驱动电流从
BOUT1 流向 BOUT2。
12
10
—
—
基准电压输入。该引脚上的电压将设置 H 桥
B 中的满量程斩波电流。
VREFB
GND
9
7
9
7
7
5
7
5
I
PWR
器件接地。连接到系统接地。
逻辑电源电压。通过电容为 0.47μF 至
1μF、额定电压为 6.3V 或 10V 的 X7R 陶瓷
电容器连接至 GND。
DVDD
8
8
6
6
PWR
电源。连接到电机电源电压，并通过一个
0.01μF 陶瓷电容器和一个额定电压为 VM 的
大容量电容器旁路到 PGND。
VM
1
2
1
2
15
16
14
-
15
16
14
-
PWR
PGND
nSLEEP
PAD
PWR
电源接地。连接到系统接地。
睡眠模式输入。逻辑高电平用于启用器件；逻
辑低电平用于进入低功耗睡眠模式；内部下拉
电阻。nSLEEP 低电平脉冲将清除故障。
16
-
16
-
I
-
散热焊盘。连接到系统接地。
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内，且电压以 GND 为基准（除非另有说明）(1)
最小值
–0.3
–0.3
-0.3
最大值
单位
35
V
电源电压 (VM)
VVM
5.75
V
V
nSLEEP 引脚电压 (nSLEEP)
内部稳压器电压 (DVDD)
控制引脚电压（APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2、DECAY/
TOFF）
-0.3
5.75
V
-0.3
–1
–3
5.75
V
V
基准输入引脚电压（VREFA、VREFB）
连续相节点引脚电压（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
瞬态 100ns 相节点引脚电压（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
峰值驱动电流（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
工作环境温度，TA
VVM + 1
VVM + 3
V
A
受内部限制
-40
-40
-65
125
150
150
°C
°C
°C
运行结温，TJ
贮存温度，Tstg
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及
在建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
6.2 ESD 等级
值
单位
±2000
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101
PWP 转角引脚（1、8、9
和 16）
V(ESD)
V
±750
±500
静电放电
其他引脚
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6.3 建议运行条件
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
4.2
最大值
33
单位
V
VVM
VI
可确保正常（直流）运行的电源电压范围
逻辑电平输入电压
0
5.5
3
V
VREF
0.05
V
基准 rms 电压范围（VREFA、VREFB）
ƒPWM
施加的 PWM 信号（APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、
BIN2）
0
100
kHz
IFS
Irms
TA
TJ
0
1
A)
A
电机满量程电流 (xOUTx)
电机均方根电流 (xOUTx)
工作环境温度
0
0.7
125
150
-40
-40
°C
°C
工作结温
6.4 热性能信息
PWP (HTSSOP)
16 引脚
DYY (TSOT)
16 引脚
90.6
RTE (WQFN)
16 引脚
47
热指标(1)
单位
RθJA
46.4
°C/W
°C/W
结至环境热阻
Rθ
39.8
42.8
46.1
结至外壳（顶部）热阻
JC(top)
RθJB
ψJT
19.9
1.3
28.1
1.4
19.9
1.1
°C/W
°C/W
°C/W
结至电路板热阻
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
19.9
28.0
19.8
ψJB
Rθ
6.3
8.5
°C/W
结至外壳（底部）热阻
不适用
JC(bot)
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》 应用报告。
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6.5 电气特性
典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压（VM、DVDD）
IVM
3.8
2
5.6
4
mA
μA
μs
ms
ms
V
VM 工作电源电流
VM 睡眠模式电源电流
休眠时间
nSLEEP = 1，无电机负载
nSLEEP = 0
IVMQ
tSLEEP
tWAKE
tON
120
nSLEEP = 0 至睡眠模式
nSLEEP = 1 至输出转换
VM > UVLO 至输出转换
无外部负载，6V < VVM < 33V
无外部负载，VVM = 4.2V
0.8
0.8
5
1.2
1.2
5.5
唤醒时间
开通时间
4.5
3.9
VDVDD
内部稳压器电压
4.05
V
逻辑电平输入（APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2、nSLEEP）
VIL
VIH
VHYS
IIL
0
0.6
5.5
V
输入逻辑低电平电压
输入逻辑高电平电压
输入逻辑迟滞
1.5
V
150
750
mV
μA
μA
ns
VIN = 0V
-1
1
输入逻辑低电平电流
输入逻辑高电平电流
传播延迟
IIH
VIN = 5V
100
tPD
通过 xPH、xEN、xINx 输入改变电流
七电平输入 (DECAY/TOFF)
VI1
VI2
VI3
VI4
VI5
VI6
VI7
IO
0
0.2
0.55
1
0.1
0.35
0.8
V
V
