INA186-Q1 [TI]
符合 AEC-Q100 标准且具有皮安级输入偏置电流和使能引脚的 40V 双向高精度电流检测放大器;
| 型号： | INA186-Q1 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 符合 AEC-Q100 标准且具有皮安级输入偏置电流和使能引脚的 40V 双向高精度电流检测放大器 放大器 |
| 文件： | 总41页 (文件大小：2530K) |
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INA186-Q1
ZHCSJT1B –MAY 2019 –REVISED MARCH 2022
INA186-Q1 符合AEC-Q100 标准且具有皮安级IB 和使能引脚的40V、双向、高
精度电流感测放大器
1 特性
3 说明
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准：
– 温度等级1：–40°C 至+125°C，TA
• 提供功能安全
INA186-Q1 汽车类、低功耗电压输出电流感测放大器
（也被称为电流分流监控器）。此器件常用于监控直接
连接到汽车类 12V 电池的系统。INA186-Q1 可在独立
于电源电压的 –0.2V 至 +40V 的共模电压下感测分流
器上的压降。此外，输入引脚还具有 42V 的绝对最大
电压。
– 有助于进行功能安全系统设计的文档
• 宽共模电压范围VCM
：
–0.2V 至+40V，可承受高达42V 的电压（建议用
于汽车类12V 电池应用）
• 低输入偏置电流IIB：500 pA（典型值）
• 低功耗：
– 低电源电压VS：1.7V 至5.5V
– 低静态电流IQ：48 µA（典型值）
• 精度：
– 共模抑制比：120 dB（最小值）
– 增益误差EG：±1%（最大值）
– 增益漂移：10 ppm/°C（最大值）
– 失调电压VOS：±50μV（最大值）
– 失调漂移：0.5 μV/°C（上限）
• 双向电流感测功能
INA186-Q1 的低输入偏置电流允许使用较大的电流感
测电阻器，从而能够提供微安级的精确电流测量。零漂
移架构的低失调电压扩展了电流测量的动态范围。此功
能可支持较小的感应电阻器在具有较低功率损耗的同
时，仍提供精确的电流测量。
INA186-Q1 由 1.7V 至 5.5V 单电源供电，在启用时消
耗的最大电源电流为 90 μA。提供了五种固定增益选
项：25V/V、50V/V、100V/V、200V/V 或 500V/V。该
器件的额定工作温度范围为 –40°C 至 +125°C，并且
采用 SC70、SOT-23 (5) 和 SOT-23 (8) 封装。SC70
和 SOT-23 (DDF) 封装支持双向电流测量，而 SOT-23
(DBV) 仅支持单向电流测量。
• 增益选项：
– INA186A1-Q1：25 V/V
– INA186A2-Q1：50V/V
– INA186A3-Q1：100V/V
– INA186A4-Q1：200V/V
– INA186A5-Q1：500V/V
表3-1. 器件信息
器件型号
封装(1)
封装尺寸（标称值）
2.00mm × 1.25mm
2.90mm × 1.60mm
2.90mm × 1.60mm
SC70 (6)
INA186-Q1
SOT-23 (5)
SOT-23 (8)
2 应用
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的封装选项附
录。
• 车身控制模块(BCM)
• 远程信息处理控制单元
• 紧急呼叫(eCall)
• 12V 电池管理系统(BMS)
• 汽车音响主机
Bus Voltage
Supply Voltage
1.7 V to 5.5 V
RSENSE
LOAD
œ0.2 V to +40 V
CBYPASS
0.1 …F
0.5 nA
(typ)
0.5 nA
(typ)
ENABLE(2)
VS
INœ
OUT
ADC
Microcontroller
INA186-Q1
IN+
REF(1)
GND
(1) The REF pin is available in
SC70 and DDF packages
(2) The ENABLE pin is available
only in the DDF package.
典型应用
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SBOS386
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议运行条件.............................................................. 4
6.4 热性能信息..................................................................4
6.5 电气特性......................................................................5
6.6 典型特性......................................................................6
7 详细说明.......................................................................... 11
7.1 概述...........................................................................11
7.2 功能方框图................................................................ 11
7.3 特性说明....................................................................12
7.4 器件功能模式............................................................ 14
8 应用和实现.......................................................................18
8.1 应用信息....................................................................18
8.2 典型应用....................................................................23
9 电源相关建议...................................................................24
10 布局............................................................................... 25
10.1 布局指南..................................................................25
10.2 布局示例..................................................................25
11 器件和文档支持..............................................................28
11.1 文档支持..................................................................28
11.2 接收文档更新通知................................................... 28
11.3 支持资源..................................................................28
11.4 商标.........................................................................28
