DRV8849 [TI]

35-V, 1.5-A quad H-bridge motor driver with smart tune and integrated current sensing;


型号：	DRV8849
厂家：	TEXAS INSTRUMENTS
描述：	35-V, 1.5-A quad H-bridge motor driver with smart tune and integrated current sensing
文件：	总33页 (文件大小：1752K)
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DRV8849

ZHCSO98 –MAY 2023

DRV8849：具有集成电流检测功能、1/256 微步进、STEP/DIR 接口和智能调优

技术的38V、1.5A 双步进电机驱动器

1 特性

3 说明

• 双步进电机驱动器

DRV8849 是一款适用于工业和消费类应用的双步进电

机驱动器。该器件与四个N 沟道功率MOSFET H 桥驱

动器、每个步进器一个微步进分度器以及集成电流检测

功能完全集成。DRV8849 最高可驱动 1.5A 满量程输

出电流（取决于PCB 设计）。

– STEP/DIR 接口

– 最高1/256 的微步进分度器

• 工作电源电压范围为4.5V 至38V

• 24V、25°C 时为900mΩHS + LS R_DS(ON)

• 每个H 桥具有1.5A 满量程电流、1.1A 均方根电流

• 集成式电流检测功能

DRV8849 采用内部电流检测架构，无需再使用四个外

部功率检测电阻，可缩小 PCB 面积并降低系统成本。

该器件使用内部PWM 电流调节方案，该方案采用智能

调优衰减模式。智能调优可通过自动调节实现所需的电

流调节性能，并对电机变化和老化效应进行补偿和减少

电机的可闻噪声及振动。

– 无需使用检测电阻

– ±5% 满量程电流精度

• 智能调优衰减技术

• 智能调优中的可配置关断时间PWM 斩波

– 8μs、16μs 或32μs。

• 支持1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入

• 低电流睡眠模式(1.3μA)

• 针对每个步进器的保护特性

– VM 欠压锁定(UVLO)

– 电荷泵欠压(CPUV)

借助简单的 STEP/DIR 接口，可通过外部控制器管理

步进电机的方向和步进速率。这款器件可配置为多种步

进模式，从全步进模式到 1/256 微步进模式皆可。该

器件通过专用的 nSLEEP 引脚提供低功耗睡眠模式。

提供的保护特性包括：电源欠压、电荷泵故障、过流、

短路以及过热保护。每个步进器的故障条件由一个

nFAULT 引脚指示。

– 过流保护(OCP)

– 热关断(OTSD)

器件信息

封装^{( )}

– 故障状态输出(nFAULT)

封装尺寸（标称值）

器件型号

2 应用

四方扁平无引线

DRV8849RHHR

6mm x 6mm

• IP 网络摄像机

• 打印机和扫描仪

• ATM 和验钞机

• 缝纫机

(QFN) (36)

(1) 请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

4.5 to 38 V

• 医疗成像、诊断和设备

• 3D 打印机

DRV8849

nSLEEP

STEPx

Quad H-Bridge

Motor Driver

1.5 A

–

1.5 A

DIRx

MODEx

Smart tune

Integrated Current

Sense

DECAYx

ENABLEx

nFAULTx

–

1/256 µStep

Protection

1.5 A

简化原理图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

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内容

1 特性................................................................................... 1

2 应用................................................................................... 1

3 说明................................................................................... 1

4 修订历史记录.....................................................................2

5 器件比较............................................................................ 3

6 引脚配置和功能................................................................. 4

7 规格................................................................................... 6

7.1 绝对最大额定值...........................................................6

7.2 ESD 等级.................................................................... 6

7.3 建议运行条件.............................................................. 6

7.4 热性能信息..................................................................7

7.5 电气特性......................................................................7

7.6 分度器时序要求...........................................................9

7.7 典型工作特性............................................................ 10

8 详细说明.......................................................................... 12

8.1 概述...........................................................................12

8.2 功能方框图................................................................13

8.3 特性说明....................................................................13

8.4 器件功能模式............................................................ 23

9 应用和实施.......................................................................25

9.1 应用信息....................................................................25

9.2 典型应用....................................................................25

10 布局............................................................................... 28

10.1 布局指南..................................................................28

10.2 大容量电容..............................................................28

11 器件和文档支持..............................................................29

11.1 相关文档..................................................................29

12 机械、封装和可订购信息...............................................30

4 修订历史记录

注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同

日期

修订版本

说明

2023 年4 月

初始发行版

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5 器件比较

表5-1. 器件比较表

器件名称

驱动器直流电机

否

驱动步进电机

接口

微步进

电流检测

内部检测

DRV8849

STEP/DIR

高达1/256

是

高达1/4，可通过VREF 引脚

实现更高的微步进

DRV8845

PHASE/Ixx

是

检测电阻

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6 引脚配置和功能

STEP1

DECAY2

GND

ENABLE1

MODE01

PGND

VCP

15 VREF2

Thermal

PAD

CP1

14 nFAULT2

CP2

VREF1

nFAULT1

DIR1

nSLEEP

STEP2

MODE11

DIR2

图6-1. RHH 封装，36 引脚QFN，顶视图

表6-1. 引脚功能

引脚

名称

I/O^{( )}

说明

编号

OUT1A

H 桥1 输出A

H 桥1 输出B

H 桥2 输出A

H 桥2 输出B

H 桥3 输出A

H 桥3 输出B

H 桥4 输出A

H 桥4 输出B

OUT1B

OUT2A

OUT2B

OUT3A

OUT3B

OUT4A

OUT4B

PGND1

PGND2

PGND3

PGND4

H 桥1 的电源接地引脚。在IC 附近将所有接地引脚连接在一起。

H 桥2 的电源接地引脚。在IC 附近将所有接地引脚连接在一起。

H 桥3 的电源接地引脚。在IC 附近将所有接地引脚连接在一起。

H 桥4 的电源接地引脚。在IC 附近将所有接地引脚连接在一起。

模拟接地。在IC 附近将所有接地引脚连接在一起。

电源电压。VM1 应连接至靠近器件的VM2 引脚。

电源电压。VM2 应连接至靠近器件的VM1 引脚。

储能电容器端子

16、30

GND

VM1

VM2

VCP

CP1

CP2

电荷泵电容器端子

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表6-1. 引脚功能(continued)

