INA180B1QDBVRQ1 [TI]
AEC-Q100、26V、350kHz 电流感应放大器 | DBV | 5 | -40 to 125;
| 型号： | INA180B1QDBVRQ1 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | AEC-Q100、26V、350kHz 电流感应放大器 | DBV | 5 | -40 to 125 放大器 |
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INA180-Q1, INA2180-Q1, INA4180-Q1
ZHCSI39D –APRIL 2018 –REVISED JULY 2022
INAx180-Q1 汽车低侧和高侧电压输出电流检测放大器
1 特性
3 说明
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准
INA180-Q1、INA2180-Q1 和 INA4180-Q1 (INAx180-
Q1) 电流检测放大器专为成本优化型应用而设计。此类
器件是一系列电流检测放大器（也称为电流分流监控
器）的一部分，可在独立于电源电压的 –0.2V 至
+26V 范围内的共模电压中检测电流检测电阻器上的压
降。INAx180-Q1 集成了匹配的电阻增益网络，支持四
个固定增益器件选项：20V/V、50V/V、100V/V 或
200V/V。该匹配的增益电阻网络可更大程度地减少增
益误差，并降低了温度漂移。
– 温度等级1：–40°C ≤TA ≤+125°C
– HBM ESD 分类等级2
– CDM ESD 分类等级C6
• 提供功能安全
– 可帮助进行功能安全系统设计的文档
• 共模范围(VCM)：–0.2V 至+26V
• 高带宽：350kHz（A1 器件）
• 失调电压：
– VCM = 0V 时为±150µV（最大值）
– VCM = 12V 时为±500µV（最大值）
• 输出压摆率：2V/µs
所有此类器件由 2.7V 至 5.5V 单电源供电。单通道
INA180-Q1 消耗的最大电源电流为 260µA；而双通道
INA2180-Q1 消耗的最大电源电流为500µA，四通道消
耗的最大电源电流为900µA。
• 精度：
– ±1% 增益误差（最大值）
– 1µV/°C 温漂（最大值）
• 增益选项：
INA180-Q1 采用具有两种不同引脚配置的 5 引脚
SOT-23 封装。INA2180-Q1 采用 8 引脚 VSSOP 封
装。INA4180-Q1 采用 14 引脚 TSSOP 封装。所有器
件选项都具有 –40°C 至 +125°C 的扩展额定工作温度
范围。
– 20V/V（A1 器件）
– 50V/V（A2 器件）
– 100V/V（A3 器件）
– 200V/V（A4 器件）
封装信息(1)
封装尺寸（标称值）
器件型号
INA180-Q1
封装
SOT-23 (5)
• 静态电流：260µA（最大值）(INA180-Q1)
2.90mm × 1.60mm
3.00mm × 3.00mm
5.00mm × 4.40mm
2 应用
INA2180-Q1
INA4180-Q1
VSSOP (8)
• 电机控制
• 电池监控
• 电源管理
• 照明控制
• 过流检测
TSSOP (14)
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的封装选项附录。
Bus Voltage, VCM
Up To 26 V
Power Supply, VS
2.7 V to 5.5 V
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
Load
INA4180-Q1 (quad-channel)
INA2180-Q1 (dual-channel)
INA180-Q1 (single-channel)
VS
Microcontroller
INœ
œ
OUT
ADC
+
IN+
GND
典型应用电路
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLYS017
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 器件比较............................................................................ 3
6 引脚配置和功能................................................................. 3
7 规格................................................................................... 5
7.1 绝对最大额定值...........................................................5
7.2 ESD 等级.................................................................... 5
7.3 建议工作条件.............................................................. 5
7.4 热性能信息..................................................................5
7.5 热性能信息..................................................................6
7.6 电气特性......................................................................7
7.7 典型特性......................................................................8
8 详细说明.......................................................................... 15
8.1 概述...........................................................................15
8.2 功能方框图................................................................15
8.3 特性说明....................................................................17
8.4 器件功能模式............................................................ 18
9 应用和实现.......................................................................20
9.1 应用信息....................................................................20
9.2 典型应用....................................................................24
9.3 电源相关建议............................................................ 25
9.4 布局...........................................................................26
10 器件和文档支持............................................................. 30
10.1 文档支持..................................................................30
10.2 接收文档更新通知................................................... 30
10.3 支持资源..................................................................30
10.4 商标.........................................................................30
10.5 Electrostatic Discharge Caution..............................30
10.6 术语表..................................................................... 30