11.5 Electrostatic Discharge Caution..............................28
11.6 术语表..................................................................... 28
12 机械、封装和可订购信息...............................................28
4 修订历史记录
Changes from Revision A (May 2020) to Revision B (March 2022)
Page
• 将数据表标题从“INA186-Q1 适用于成本敏感型系统的汽车类40V 电流感测放大器”更改为“INA186-Q1 符
合AEC-Q100 标准且具有皮安级IB 和使能引脚的40V、双向、高精度电流感测放大器”................................1
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
• 向数据表添加了DDF (SOT-23) 封装和相关内容................................................................................................ 1
• 在“基准电压抑制比”末尾添加了RTI............................................................................................................... 5
Changes from Revision * (May 2019) to Revision A (May 2020)
Page
• 添加了“提供功能安全”信息.............................................................................................................................1
• 向数据表添加了DBV (SOT-23) 封装和相关内容................................................................................................ 1
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5 引脚配置和功能
REF
GND
VS
1
2
3
6
5
4
OUT
INœ
GND
OUT
VS
1
2
3
5
IN+
IN–
IN+
4
Not to scale
Not to scale
图5-1. DCK 封装6 引脚SC70 顶视图
图5-2. DBV 封装5 引脚SOT-23 顶视图
VS
ENABLE
REF
1
2
3
4
8
7
6
5
INœ
IN+
NC
GND
OUT
Not to scale
图5-3. DDF 封装8 引脚SOT-23 顶视图
表5-1. 引脚功能
引脚
类型
说明
DCK
DBV
DDF
名称
使能引脚。当此引脚驱动至VS 时，器件开启并用作电流检测放大器。当此引脚
驱动至GND 时，器件关闭，电源电流减小，输出置于高阻抗状态。如果不使用该
引脚，则必须从外部驱动它，或将它连接到VS。仅限DDF 封装。
ENABLE
2
—
—
数字输入
GND
2
5
1
4
4
8
模拟
接地
电流检测放大器负输入。对于高侧应用，连接至检测电阻的负载侧。对于低侧应
用，连接至检测电阻的接地侧。
IN–
模拟输入
电流检测放大器正输入。对于高侧应用，连接至检测电阻的总线电压侧。对于低
侧应用，连接至检测电阻的负载侧。
IN+
NC
4
5
7
6
5
模拟输入
—
—
—
无内部连接。可以悬空、接地或连接到电源。
OUT 引脚。该引脚提供一个模拟电压输出，此电压输出是从IN+ 引脚到IN–引
脚的增益电压差，被施加到REF 引脚的电压偏移。
OUT
6
2
模拟输出
基准输入。可通过外部施加的电压实现双向电流检测。仅限DCK 和DDF 封装。
没有REF 引脚的器件在内部将此节点连接到GND。
REF
VS
1
3
3
1
—
模拟输入
模拟
3
电源，1.7 V 至5.5 V
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
单位
VS
6
V
电源电压
模拟输入
(2)
42
差分电压(VIN+) –(VIN–
)
–42
GND –0.3
GND –0.3
GND –0.3
VIN+、
VIN–
V
VIN+、VIN–，相对于GND(3)
42
VENABLE ENABLE
REF、OUT(3)
6
(VS) + 0.3
5
V
V
进入任一引脚的输入电流(3)
mA
°C
°C
°C
TA
-55
150
工作温度
结温
TJ
150
Tstg
150
–65
存储温度
(1) 超出绝对最大额定值下所列的值的应力可能会对器件造成损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2)
VIN+ 和VIN- 分别为IN+ 和IN–引脚上的电压。
(3) 如果那个引脚上的电流被限定在5 mA，则任何引脚上输入电压都可能超过所显示的电压值。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合AEC Q100-002(1)
HBM ESD 分类等级2
±3000
V(ESD)
V
静电放电
充电器件模型(CDM)，符合AEC Q100-011
CDM ESD 分类等级C6
±1000
(1) AEC Q100-002 指示应当按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执行HBM 应力测试。
6.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
标称值
最大值
单位
VCM
40
V
GND –0.2
GND –0.2
1.7
共模输入范围
VIN+，VIN–
VS
40
5.5
VS
V
V
输入引脚电压范围
运行电源电压
VREF
TA
GND
V
基准引脚电压范围
自然通风工作温度
-40
125
°C
6.4 热性能信息
INA186-Q1
热指标(1)
DBV (SOT23)
5 引脚
176.3
DCK (SC70)
6 引脚
170.7
DDF (SOT23)
单位
8 引脚
164.6
86.6
84.3
7.1
RqJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RqJC(top)
105.6
132.7
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
RqJB
66.4
65.3
YJT
43.9
45.7
结至顶部特征参数
YJB
66.1
65.2
83.8
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
RqJC(bot)
不适用
不适用
不适用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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6.5 电气特性
TA = 25°C，VSENSE = VIN+ –VIN–，VS = 1.8V 至5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，且VENABLE = VS（除非另有说明）
参数
条件
最小值
典型值
最大值 单位
输入
VSENSE = 0mV，VIN+ = –0.1V 至40V，TA = –40°C 至
+125°C
CMRR
120
150
dB
共模抑制比
失调电压，RTI(1)
温漂，RTI
VOS
VS = 1.8V，VSENSE = 0mV
-3
0.05
-1
±50
µV
dVOS/dT
PSRR
IIB
0.5 µV/°C
±10 µV/V
VSENSE = 0V，TA = –40°C 至+125°C
VSENSE = 0mV，VS = 1.7V 至5.5V
VSENSE = 0mV
电源抑制比，RTI
输入偏置电流
输入失调电流
0.5
3
nA