引脚

I/O^{( )}

说明

名称

编号

DECAY1

步进器1 的衰减模式设置引脚

步进器2 的衰减模式设置引脚

步进器1 的阶跃输入信号

步进器2 的阶跃输入信号

步进器1 的方向输入信号

步进器2 的方向输入信号

DECAY2

STEP1

STEP2

DIR1

DIR2

睡眠模式输入。逻辑高电平用于启用器件；逻辑低电平用于进入低功耗睡眠模式。nSLEEP

低电平脉冲将清除锁存故障。

nSLEEP

VREF1

VREF2

用于设置步进器1 的满量程斩波电流的基准电压输入

用于设置步进器2 的满量程斩波电流的基准电压输入

ENABLE1

ENABLE2

MODE01

MODE11

MODE02

MODE12

nFAULT1

nFAULT2

PAD

步进器1 的使能输入。该输入为逻辑低电平时会禁用步进器1 的输出（设为高阻态）。

步进器2 的使能输入。该输入为逻辑低电平时会禁用步进器2 的输出（设为高阻态）。

步进器1 的微步进设置输入

步进器2 的微步进设置输入

步进器1 的故障诊断输出

步进器2 的故障诊断输出

用于增强热性能的外露焊盘。应焊接到PCB 上。

(1) I = 输入，O = 输出，I/O = 输入或输出，G = 接地，P = 电源。

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7 规格

7.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内，且电压以GND 为基准（除非另有说明）^{( )}

最小值

最大值

单位

-0.3

电源电压(VMx)

V_VM+ 7

V_VM

电荷泵电压（VCP、CP1）

电荷泵负开关引脚(CP2)

睡眠模式输入电压(nSLEEP)

–0.3

-0.3

5.75

0.5

–0.3

-0.5

控制输入电压

PGND 引脚电压

-2.5

2.5

1μs 以内的PGND 引脚电压

基准输入引脚电压(VREFx)

开漏输出电流(nFAULTx)

连续相节点引脚电压（OUTxA、OUTxB）

瞬态100ns 相节点引脚电压（OUTxA、OUTxB）

输出电流

5.75

–0.3

V_VM+ 1

V_VM+ 3

1.5

–1

–3

-40

-65

125

°C

工作环境温度，T_A

150

工作结温，T_J

150

贮存温度，T_stg

(1) 应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力等级，这并不表示器件在这些条件下以及在

建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

7.2 ESD 等级

值

单位

人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准^{( )}

±2000

V_(ESD)

静电放电

充电器件模型(CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准^{( )}

±500

(1) JEDEC 文件JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标

准ESD 控制流程下安全生产。

7.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

最小值

最大值

单位

V_VM

V_I

4.5

可确保正常（直流）运行的电源电压范围

控制输入电压

5.5

V_REFx

f_STEP

I_RMS

T_A

3.3

基准电压(VREFx)

施加的STEP 信号^{( )}

kHz

500

1.1

电机均方根电流(xOUTx) ^{( )}

-40

125

150

°C

工作环境温度

工作结温

T_J

(1) STEP 输入工作频率最高可达500kHz，但系统带宽受电机负载限制

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(2) 必须遵守功耗和热限值

7.4 热性能信息

QFN

29.9

19.5

11.6

0.3

热指标

单位

R_θJA

°C/W

结至环境热阻

R_θJC(top)

R_θJB

°C/W

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板热阻

ψ_JT

结至顶部特征参数

结至电路板特征参数

结至外壳（底部）热阻

11.6

4.1

ψ_JB

R_θJC(bot)

7.5 电气特性

典型值都是在T_A= 25°C 且V_VM= 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源(VM)

ENABLE = 1，nSLEEP = 1，无电机负

载

I_VM

VM 工作电源电流

5.5

1.3

μA

μs

nSLEEP = 1，输出关闭

nSLEEP = 0

t_SLEEP

t_RESET

t_ON

120

nSLEEP = 0 以进入睡眠模式

nSLEEP 低电平至清除故障

VM > UVLO 至输出转换

nSLEEP = 1 至输出转换

ENABLE = 0/1 至输出转换

睡眠时间

0.8

nSLEEP 复位脉冲

导通时间

0.62

t_WAKE

t_EN

唤醒时间

μs

启用时间

电荷泵（VCP、CP1、CP2）

V_VCP

f_(VCP)

6V < V_VM< 38V

V_VM+ 5

380

VCP 工作电压

V_VM> UVLO，nSLEEP = 1

kHz

电荷泵开关频率

逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP）

V_IL

0.8

5.5

500

输入逻辑低电平电压

输入逻辑高电平电压

输入逻辑迟滞

V_IH

V_HYS

I_INL

I_INH

150

-1

300

μA

V_IN= 0V

V_IN= 5V

逻辑输入低电流

逻辑输入高电流

三电平输入（MODE0x、ENABLE）

V_I1

0.6

2.2

5.5

连接至GND

高阻态

输入逻辑低电平电压

V_I2

V_I3

I_O

1.8

2.7

输入高阻抗电压

输入逻辑高电平电压

输入上拉电流

连接至5V

μA

四电平输入（MODE1x、DECAYx）

V_I1

0.6

连接至GND

输入逻辑低电平电压

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典型值都是在T_A= 25°C 且V_VM= 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。

参数

测试条件

最小值

典型值

1.25

最大值

单位

V_I2

V_I3

V_I4

I_O

1.4

330kΩ ± 5% 至GND

1.8

2.2

输入高阻抗电压

输入逻辑高电平电压

输入上拉电流

高阻态

2.7

5.5

连接至5V

μA

控制输出(nFAULTx)