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision C (April 2020) to Revision D (July 2022)
Page
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
• 将电源相关建议和布局部分移到了应用和实施部分........................................................................................25
• 将图9-9 中的引脚3 从IN+2 更改为IN+1........................................................................................................ 27
Changes from Revision B (March 2019) to Revision C (April 2020)
Page
• 添加了“提供功能安全”信息.............................................................................................................................1
Changes from Revision A (July 2018) to Revision B (March 2019)
Page
• 将INA180-Q1 器件从“产品预发布”更改为“量产数据”（正在供货）.......................................................... 1
• 在输入差分过载部分的末尾添加了有关相位反转的新段落...............................................................................18
Changes from Revision * (April 2018) to Revision A (July 2018)
Page
• 将INA4180-Q1 器件从“预发布”更改为“量产数据”（正在供货）............................................................... 1
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5 器件比较
表5-1. 器件比较
增益(V/V)
20
产品
通道数量
INA180A1-Q1 (1)
INA180A2-Q1 (1)
INA180A3-Q1 (1)
INA180A4-Q1 (1)
INA180B1-Q1 (1)
INA180B2-Q1 (1)
INA180B3-Q1 (1)
INA180B4-Q1 (1)
INA2180A1-Q1
INA2180A2-Q1
INA2180A3-Q1
INA2180A4-Q1
INA4180A1-Q1
INA4180A2-Q1
INA4180A3-Q1
INA4180A4-Q1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
4
4
4
4
50
100
200
20
50
100
200
20
50
100
200
20
50
100
200
(1) INA180A 器件使用引脚排列A。INA180B 器件使用引脚排列B。更多信息，请参阅引脚配置和功能部分。
6 引脚配置和功能
OUT
GND
IN+
1
2
3
5
VS
IN+
GND
INœ
1
2
3
5
VS
4
INœ
4
OUT
Not to scale
Not to scale
图6-1. INA180-Q1：DBV 封装5 引脚SOT-23（引脚 图6-2. INA180-Q1：DBV 封装5 引脚SOT-23（引脚
排列A） 顶视图
排列B） 顶视图
表6-1. 引脚功能：INA180-Q1（单通道）
引脚
类型
说明
SOT-23 引脚 SOT-23 引脚
名称
排列A
排列B
GND
2
2
模拟
接地
电流感测放大器负输入。对于高侧应用，连接至感测电阻的负载侧。对于低
侧应用，连接至感测电阻的接地侧。
4
3
3
1
IN–
模拟输入
电流感测放大器正输入。对于高侧应用，连接至感测电阻的总线电压侧。对
于低侧应用，连接至感测电阻的负载侧。
IN+
模拟输入
OUT
VS
1
5
4
5
模拟输出
模拟
输出电压
电源，2.7V 至5.5V
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OUT1
INœ1
IN+1
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VS
OUT1
INœ1
IN+1
VS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
OUT4
INœ4
IN+4
GND
IN+3
INœ3
OUT3
OUT2
INœ2
IN+2
IN+2
INœ2
OUT2
Not to scale
图6-3. INA2180-Q1：DGK 封装8 引脚VSSOP 顶视
图
8
Not to scale
图6-4. INA4180-Q1：PW 封装14 引脚TSSOP 顶视
图
表6-2. 引脚功能：INA2180-Q1（双通道）和INA4180-Q1（四通道）
引脚
INA2180-Q1
4
类型
说明
INA4180-Q1
名称
GND
11
模拟
接地
通道1 的电流检测放大器负输入。对于高侧应用，连接至通道1 检测电阻
的负载侧。对于低侧应用，连接至通道1 检测电阻的接地侧。
2
3
2
3
IN–1
IN+1
IN–2
IN+2
IN–3
IN+3
IN–4
IN+4
模拟输入
通道1 的电流检测放大器正输入。对于高侧应用，连接至通道1 检测电阻
的总线电压侧。对于低侧应用，连接至通道1 检测电阻的负载侧。
模拟输入
模拟输入
模拟输入
模拟输入
模拟输入
模拟输入
模拟输入
通道2 的电流检测放大器负输入。对于高侧应用，连接至通道2 检测电阻
的负载侧。对于低侧应用，连接至通道2 检测电阻的接地侧。
6
6
通道2 的电流检测放大器正输入。对于高侧应用，连接至通道2 检测电阻
的总线电压侧。对于低侧应用，连接至通道2 检测电阻的负载侧。
5
5
通道3 的电流检测放大器负输入。对于高侧应用，连接至通道3 检测电阻
的负载侧。对于低侧应用，连接至通道3 检测电阻的接地侧。
9
—
—
—
—
通道3 的电流检测放大器正输入。对于高侧应用，连接至通道3 检测电阻
的总线电压侧。对于低侧应用，连接至通道3 检测电阻的负载侧。
10
13
12
通道4 的电流检测放大器负输入。对于高侧应用，连接至通道4 检测电阻
的负载侧。对于低侧应用，连接至通道4 检测电阻的接地侧。
通道4 的电流检测放大器正输入。对于高侧应用，连接至通道4 检测电阻
的总线电压侧。对于低侧应用，连接至通道4 检测电阻的负载侧。
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
VS
1
7
1
7
通道1 输出电压
通道2 输出电压
通道3 输出电压
通道4 输出电压
电源，2.7V 至5.5V
模拟输出
模拟输出
模拟输出
模拟输出
模拟
8
—
—
8
14
4
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7 规格
7.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
单位
6
V
电源电压，VS
28
28
差分(VIN+)-(VIN-
)
–28
模拟输入，IN+，IN-(2) (4)
V
共模(3)
GND –0.3
GND –0.3
VS + 0.3
8
V
mA
°C
°C
°C
输出电压
最大输出电流，IOUT
自然通风工作温度范围，TA
结温，TJ
-55
-65
150
150
150
贮存温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值下所列的值的应力可能会对器件造成损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2)
VIN+ 和VIN- 分别为IN+ 和IN–引脚上的电压。
(3) 如果将任何引脚上的电流限制在5mA，该引脚的输入电压可能超出所示电压。
(4) 在26V 和28V 之间持续运行超过几分钟可能会对器件造成永久损坏。
7.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM)，符合JEDEC 规范JESD22-C101(2)
±3000
V(ESD)
V
静电放电
±1000
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 能够在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