nA
IIO
VSENSE = 0mV
±0.07
输出
25
50
A1 器件
A2 器件
G
100
V/V
A3 器件
增益
200
A4 器件
500
A5 器件
EG
-0.04%
2
±1%
VOUT = 0.1 V 至VS –0.1 V
TA=-40°C 至+125°C
VOUT = 0.1 V 至VS –0.1 V
增益误差
10 ppm/°C
增益误差漂移
非线性误差
±0.01%
VREF = 100mV 至VS –100mV，
TA = –40°C 至+125°C
RVRR
±2
1
±10 µV/V
nF
基准电压抑制比，RTI
最大容性负载
无持续振荡
电压输出
VSP
mV
mV
相对于VS 电源轨的摆幅
到GND 的摆幅
VS = 1.8V，RL = 10kΩ 至GND，TA = –40°C 至+125°C
(VS) –20
(VS) –40
VS = 1.8V，RL = 10kΩ 至GND，TA = –40°C 至+125°C，
VSENSE = –10mV，VREF = 0V
VSN
(VGND)+0.05
(VGND)1
VS = 1.8V，RL = 10kΩ 至GND，
TA = –40°C 至+125°C，VSENSE = 0mV，VREF = 0V
VZL
(VGND)2
(VGND)10
mV
零电流输出电压
频率响应
45
37
35
33
27
0.3
30
A1 器件，CLOAD = 10pF
A2 器件，CLOAD = 10pF
A3 器件，CLOAD = 10pF
A4 器件，CLOAD = 10pF
A5 器件，CLOAD = 10pF
VS = 5.0V，VOUT = 0.5V 至4.5V
从电流阶跃到最终值的1% 以内
BW
kHz
带宽
SR
tS
V/µs
µs
压摆率
趋稳时间
噪声，RTI(1)
nV/√
Hz
75
1
电压噪声密度
ENABLE
IEN
100
6
nA
V
0V ≤VENABLE ≤VS
输入漏电流
VIH
0.7 × VS
0
高电平输入电压
低电平输入电压
Hysteresis
VIL
0.3 × VS
V
VHYS
IODIS
300
1
mV
µA
5
VS = 5.0V，VOUT = 0V 至5.0V，VENABLE = 0V
输出泄漏已禁用
电源
VS = 1.8V，VSENSE = 0mV
48
65
90
µA
µA
IQ
静态电流
VS = 1.8V，VSENSE = 0mV，TA = –40°C 至+125°C
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TA = 25°C，VSENSE = VIN+ –VIN–，VS = 1.8V 至5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，且VENABLE = VS（除非另有说明）
参数
条件
最小值
典型值
最大值 单位
IQDIS
VENABLE = 0V，VSENSE = 0mV
10
100 nA
静态电流已禁用
(1) RTI = 以输入为参考。
6.6 典型特性
在TA = 25°C 时，VSENSE = VIN+ –VIN-，VS = 1.8V 至5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，VENABLE = VS，且适用于所有增益
选项（除非另有说明）
60
50
40
30
20
10
0
140
120
100
80
60
A1
A2
A3
A4
A5
40
20
-10
-20
0
10
10
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
D019
D020
VS = 5V
VS = 5V
图6-1. 增益与频率之间的关系
图6-2. 电源抑制比与频率之间的关系
Vs
160
140
120
100
80
-40°C
25°C
125°C
Vs-0.4
Vs-0.8
GND+0.8
GND+0.4
GND
60
40
0
1
2
3
4
5
6
7
Output Current (mA)
8
9
10 11
10
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
D010
D021
VS = 1.8V
A3 器件
图6-4. 输出电压摆幅与输出电流之间的关系
图6-3. 共模抑制比与频率之间的关系
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6.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C 时，VSENSE = VIN+ –VIN-，VS = 1.8V 至5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，VENABLE = VS，且适用于所有增益
选项（除非另有说明）
Vs
0.25
0.2
-40°C
25°C
125°C
Vs-1
0.15
0.1
Vs-2
0.05
0
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
-0.25
GND+2
GND+1
GND
0
5
10
15
20
25
Common-Mode Voltage (V)
30
35
40
0
5
10
15 20
Output Current (mA)
25
30
35
D024
D009
VS=5.0 V
VS=5.0 V
图6-5. 输出电压摆幅与输出电流之间的关系
图6-6. 输入偏置电流与共模电压之间的关系
0.25
0.2
80
VS = 1.8 V
VS = 3.3 V
VS = 5 V
75
70
65
60
55
50
45
40
35
0.15
0.1
0.05
0
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
-0.25
0
5
10
15
20
25
Common-Mode Voltage (V)
30
35
40
D025
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
VENABLE = 0V
Temperature (èC)
D027
图6-7. 输入偏置电流与共模电压间的关系（关断）
图6-8. 静态电流与温度间的关系（启用）
240
210
180
150
120
90
70
65
60
55
50
45
40
VS = 1.8 V
VS = 3.3 V
VS = 5.0 V
VS = 1.8 V
VS = 5 V
60
30
0
-30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-5
0
5
10
15
20
25
Common-Mode Voltage (V)
30
35
40
Temperature (èC)
D002
D029
VENABLE = 0V
VS=5.0 V
图6-9. 静态电流与温度间的关系（禁用）
图6-10. 静态电流与共模电压之间的关系
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6.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C 时，VSENSE = VIN+ –VIN-，VS = 1.8V 至5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，VENABLE = VS，且适用于所有增益
选项（除非另有说明）
100
80
70
60
50
40
30
20
10
10
100
1k
Frequency (Hz)
10k
100k
Time (1 s/div)
D030
D031
A3 器件
A3 器件
图6-11. 输入参考电压噪声与频率间的关系
图6-12. 0.1Hz 至10Hz 电压噪声（以输入为参考）
VCM
VOUT
Time (20 ms/div)
Time (250 ms/div)
D032
D033
VS = 5.0V，A3 器件
A3 器件
图6-13. 阶跃响应（10mVPP 输入阶跃）
图6-14. 共模电压瞬态响应
Inverting Input
Output
Non-inverting Input
Output
0 V
0 V
Time (250 ms/div)
Time (250 ms/div)