V_OL

I_OH

I_O= 5mA

0.2

输出逻辑低电平电压

VMx = 24V

-1

μA

输出逻辑高电平漏电流

电机驱动器输出

450

700

780

450

700

780

550

850

950

550

850

950

1.2

T_J= 25°C、I_O= -1.2 A

T_J= 125°C、I_O= -1.2 A

T_J= 150°C、I_O= -1.2 A

T_J= 25°C、I_O= 1.2 A

T_J= 125°C、I_O= 1.2 A

T_J= 150°C、I_O= 1.2 A

I_O= ± 1.2A

mΩ

R_DS(ONH)

高侧FET 导通电阻

低侧FET 导通电阻

R_DS(ONL)

V_f，输出

I_DSS

-2

输出，V_OUT= 0 至VM

μA

输出泄漏

VM = 24V，I_O= 1.2 A，介于10% 和

90% 之间

t_SR

100

输出上升/下降时间

t_D

425

死区时间

(1)

电流检测消隐时间⁽

μs

)

t_BLANK

PWM 电流控制(VREFx)

K_V

VREF = 3.3V

2.09

-1

2.2

2.31

V/A

跨阻增益

I_VREFx

VREFx 引脚基准输入电流

PWM 关断时间

μA

DECAYx = 1

t_OFF

DECAYx = 高阻态

μs

DECAYx = 330kΩ至GND

I_O= 1.5A

I_O,CH

-2.5

-5

2.5

AOUT 和BOUT 电流匹配

电流跳变精度

I_O= 1.5A，68% 至100% 电流设置

I_O= 1.5A，20% 至67% 电流设置

I_O= 1.5A，10% 至20% 电流设置

-10

-15

ΔI_TRIP

保护电路

4.1

4.2

4.25

4.34

4.35

4.45

VM 下降

VM 上升

VM UVLO

VM_UVLO

阈值

VM UVLO

VM_UVLO,HYS

上升至下降阈值

磁滞

V_CPUV

I_OCP

V_VM+ 2

VCP 下降

电荷泵欠压

过流保护

2.5

流经任何FET 的电流

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典型值都是在T_A= 25°C 且V_VM= 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。

参数

过流抗尖峰时间

过流重试时间

热关断

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

μs

t_OCP

2.1

t_RETRY

T_OTSD

155

165

175

°C

内核温度T_J

受设计保

证。

T_{HYS_OTSD}

热关断迟滞

(1) 受设计保证。

7.6 分度器时序要求

典型限值都是T_J= 25°C 和V_VM= 24V 条件下的限值。除非另有说明，否则所有限值都是推荐工作条件下的限值。

编号

最小值

最大值

单位

500⁽¹⁾

kHz

ƒ_STEP

步进频率

t_WH(STEP)

t_WL(STEP)

t_{SU(DIR, Mx)}

t_{H(DIR, Mx)}

970

200

脉冲持续时间，STEP 高电平

脉冲持续时间，STEP 低电平

设置时间，DIR 或MODEx 至STEP 上升

保持时间，STEP 上升至DIR 或MODEx 变化

(1) STEP 输入工作频率高达500kHz，但系统带宽受电机负载限制。

STEP

DIR, MODEx

图7-1. STEP 和DIR 时序图

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7.7 典型工作特性

T_J= -40 °C

T_J= 27 °C

T_J= 125 °C

T_J= 150 °C

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

VM Supply Voltage (V)

图7-2. 睡眠模式电源电流

5.95

5.9

5.85

5.8

5.75

5.7

T_J= -40 °C

T_J= 27 °C

T_J= 125 °C

T_J= 150 °C

5.65

5.6

VM Supply Voltage (V)

图7-3. 输出关闭时的工作电源电流

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690

660

630

600

570

540

510

480

450

420

390

360

V_VM= 4.5 V

V_VM= 24 V

V_VM= 35 V

-40

-20

100

120

140

160

Temperature (°C)

图7-4. 高侧FET 导通电阻

690

660

630

600

570

540

510

480

450

420

390

360

V_VM= 4.5 V

V_VM= 24 V

V_VM= 35 V

-40

-20

100

120

140

160

Temperature (°C)