7.3 建议工作条件
最小值
标称值
最大值
单位
VCM
VS
12
5
26
5.5
V
V
共模输入电压（IN+ 和IN–）
运行电源电压
–0.2
2.7
TA
-40
125
°C
自然通风工作温度
7.4 热性能信息
INA180-Q1
DBV (SOT-23)
6 引脚
INA2180-Q1
DGK (VSSOP)
8 个引脚
177.9
INA4180-Q1
PW (TSSOP)
20 引脚
115.9
热指标(1)
单位
RθJA
197.1
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
95.8
65.6
44.3
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
53.1
99.3
59.2
23.4
10.5
4.7
ψJT
结至顶部特征参数
52.7
97.9
58.6
ψJB
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
RθJC(bot)
不适用
不适用
不适用
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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7.5 热性能信息
INA180-Q1
INA2180-Q1
INA4180-Q1
热指标(1)
DBV (SOT-23) DCK (SC70) DGS (VSSOP) PW (TSSOP)
单位
6 引脚
197.1
95.8
6 引脚
待定
待定
待定
待定
待定
待定
10 引脚
177.9
65.6
20 引脚
115.9
44.3
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
53.1
99.3
59.2
23.4
10.5
4.7
ψJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
52.7
97.9
58.6
ψJB
RθJC(bot)
不适用
不适用
不适用
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7.6 电气特性
TA = 25°C，VS = 5V，VIN+ = 12V，VSENSE = VIN+ –VIN–（除非另有说明）
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入
VIN+ = 0V 至26V，VSENSE = 10mV，
TA = –40°C 至+125°C
共模抑制比，RTI(1)
失调电压(2)，RTI
CMRR
84
100
dB
±100
±25
0.2
±500
±150
1
VOS
μV
VIN+ = 0V
dVOS/dT
PSRR
温漂，RTI
TA = -40°C 至+125°C
VS=2.7 V 至5.5 V，VSENSE=10 mV
VSENSE = 0mV，VIN+ = 0V
VSENSE = 0mV
μV/°C
μV/V
±8
±40
电源抑制比，RTI
0.1
IIB
µA
µA
输入偏置电流
输入失调电流
80
IIO
VSENSE = 0mV
±0.05
输出
20
50
A1 器件
A2 器件
A3 器件
A4 器件
G
V/V
增益
100
200
VOUT = 0.5V 至VS –0.5V，
TA = –40°C 至+125°C
EG
±0.1%
±1%
增益误差
1.5
±0.01%
1
20 ppm/°C
TA = -40°C 至+125°C
VOUT = 0.5V 至VS –0.5V
无持续振荡
增益误差与温度之间的关系
非线性误差
nF
V
最大容性负载
电压输出(3)
VSP
相对于VS 电源轨的摆幅(4)
相对于GND 的摆幅(4)
RL = 10kΩ 至GND，TA= –40°C 至+125°C
RL = 10kΩ 至GND，TA= –40°C 至+125°C
(VS) –0.02 (VS) –0.03
VSN
(VGND)0.0005 (VGND)+0.005
V
频率响应
350
210
150
105
2
A1 器件，CLOAD = 10pF
A2 器件，CLOAD = 10pF
A3 器件，CLOAD = 10pF
A4 器件，CLOAD = 10pF
BW
kHz
带宽
SR
V/µs
压摆率
噪声，RTI
40
nV/√Hz
电压噪声密度
电源
VSENSE = 10 mV
197
355
690
260
300
INA180-Q1
VSENSE = 10mV，TA = –40°C 至
+125°C
VSENSE = 10 mV
500
IQ
INA2180-Q1
µA
静态电流
VSENSE = 10mV，TA = –40°C 至
+125°C
520
VSENSE = 10 mV
900
INA4180-Q1
VSENSE = 10mV，TA = –40°C 至
+125°C
1000
(1) RTI = 以输入为参考。
(2) 通过线性外插至VSENSE = 0V 获得失调电压，VSENSE = 满量程范围的10% 至90%。
(3) 请参阅图7-19。
(4) 摆幅规格是在过驱输入条件下测试得出的。
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7.7 典型特性
TA = 25°C，VIN = 5V，且VIN+ = 12V（除非另有说明）
D001
D002
Input Offset Voltage (mV)
Input Offset Voltage (mV)
VIN+ = 0V
VIN+ = 0V
图7-2. 输入失调电压产生分布图A2
图7-1. 输入失调电压产生分布图A1
D003
D004
Input Offset Voltage (mV)
Input Offset Voltage (mV)
VIN+ = 0V
VIN+ = 0V
图7-3. 输入失调电压产生分布图A3
图7-4. 输入失调电压产生分布图A4
100
A1
A2
A3
A4
50
0
-50
-100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (èC)
D005
D006
Common-Mode Rejection Ratio (mV/V)
图7-6. 共模抑制产生分布图A1
VIN+ = 0V
图7-5. 失调电压与温度之间的关系
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7.7 典型特性(continued)
TA = 25°C，VIN = 5V，且VIN+ = 12V（除非另有说明）
D007
D009
D011
D008
Common-Mode Rejection Ratio (mV/V)
图7-7. 共模抑制产生分布图A2
Common-Mode Rejection Ratio (mV/V)
图7-8. 共模抑制产生分布图A3
10
8
A1
A2
A3
A4
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (èC)
D010
Common-Mode Rejection Ratio (mV/V)
图7-9. 共模抑制产生分布图A4
图7-10. 共模抑制比与温度之间的关系
D012
Gain Error (%)
Gain Error (%)
图7-12. 增益误差产生分布图A2
图7-11. 增益误差产生分布图A1
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7.7 典型特性(continued)
TA = 25°C，VIN = 5V，且VIN+ = 12V（除非另有说明）
D013
D014
Gain Error (%)
Gain Error (%)
图7-13. 增益误差产生分布图A3
图7-14. 增益误差产生分布图A4
0.4
50
40
30
20
10
0
A1
A1
A2
A3
A4
A2
A3
A4
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-10
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
100
1k
10k 100k
Frequency (Hz)
1M
10M
Temperature (èC)
D015
D016
图7-15. 增益误差与温度之间的关系
图7-16. 增益与频率之间的关系
120
100
80
60
40
20
0
140
120
100
80
A1
A2
A3
A4
60
40
20
10
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
10
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
D017