电压电平 1
电压电平 2
电压电平 3
电压电平 4
电压电平 5
电压电平 6
电压电平 7
输出上拉电流
连接至 GND
14.7kΩ ± 1% 至 GND
44.2kΩ ± 1% 至 GND
100kΩ ± 1% 至 GND
249kΩ ± 1% 至 GND
高阻态
V
1.25
1.75
2.4
V
1.5
2.1
3
V
V
5.5
V
连接至 DVDD
22.5
μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
TJ = 25°C、IO = -0.5A
750
1130
1250
750
875
1350
1450
875
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
RDS(ONH)
高侧 FET 导通电阻
TJ = 125°C、IO = -0.5A
TJ = 150°C、IO = -0.5A
TJ = 25°C、IO = 0.5A
TJ = 125°C、IO = 0.5A
TJ = 150°C、IO = 0.5A
RDS(ONL)
1130
1250
1350
1450
低侧 FET 导通电阻
VM = 24V，IO = 0.5A，在 10% 至 90%
之间
tSR
240
V/µs
输出压摆率
PWM 电流控制（VREFA、VREFB）
KV
VREF = 3V
2.805
3
7
3.195
V/A
跨阻增益
DECAY/TOFF = 14.7kΩ 至 GND
16
32
7
PWM 关断时间，混合 30% 衰减 DECAY/TOFF = 44.2kΩ 至 GND
DECAY/TOFF = 100kΩ 至 GND
tOFF
μs
DECAY/TOFF = 249kΩ 至 GND
PWM 关断时间，智能调优动态衰
减
16
32
DECAY/TOFF = 高阻态
DECAY/TOFF = DVDD
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典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数
测试条件
IO = 1A，10% 至 20% 电流设置
IO = 1A，20% 至 67% 电流设置
IO = 1A，68% 至 100% 电流设置
IO = 1A
最小值
典型值
最大值
单位
-15
15
-10
-6
10
6
%
ΔITRIP
电流跳变精度
IO,CH
-2.5
2.5
%
AOUT 和 BOUT 电流匹配
保护电路
3.8
3.9
3.95
4.05
100
4.05
4.15
VM 下降，UVLO 下降
VM 上升，UVLO 上升
上升至下降阈值
VUVLO
V
VM UVLO 锁定
VUVLO,HYS
IOCP
mV
A
欠压迟滞
1.7
流经任何 FET 的电流
过流保护
tOCP
1.8
4
μs
ms
°C
过流抗尖峰时间
过流重试时间
热关断
tRETRY
TOTSD
150
165
20
180
内核温度 TJ
内核温度 TJ
THYS_OTSD
°C
热关断迟滞
6.5.1 典型特性
图 6-1. 睡眠电流与电源电压间的关系
图 6-2. 睡眠电流与温度间的关系
图 6-3. 工作电流与电源电压间的关系
图 6-4. 工作电流与温度间的关系
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图 6-5. 低侧 RDS(ON) 与电源电压间的关系
图 6-6. 低侧 RDS(ON) 与温度间的关系
图 6-7. 高侧 RDS(ON) 与电源电压间的关系
图 6-8. 高侧 RDS(ON) 与温度间的关系
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7 详细说明
7.1 概述
DRV8428E/P 是用于双极步进电机或双路有刷直流电机的集成电机驱动器解决方案。这些器件集成了两个 N 沟道
功率 MOSFET H 桥、集成电流感应和调节电路。DRV8428E/P 可以通过 4.2V 至 33V 的电源电压供电。
DRV8428E/P 能够提供高达 1.7A 峰值、1A 满量程或 0.7A 均方根 (rms) 的输出电流。实际的满量程和均方根电流
取决于环境温度、电源电压和 PCB 热性能。
DRV8428E/P 器件采用集成式电流感应架构，无需再使用两个外部功率感应电阻器，从而极大地节省布板空间和
BOM 成本，减少设计工作量并显著降低功耗。该架构使用电流镜方法和内部功率 MOSFET 进行电流感应，消除
了感应电阻器中的功率损耗。通过 VREFA 和 VREFB 引脚处的电压来调节电流调节设定点。
只需通过一个简单的 PH/EN (DRV8428E) 或 PWM (DRV8428P) 接口，便可轻松连接到控制器电路。
电流调节是高度可配置的，并可以在多种衰减模式下运行。可选择的衰减模式包括智能调优动态衰减、智能调优
纹波控制或混合衰减。智能调优衰减模式可自动调节衰减设置，从而更大程度减小电流纹波，同时仍可快速响应
阶跃变化。该功能可显著简化电机驱动系统中的步进电机驱动器集成。可以将 PWM 关断时间 tOFF 调节为 7、16
或 32μs。
系统包括一个低功耗睡眠模式，以便在不驱动电机时省电。
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7.2 功能方框图
图 7-1. DRV8428E 方框图
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图 7-2. DRV8428P 方框图
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7.3 特性说明
表 7-1 显示了驱动器外部元件的建议值。
图 7-3. 连接到 VREF 引脚的电阻分压器
表 7-1. 外部元件
组件
CVM1
引脚 1
VM
引脚 2
PGND
PGND
GND
推荐
额定电压为 VM 的 X7R 0.01µF 陶瓷电容器
额定电压为 VM 的大容量电容器
CVM2
VM
CDVDD
DVDD
VREFx
VREFx
额定电压为 6.3V 或 10V 的 X7R 0.47µF 至 1µF 陶瓷电容器
RREF1