图7-5. 低侧FET 导通电阻

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8 详细说明

8.1 概述

DRV8849 是一款用于驱动两个双极步进电机的集成电机驱动器解决方案。该器件通过集成四个 N 沟道功率

MOSFET H 桥、电流检测电阻和调节电路以及每个步进器一个微步进分度器，可更大程度提高集成度。DRV8849

能够支持 4.5V 至 38V 的宽电源电压范围。该器件每个输出可提供高达 2.5A 峰值、1.5A 满量程或 1.1A 均方根

(rms) 的输出电流。实际的满量程和均方根电流取决于环境温度、电源电压和PCB 热性能。

DRV8849 采用集成式电流检测架构，无需再使用四个外部功率检测电阻，从而显著节省布板空间和 BOM 成本，

并减少设计工作量和降低功耗。该架构使用电流镜方法和使用内部功率MOSFET 进行电流检测，消除了检测电阻

中的功率损耗。通过VREF 引脚处的电压来调节电流调节设定点。

借助简单的 STEP/DIR 接口，可通过外部控制器管理步进电机的方向和步进速率。内部微步进分度器可以执行高

精度微步进，而无需外部控制器来管理绕组电流电平。分度器可实现全步进、半步进以及 1/4、1/8、1/16、

1/32、1/64、1/128 和1/256 微步进。高微步进有助于显著降低可闻噪声并实现平稳的运动。除了标准的半步进模

式，非循环半步进模式可用于在较高的电机转速下增加扭矩输出。

步进电机驱动器需要通过实现多种类型的衰减模式（如慢速衰减、混合衰减和快速衰减）来再循环绕组电流。

DRV8426 提供智能调优衰减模式。自动调优是一种创新的衰减机制，能够自动调节以实现出色的电流调节性能，

而不受电压、电机转速、变化和老化效应的影响。自动调优纹波控制使用可变关断时间纹波电流控制方案，以更

大限度地减少电机绕组电流的失真。自动调优动态衰减使用固定关断时间动态快速衰减百分比方案，以更大限度

地减少电机绕组电流的失真，同时实现频率成分最小化并显著减少设计工作量。

系统包括一个低功耗休眠模式，以允许其在不主动驱动电机时节省功耗。

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8.2 功能方框图

4.5 to 38 V

0.01

VM1

VM2

0.22 µF

VCP

Power

OUT1A

CP1

Charge

Pump

Current

Sense

0.022

CP2

Stepper

Motor

Gate

Drivers

DVDD

Regulator

OUT1B

PGND1

STEPx

DIRx

Current

Sense

Digital

Core

–

V_VREF

DVDD

10µA

SINE DAC

ENABLEx

nSLEEP

K_V

OUT2A

Control

Inputs

DVDD

10µA

OUT2B

PGND2

H-bridge 2

MODE0x

DVDD

10µA

OUT3A

OUT3B

Stepper

Motor

Microstepping

Indexer

MODE1x

DECAYx

H-bridge 3

H-bridge 4

DVDD

10µA

PGND3

Smart tune

OUT4A

OUT4B

PGND4

Protection

VCC

Overcurrent

R_nFAULTx

nFAULTx

Fault Output

Undervoltage

VCC

R_REF1

V_VREFx

VREF

Analog

Input

Overtemperature

VREFx

R_REF2

PPAD

GND

图8-1. 功能方框图

8.3 特性说明

下表显示了驱动器外部组件的建议值。

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表8-1. DRV8849 外部组件

组件

C_VM1

引脚1

VM1

引脚2

PGND

VM1

推荐

额定电压为VM 的X7R 0.01µF 陶瓷电容器

X7R0.22µF 16V 陶瓷电容器

C_VM2

VM2

C_VCP

VCP

C_SW

CP1

CP2

额定电压为VM 的X7R 0.022µF 陶瓷电容器

>4.7kΩ 电阻

R_nFAULTx

R_REF1x

R_REF2x

VCC ⁽¹⁾

VREFx

nFAULTx

VCC

用于限制斩波电流的电阻。

GND

(1) VCC 不是DRV8849 的引脚，但开漏nFAULT 输出需要VCC 电源电压上拉。

8.3.1 步进电机驱动器电流额定值

步进电机驱动器可以通过以下三种不同的输出电流值表示方式进行分类：峰值、均方根和满量程。

8.3.1.1 峰值电流额定值

步进驱动器中的峰值电流受过流保护关断阈值 I_OCP的限制。峰值电流表示任何瞬态持续电流脉冲，例如当对电容

充电时，或当总占空比非常低时。通常，I_OCP的最小值指定了步进电机驱动器的峰值电流额定值。对于

DRV8849，每个电桥的峰值电流额定值为2.5A。

8.3.1.2 均方根电流额定值

均方根（平均）电流由集成电路的热特性决定。均方根电流是根据典型系统中 R_DS(ON)、上升和下降时间、PWM

频率、器件静态电流和25°C 温度下的封装热性能计算的。实际的均方根电流可能更高或更低，具体取决于散热和

环境温度。对于DRV8849，每个电桥的均方根电流额定值为1.1A。

8.3.1.3 满量程电流额定值

满量程电流描述了微步进时正弦电流波形的顶部。由于正弦波振幅与均方根电流有关，因此满量程电流也由器件

的热特性决定。对于正弦电流波形，满量程电流额定值大约为 √2 × I_RMS；对于方波电流波形，该值大约为 I_RMS

（全步进）。

Full-scale current

RMS current

AOUT

BOUT

Step Input

图8-2. 满量程和均方根电流

8.3.2 微步进分度器

DRV8849 中的内置分度器逻辑支持多种不同的步进模式。MODE0 和 MODE1 引脚用于配置步进模式，如表 8-2

所示。该器件支持动态更改该设置。

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表8-2. 微步进分度器设置

MODE0x MODE1x

步进模式

100% 电流的全步进（两相励磁）

71% 电流的全步进（两相励磁）

330kΩ 至

GND

Hi-Z

非循环1/2 步进

1/2 步进

1/4 步进

1/8 步进

Hi-Z

1/16 步进

1/32 步进

1/64 步进

高阻态

Hi-Z

330kΩ 至

GND

高阻态

1/128 步进

1/256 步进

表8-3 展示了全步进（71% 电流）、1/2 步进、1/4 步进和 1/8 步进运行状态下的相对电流和步进方向。更高的微

步进分辨率也将遵循相同的模式。OUTxA 电流是电角的正弦，OUTxB 电流是电角的余弦。正电流是指进行驱动

时从OUTxA 引脚流向OUTxB 引脚的电流。

在 STEP 输入的每个上升沿，分度器移动到表格中的下一个状态。方向按照 DIR 引脚逻辑高电平进行显示。如果

DIR 引脚为逻辑低电平，则顺序相反。

备注

在步进时，如果步进模式动态变化，则分度器在STEP 上升沿情况下前进到下一个有效状态，以便实现

新的步进模式设置。

初始励磁状态是 45° 的电角，对应于两个线圈中均为71% 的满量程电流。系统会在上电后、退出逻辑欠压锁定后

或退出睡眠模式后进入该状态。

表8-3. 相对电流和步进方向

全

OUTxA 电流

OUTxB 电流

（满量程百分比）

1/8 步进

1/4 步进

1/2 步进

电角（度）

0.00

步进

71%

（满量程百分比）

20%

38%

56%

71%

83%

92%

98%

100%

98%

92%

83%

71%

56%

38%

100%

98%

92%

83%

71%

56%

38%

20%

11.25

22.50

33.75

45.00

56.25

67.50

78.75

90.00

-20%

-38%

-56%

-71%

-83%

-92%

101.25

112.50

123.75

135.00

146.25

157.50

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表8-3. 相对电流和步进方向(continued)