D018
图7-17. 电源抑制比与频率之间的关系
图7-18. 共模抑制比与频率之间的关系
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7.7 典型特性(continued)
TA = 25°C，VIN = 5V，且VIN+ = 12V（除非另有说明）
VS
120
100
80
60
40
20
0
–40°C
25°C
125°C
VS – 1
VS – 2
GND + 2
GND + 1
GND
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Output Current (mA)
-20
D019
-5
0
5
10
15
Common-Mode Voltage (V)
20
25
30
D020
。
电源电压= 5V
图7-19. 输出电压摆幅与输出电流之间的关系
图7-20. 输入偏置电流与共模电压之间的关系
120
100
80
60
40
20
0
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
-20
-5
0
5
10
15
Common-Mode Voltage (V)
20
25
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (èC)
D021
D022
电源电压= 0V
。
图7-21. 输入偏置电流与共模电压之间的关系（两种输入，关断）
图7-22. 输入偏置电流与温度之间的关系
210
380
375
370
365
360
355
350
345
340
205
200
195
190
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (èC)
Temperature (èC)
D023
D023
图7-23. 静态电流与温度之间的关系(INA180-Q1)
图7-24. 静态电流与温度之间的关系(INA2180-Q1)
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7.7 典型特性(continued)
TA = 25°C，VIN = 5V，且VIN+ = 12V（除非另有说明）
720
715
710
705
700
695
690
685
400
350
300
250
200
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-5
0
5
10
15
Common-mode Voltage (V)
20
25
30
Temperature (èC)
D038
D031
图7-25. 静态电流与温度之间的关系(INA4180-Q1)
图7-26. 静态电流与共模电压之间的关系(INA180-Q1)
750
1450
1350
1250
1150
1050
950
700
650
600
550
500
450
400
350
300
850
750
650
550
-5
0
5
10
15
Common-Mode Voltage (V)
20
25
30
-5
0
5
10
15
Common-Mode Voltage (V)
20
25
30
D039
D031
图7-28. 所有放大器的静态电流与共模电压之间的关系(INA4180-
图7-27. 所有放大器的静态电流与共模电压之间的关系(INA2180-
Q1)
Q1)
100
80
70
60
50
40
30
20
10
Time (1 s/div)
10
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
D025
D024
图7-30. 0.1Hz 至10Hz 电压噪声（以输入为参考）
图7-29. 输入基准电压噪声与频率之间的关系（A3 器件）
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7.7 典型特性(continued)
TA = 25°C，VIN = 5V，且VIN+ = 12V（除非另有说明）
VCM
VOUT
Time (10 ms/div)
Time (25 ms/div)
D026
D027
80mVPP 输入阶跃
图7-31. 阶跃响应
。
图7-32. 共模电压瞬态响应
Inverting Input
Output
Noninverting Input
Output
0 V
0 V
Time (250 ms/div)
Time (250 ms/div)
D028
D029
图7-33. 反相差分输入过载
图7-34. 同相差分输入过载
Supply Voltage
Output Voltage
Supply Voltage
Output Voltage
0 V
0 V
Time (10
ms/div)
Time (100 ms/div)
D030
D032
图7-35. 启动响应
图7-36. 欠压恢复
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7.7 典型特性(continued)
TA = 25°C，VIN = 5V，且VIN+ = 12V（除非另有说明）
1000
140
130
120
110
100
90
A1
A2
A3
A4
Ch1 onto Ch2
Ch2 onto Ch1
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
80
0.2
0.1
70
100
10
100
1k
10k
Frequency (Hz)
100k
1M
10M
1k
10k
Frequency (Hz)
100k
1M
D033
D034
图7-37. 输出阻抗与频率间的关系
图7-38. 通道分离与频率之间的关系(INA2180)
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8 详细说明
8.1 概述
INA180-Q1、INA2180-Q1 和INA4180-Q1 (INAx180-Q1) 是汽车级26V 共模电流检测放大器，可用于低侧和高侧
配置。这些专门设计的电流检测放大器可在远超为器件供电的电源电压的共模电压下，精确测量电流检测电阻上
产生的电压。可在高达26V 的输入电压轨上测量电流，并且器件可由低至2.7V 的电源电压供电。
8.2 功能方框图
VS
Single-Channel
TI Device
INœ
œ
OUT
+
IN+
GND
图8-1. INA180-Q1 功能方框图
VS
Dual-Channel
TI Device
INœ1
œ
OUT1
+
IN+1
INœ2
œ
OUT2
+
IN+2
GND
图8-2. INA2180-Q1 功能方框图
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VS
Quad-Channel
TI Device
INœ1
œ
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
+
IN+1
INœ2
œ
+
IN+2
INœ3
œ
+
IN+3
INœ4
œ
+
IN+4
GND
图8-3. INA4180-Q1 功能方框图
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8.3 特性说明
8.3.1 高带宽和转换率
INAx180-Q1 支持高达 350kHz 的小信号带宽和 2V/µs 的大信号压摆率。INAx180-Q1 能够检测到感应电流的快速
变化，并且能够快速转换输出，因此是需要快速响应输入电流变化的应用的理想之选。一个需要高带宽和转换率
的应用是低侧电机控制、在该应用中、能够跟踪电机中快速变化的电流、从而在更宽的工作范围内实现更精确的
控制。需要更高带宽和压摆率的另一种应用是系统故障检测，INAx180-Q1 与外部比较器和基准配合使用，可以快
速检测感应电流何时超出范围。
8.3.2 宽输入共模电压范围
INAx180-Q1 支持 -0.2V 至 +26V 的输入共模电压。由于内部拓扑结构，共模范围不受电源电压 (VS) 的限制（只
要 VS 保持在 2.7V 至 5.5V 的工作范围内）。由于能够在大于或小于 VS 的共模电压下工作，INAx180-Q1 可用于
高侧和低侧电流检测应用，如图8-4 所示。
Bus Supply
œ0.2 V to +26 V
Direction of Positive
IN+
Current Flow
High-Side Sensing
RSENSE
Common-mode voltage (VCM
is bus-voltage dependent.
)
INœ
LOAD
Direction of Positive
Current Flow
IN+
Low-Side Sensing
Common-mode voltage (VCM
is always near ground and is
)
RSENSE
isolated from bus-voltage spikes.