D034
D035
A3 器件
VS = 5.0V，A3 器件
图6-15. 反相差分输入过载
图6-16. 同相差分输入过载
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6.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C 时，VSENSE = VIN+ –VIN-，VS = 1.8V 至5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，VENABLE = VS，且适用于所有增益
选项（除非另有说明）
Supply Voltage
Output Voltage
Supply Voltage
Output Voltage
0 V
0 V
Time (10 ms/div)
Time (100 ms/div)
D036
D037
VS = 5.0V，A3 器件
图6-17. 启动响应
VS = 5.0V，A3 器件
图6-18. 欠压恢复
100
80
Enable
Output
IBP
IBN
60
40
20
0
-20
-40
-60
-80
0 V
-100
-110 -90 -70 -50 -30 -10 10 30 50 70 90 110
Differential Input Voltage (mV)
Time (250 ms/div)
D039
D038
VS = 5.0V，VREF = 2.5V，A1 器件
VS = 5.0V，A3 器件
图6-20. IB+ 和IB- 与差分输入电压间的关系
图6-19. 启用和禁用响应
25
1.25
1
IBP
IBN
-40èC
25èC
125èC
15
5
0.75
0.5
0.25
0
-5
-0.25
-0.5
-0.75
-1
-15
-25
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Output Voltage (V)
3.5
4
4.5
5
-60
-40
-20
0
20
Differential Input Voltage (mV)
40
60
D040
D047
VS = 5.0V，VENABLE = 0V，VREF = 2.5V
VS = 5.0V，VREF = 2.5V，A2、A3、A4、A5 器件
图6-21. IB+ 和IB- 与差分输入电压间的关系
图6-22. 输出泄漏与输出电压间的关系（A1、A2 和A3 器件）
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6.6 典型特性(continued)
在TA = 25°C 时，VSENSE = VIN+ –VIN-，VS = 1.8V 至5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，VENABLE = VS，且适用于所有增益
选项（除非另有说明）
5000
3
2.5
2
25èC
-40èC
125èC
A5
A1
A4
1000
1.5
1
A2
A3
100
10
1
0.5
0
-0.5
-1
Gain Variants
A1
A2
A3
A4
A5
-1.5
-2
-2.5
0.1
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Output Voltage (V)
3.5
4
4.5
5
100
1k
10k
Frequency (Hz)
100k
1M
10M
D048
D050
VS = 5.0V，VENABLE = 0V，VREF = 2.5V
VS = 5.0V，VCM = 0V
图6-24. 输出阻抗与频率间的关系
图6-23. 输出泄漏与输出电压间的关系（A4 和A5 器件）
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7 详细说明
7.1 概述
INA186-Q1 是一款低偏置电流、低失调电压、40V 共模电流检测放大器。DDF SOT-23 封装还附带一个使能引
脚。INA186-Q1 是一款专门设计的电流检测放大器，可在远超过电源电压的共模电压下精确测量电流检测电阻上
产生的电压。电流是在输入电压轨VIN+ 和VIN– 高达 40V、电源电压 VS 低至 1.7V 的条件下测量的。禁用时，输
出进入高阻抗状态，电源电流消耗降至 0.1µA 以下。INA186-Q1 适用于要求高精度和低电流消耗的低侧和高侧电
流检测配置。
7.2 功能方框图
ENABLE(1)
VS
INA186-Q1
IN+
IN–
–
–
+
+
OUT
–
+
REF(2)
GND
1. 仅DDF 封装提供ENABLE 引脚。
2. DBV 封装的REF 节点在内部连接到GND。
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7.3 特性说明
7.3.1 精密电流测量
INA186-Q1 允许在宽动态范围内进行精确的电流测量。该器件的高精度归因于低增益误差和失调电压规格。
INA186-Q1 的失调电压小于 ±50µV。在这种情况下，当VIN+ 接近VIN– 时，低失调电压可提高轻负载时的精度。
低失调电压的另一个优势是能够使用值较低的分流电阻器，以降低电流检测电路中的功率损耗并提高最终应用的
功效。
INA186-Q1 的最大增益误差指定为 ±1%。当检测到的电压比失调电压大得多时，增益误差成为电流检测测量中的
主要误差源。当器件监测接近满量程输出范围的电流时，总测量误差接近增益误差的值。
7.3.2 低输入偏置电流
INA186-Q1 不同于许多电流检测放大器，因为该器件提供非常低的输入偏置电流。INA186-Q1 的低输入偏置电流
具有三个主要优势。
第一个优势是降低了器件消耗的电流。典型的电流检测放大器拓扑通常在输入端消耗数十微安的电流。对于这些
放大器，输入电流是电阻器网络的结果，此网络用于设置增益和额外电流以偏置输入放大器。为将偏置电流降低
到接近零，INA186-Q1 在输入级使用电容耦合放大器，然后在输出级使用差分放大器。
低偏置电流的第二个优势是能够在放大信号之前，使用输入滤波器来抑制高频噪声。在传统的电流检测放大器
中，增加输入滤波器是以降低精度为代价的。但是，由于偏置电流较低，输入滤波器对 INA186-Q1 的测量精度影
响很小。
低偏置电流的第三个优势是能够使用较大的电流检测电阻。这种能力使器件能够准确地监测低至1µA 的电流。
7.3.3 具有输出使能的低静态电流
该器件具有低静态电流 (IQ)，同时仍提供足够的小信号带宽以在大多数应用中使用。INA186-Q1 的静态电流仅为
48µA（典型值），而在增益为 100 的情况下可提供 35kHz 的小信号带宽。低 IQ 和良好的带宽使器件可以在许多
便携式电子系统中使用，而不会过度消耗电池。由于许多应用只需要定期监测电流，因此 INA186-Q1 配备了使能
引脚，此引脚直至需要时才开启器件。处于禁用状态时，INA186-Q1 通常消耗10nA 的总电源电流。
7.3.4 双向电流监测
INA186-Q1 器件具有 REF 引脚，可以在两个方向上检测流经检测电阻的电流。双向电流检测能力是通过在 REF
引脚上施加电压以偏移输出电压来实现的。在输入端检测到的正差分电压会导致输出电压大于施加的基准电压。
同样，输入端的负差分电压会导致输出电压小于施加的基准电压。使用方程式 1 计算电流检测放大器的输出电
压。
VOUT = ILOADì RSENSE ìGAIN + V
REF
(1)
其中
• ILOAD 是要监测的负载电流。
• RSENSE 是电流检测电阻。
• GAIN 是所选器件的增益选项。
• VREF 是施加到REF 引脚的电压。
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7.3.5 高侧和低侧电流检测
INA186-Q1 支持 –0.2V 至 +40V 的输入共模电压。由于采用内部拓扑，因此共模范围不受电源电压 (VS) 限制。
INA186-Q1 能够在大于或小于VS 的共模电压下运行。图7-1 显示了一个有关如何将INA186-Q1 用于高侧和低侧
电流检测应用的示例。
Bus Supply
up to +40 V
IN+
High-Side Sensing
RSENSE
Common-mode voltage (VCM
is bus-voltage dependent.