VCC
用于限制斩波电流的电阻器。建议 RREF1 和 RREF2 的并联电阻值应低于
50kΩ。
GND
RREF2（可选）
VCC 不是 DRV8428E/P 器件上的引脚。VCC 可以是外部电源电压或 DVDD。
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7.3.1 PWM 电机驱动器
DRV8428E
和
DRV8428P 包 含 适 用 于 两 个 全
H
桥 的 驱 动 器 。 {1}{3} 显 示 了 该 电 路 的 方 框 图 。
GUID-84B705A8-205C-4042-9F08-0CB9A65AA666#GUID-84B705A8-205C-4042-9F08-0CB9A65AA666/
SLVSD193232
图 7-4. PWM 电机驱动器方框图
7.3.2 电桥控制
使用一个 PH/EN 接口来控制 DRV8428E。表 7-2 提供了全 H 桥状态。请注意，该表未考虑 DRV8428E 的内置电
流控制。正电流是指从 xOUT1 流向 xOUT2 的电流。
表 7-2. DRV8428E (PH/EN) 控制接口
nSLEEP
xEN
xPH
xOUT1
xOUT2
说明
0
1
1
1
X
0
1
1
X
X
0
1
睡眠模式；H 桥禁用，高阻态
H 桥禁用，高阻态
高阻态
高阻态
高阻态
高阻态
L
H
L
反向（xOUT2 到 xOUT1 的电流）
正向（xOUT1 到 xOUT2 的电流）
H
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使用一个 PWM 接口来控制 DRV8428P。表 7-3 提供了全 H 桥状态。请注意，该表未考虑 DRV8428P 的内置电
流控制。正电流是指从 xOUT1 流向 xOUT2 的电流。
表 7-3. DRV8428P (PWM) 控制接口
nSLEEP
xIN1
xIN2
xOUT1
xOUT2
说明
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
X
0
1
0
1
睡眠模式；H 桥禁用，高阻态
制动；低侧慢速衰减
高阻态
高阻态
L
L
L
H
L
反向（xOUT2 到 xOUT1 的电流）
正向（xOUT1 到 xOUT2 的电流）
制动；高侧慢速衰减
H
H
H
7.3.3 电流调节、关断时间和衰减模式
在 PWM 电流斩波期间，将启用 H 桥以驱动电流流过电机绕组，直至达到 PWM 电流斩波阈值。图 7-5 的项目 1
中显示了这种情况。
流经电机绕组的电流由一个可调节关断时间的 PWM 电流调节电路进行调节。当 H 桥被启用时，通过绕组的电流
以一定的速率上升，该速率取决于直流电压、绕组电感和存在的反电动势大小。当电流达到电流调节阈值时，电
桥将进入衰减模式以减小电流，该模式的持续时间取决于七电平 DECAY/TOFF 引脚设置。关断时间结束后，将重
新启用电桥，开始另一个 PWM 循环。
达到斩波电流阈值后，H 桥可在两种不同的状态下运行：快速衰减或慢速衰减。在快速衰减模式下，一旦达到
PWM 斩波电流电平，H 桥便会进行状态逆转，使绕组电流反向流动。此时对侧的 FET 开启；由于绕组电流接近
零，因此会禁用该电桥，以防止出现反向流动的电流。图 7-5 的项目 2 中显示了快速衰减模式。在慢速衰减模式
下，通过启用该电桥的两个低侧 FET 来实现绕组电流的再循环。图 7-5 的项目 3 中显示了这种情况。
PWM 斩波电流由比较器设置，该比较器监测与低侧功率 MOSFET 并联的电流感应 MOSFET 两端的电压。为了
生成电流斩波比较器的基准电压，VREFx 输入的衰减系数应为 Kv。
您可以使用以下公式计算斩波电流 (IFS)：IFS (A) = VREFx (V)/KV (V/A) = VREFx (V)/3 (V/A)。
图 7-5. 衰减模式
通过设置七电平 DECAY/TOFF 引脚来选择每个电桥的衰减模式和关断时间，如表 7-4 所示。
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表 7-4. 衰减模式设置
DECAY/TOFF
0
衰减模式
关断时间
-
智能调优纹波控制
混合 30% 衰减
7µs
14.7kΩ 至 GND
44.2kΩ 至 GND
100kΩ 至 GND
249kΩ 至 GND
16µs
32µs
7µs
智能调优动态衰减
16µs
32µs
高阻态
DVDD
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7.3.3.1 混合衰减
ITRIP
tOFF
tBLANK
tOFF
tBLANK
tDRIVE
tDRIVE
tDRIVE
ITRIP
tBLANK
tDRIVE
tFAST
tBLANK
tDRIVE
tFAST
tOFF
tOFF
图 7-6. 混合衰减模式
混合衰减模式下，开始的一段时间（tOFF 的 30%）内为快速衰减，然后在 tOFF 的剩余时间内慢速衰减。
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7.3.3.2 智能调优动态衰减
与传统的固定关断时间电流调节方案相比，智能调优电流调节方案是一种先进的电流调节控制方法。智能调优电
流调节方案有助于步进电机驱动器根据下列运行因素调整衰减方案：
•
•
•
•
•
电机绕组电阻和电感
电机老化效应
电机动态转速和负载
电机电源电压变化
低电流与高电流 dI/dt
ITRIP
tBLANK
tDRIVE
tBLANK
tBLANK
tDRIVE
tOFF
tOFF
tDRIVE
ITRIP
tBLANK
tDRIVE
tOFF
tBLANK
tDRIVE
tOFF
tBLANK
tDRIVE
tFAST
tFAST
图 7-7. 智能调优动态衰减模式
智能调优动态衰减通过在慢速、混合和快速衰减之间自动配置衰减模式，显著简化了衰减模式选择。在混合衰减
中，智能调优将动态调整总混合衰减时间中快速衰减的百分比。此功能通过自动确定最佳衰减设置来消除电机调
谐，从而产生最低的电机纹波。
衰减模式设置经由每个 PWM 周期进行迭代优化。如果电机电流超过目标跳变电平，则衰减模式在下一个周期变