INœ
图8-4. 高侧和低侧检测连接
8.3.3 精确的低侧电流感应
在低侧电流检测应用中使用时，INAx180-Q1 的失调电压在 ±150µV 以内。INAx180-Q1 的低失调性能有若干优
势。首先、低偏移允许器件用于必须在宽动态范围内测量电流的应用。在这种情况下，当检测电流处于测量范围
中的较低区域时，低失调电压可提高精度。低失调电压的另一个优势是，能够准确检测检测电阻上的较低压降，
从而支持较低值的分流电阻器。低值分流电阻器可降低电流检测电路中的功率损耗，有助于提高最终应用的功率
效率。
INAx180-Q1 的增益误差指定为实际值的1% 以内。当检测到的电压比失调电压大得多时，此电压成为电流检测测
量中的主要误差源。
8.3.4 轨到轨输出摆幅
INAx180-Q1 支持在输出靠近电源轨和 GND 的情况下进行线性电流检测操作。到正电源轨的最大规定输出摆幅为
30mV，到 GND 的最大规定输出摆幅仅为 5mV。为了将 INAx180-Q1 的输出摆幅与等效运算放大器 (op amp) 进
行比较，输入被过驱，近似计算运算放大器数据表中指定的开环状态。电流检测放大器是闭环系统；因此，输出
到GND 的摆幅可能受到失调电压和放大器增益的乘积的限制。
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对于具有正失调电压的器件，到GND 的摆幅受电气特性表中指定的失调电压乘以增益或到GND 的摆幅二者中较
大者的限制。
例如，在一个应用中，INA180A4-Q1（增益 = 200V/V）用于低侧电流检测，器件的失调电压为 40µV，器件失调
电压和增益的乘积值为 8mV，大于指定的负摆幅值。因此，本例中到 GND 的摆幅为 8mV。如果同一器件的失调
电压为 –40µV，则计算得出的零差分信号为 –8mV。在这种情况下，失调电压有助于在负向过驱摆幅，摆幅性
能与电气特性表中指定的值一致。
失调电压是由 CMRR 规格确定的共模电压的函数；因此，当存在较高的共模电压时，失调电压会增加。失调电压
的增加限制了在较高共模电压下运行时，在零电流条件下输出电压可以达到多低。图 8-5 显示了每个增益选项的
零电流输出电压与共模电压的典型限制。
0.06
A1
0.054
A2
A3
A4
0.048
0.042
0.036
0.03
0.024
0.018
0.012
0.006
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20 22 24 26
Common Mode Voltage (V)
D033
图8-5. 零电流输出电压与共模电压
8.4 器件功能模式
8.4.1 正常模式
INAx180-Q1 在满足以下条件时处于正常运行状态：
• 电源电压(VS) 介于2.7V 和5.5V 之间。
• 共模电压(VCM) 在–0.2V 至+26V 的指定范围内。
• 最大差分输入信号乘以增益小于VS 减去输出电压至VS 的摆幅。
• 最小差分输入信号乘以增益大于到GND 的摆幅（请参阅轨到轨输出摆幅部分）。
在正常运行期间，此器件生成的输出电压是从IN+ 至IN–的差分电压的增益表示。
8.4.2 输入差分过载
如果差分输入电压 (VIN+ – VIN–) 乘以增益超过电压摆幅规格，INAx180-Q1 可将输出驱动至尽可能与正电源接
近，并且不提供差分输入电压的精确测量。如果在正常电路运行期间发生此输入过载，请降低分流电阻器的值或
使用带有所选检测电阻的较低增益版本，以避免这种运行模式。如果在故障事件中发生差分过载，INAx180-Q1 的
输出会在故障情况消除后大约20µs 恢复到预期值。
当 INAx180-Q1 输出被驱动至电源轨或接地端时，只要不超出绝对最大额定值，增加差分输入电压就不会损坏器
件。遵守这些指导原则，INAx180-Q1 的输出就可保持极性，不会出现相位反转。
8.4.3 关断模式
虽然 INAx180-Q1 没有关断引脚，但该器件的低功耗支持通过逻辑门或晶体管开关的输出为 INAx180-Q1 供电。
该门或开关可打开和关闭INAx180-Q1 电源静态电流。
然而，在电流分流监控应用中，还需要考虑在关断条件下从分流电路中消耗多少电流。评估该电流消耗需考虑
INAx180-Q1 在关断模式下的简化原理图，如图8-6 所示。
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VS
2.7 V to 5.5 V
RPULL-UP
10 kꢀ
Shutdown
Load
Bus Voltage
œ0.2 V to +26 V
RSENSE
CBYPASS
0.1 µF
Single-Channel
TI Device
VS
INœ
OUT
œ
Output
+
IN+
GND
图8-6. 关断INxA180-Q1 的基本电路
从INAx180-Q1 的每个输入到OUT 引脚和GND 引脚的阻抗通常高于500kΩ（来自500kΩ 反馈和
输入增益设置电阻的组合）。流经这些引脚的电流量取决于连接电压。
对于到输出引脚的500kΩ路径，禁用的INAx180-Q1 的输出级确实构成了一条良好的接地路径。因此，该电流与
施加在500kΩ 电阻器上的分流共模电压成正比。
最后要注意的是，只要器件上电时分流共模电压大于 VS，每个输入都会附加匹配良好的 55μA 典型电流。如果小
于VS，共模输入电流可忽略不计，500kΩ 电阻是对电流造成影响的唯一因素。
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
9.1 应用信息
当电流经电阻流向负载或接地时，INAx180-Q1 会将在电流检测电阻器两端产生的电压放大。
9.1.1 基本连接
图9-1 显示了INA180-Q1 的基本连接。尽可能靠近分流电阻器连接输入引脚（+IN 和IN–），从而更大限度地减
小与分流电阻串联的任何电阻。
Bus Voltage
œ0.2 V to +26 V
Power Supply, VS
2.7 V to 5.5 V
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
Load
VS
Single-Channel
TI Device
INœ
Microcontroller
OUT
œ
ADC
+
IN+
GND
注：为了获得最佳测量精度，请将模数转换器(ADC) 基准或微控制器接地端尽可能靠近INAx180-Q1 GND 引脚连接，并在INAx180-Q1
的输出和ADC 之间添加一个RC 滤波器。请参阅使用ZOUT 对负载感应放大器稳定性问题进行闭环分析，了解更多详细信息。
图9-1. INA180 的基本连接
为确保正常运行，需要使用至少 0.1µF 的电源旁路电容器。带有嘈杂或者高阻抗电源的应用也许需要额外的去耦
合电容器来抑制电源噪声。将旁路电容器连接到接近器件引脚的位置。
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9.1.2 RSENSE 和器件增益选择
选择尽可能大的电流检测电阻，可更大限度地提高 INAx180-Q1 的精度。较大的检测电阻可在给定电流量下使差
分输入信号达到最大，并减小失调电压的误差贡献。然而，在给定应用中，电流检测电阻的大小存在实际限制。
INAx180-Q1 在 12V 共模电压输入下运行时，每个输入的典型输入偏置电流为 80μA。当使用较大的电流检测电
阻时，这些偏置电流会导致失调误差增加，并降低共模抑制。因此，对于要求电流监控精度的应用，通常不建议
使用大于几欧姆的电流检测电阻。电流检测电阻值的第二个常见限制是，纳入电阻器预算的最大允许功率损耗。
方程式1 给出了电流检测电阻在给定功率损耗预算下的最大阻值。
PDMAX
RSENSE
<
2
IMAX
(1)
其中：
• PDMAX 是RSENSE 中的最大允许功率损耗。
• IMAX 是将流过RSENSE 的最大电流。
电流检测电阻的阻值和器件增益的其他限制取决于电源电压VS 和器件摆幅至轨限制。为确保电流检测信号适当地
传递到输出，必须检查正和负输出摆幅限制。方程式 2 提供了 RSENSE 和 GAIN 的最大值，以便防止器件达到正
摆幅限制。
IMAX ìRSENSE ìGAIN < VSP
(2)
其中：
• IMAX 是将流过RSENSE 的最大电流。
• GAIN 是电流检测放大器的增益。
• VSP 是数据表中指定的正输出摆幅。
为了避免在选择RSENSE 的值时出现正输出摆幅限制，在感测电阻的值与所考虑的器件增益之间总是存在权衡。如
果为最大功率损耗选择的检测电阻太大，则可以选择较低的增益器件以避免正摆幅限制。
负摆幅限制对给定应用中使用的检测电阻值可以小到何种程度施加了限制。方程式 3 提供了对最小检测电阻的限
制。
IMIN ìRSENSE ìGAIN > VSN