)
INœ
LOAD
IN+
Low-Side Sensing
Common-mode voltage (VCM
is always near ground and is
)
RSENSE
isolated from bus-voltage spikes.
INœ
图7-1. 高侧和低侧检测连接
7.3.6 高共模抑制
INA186-Q1 在前端使用电容耦合放大器。因此，直流共模电压被下游电路阻断，导致非常高的共模抑制。通常，
INA186-Q1 的共模抑制大概为 150dB。INA186-Q1 具有抑制直流共模电压变化的能力，因此可在失调电压变化非
常小的情况下监测高压和低压轨电流。
7.3.7 轨到轨输出摆幅
INA186-Q1 允许在输出接近电源轨和接地的情况下进行线性电流检测操作。到正电源轨的最大规定输出摆幅为VS
– 40mV，到 GND 的最大规定输出摆幅仅为 GND + 1mV。接近电源轨的输出摆幅有助于更大限度地扩大可用输
出范围，尤其是在使用1.8V 电源运行器件时。
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7.4 器件功能模式
7.4.1 正常运行
INA186-Q1 在满足以下条件时处于正常运行状态：
• 电源电压(VS) 介于1.7V 和5.5V 之间。
• 共模电压(VCM) 在–0.2V 至+40V 的指定范围内。
• 最大差分输入信号乘以增益加上VREF 小于正摆幅电压VSP。
• ENABLE 引脚被驱动至或连接到VS。
• 最小差分输入信号乘以增益加上VREF 大于零负载摆幅至GND，即VZL（请参阅轨到轨输出摆幅）。
对于不具有 REF 引脚的器件，VREF 的值将为零。在正常运行期间，该器件生成一个输出电压，此电压是从 IN+
至IN–的差分电压加上施加到REF 引脚上的电压的放大表示。
7.4.2 单向模式
该器件可配置为根据REF 引脚的连接方式监测单向或双向流动的电流。图7-2 显示了在单向模式下运行的器件，
其中，当没有电流流动时，输出接近地电平。当电流从总线电源流向负载时，从 IN+ 到 IN- 的输入电压会增加，
并导致OUT 引脚的输出电压增加。
Bus Voltage
up to 40 V
VS
1.7 V to 5.5 V
RSENSE
CBYPASS
0.1 µF
Load
ISENSE
VS
INA186-Q1
INœ
Capacitively
Coupled
Amplifier
œ
OUT
REF
VOUT
+
IN+
GND
图7-2. 典型的单向应用
输出级的线性范围受限于在零输入条件下输出电压接近地电平的程度。INA186-Q1 的零电流输出电压非常小，对
于大多数单向应用，只是将 REF 引脚接地。但是，如果测得的电流乘以电流检测电阻和器件增益后小于零电流输
出电压，则将 REF 引脚偏置到高于零电流输出电压的合适值，从而使输出处于器件的线性范围内。为了限制共模
抑制误差，应缓冲连接到REF 引脚的基准电压。
一种不太常用的输出偏置方法是将 REF 引脚连接到电源电压 VS。当不存在差分输入电压时，这种方法会导致输
出电压在比电源电压低 40mV 时达到饱和。这种方法类似于当 REF 引脚接地时没有差分输入电压的输出饱和低电
平条件。此配置中的输出电压仅响应相对于器件IN– 引脚产生负差分输入电压的电流。在这些条件下，当负差分
输入信号增加时，输出电压从饱和电源电压向下移动。施加到REF 引脚上的电压不得超过VS。
REF 引脚在单向运行中的另一个用途是对输出电压进行电平转换。图 7-3 显示了一个应用，其中器件地设置为负
电压，从而可以测量偏置到负电源的电流（如光学网络卡中）。INA186-Q1 的 GND 可以设置为负电压，只要输
入不违反共模范围规格且 VS 和 GND 之间的电压差不超过 5.5V。在本例中，INA186-Q1 的输出馈送到正偏置模
数转换器 (ADC)。通过将 REF 引脚接地，输出端的电压将为正且不会损坏 ADC。为确保输出电压始终不会变为
负值，电源时序必须首先是正电源，然后是负电源。
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+ 1.8 V
-3.3 V
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
Load
VS
INA186-Q1
IN-
Capacitively
Coupled
Amplifier
œ
OUT
ADC
+
REF
IN+
GND
- 3.3 V
图7-3. 使用REF 引脚对输出电压进行电平转换
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7.4.3 双向模式
INA186-Q1 器件是具有REF 引脚的双向电流检测放大器，能够在两个方向上测量流经电阻分流器的电流。这种双