全

OUTxA 电流

OUTxB 电流

（满量程百分比）

1/8 步进

1/4 步进

1/2 步进

电角（度）

步进

71%

（满量程百分比）

20%

-98%

-100%

-98%

-92%

-83%

-71%

-56%

-38%

-20%

168.75

180.00

191.25

202.50

213.75

225.00

236.25

247.50

258.75

270.00

281.25

292.50

303.75

315.00

326.25

337.50

348.75

-20%

-38%

-56%

-71%

-83%

-92%

-98%

-100%

-98%

-92%

-83%

-71%

-56%

-38%

-20%

20%

38%

56%

71%

83%

92%

98%

表8-4 显示了具有 100% 满量程电流的全步进运行。这种步进模式比 71% 电流的全步进模式消耗更多的功率，但

在高电机转速下可提供更高的扭矩。

表8-4. 100% 电流的全步进

全

步进

100%

OUTxA 电流

（满量程百分比）

OUTxB 电流

（满量程百分比）

电角（度）

100

-100

100

135

225

315

-100

表 8-5 展示了非循环 1/2 步进操作。这种步进模式比循环 1/2 步进运行消耗更多的功率，但在高电机转速下可提

供更高的转矩。

表8-5. 非循环1/2 步进电流

非循环1/2 步进

OUTxA 电流

OUTxB 电流

电角（度）

（满量程百分比）

100

135

180

225

270

315

–100

100

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8.3.3 通过MCU DAC 控制VREF

在某些情况下，满量程输出电流可能需要在许多不同的值之间变化，具体取决于电机转速和负载。您可以在系统

内调节VREF 引脚的电压，以更改满量程电流。

在这种运行模式中，随着 DAC 电压的增加，满量程调节电流也将增加。对于 DRV8849，为确保正常运行，DAC

的输出不得超过3.3V。

图8-3. 通过DAC 资源控制VREF

您也可以使用PWM 信号和低通滤波器来调节VREF 引脚。

图8-4. 通过PWM 资源控制VREF

8.3.4 电流调节和衰减模式

流经电机绕组的电流由一个可调节关断时间的 PWM 电流调节电路进行调节。当 H 桥被启用时，通过绕组的电流

以一定的速率上升，该速率取决于直流电压、绕组电感和存在的反电动势大小。当电流达到电流调节阈值（如图

8-6 中的项目1 所示）时，电桥将进入衰减模式以减小电流，具体取决于DECAY 引脚设置。关断时间结束后，将

重新启用电桥，开始另一个PWM 循环。

I_TRIP

t_BLANK

t_OFF

图8-5. 电流斩波波形

一旦达到斩波电流阈值后，H 桥可在两种不同的状态下运行：快速衰减或慢速衰减。

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• 在快速衰减模式下，一旦达到PWM 斩波电流电平，H 桥便会通过导通对侧的MOSFET 进行状态逆转，使绕

组电流反向流动。由于绕组电流接近零，因此会禁用该电桥，以防止进一步出现反向流动的电流。图8-6 的项

目2 中展示了快速衰减模式。

• 在慢速衰减模式下，通过启用H 桥中的两个低侧MOSFET 来实现绕组电流的再循环。图8-6 的项目3 中展示

了这种情况。

Forward drive

PWM ON

PWM OFF

Slow decay

I_TRIP

Fast decay (Reverse drive)