(3)
其中：
• IMIN 是将流过RSENSE 的最小电流。
• GAIN 是电流检测放大器的增益。
• VSN 是器件的负输出摆幅（请参阅轨到轨输出摆幅）。
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9.1.3 信号滤波
假如将 INAx180-Q1 输出连接到高阻抗输入，且使用从 GND 到GND 的简单 RC 网络，则器件输出端是滤波的最
佳位置。在输出端进行滤波可减弱共模电压、差分输入信号及 INAx180-Q1 电源电压中的高频干扰。如果无法在
输出端进行滤波，或者需要仅对差分输入信号进行滤波，则可以在器件的输入引脚上应用滤波器。图 9-2 提供了
一个示例，说明如何在器件的输入引脚上使用滤波器。
Bus Voltage
œ0.2 V to +26 V
RSENSE
VS
2.7 V to 5.5 V
Load
1
Single-Channel
TI Device
VS
f-3dB
=
2p(RF + RF )CF
RF < 10 ꢀ
RINT
INœ
fœ3dB
VOUT
CF
œ
OUT
Bias
+
RF < 10 ꢀ
RINT
IN+
GND
图9-2. 在输入引脚上的滤波器
外部串联电阻的增加会为测量结果带来额外的误差，因此，必须将这些串联电阻的阻值保持在10Ω上下（尽可能
保持10Ω以下）以降低对精度的影响。当一个差分电压被应用在输入引脚之间时，图9-2 中出现在输入引脚上的
内部偏置网络产生了一个不匹配的输入偏置电流。如果在电路中增加外部串联滤波电阻器，则偏置电流的失配会
导致滤波电阻器两端的压降失配。这种失配会产生一个差分误差电压，该电压会从分流电阻器两端产生的电压中
减去。该误差会导致器件输入引脚上的电压与分流电阻器两端产生的电压不同。如果没有额外的串联电阻，输入
偏置电流的不匹配对器件操作的影响就比较小。此类外部滤波电阻器给测量带来的误差量可以使用方程式 5 计算
得出，其中的增益误差因子用方程式4 计算得出。
如图 9-2 所示，与分流电阻器上产生的电压相比，器件输入端的差分电压变化量既与外部串联电阻 (RF) 的值相
关，也与内部输入电阻器 RINT 的值相关。当把相关输出电压与分流电阻器上的电压相比较时，分流电压达到器件
输入引脚的衰减作为一个增益误差出现。可以计算一个因子，以便确定由外部串联电阻的添加而导入的增益误
差。使用方程式4 计算分流电压与器件输入引脚上所测得电压的预期偏差：
1250ìRINT
(1250ìRF ) + (1250ìRINT ) + (RF ìRINT
Gain Error Factor =
)
(4)
其中：
• RINT 是内部输入电阻。
• RF 是外部串联电阻。
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方程式 4 的调整系数包括器件内部输入电阻，这个系数随每个增益版本而变化，如表 9-1 所示。表 9-2 中显示了
每个单独器件的增益误差因子。
表9-1. 输入电阻
增益
RINT(kΩ)
产品
INAx180A1-Q1
INAx180A2-Q1
INAx180A3-Q1
INAx180A4-Q1
20
25
10
5
50
100
200
2.5
表9-2. 器件增益误差因子
产品
简化的增益误差因子
25000
INAx180A1-Q1
(21ìRF ) + 25000
10000
INAx180A2-Q1
INAx180A3-Q1
INAx180A4-Q1
(9ìRF ) +10000
1000
RF +1000
2500
(3ìRF ) + 2500
可从外部串联电阻的添加预期的增益补差可以以方程式5 为基础来计算：
Gain Error (%) = 100 - (100 ´ Gain Error Factor)
(5)
例如，使用INA180A2-Q1 和表9-2 中相应的增益误差公式，串联电阻
10Ω 的增益误差因子为 0.991。然后使用方程式 5 计算相应的增益误差，仅外部的 10Ω 串联电阻便额外产生
0.89% 左右的增益误差。
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9.2 典型应用
Power Supply, VS
2.7 V to 5.5 V
Load
Supply
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
Load
VS
Single-Channel
TI Device
INœ
OUT
œ
VOUT
+
IN+
GND
图9-3. 低侧感测
表9-3. 设计参数
9.2.1 设计要求
表9-3 列出了图9-3 所示电路的设计要求。
设计参数
示例值
5V
电源电压，VS
低侧电流感应
VCM = 0V
< 900mW
R
SENSE 功率损耗
40A
最大检测电流，IMAX
电流检测误差
最大电流时小于1.5%，TJ = 25°C
> 80 kHz
小信号带宽
9.2.2 详细设计过程
电流检测电阻的最大值根据最大功率损耗要求进行计算。通过方程式 1 计算出的电流检测电阻最大值为
0.563mΩ。这是检测电阻 RSENSE 的最大值；因此，RSENSE 选择 0.5mΩ，因为这是最接近的标准电阻器值，符
合功率损耗要求。
下一步是选择适当的增益，并根据需要减小 RSENSE，使输出信号摆幅保持在 VS 范围内。使用方程式 2，假设
IMAX = 40A，RSENSE = 0.5mΩ，计算得出的最大电流检测增益为 248.5，可避免输出的正向摆幅至轨限制。为了
更大限度地扩大输出信号范围，为此应用选择了INA180A4-Q1（增益= 200）器件。
要计算峰值电流的精度，必须确定两个因素：增益误差和偏移误差。INAx180-Q1 的增益误差指定为最大 1%。偏
移导致的误差是恒定的，在 VCM = 0V 且 VS = 5V 时指定为 125µV（最大值）。使用方程式 6 计算出的失调电压
导致的误差为0.75%，其中总偏移误差= 150µV，RSENSE = 0.5mΩ，ISENSE = 40A。
Total Offset Error (V)
Total Offset Error (%) =
ì100%
ISENSE ìRSENSE
(6)
计算总误差的一种方法是将增益误差与偏移误差的占比相加。但是，在这种情况下，增益误差和偏移误差之间没
有影响或相关性。计算总误差的一种更准确的统计方法是使用误差的RSS 和，如方程式7 所示：
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Total Error (%) = Total Gain Error (%)2 + Total Offset Error (%)2
(7)
应用方程式7 后，计算得出的最大电流时的总电流检测误差为1.25%，小于1.5% 的设计示例要求。
INA180A4-Q1（增益 = 200）还具有 105kHz 的带宽，满足 80kHz 的小信号带宽要求。如果需要更高的带宽，可
以使用增益较低的器件，但代价是输出电压范围缩小或RSENSE 值增大。
9.2.3 应用曲线
图 9-4 显示了单向配置的输出响应示例。器件输出摆幅受接地限制；因此，输出偏置到该零输出电平。对于正差
分输入信号，输出可上升到高于接地值，但对于负差分输入信号，输出不能下降到低于接地值。
0 V
Output
Ground
Time (500 µs/div)
图9-4. 输出响应
9.3 电源相关建议
INAx180-Q1 的输入电路能够准确地测量超过电源电压 VS 的电压。例如，VS 可以为 5V，而 IN+ 和 IN– 上的总
线电源电压可高达 26V。但是，OUT 引脚的输出电压范围受 VS 引脚上的电压限制。INAx180-Q1 还能够在 IN+
和IN–输入引脚上承受高达26V 的全差分输入信号范围，无论器件是否在VS 引脚上供电。
9.3.1 共模瞬态电压大于26V
增加一小部分电路，便可在瞬态电压大于 26V 的电路中（例如汽车应用）使用 INAx180-Q1。只使用齐纳二极管
或者齐纳类型瞬态吸收器（有时称为瞬变电压抑制器 (Transzorb)）；任何其它类型的瞬态吸收器均有无法接受的
延迟时间。首先添加一对用作齐纳二极管工作阻抗的电阻器，如图 9-5 所示。请使用尽可能小的电阻器，通常为
10Ω 左右。使用较大的电阻器会对增益产生影响，信号滤波 部分对此进行了讨论。该电路仅限制短期瞬态；因
此，使用 10Ω 电阻器以及最低额定功率可接受的常规齐纳二极管可满足许多应用的需求。这个组合使用最少的电
路板空间。这些二极管可使用小型的
SOT-523 或SOD-523 封装。
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VS
2.7 V to 5.5 V
CBYPASS
0.1 µF