向监测在包含充电和放电操作的应用中很常见，在此类应用中，流过电阻的电流可能改变方向。
Bus Voltage
up to 40 V
VS
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
1.7 V to 5.5 V
Load
ISENSE
VS
INA186-Q1
INœ
Reference
Voltage
Capacitively
Coupled
Amplifier
œ
OUT
REF
VOUT
+
+
IN+
œ
GND
图7-4. 双向应用
通过向 REF 引脚施加电压，图7-4 显示了如何测量这一双向流动的电流。施加到 REF 的电压 (VREF) 设置与零输
入电平状态相对应的输出状态。然后，对于正差分信号（相对于 IN– 引脚），输出变为增至高于 VREF；而对于
负差分信号，则变为降至低于VREF。施加到 REF 引脚的这一基准电压可设置为0V 至VS 之间的任何值。对于双
向应用，VREF 通常设置为 VS/2，以便在两个电流方向上实现相等的信号范围。在某些情况下，VREF 设置为 VS/2
以外的电压；例如，当双向电流和相应的输出信号无需对称时。
7.4.4 输入差分过载
如果差分输入电压 (VIN+ – VIN–) 乘以增益超过电压摆幅规格，则 INA186-Q1 将其输出驱动至尽可能与正电源或
地电平接近，并且不提供差分输入电压的精确测量。如果在正常电路运行期间发生此输入过载，则降低分流电阻
器的阻值或使用带有所选检测电阻的较低增益版本，以避免这种运行模式。如果在受时间限制的故障事件中发生
差分过载，则INA186-Q1 输出将在消除故障条件后大概80µs 返回到预期值。
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7.4.5 关断
INA186-Q1 具有一个高电平有效 ENABLE 引脚，可在拉至接地时关断器件。当器件关断时，静态电流降至 10nA
（典型值），输出进入高阻抗状态。在电池供电的应用中，当不需要电流测量时，低静态电流可延长电池寿命。
当ENABLE 引脚驱动至电源电压时，器件重新开启。启用时的典型输出稳定时间为130µs。
禁用时，INA186-Q1 的输出进入高阻抗状态。图 7-5 显示了如何将 INA186-Q1 的多个输出连接到单个 ADC 或测
量器件。
以这种方式连接时，一次只启用一个INA186-Q1，并确保所有器件具有相同的电源电压。
RSENSE
Bus Voltage1
upto to +40 V
Supply Voltage
1.7 V to 5.5 V
LOAD
0.1 ꢀF
ENABLE(2)
GPIO1
VS
INœ
Microcontroller
ADC
OUT
INA186-Q1
IN+
GPIO2
REF(1)
GND
RSENSE
Bus Voltage2
upto to +40 V
Supply Voltage
1.7 V to 5.5 V
LOAD
0.1 ꢀF
ENABLE(2)
VS
INœ
OUT
INA186-Q1
IN+
(1) The REF pin is available in
SC70 and DDF packages
(2) The ENABLE pin is available
only in the DDF package.
REF(1)
GND
图7-5. 使用ENABLE 引脚多路复用多个器件
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8 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
8.1 应用信息
当电流经电阻流向负载或接地时，INA186-Q1 放大在电流检测电阻器两端产生的电压。INA186-Q1 具有高共模抑
制比，这使其可在宽范围的电压轨上使用，同时仍能维持精确的电流测量。
8.1.1 基本连接
图8-1 显示了 INA186-Q1 的基本连接。将器件放置在尽可能靠近电流检测电阻的位置，并通过开尔文连接将输入
引脚（IN+ 和IN–）连接到电流检测电阻。
Supply Voltage
1.7 V to 5.5 V
RSENSE
Bus Voltage
œ0.2 V to +40 V
LOAD
CBYPASS
0.1 …F
0.5 nA
(typ)
0.5 nA
(typ)
ENABLE(2)
VS
INœ
OUT
ADC
Microcontroller
INA186-Q1
IN+
REF(1)
GND
(1) The REF pin is available in
SC70 and DDF packages
(2) The ENABLE pin is available
only in the DDF package.