得更加激进（增加快速衰减百分比）以防止调节损失。如果必须长时间驱动才能达到目标跳变电平，则衰减模式
在下一个周期变得不那么激进（去除快速衰减百分比），从而以更少的纹波实现更高效地运行。在步进下降时，
智能调优动态衰减会自动切换到快速衰减，以便快速进入下一步进。
对于需要实现最小电流纹波但希望在电流调节方案中保持固定频率的应用，智能调优动态衰减是理想选择。
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7.3.3.3 智能调优纹波控制
ITRIP
IVALLEY
tBLANK
tDRIVE
tBLANK
tBLANK
tDRIVE
tBLANK
tDRIVE
tOFF
tOFF
tOFF
tDRIVE
ITRIP
IVALLEY
tBLANK
tDRIVE
tOFF
tBLANK
tDRIVE
tOFF
tBLANK
tDRIVE
tOFF
图 7-8. 智能调优纹波控制衰减模式
智能调优纹波控制通过在 ITRIP 电平旁设置一个 IVALLEY 电平来进行操作。当电流电平达到 ITRIP 时，驱动器将进入
慢速衰减，直到达到 IVALLEY，而不是直到 tOFF 时间结束。慢速衰减的工作原理类似于模式 1，其中两个低侧
MOSFET 都导通，允许电流再循环。在此模式下，tOFF 根据电流电平和运行条件而变化。
该方法可以更严格地调节电流电平，从而提高电机效率和系统性能。智能调优纹波控制适用于能够承受可变关断
时间调节方案的系统，以在电流调节中实现小电流纹波。
在此衰减模式下，纹波电流等于 7.5mA + 特定微步进级别的 ITRIP 的 1%。
7.3.3.4 消隐时间
在 H 桥接通电流（驱动阶段开始）后，电流感应比较器将在启用电流感应电路前被忽略一段时间 (tBLANK)。消隐
时间还将设置 PWM 的最小驱动时间。消隐时间大约为 1µs。
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7.3.4 线性稳压器
该器件中集成了一个线性稳压器。DVDD 稳压器可用于提供基准电压。DVDD 最大可提供 2mA 的负载。为确保正
常运行，请使用陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至 GND。
DVDD 输出的标称值为 5V。当 DVDD LDO 电流负载超过 2mA 时，输出电压会显著下降。
图 7-9. 线性稳压器方框图
如果 DECAY/TOFF 引脚须一直连接高电平，则宜将其连接到 DVDD 引脚而不是外部稳压器。此方法可在未应用
VM 引脚或处于睡眠模式时省电：DVDD 稳压器被禁用，电流不会流经输入下拉电阻器。作为参考，逻辑电平输
入的典型下拉电阻为 200kΩ。
请勿将 nSLEEP 引脚连接至 DVDD，否则器件将无法退出睡眠模式。
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7.3.5 逻辑和七电平引脚图
图 7-10 提供了逻辑电平引脚 APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2 和 nSLEEP 的输入结构：
图 7-10. 逻辑电平输入引脚图
七电平逻辑引脚 DECAY/TOFF 具有图 7-11 所示的以下结构。
图 7-11. 七电平输入引脚图
7.3.6 保护电路
这些器件可完全防止电源欠压、输出过流和器件过热事件。
7.3.6.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
无论 VM 引脚电压何时降至电源电压的 UVLO 阈值电压以下，都会禁用所有输出。VM 欠压情况消失后，将恢复
正常运行。
7.3.6.2 过流保护 (OCP)
每个 FET 上的模拟电流限制电路都将通过移除栅极驱动来限制流经 FET 的电流。如果此电流限制的持续时间超
过 tOCP，则会禁用两个 H 桥中的 FET。在经过 tRETRY 时间且故障条件消失后，器件将自动恢复正常运行。
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7.3.6.3 热关断 (OTSD)
如果内核温度超过热关断限值 (TOTSD)，则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET。结温降至过热阈值限值减去迟滞
(TOTSD – THYS_OTSD) 所得的值以下后，器件将恢复正常运行。
7.3.6.4 故障条件汇总
表 7-5. 故障条件汇总
故障
条件
H 桥
逻辑器件
复位
恢复
VM < VUVLO
VM 欠压 (UVLO)
自动：VM > VUVLO
自动重试：tRETRY
禁用
(VDVDD < 3.6 V)
IOUT > IOCP
TJ > TTSD
过流 (OCP)
禁用
禁用
工作
热关断 (OTSD)
自动：TJ < TOTSD - THYS_OTSD
工作
7.4 器件功能模式
7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
该器件的状态通过 nSLEEP 引脚进行管理。当 nSLEEP 引脚为低电平时，该器件将进入低功耗睡眠模式。在睡眠
模式下，将禁用所有内部 MOSFET。必须在 nSLEEP 引脚触发下降沿之后再过去 tSLEEP 时间后，器件才能进入
睡眠模式。如果 nSLEEP 引脚变为高电平，该器件会自动退出睡眠模式。必须在经过 tWAKE 时间之后，器件才能
针对输入做好准备。
7.4.2 工作模式 (nSLEEP = 1)
当 nSLEEP 引脚为高电平且 VM > UVLO 时，器件将进入运行模式。必须在经过 tWAKE 时间之后，器件才能针对
输入做好准备。
7.4.3 功能模式汇总
表 7-6 汇总了所有功能模式。
表 7-6. 功能模式汇总
条件
配置
nSLEEP 引脚 = 0
nSLEEP 引脚 = 1
H 桥
DVDD 稳压器
禁用
逻辑
4.2V < VM < 33V
4.2V < VM < 33V
睡眠模式
工作
禁用
工作
禁用
工作
工作
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8 应用和实施
NOTE