Slow decay

xOUT1

xOUT2

Fast decay

T_FAST

Mixed decay

T_BLK

T_DEG

图8-6. 衰减模式

PWM 调节电流由比较器设置，该比较器监测与低侧功率 MOSFET 并联的电流检测 MOSFET 两端的电压。电流

检测 MOSFET 通过基准电流进行偏置，该基准电流是电流模式正弦加权 DAC 的输出，其满量程基准电流通过

VREF 引脚的电压进行设置。

满量程调节电流(I_FS) 的计算公式为：

I_FS(A) = V_REFx(V) / K_V(V/A) = V_REFx(V) / 2.2 (V/A)。

DRV8849 通过 DECAY 引脚来选择衰减模式，如表 8-6 所示。该器件支持动态更改衰减模式。在更改衰减模式

后，新的衰减模式将在2µs 的抗尖峰脉冲时间之后生效。

表8-6. 衰减模式设置

DECAYx

衰减模式

智能调优纹波控制

智能调优动态衰减，16μs 关断时间

智能调优动态衰减，32μs 关断时间

高阻态

330k 至GND

智能调优动态衰减，8μs 关断时间

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8.3.4.1 智能调优纹波控制

I_TRIP

I_VALLEY

t_BLANK

t_DRIVE

t_BLANK

t_DRIVE

t_BLANK

t_DRIVE

t_OFF

t_DRIVE

I_TRIP

I_VALLEY

t_BLANK

t_DRIVE

t_OFF

t_BLANK

t_DRIVE

t_OFF

t_BLANK

t_DRIVE

t_OFF

图8-7. 智能调优纹波控制衰减模式

智能调优纹波控制通过在 I_TRIP电平旁设置一个 I_VALLEY电平来进行操作。当电流电平达到 I_TRIP时，驱动器不是进

入慢速衰减直到 t_OFF时间结束，而是进入慢速衰减直到达到 I_VALLEY。慢速衰减的工作原理是导通两个低侧

MOSFET，从而允许电流再循环。在此模式下，t_OFF根据电流电平和运行条件而变化。

在此衰减模式下，纹波电流等于11mA + 1% ITRIP，其中ITRIP 是特定微步级的调节电流。

该纹波控制方法可以更严格地调节电流电平，因而可提高电机效率并减少可闻噪声和振动。智能调优纹波控制适

用于能够承受可变关断时间调节方案的系统，以在电流调节中实现小电流纹波。

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8.3.4.2 智能调优动态衰减

I_TRIP

t_BLANK

t_DRIVE

t_BLANK

t_DRIVE

t_OFF

t_DRIVE

I_TRIP

t_BLANK

t_DRIVE

t_OFF

t_BLANK

t_DRIVE

t_OFF

t_BLANK

t_DRIVE

t_FAST

图8-8. 智能调优动态衰减模式

与智能调优纹波控制不同，智能调优动态衰减以固定关断时间运行。智能调优动态衰减可动态调整总混合衰减时

间中快速衰减的百分比。这通过自动确定理想混合衰减设置来消除对电机衰减调优的需求，从而实现更低纹波和

卓越电机性能。

快速衰减百分比经由每个PWM 周期进行迭代优化。如果电机电流超过目标I_TRIP电平，则混合衰减模式在下一个

周期变得更加激进（通过增加快速衰减百分比），防止电流调节损失。如果必须长时间驱动才能达到目标I_TRIP电

平，则衰减模式在下一个周期变得不那么激进（通过降低快速衰减百分比），从而以更少的纹波运行。在步进下

降时，智能调优动态衰减会自动切换到快速衰减，以便快速进入下一步进。智能调优动态衰减以固定的 8μs、

16μs 或32μs 关断时间运行。

对于需要实现最小电流纹波但希望在电流调节方案中保持固定频率的应用，智能调优动态衰减是最佳选择。

8.3.4.3 消隐时间

当内部电流控制电路切换输出时，该功能会消隐电流检测比较器的输出。由于反向恢复电流或与负载电容相关的

开关瞬态，比较器输出会被消隐以防止错误的过流检测情况。消隐时间t_BLANK大约为1μs。

8.3.5 电荷泵

集成了一个电荷泵以提供高侧N 沟道MOSFET 栅极驱动电压。需要在VM 和VCP 引脚之间为电荷泵放置一个电

容作为储能电容。此外，还需要在CP1 和CP2 引脚之间放置一个陶瓷电容器作为飞跨电容器。

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VCP

CP1

Charge

Pump

Control

CP2

图8-9. 电荷泵

8.3.6 逻辑电平、三电平和四电平引脚图

下图显示了MODE0x 和ENABLE 引脚的输入结构。

图8-10. 三电平输入引脚图

图8-11 显示了MODE1x 和DECAYx 引脚的输入结构。

图8-11. 四电平输入引脚图

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图8-12 显示了STEP、DIR 和nSLEEP 引脚的输入结构。

图8-12. 逻辑电平输入引脚图

8.3.7 nFAULT 引脚

nFAULT 引脚具有开漏输出且应上拉至 5V、3.3V 或 1.8V 电源电压。当检测到故障时，相应步进器的 nFAULT 引

脚将变成逻辑低电平；上电后，则变成高电平。必须使用外部电源上拉nFAULT 引脚。

Output

nFAULT

图8-13. nFAULT 引脚

8.3.8 保护电路

DRV8849 可完全防止电源欠压、电荷泵欠压、输出过流和器件过热事件。

8.3.8.1 VM 欠压锁定(UVLO)

无论 VM 引脚电压何时降至电源电压的 UVLO 阈值电压以下，都会禁用所有输出并将各 nFAULT 引脚驱动为低电

平。在这种情况下，电荷泵会禁用。VM 欠压条件消失后，器件将恢复正常运行（电机驱动器运行并释放nFAULT

引脚）。

8.3.8.2 VCP 欠压锁定(CPUV)

无论 VCP 引脚电压何时降至 CPUV 电压以下，都会禁用所有输出并将各 nFAULT 引脚驱动为低电平。在这种情

况下，电荷泵将保持有效状态。VCP 欠压条件消失后，器件将恢复正常运行（电机驱动器运行且释放 nFAULT 引

脚）。

8.3.8.3 过流保护(OCP)

每个 FET 上的模拟电流限制电路都将通过移除栅极驱动来限制流经 FET 的电流。如果此电流限制的持续时间超

过 t_OCP，则会禁用该步进驱动器上两个 H 桥中的 FET 并将相应的 nFAULT 引脚驱动为低电平。在这种情况下，

电荷泵仍保持激活状态。过流保护可在两种不同的模式下运行：锁存关断和自动重试。该器件支持动态更改工作

模式。

特定步进驱动器的 ENABLE 引脚应为高阻态以选择锁存关断模式，并应为高电平 (>2.7V) 以选择自动重试模式。

ENABLE1 引脚控制步进器1 的OCP 恢复方法，ENABLE2 引脚控制步进器2 的OCP 恢复方法。

8.3.8.3.1 锁存关断

在此模式下，OCP 事件后将会禁用受影响步进驱动器的输出并将相应的 nFAULT 引脚驱动为低电平。一旦 OCP

条件消除，器件会在应用nSLEEP 复位脉冲或重新上电后恢复正常运行。

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8.3.8.3.2 自动重试

在此模式下，OCP 事件后将会禁用受影响步进器的输出并将相应的 nFAULT 引脚驱动为低电平。在经过 t_RETRY

时间且故障条件消失后，器件将自动恢复正常运行（电机驱动器运行且释放nFAULT 引脚）。

8.3.8.4 热关断(OTSD)

如果内核温度超过热关断限值 (T_OTSD)，则会禁用所有 MOSFET 并将各 nFAULT 引脚驱动为低电平。在这种情况

下，电荷泵会被禁用。热关断保护可在两种不同的模式下运行：锁存关断和自动重试。该器件支持动态更改工作

模式。

要选择锁存关断模式，ENABLE1 引脚应处于高阻态，而若要选择自动重试模式，则应处于高电平状态 (>2.7V)。

ENABLE1 引脚控制两个步进驱动器的OTSD 恢复方法。

8.3.8.4.1 锁存关断

在此模式下，OTSD 事件后将会禁用所有输出并将各 nFAULT 引脚驱动为低电平。结温降至过热阈值限值减去迟

滞(T_OTSD–T_{HYS_OTSD}) 所得的值以下后，器件会在应用nSLEEP 复位脉冲或功率循环后恢复正常运行。

8.3.8.4.2 自动重试

在此模式下，OTSD 事件后将会禁用所有输出并将各 nFAULT 引脚驱动为低电平。结温降至过热阈值限值减去迟

滞(T_OTSD–T_{HYS_OTSD}) 所得的值以下后，器件将恢复正常运行（电机驱动器运行且释放nFAULT 线路）。

8.3.8.5 故障条件汇总

表8-7. 故障条件汇总

故障

条件

配置

错误报告

H 桥

电荷泵

分度器

逻辑

复位

恢复

nFAULT1

、

nFAULT2

VM < V_UVLO

(VM <

3.9V)