Bus Supply
œ0.2 V to +26 V
RSENSE
Load
VS
Single-Channel
TI Device
INœ
œ
OUT
RPROTECT
< 10 ꢀ
Output
+
IN+
GND
图9-5. 使用双齐纳二极管的瞬变保护
如果低功率齐纳二极管的瞬态吸收能力无法满足需求，必须使用功率更高的瞬态吸收器。更为高效的封装解决方
案是在器件的输入端之间使用单个瞬态吸收器和背对背二极管，如图 9-6 所示。最节省空间的解决方案是在
SOT-523 封装或 SOD-523 封装中使用两个串联二极管。在图 9-5 和图 9-6 所示的示例中，带有所有保护元件的
INAx180-Q1 所需的总电路板面积小于SO-8 封装的面积，且仅略大于MSOP-8 封装的面积。
VS
2.7 V to 5.5 V
CBYPASS
0.1 µF
Bus Supply
œ0.2 V to +26 V
RSENSE
Load
VS
Single-Channel
TI Device
< 10 ꢀ
INœ
œ
OUT
Transorb
Output
+
< 10 ꢀ
IN+
GND
图9-6. 使用单个瞬态吸收器和输入钳位进行瞬态保护
有关参考设计示例，请参阅具有瞬态稳定性的电流分流监控器参考设计。
9.4 布局
9.4.1 布局指南
• 使用开尔文连接或4 线制连接将输入引脚连接到感测电阻器。这种连接技术可确保在输入引脚之间仅检测电流
感测电阻的阻抗。电流感测电阻布线不良通常会导致在输入引脚之间存在额外的电阻。鉴于电流电阻的欧姆值
非常低，任何额外的高载流阻抗都会导致严重的测量误差。
• 电源旁路电容器的位置应尽可能靠近器件电源引脚和接地引脚。建议使用0.1µF 的旁路电容器。可以添加额外
的去耦电容以补偿噪声或高阻抗电源。
• 进行电流检测电阻到器件的连接布线时，应使布线长度尽可能接近，尽量减少任何阻抗不匹配。
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9.4.2 布局示例
Direction Current Flow
RSHUNT
Bus Voltage:
œ0.2 V to +26 V
IN+
INœ
4
5
3
2 GND
OUT
Current
Sense
1
VS
VIA to Ground
Plane
CBYPASS
Power Supply, VS:
2.7 V to 5.5 V
图9-7. 单通道推荐布局（引脚排列A）
Bus Voltage:
–0.2 V to +26 V
VIA to Ground
Plane
Direction of
Current Flow
5
4
3
2
1
IN+2
GND
IN+1
IN–1
OUT1
RSHUNT2
Direction of
Current Flow
IN–2 6
RSHUNT1
7
8
OUT2
VS
Current Sense
Output 2
CBYPASS
Current Sense
Output 1
Power Supply, VS:
2.7 V to 5.5 V
Load 2
Load 1
图9-8. 双通道推荐布局(VSSOP)
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Bus Voltage:
œ0.2 V to +26 V
VIA to Ground
Plane
Direction of
RSHUNT2
5
6
7
8
4
IN+2
INœ2
OUT2
VS
GND
IN+1
INœ1
OUT1
Current Flow
Direction of
Current Flow
3
2
1
RSHUNT1
Current Sense
Output 2
CBYPASS
Current Sense
Output 1
Power Supply, VS:
2.7 V to 5.5 V
Load 2
Load 1
图9-9. 双通道推荐布局(WSON)
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Load 2
Load 3
Current Sense
Output 3
Current Sense
Output 2
8
7
6
5
4
3
OUT2
INœ2
IN+2
VS
OUT3
Direction of
Current Flow
Direction of
RSHUNT2
9
INœ3
IN+3
GND
IN+4
INœ4
RSHUNT3
Current Flow
10
11
12
13
14
VIA to
Ground
Plane
CBYPASS
Bus Voltage 2:
œ0.2 V to +26 V
IN+1
Bus Voltage 3:
œ0.2 V to +26 V
2 INœ1
1
OUT4
OUT1
VIA to
Ground
Plane
Power Supply, VS:
2.7 V to 5.5 V
Current Sense
Output 4
Current Sense
Output 1
Bus Voltage 1:
œ0.2 V to +26 V
Bus Voltage 4:
œ0.2 V to +26 V
RSHUNT4
RSHUNT1
Direction of
Current Flow
Direction of
Current Flow
Load 4
Load 1
图9-10. 四通道推荐布局
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10 器件和文档支持
10.1 文档支持
10.1.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，INA180-181EVM 用户指南
• 德州仪器(TI)，INA2180-2181EVM 用户指南
• 德州仪器(TI)，INA4180-4181EVM 用户指南
10.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
10.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
10.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
10.5 Electrostatic Discharge Caution
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled
with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may
be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published
specifications.
10.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
INA180A1QDBVRQ1
INA180A2QDBVRQ1
INA180A3QDBVRQ1
INA180A4QDBVRQ1
INA180B1QDBVRQ1
INA180B2QDBVRQ1
INA180B3QDBVRQ1
INA180B4QDBVRQ1
INA2180A1QDGKRQ1
INA2180A2QDGKRQ1
INA2180A3QDGKRQ1
INA2180A4QDGKRQ1
INA4180A1QPWRQ1
INA4180A2QPWRQ1
INA4180A3QPWRQ1
INA4180A4QPWRQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
VSSOP
VSSOP
VSSOP
VSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DGK
DGK
DGK
DGK
PW
5
5
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
18ID
NIPDAU
NIPDAU
1MN3
1MO3
1MP3
1MV3
5
5
NIPDAU
5
NIPDAU
5
NIPDAU
1MW3
1MX3
5
NIPDAU
5
NIPDAU
1MZ3
8
NIPDAUAG
NIPDAUAG
NIPDAUAG
NIPDAUAG
NIPDAU
1O16
8
1O26
8
1O36
8
1D26
14
14
14
14
4180A1Q
4180A2Q
4180A3Q
4180A4Q
PW
NIPDAU
PW
NIPDAU
PW
NIPDAU
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
25-Apr-2022