以下应用部分的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。客户应负责确定 TI 组件是否适
用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
8.1 应用信息
DRV8428E/P 用于有刷电机或步进电机控制。
8.2 典型应用
在该应用中，此器件被配置为使用 H 桥配置，通过两个外部负载（例如两个有刷直流电机）来驱动双向电流。H
桥极性和占空比通过外部控制器和 xEN/xIN1、xPH/xIN2 引脚进行控制。
图 8-1. 典型应用原理图
8.2.1 设计要求
表 8-1 列出了系统设计的设计输入参数。
表 8-1. 设计参数
设计参数
电源电压
基准
示例值
VM
24V
RL
LL
6Ω
电机绕组电阻
电机绕组电感
开关频率
4.1mH
40kHz
500mA
fPWM
I{10}REG{11}
每个电机的稳定电流
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8.2.2 详细设计过程
8.2.2.1 电流调节
稳定电流 (IREG) 由 VREFx 模拟电压进行设置。在启动有刷直流电机时，由于没有反电动势，因此可能会产生很大
的浪涌电流。电流调节可以限制该浪涌电流，并防止在启动时产生高电流。您可以使用以下公式计算稳定电流
(IREG)：IREG (A) = VREFx (V)/KV (V/A) = VREFx (V)/3 (V/A)。
8.2.2.2 功率损耗和热量计算
此器件的输出电流和功率耗散能力在很大程度上取决于 PCB 设计和外部系统状况。本节提供了一些用于计算这些
值的指导。
此器件的总功率损耗 (P{1}TOT{2}) 由三个主要部分组成。这三个组成部分是功率 MOSFET RDS(ON)（导通）损
耗、功率 MOSFET 开关损耗和静态电源电流损耗。尽管其他的一些因素可能会造成额外的功率损耗，但与这三个
主要因素相比，其他因素通常并不重要。
PTOT = PCOND + PSW + PQ
可以根据器件 RDS(ON) 和稳定输出电流 (IREG) 计算每个有刷直流电机的 PCOND。假设两个有刷直流电机的 IREG 相
同，
PCOND = 2 x (IREG)2 x (RDS(ONH) + RDS(ONL)
)
需要注意的是，RDS(ON) 与器件的温度密切相关。可以在“典型特性”曲线中找到一条显示了标称 RDS(ON) 和温度
的曲线。
PCOND = 2 x (0.5A)2 x (0.75Ω + 0.75Ω) = 0.75W
可以根据标称电源电压 (VM)、稳定输出电流 (IREG)、开关频率 (fPWM) 以及器件输出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 时
间规格来计算 PSW
。
PSW = 2 x (PSW_RISE + PSW_FALL
)
PSW_RISE = 0.5 x VM x IREG x tRISE x fPWM
PSW_FALL = 0.5 x VM x IREG x tFALL x fPWM
PSW_RISE = 0.5 x 24V x 0.5A x 100ns x 40kHz = 0.024W
PSW_FALL = 0.5 x 24V x 1.5A x 100ns x 40kHz = 0.024W
PSW = 2 x (0.024W + 0.024W) = 0.096W
可以根据标称电源电压 (VM) 和 IVM 电流规格来计算 PQ。
PQ = VM x IVM = 24V x 3.8mA = 0.0912W
总功率损耗 (PTOT) 是导通损耗、开关损耗和静态功率损耗之和。
PTOT = PCOND + PSW + PQ = 0.75W + 0.096W + 0.0912W = 0.9372W
如果已知环境温度 TA 和总功率损耗 (PTOT)，则结温 (TJ) 的计算公式为：
TJ = TA + (PTOT x RθJA
)
在一个符合 JEDEC 标准的 4 层 PCB 中，采用 HTSSOP 封装时的结至环境热阻 (RθJA) 为 46.4°C/W，采用
WQFN 封装时为 47°C/W，采用 TSOT 封装时为 90.6°C/W。
假设环境温度为 25°C，则 HTSSOP 封装的结温为：
TJ = 25°C + (0.9372-W x 46.4°C/W) = 68.49°C
(1)
WQFN 封装的结温为：
TJ = 25°C + (0.9372W x 47°C/W) = 69.05°C
(2)
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TSOT 封装的结温为：
TJ = 25°C + (0.9372W x 90.6°C/W) = 109.91°C
(3)
因此，HTSSOP 和 WQFN 封装的结温几乎相同，而 TSOT 封装的结温更高，原因是没有外露焊盘。因此，与
HTSSOP 和 WQFN 封装相比，TSOT 封装能够支持相对较低的电流。应确保器件结温处于指定的工作范围内。
8.2.2.2.1 应用曲线
CH1 = IN1 (3V/div)、CH7 = IREG (0.5A/div)、CH3 = AOUT1 (24V/div)、CH2 = AOUT2 (24V/div)
图 8-2. 在进行电流调节的情况下，驱动器全开运行
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8.3 备选应用
以下设计过程可用于配置 DRV8428E/P，以驱动步进电机。
图 8-3. 典型应用原理图
8.3.1 设计要求
{1}表 8-2{5} 提供了系统设计的设计输入参数。
表 8-2. 设计参数
设计参数
电源电压
基准
示例值
VM
RL
LL
24V
6Ω/相
4.1mH/相
1.8°/步进
1/2 步进
90rpm
电机绕组电阻
电机绕组电感
电机全步进角
目标微步进级别
目标电机转速
目标满量程电流
θstep
nm
v
IFS
500mA
8.3.2 详细设计过程
8.3.2.1 电流调节
在步进电机中，满量程电流 (IFS) 是通过任一绕组的最大电流。该电流值取决于 VREFx 电压。VREFx 引脚上允许