VM 欠压(UVLO)

自动：VM > V_UVLO

—

禁用

nFAULT1

、

nFAULT2

VCP < V_CPUV

VCP > V_CPUV

VCP 欠压(CPUV)

禁用

工作

禁用

（步进器

1）

锁存

ENABLE1

= 高阻态

nFAULT1

nFAULT2

（步进器1）

I_OUT1> I_OCP

禁用

（步进器

1）

ENABLE1

= 1

自动重试（步进器

1）：t_RETRY

工作

过流(OCP)

禁用

ENABLE2

锁存

（步进器

2）

（步进器2）

= 高阻态

I_OUT2> I_OCP

禁用

ENABLE2

= 1

自动重试（步进器

2）：t_RETRY

（步进器

2）

nFAULT1

、

nFAULT2

ENABLE1

= 高阻态

禁用

工作

锁存

T_J> T_TSD

热关断(OTSD)

nFAULT1

、

nFAULT2

ENABLE1

= 1

自动：T_J< T_OTSD

禁用

T_{HYS_OTSD}

8.4 器件功能模式

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8.4.1 睡眠模式(nSLEEP = 0)

器件将通过 nSLEEP 引脚实现状态管理。当nSLEEP 引脚为低电平时，该器件将进入低功耗睡眠模式。在睡眠模

式下，将会禁用所有内部 MOSFET 和电荷泵。必须在 nSLEEP 引脚上的下降沿之后再过去 t_SLEEP时间后，器件

才能进入睡眠模式。如果 nSLEEP 引脚变为高电平，该器件会自动退出睡眠模式。必须在经过 t_WAKE时间之后，

器件才能针对输入做好准备。

8.4.2 禁用模式（nSLEEP = 1，ENABLE = 0）

ENABLE 引脚用于启用或禁用器件。当ENABLE 引脚为低电平时，相应的输出驱动器将在高阻态状态下被禁用。

8.4.3 工作模式（nSLEEP = 1，ENABLE = Hi-Z/1）

当 nSLEEP 引脚为高电平、ENABLE 引脚为 Hi-Z 或 1 且 VM > UVLO 时，相应步进器将进入运行模式。必须在

经过t_WAKE时间之后，步进器才能针对输入做好准备。

8.4.4 nSLEEP 复位脉冲

故障可通过快速 nSLEEP 脉冲清除。该脉冲的宽度必须在 20µs 至 40µs 之间。如果 nSLEEP 在 40µs 至 120µs

的时间内保持低电平，则会清除故障，但器件有可能会关断，也有可能不关断，如时序图中所示。该复位脉冲不

影响电荷泵或其他功能块的状态。

nSLEEP

120 µs

20 µs

40 µs

All faults cleared,

Device shuts down (goes into sleep mode,

faults cleared by default)

y not shutdown

All faults cleared, device may or ma

device stays active

图8-14. nSLEEP 复位脉冲

表8-8. 功能模式汇总

8.4.5 功能模式汇总

表8-8 对功能模式进行了汇总。

H 桥

条件

配置

电荷泵

禁用

分度器

禁用

逻辑

禁用

nSLEEP 引脚=

4.5V < VM < 38V

睡眠模式

工作

禁用

nSLEEP 引脚=

ENABLE 引脚=

1 或Hi-Z

4.5V < VM < 38V

工作

禁用

工作

nSLEEP 引脚=

4.5V < VM < 38V

禁用

ENABLE 引脚=

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9 应用和实施

备注

以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定

器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。

9.1 应用信息

DRV8849 用于控制两个双极步进电机。

9.2 典型应用

以下设计过程可用于配置DRV8849，以驱动两个步进电机。

Stepper

3.3 V

ENABLE1

MODE01

PGND

STEP1

DECAY2

GND

VCP

CP1

CP2

VM1

2.9 V

VREF2

nFAULT2

VREF1

0.22

0.022

DRV8849

DIR1

nFAULT1

MODE11

DIR2

nSLEEP

STEP2

Stepper

图9-1. 典型应用原理图

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9.2.1 设计要求

表9-1 列出了典型应用的设计输入参数。

表9-1. 设计参数

基准

设计参数

示例值

24V

电源电压

R_L1

R_L2

L_L1

L_L2

电机1 绕组电阻

电机2 绕组电阻

电机1 绕组电感

电机2 绕组电感

电机1 全步进角

电机2 全步进角

目标微步进级别（电机1）

目标微步进级别（电机2）

2.4Ω/相

2Ω/相

5.8mH/相

4.7mH/相

1.8°/步进

1/32 步进

θ_step1

θ_step2

n_m1

n_m2

1/256 步进

46.8rpm

23.4rpm

1.3 A

v₁

v₂

目标电机1 转速

目标电机2 转速

I_FS1

I_FS2

目标满量程电流（电机1）

目标满量程电流（电机2）

1.3 A

9.2.2 详细设计过程

9.2.2.1 步进电机转速

配置 DRV8849 时，第一步需要确定所需的电机转速和微步进级别。如果目标应用需要恒定转速，则必须将频率

为ƒ_step的方波施加到相应的 STEP 引脚。如果目标电机转速过高，则电机不会运行。请确保电机可以支持目标转

速。请使用方程式1 计算所需电机转速(v)、微步进级别(n_m) 和电机全步进角(θ_step) 对应的ƒ_step

v (rpm) ì 360 (è / rot)