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF INA180-Q1, INA2180-Q1, INA4180-Q1 :
Catalog : INA180, INA2180, INA4180
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Catalog - TI's standard catalog product
•
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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3-Jun-2022
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
INA180A1QDBVRQ1
INA180A2QDBVRQ1
INA180A3QDBVRQ1
INA180A4QDBVRQ1
INA180B1QDBVRQ1
INA180B2QDBVRQ1
INA180B3QDBVRQ1
INA180B4QDBVRQ1
INA2180A1QDGKRQ1
INA2180A2QDGKRQ1
INA2180A3QDGKRQ1
INA2180A4QDGKRQ1
INA4180A1QPWRQ1
INA4180A2QPWRQ1
INA4180A3QPWRQ1
INA4180A4QPWRQ1
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
VSSOP
VSSOP
VSSOP
VSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DGK
DGK
DGK
DGK
PW
5
5
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
2500
2500
2500
2500
2000
2000
2000
2000
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
180.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
8.4
8.4
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
5.3
5.3
5.3
5.3
6.9
6.9
6.9
6.9
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.4
3.4
3.4
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5.6
5.6
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1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
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1.6
1.6
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4.0
4.0
4.0
4.0
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8.0
8.0
8.0
8.0
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8.0
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Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
5
8.4
8.0
5
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5
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5
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5
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5
8.4
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8
12.4
12.4
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8
8
8
14
14
14
14
PW
PW
PW
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
3-Jun-2022
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
INA180A1QDBVRQ1
INA180A2QDBVRQ1
INA180A3QDBVRQ1
INA180A4QDBVRQ1
INA180B1QDBVRQ1
INA180B2QDBVRQ1
INA180B3QDBVRQ1
INA180B4QDBVRQ1
INA2180A1QDGKRQ1
INA2180A2QDGKRQ1
INA2180A3QDGKRQ1
INA2180A4QDGKRQ1
INA4180A1QPWRQ1
INA4180A2QPWRQ1
INA4180A3QPWRQ1
INA4180A4QPWRQ1
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
VSSOP
VSSOP
VSSOP
VSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DBV
DGK
DGK
DGK
DGK
PW
5
5
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
2500
2500
2500
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2000
2000
2000
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210.0
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366.0
366.0
366.0
366.0
356.0
356.0
356.0
356.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
185.0
364.0
364.0
364.0
364.0
356.0
356.0
356.0
356.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
50.0
50.0
50.0
50.0
35.0
35.0
35.0
35.0
5
5
5
5
5
5
8
8
8
8
14
14
14
14
PW
PW
PW
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
1.45
0.90
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
(0.1)
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
1.9
(0.15)
4
3
0.5
5X
0.3
0.15
0.00
(1.1)
TYP
0.2
C A B
NOTE 5
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
0
TYP
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214839/G 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-178.
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.25 mm per side.
5. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
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相关型号：
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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