的最大电压为 3V。DVDD 可用于通过电阻分压器提供 VREFx。
IFS (A) = VREF (V)/3 (V/A)
NOTE
IFS 电流也必须遵循 方程式 4，以避免电机饱和。VM 是电机电源电压，RL 是电机绕组电阻。
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VM (V)
IFS (A) <
RL (W) + 2 ì RDS(ON) (W)
(4)
8.3.2.1.1 步进电机转速
接下来，需要考虑驱动波形。要实现正确的转速，应确定输入波形的频率。如果目标电机转速过高，则电机不会
旋转。请确保电机可以支持目标转速。对于所需的电机转速 (v)、微步进级别 (nm) 和电机全步进角 (θstep)，
v (rpm) ì 360 (è / rot)
step (è / step) ìnm (steps / microstep) ì 60 (s / min)
ƒstep (steps / s) =
q
θstep 的值载于步进电机数据表中或印于电
机上。频率 ƒstep 提供了器件上输入变化的频率。根据设计参数中所述的设计参数，可以计算出 ƒstep 为 600Hz。
8.3.2.1.1.1 衰减模式
该器件支持混合衰减和智能调优。使用可调节的固定关断时间方案来调节流经电机绕组的电流。这意味着在任何
驱动阶段之后，当电机绕组电流达到电流斩波阈值 (ITRIP) 时，器件会在 TOFF 时间内一直将绕组置于某种衰减模
式。TOFF 之后，新的驱动阶段开始。
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9 电源相关建议
该器件可在 4.2V 至 33V 的输入电压电源 (VM) 范围内正常工作。必须在 VM 引脚处放置一个额定电压为 VM 的
0.01µF 陶瓷电容器，该电容器要尽可能靠近该器件。此外，VM 上必须放置一个大容量电容器。
9.1 大容量电容
配备合适的局部大容量电容是电机驱动系统设计中的重要因素。使用更多的大容量电容通常是有益的，但缺点在
于这会增加成本和物理尺寸。
所需的局部电容数量取决于多种因素，包括：
•
•
•
•
•
•
电机系统所需的最高电流
电源的电容和拉电流的能力
电源和电机系统之间的寄生电感量
可接受的电压纹波
使用的电机类型（有刷直流、无刷直流、步进电机）
电机制动方法
电源和电机驱动系统之间的电感将限制电流可以从电源变化的速率。如果局部大容量电容太小，系统将以电压变
化的方式对电机中的电流不足或过剩电流作出响应。当使用足够多的大容量电容时，电机电压保持稳定，可以快
速提供大电流。
数据表通常会给出建议值，但需要进行系统级测试来确定大小适中的大容量电容。
大容量电容的额定电压应高于工作电压，以在电机将能量传递给电源时提供裕度。
Parasitic Wire
Inductance
Motor Drive System
Power Supply
VM
+
Motor
Driver
+
œ
GND
Local
Bulk Capacitor
IC Bypass
Capacitor
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图 9-1. 带外部电源的电机驱动系统示例设置
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10 布局
10.1 布局指南
应使用一个推荐电容为 0.01µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 PGND。该电容器
应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的引线或通过接地平面与器件 PGND 引脚连接。
必须使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路至接地。该组件可以是电解电容。
使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容为 0.47µF、额定电压为 6.3V 的电容器。
将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。
散热焊盘必须连接到系统接地。
10.1.1 布局示例
图 10-1. HTSSOP 布局示例
图 10-2. QFN 布局示例
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11 器件和文档支持
11.1 器件支持（可选）
11.1.1 开发支持（可选）
11.1.2 器件命名规则（可选）
11.2 文档支持（如果适用）
11.2.1 相关文档
请参阅如下相关文档：
•
11.3 相关链接
下表列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件，以及立即订购快速访问。
表 11-1. 相关链接
器件
产品文件夹
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立即订购
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技术文档
点击此处
点击此处
工具和软件
点击此处
点击此处
支持和社区
点击此处
点击此处
DRV8428E
DRV8428P
11.4 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的通知我进行注册，即可每周接收产
品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
11.5 社区资源
11.6 商标
所有商标均为其各自所有者的财产。
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12 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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ZHCSMP0A – JUNE 2020 – REVISED NOVEMBER 2020
PACKAGE OUTLINE