ƒ_step(steps / s) =

q_step(è / step) ìn_m(steps / microstep) ì 60 (s / min)

(1)

θ_step的值载于步进电机数据表中或印于电机上。例如，此应用中的电机需要以1.8°/步进运行，目标是在 1/32 微

步模式下达到 46.8rpm（对于电机 1），以及在 1/256 微步模式下达到 23.4rpm（对于电机 2）。根据方程式 1，

可以计算出ƒ_step为5kHz（电机1）和20kHz（电机2）。

微步进级别由 MODE0x 和 MODE1x 引脚设置，可以是表 8-2 中列出的任何设置。微步进级别越高，电机运动越

平稳、可闻噪声越低，但需要更高的ƒ_step才能实现相同的电机转速。

9.2.2.2 电流调节

在步进电机中，满量程电流 (I_FS) 是通过任一绕组的最大电流。这个量取决于 VREF 电压。对于 DRV8849 而言，

VREF 引脚上允许的最大电压为 3.3V。在步进期间，I_FS定义了最大电流步进的电流斩波阈值 (I_TRIP)。I_FS(A) =

V_REF(V)/2.2 (V/A)

9.2.2.3 衰减模式

DRV8849 支持两种不同的智能调优衰减模式，如表8-6 所示。在此示例中，电机1 由智能调优纹波控制衰减模式

驱动，而电机2 由具有32μs 关断时间的智能调优动态衰减模式驱动。

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9.2.2.4 应用曲线

CH2：STEP2 (5V/div)，CH3：STEP1 (5V/div)，CH7：IOUT_1 (1A/div)，CH8：IOUT_4 (1A/div)

图9-2. 驱动两个步进电机的DRV8849

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10 布局

• 必须在CP1 和CP2 引脚之间放置一个低ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为0.022µF、额定电压为VM

的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

• 必须在VM 和VCP 引脚之间放置一个低ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为0.22µF、额定电压为16V

的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

• 必须将该器件直接焊接到PCB 上。应将散热焊盘直接焊接到PCB 上的外露表面。应使用散热过孔将热量传递

到PCB 的其他层。

• 务必在非常靠近器件的位置设置一个低阻抗单点接地端。将外露焊盘和接地平面直接连接到器件接地端下方。

• 输入电容器应尽量靠近器件电源引脚放置。陶瓷电容器应该比大容量电容器更靠近引脚。

10.1 布局指南

遵循DRV8849 EVM 的布局示例。设计文件可以从DRV8849EVM 产品文件夹中下载。

10.2 大容量电容

配备合适的局部大容量电容是电机驱动系统设计中的一个重要因素。使用更多的大容量电容通常是有益的，但缺

点是增加了成本和物理尺寸。

所需的局部电容数量取决于多种因素，包括：

• 电机系统所需的最高电流

• 电源的电容和拉电流的能力

• 电源和电机系统之间的寄生电感量

• 可接受的电压纹波

• 使用的电机类型（有刷直流、无刷直流、步进电机）

• 电机制动方法

电源和电机驱动系统之间的电感会限制电源的电流变化速率。如果局部大容量电容太小，系统将以电压变化的方

式对电机中的电流不足或过剩电流作出响应。当使用足够多的大容量电容时，电机电压保持稳定，可以快速提供

大电流。

数据表通常会给出建议值，但需要进行系统级测试来确定大小适中的大容量电容。

大容量电容的额定电压应高于工作电压，以便在电机向电源传递能量时提供裕度。

Parasitic Wire

Inductance

Motor Drive System

Power Supply

Motor

Driver

GND

Local

Bulk Capacitor

IC Bypass

Capacitor

图10-1. 带外部电源的电机驱动系统示例设置

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11 器件和文档支持

11.1 相关文档

请参阅如下相关文档：

• 德州仪器(TI)，如何降低步进电机中的可闻噪声应用报告

• 德州仪器(TI)，如何提高电机的运动平滑度和精度应用报告

• 德州仪器(TI)，如何使用DRV8xxx 驱动单极步进电机应用报告

• 德州仪器(TI)，计算电机驱动器的功耗应用报告

• 德州仪器(TI)，电流再循环和衰减模式应用报告

• 德州仪器(TI)，了解电机驱动器电流额定值应用报告

• 德州仪器(TI)，电机驱动器布局指南应用报告

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12 机械、封装和可订购信息

下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且

不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。

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PACKAGE OPTION ADDENDUM

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7-May-2023

PACKAGING INFORMATION

Orderable Device

Status Package Type Package Pins Package

Eco Plan

Lead finish/

Ball material

MSL Peak Temp

Op Temp (°C)

Device Marking

Samples

Drawing

Qty

(1)

(2)

(3)

(4/5)

(6)

DRV8849RHHR

ACTIVE

VQFN

RHH

4000 RoHS & Green

NIPDAU

Level-2-260C-1 YEAR

-40 to 125

DRV8849

Samples

⁽¹⁾The marketing status values are defined as follows:

ACTIVE: Product device recommended for new designs.

LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.

NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.

PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.

OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.

⁽²⁾RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance

do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may

reference these types of products as "Pb-Free".

RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.

Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based

flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.

⁽³⁾MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.

⁽⁴⁾There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.

⁽⁵⁾Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation

of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.

(6)

Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two

lines if the finish value exceeds the maximum column width.

Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information

provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and

continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.

TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.

In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.

Addendum-Page 1

GENERIC PACKAGE VIEW

RHH 36

6 x 6, 0.5 mm pitch

VQFN - 1 mm max height

PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD

This image is a representation of the package family, actual package may vary.

Refer to the product data sheet for package details.

4225440/A

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TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，

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保。

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证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。

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邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265

DRV8849 [TI]

相关型号：

SI9130DB

SI9135LG-T1

SI9135LG-T1-E3

SI9135_11

SI9136_11

SI9130CG-T1-E3

SI9130LG-T1-E3

SI9130_11

SI9137

SI9137DB

SI9137LG

SI9122E