A. 为帮助消除器件和模数转换器(ADC) 之间的接地偏移量误差，请将REF 引脚连接到ADC 基准输入。当驱动SAR ADC 时，在INA186-
Q1 直接连接到ADC 之前对其输出进行滤波或缓冲。
图8-1. 基本连接
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8.1.2 RSENSE 和器件增益选择
通过选择尽可能大的电流检测电阻，可以尽量提高任何电流检测放大器的精度。较大的检测电阻可在给定电流量
下使差分输入信号达到最大，并减小失调电压的误差贡献。但是，由于电阻阻值和最大允许功率损耗不同，给定
应用对于电流检测电阻的阻值大小存在一些实际限制。方程式 2 给出了电流检测电阻在给定功率损耗预算下的最
大阻值。
PDMAX
RSENSE
<
2
IMAX
(2)
其中：
• PDMAX 是RSENSE 中的最大允许功率损耗。
• IMAX 是将流过RSENSE 的最大电流。
电流检测电阻的阻值和器件增益的其他限制取决于电源电压VS 和器件摆幅至轨限制。为确保电流检测信号适当地
传递到输出，必须检查正和负输出摆幅限制。方程式 3 提供了 RSENSE 和 GAIN 的最大值，以便防止器件超过正
摆幅限制。
IMAX ìRSENSE ìGAIN < VSP - VREF
(3)
其中：
• IMAX 是将流过RSENSE 的最大电流。
• GAIN 是电流检测放大器的增益。
• VSP 是数据表中指定的正输出摆幅。
• VREF 是REF 引脚上外部施加的电压。对于没有REF 引脚的器件，该电压为零。
为了避免在选择RSENSE 的值时出现正输出摆幅限制，在检测电阻值与所考虑的器件增益之间总是存在权衡。如果
为最大功率损耗选择的检测电阻太大，则可以选择增益较低的器件以避免正摆幅限制。
负摆幅限制对给定应用的检测电阻值可以小到何种程度施加了限制。方程式4 提供了对检测电阻最小值的限制。
IMIN ìRSENSE ìGAIN > VSN - VREF
(4)
其中：
• IMIN 是将流过RSENSE 的最小电流。
• GAIN 是电流检测放大器的增益。
• VSN 是器件的负输出摆幅（请参阅轨到轨输出摆幅）。
• VREF 是REF 引脚上外部施加的电压。对于没有REF 引脚的器件，该电压为零。
除了调节RSENSE 和器件增益之外，施加到REF 引脚的电压还可以略微高于GND，以避免负摆幅限制。
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8.1.3 信号调节
当在嘈杂的环境中执行精确的电流测量时，通常会对电流检测信号进行滤波。INA186-Q1 具有低输入偏置电流。
因此，可以在不牺牲电流检测精度的情况下向输入端添加差模滤波器。在输入端进行滤波是有利的，因为此操作
会在信号放大之前衰减差分噪声。图8-2 提供了一个示例，说明如何在器件的输入引脚上使用滤波器。
Bus Voltage
up to 40 V
VS
1.7 V to 5.5 V
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
Load
VS
Capacitively Coupled
Amplifier
INA186-Q1
RF
INœ
1
CF
œ
f3dB
=
OUT
REF
VOUT
RDIFF
4pRFCF
+
RF
IN+
GND
图8-2. 输入引脚上的滤波器
图8-3 显示RDIFF 的值是器件温度的函数。
6
A1
A2, A3, A4, A5
5
4
3
2
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Temperature (èC)
D115
图8-3. 差分输入阻抗与温度间的关系
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随着检测电阻两端的压降(VSENSE) 增加，输入滤波电阻器(RF) 两端的压降也增加。压降的增加会导致额外的增益
误差。这些电阻器引起的误差由方程式5 所示的电阻分压器公式计算得出：
≈
∆
«
’
RDIFF
Error(%) = 1-
ì100
∆
÷
÷
◊
RSENSE+ RDIFF + 2ìR
(
)
F
(5)
其中：
• RDIFF 为差分输入阻抗。
• RF 是串联滤波器电阻的增加值。
INA186-Q1 的输入级使用电容反馈放大器拓扑，以实现高直流精度。因此，INA186-Q1 可能会放大振幅较大
（10mV 或更高）和持续时间较长（数百纳秒或更多）的周期性高频分流电压（或电流）瞬态，即使瞬态大于器
件带宽也是如此。在这些应用中使用差分输入滤波器，以尽可能减少INA186-Q1 输出端的干扰。
INA186-Q1 的高输入阻抗和低偏置电流可在不影响电流测量精度的情况下，为输入滤波器设计提供灵活性。例
如，设置RF = 100Ω和CF = 22nF，可实现36.2kHz 的低通滤波器转角频率。这些滤波器值可显著衰减输入端最
不需要的高频信号，而不会严重影响电流检测带宽或精度。如果需要较低的转角频率，则增加CF 的值。
对输入进行滤波可滤除检测电阻两端的差分噪声。如果需要解决高频共模噪声，请在OUT 引脚与接地之间添加一
个 RC 滤波器。RC 滤波器有助于滤除差模和共模噪声以及器件内部产生的噪声。RC 滤波器的电阻值受负载阻抗
限制。负载消耗的任何电流都表现为从 INA186-Q1 OUT 引脚到负载输入的外部压降。要为输出滤波器选择更佳
的值，请使用图6-24 并参阅使用ZOUT 对负载感应放大器稳定性问题进行闭环分析应用报告
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8.1.4 共模瞬态电压
借助少量的附加电路，INA186-Q1 可用于承受的瞬态电压超过绝对最大额定电压的电路中。保护输入免受瞬态负
压影响的最简单方法是添加与 IN– 和 IN+ 引脚串联的电阻器。使用 1kΩ 或更小的电阻器，并将 ESD 结构中的
电流限制在 5mA 以下。例如，将 1kΩ 电阻器与 INA186-Q1 串联，可允许电压低至 -5V，同时将 ESD 电流限制
在5mA 以下。如果需要防护高电压正或负共模瞬态电压，则使用图8-4 和图8-5 所示的电路。实现这些电路时，
仅使用齐纳二极管或齐纳型瞬态吸收器（有时也称为瞬态吸收器）；因为任何其他类型的瞬态吸收器都有不可接