RTE0016J
WQFN - 0.8 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
6
0
0
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
3.15
2.85
B
A
PIN 1 INDEX AREA
3.15
2.85
0.8
0.7
C
SEATING PLANE
0.08
0.05
0.00
1.66 0.1
(0.1) TYP
5
8
EXPOSED
THERMAL PAD
12X 0.5
4
9
4X
SYMM
17
1.5
1
12
0.30
16X
0.18
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
16
13
0.1
C A B
SYMM
0.05
0.5
0.3
16X
4224278/A 05/2018
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
RTE0016J
WQFN - 0.8 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
(
1.66)
SYMM
16
13
16X (0.6)
1
12
16X (0.24)
SYMM
(2.8)
17
(0.58)
TYP
12X (0.5)
4
9
(
0.2) TYP
VIA
5
8
(R0.05)
ALL PAD CORNERS
(0.58) TYP
(2.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:20X
0.07 MIN
ALL AROUND
0.07 MAX
ALL AROUND
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
NON SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4224278/A 05/2018
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
RTE0016J
WQFN - 0.8 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
(
1.51)
16
13
16X (0.6)
1
12
16X (0.24)
17
SYMM
(2.8)
12X (0.5)
9
4
METAL
ALL AROUND
5
8
SYMM
(2.8)
(R0.05) TYP
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD 17:
84% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA UNDER PACKAGE
SCALE:25X
4224278/A 05/2018
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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PACKAGE OUTLINE
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
PWP0016C
S
C
A
L
E
2
.
5
0
0
SMALL OUTLINE PACKAGE
6.6
6.2
C
TYP
A
PIN 1 INDEX
AREA
0.1 C
SEATING
PLANE
14X 0.65
16
1
2X
5.1
4.9
4.55
NOTE 3
8
9
0.30
16X
4.5
4.3
B
0.19
0.1
C A B
SEE DETAIL A
(0.15) TYP
2X 0.95 MAX
NOTE 5
4X (0.3)
8
9
2X 0.23 MAX
NOTE 5
2.31
1.75
17
0.25
1.2 MAX
GAGE PLANE
0.15
0.05
0.75
0.50
0 -8
16
1
A
20
DETAIL A
TYPICAL
THERMAL
PAD
2.46
1.75
4224559/B 01/2019
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. Reference JEDEC registration MO-153.
5. Features may differ or may not be present.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
PWP0016C
SMALL OUTLINE PACKAGE
(3.4)
NOTE 9
(2.46)
16X (1.5)
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
SYMM
1
16X (0.45)
16
(1.2) TYP
(R0.05) TYP
SYMM
(2.31)
17
(5)
NOTE 9
(0.6)
14X (0.65)
(
0.2) TYP
VIA
9
8
SOLDER MASK
DEFINED PAD
(1) TYP
SEE DETAILS
(5.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 10X
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
NON-SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
15.000
SOLDER MASK DETAILS
4224559/B 01/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
8. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
numbers SLMA002 (www.ti.com/lit/slma002) and SLMA004 (www.ti.com/lit/slma004).
9. Size of metal pad may vary due to creepage requirement.
10. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. It is recommended that vias under paste be filled, plugged
or tented.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
PWP0016C
SMALL OUTLINE PACKAGE
(2.46)
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
16X (1.5)
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
1
16
16X (0.45)
(R0.05) TYP
SYMM
(2.31)
17
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
14X (0.65)
9
8
SYMM
(5.8)
SEE TABLE FOR
DIFFERENT OPENINGS
FOR OTHER STENCIL
THICKNESSES
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE: 10X
STENCIL
THICKNESS
SOLDER STENCIL
OPENING
0.1
2.75 X 2.58
2.46 X 2.31 (SHOWN)
2.25 X 2.11
0.125
0.15
0.175
2.08 X 1.95
4224559/B 01/2019
NOTES: (continued)
11. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
12. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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27-Aug-2021
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
DRV8428EPWPR
DRV8428ERTER
DRV8428PPWPR
DRV8428PRTER
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
HTSSOP
WQFN
PWP
RTE
PWP
RTE
16
16
16
16
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-3-260C-168 HR
Level-1-260C-UNLIM
Level-3-260C-168 HR
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
8428E
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
8428E
8428P
8428P
HTSSOP
WQFN
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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27-Aug-2021
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE OUTLINE
PWP0016C
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
S
C
A
L
E
2
.
5
0
0
SMALL OUTLINE PACKAGE
6.6
6.2
C
TYP
A
PIN 1 INDEX
AREA
0.1 C
SEATING
PLANE
14X 0.65
16
1
2X
5.1
4.9
4.55
NOTE 3
8
9
0.30
16X
4.5
4.3
B
0.19
0.1
C A B
SEE DETAIL A
(0.15) TYP
2X 0.95 MAX
NOTE 5
4X (0.3)
8
9
2X 0.23 MAX
NOTE 5
2.31
1.75
17
0.25
GAGE PLANE
1.2 MAX
0.15
0.05
0.75
0.50
0 -8
16
1
A
20
DETAIL A
TYPICAL
THERMAL
PAD
2.46
1.75
4224559/B 01/2019
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. Reference JEDEC registration MO-153.
5. Features may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
PWP0016C
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
(3.4)
NOTE 9
(2.46)
16X (1.5)
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
SYMM
1
16X (0.45)
16
(1.2) TYP
(2.31)
(R0.05) TYP
SYMM
17
(5)
NOTE 9
(0.6)
14X (0.65)
(
0.2) TYP
VIA
9
8
SOLDER MASK
DEFINED PAD
(1) TYP
SEE DETAILS
(5.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 10X
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
NON-SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
15.000
SOLDER MASK DETAILS
4224559/B 01/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
8. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
numbers SLMA002 (www.ti.com/lit/slma002) and SLMA004 (www.ti.com/lit/slma004).
9. Size of metal pad may vary due to creepage requirement.
10. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. It is recommended that vias under paste be filled, plugged
or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
PWP0016C
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
(2.46)
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
16X (1.5)
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
1
16
16X (0.45)
(R0.05) TYP
SYMM
(2.31)
17
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
14X (0.65)
9
8
SYMM
(5.8)
SEE TABLE FOR
DIFFERENT OPENINGS
FOR OTHER STENCIL
THICKNESSES
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE: 10X
STENCIL
THICKNESS
SOLDER STENCIL
OPENING
0.1
2.75 X 2.58
2.46 X 2.31 (SHOWN)
2.25 X 2.11
0.125
0.15
0.175
2.08 X 1.95
4224559/B 01/2019
NOTES: (continued)
11. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
12. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
GENERIC PACKAGE VIEW
RTE 16
3 x 3, 0.5 mm pitch
WQFN - 0.8 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4225944/A
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
RTE0016C
WQFN - 0.8 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
6
0
0
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
3.1
2.9
B
A
PIN 1 INDEX AREA
3.1
2.9
SIDE WALL
METAL THICKNESS
DIM A
OPTION 1
0.1
OPTION 2
0.2
C
0.8 MAX
SEATING PLANE
0.08
0.05
0.00
1.68 0.07
(DIM A) TYP
5
8
EXPOSED
THERMAL PAD
12X 0.5
4
9
4X
SYMM
17
1.5
1
12
0.30
16X
0.18
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
13
16
0.1
C A B
SYMM
0.05
0.5
0.3
16X
4219117/B 04/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
RTE0016C
WQFN - 0.8 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
(
1.68)
SYMM
13
16
16X (0.6)
1
12
16X (0.24)
SYMM
(2.8)
17
(0.58)
TYP
12X (0.5)
9
4
(
0.2) TYP
VIA
5
8
(R0.05)
ALL PAD CORNERS
(0.58) TYP
(2.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:20X
0.07 MIN
ALL AROUND
0.07 MAX
ALL AROUND
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
NON SOLDER MASK
SOLDER MASK
DEFINED
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4219117/B 04/2022
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
RTE0016C
WQFN - 0.8 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
(
1.55)
16
13
16X (0.6)
1
12
16X (0.24)
17
SYMM
(2.8)
12X (0.5)
9
4
METAL
ALL AROUND
5
8
SYMM
(2.8)
(R0.05) TYP
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD 17:
85% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA UNDER PACKAGE
SCALE:25X
4219117/B 04/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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相关型号：
DRV8434
48V, 2.5A bipolar stepper motor driver with integrated current sensing and 1/256 microstepping
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