受的延时时间。首先添加一对用作齐纳二极管工作阻抗的电阻器（请参阅图8-4）。请使用尽可能小的电阻器，通
常为 100Ω 左右。对于使用多大的阻值会对增益产生影响，请参阅信号调节。该电路仅限制短期瞬态；因此，使
用 100Ω 电阻器以及最低可接受额定功率的常规齐纳二极管可满足许多应用的要求。这个组合使用最少的电路板
空间。这些二极管可使用小型的
SOT-523 或SOD-523 封装。
Bus Voltage
up to 40 V
VS
1.7 V to 5.5 V
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
Load
VS
INA186-Q1
RPROTECT
INœ
< 1 kW
Capacitively
Coupled
Amplifier
œ
OUT
REF
VOUT
+
RPROTECT
IN+
< 1 kW
GND
图8-4. 使用双齐纳二极管的瞬变保护
如果低功率齐纳二极管的瞬态吸收能力无法满足需求，必须使用功率更高的瞬态吸收器。更为高效的封装解决方
案是在器件的输入端之间使用单个瞬态吸收器和背对背二极管，如图 8-5 所示。最节省空间的解决方案是在
SOT-523 封装或 SOD-523 封装中使用两个串联二极管。在图 8-4 和图 8-5 所示的任一示例中，带有所有保护元
件的INA186-Q1 所需的总电路板面积小于SO-8 封装的面积，而且仅略微大于VSSOP-8 封装的面积。
Bus Voltage
up to 40 V
VS
1.7 V to 5.5 V
CBYPASS
0.1 µF
RSENSE
Load
VS
INA186-Q1
RPROTECT
INœ
< 1 kW
Capacitively
Coupled
Amplifier
œ
OUT
REF
Transorb
VOUT
+
RPROTECT
IN+
< 1 kW
GND
图8-5. 使用单个瞬态吸收器和输入钳位进行瞬态保护
如需更多信息，请参阅具有瞬态稳定性的电流分流监测器参考设计。
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8.2 典型应用
INA186-Q1 的低输入偏置电流可实现对小值电流的精确监测。为了精确监测微安级的电流，请增加检测电阻的值
以增加检测电压，从而减小失调电压引入的误差。图 8-6 显示了用于监测低值电流的电路配置。由于 INA186-Q1
的差分输入阻抗，应将RSENSE 的值限制在1kΩ或更小，以获得更佳精度。
RSENSE ≤ 1 kO
5 V
12 V
LOAD
0.1 ꢀF
VS
INœ
OUT
INA186-Q1
IN+
REF
GND
图8-6. 微安电流测量
8.2.1 设计要求
表8-1 列出了图8-6 中所示电路的设计要求。
表8-1. 设计参数
设计参数
示例值
5V
电源电压(VS)
总线电源轨(VCM
12V
1µA
)
最小检测电流(IMIN
)
150µA
25 V/V
0V
最大检测电流(IMAX
器件增益(GAIN)
)
基准电压(VREF
)
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8.2.2 详细设计过程
电流检测电阻的最大阻值是根据选择的增益、检测到的最大电流值 (IMAX) 以及电源电压 (VS) 计算得出的。在最大
电流下运行时，输出电压不得超过正输出摆幅规格 VSP。对于给定的设计参数，使用方程式 6 计算出 RSENSE 的
最大值为1.321kΩ。
VSP
RSENSE
<
IMAX ìGAIN
(6)
但是，由于此值超过了 RSENSE 的最大建议值，因此，必须使用 1kΩ的电阻值。当以最小电流值 IMIN 运行时，输
出电压必须大于摆幅至GND (VSN) 规格。对于本示例，使用方程式 7 计算最小电流下的输出电压，得出的结果为
25mV，这大于VSN 的值。
VOUTMIN = IMIN ìRSENSE ìGAIN
8.2.3 应用曲线
(7)
图8-7 显示了器件在表8-1 中给出的条件下和RSENSE = 1kΩ时的输出。
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
25
50
75
Input Current (µA)
100
125
150
D031
图8-7. 典型应用直流传递函数
9 电源相关建议
INA186-Q1 的输入电路能够准确地测量超过电源电压VS 的电压。例如，VS 可以为5V，而IN+ 和IN–上的总线
电源电压可高达 40V。但是，OUT 引脚的输出电压范围受 VS 引脚上的电压限制。INA186-Q1 还可在 IN+ 和
IN– 输入引脚上承受高达 40V 的全差分输入信号范围，无论器件是否在 VS 引脚上施加了电源。对于 VS 和 VIN+
或VIN– 没有时序控制要求。
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10 布局
10.1 布局指南
• 使用开尔文连接或4 线制连接将输入引脚连接到检测电阻器。这种连接技术可确保在输入引脚之间仅检测电流
检测电阻的阻抗。电流检测电阻布线不良通常会导致在输入引脚之间出现额外的电阻。鉴于电流电阻的欧姆值
非常低，任何额外的高载流阻抗都会导致严重的测量误差。
• 电源旁路电容器的位置应尽可能靠近器件电源引脚和接地引脚。建议使用0.1µF 的旁路电容器。可以添加额外
的去耦电容以补偿噪声或高阻抗电源。
• 在为从电流检测电阻到器件的连接进行布线时，应尽可能缩短布线长度。输入滤波电容器CF 应尽可能靠近器
件的输入引脚放置。
10.2 布局示例
Current Sense
Output
Connect REF to GND for
n low
Note: RF and CF are optional i
noise/ripple environments
Unidirectional Measurement
or to External Reference for
Bidirectional Measurement
RF
CF
1
2
3
6
5
4
OUT
IN-
REF
GND
VS
INA186-Q1
VIA to Ground Plane
RSHUNT
Supply Voltage
(1.7 V to 5.5 V)
IN+
CBYPASS
RF
VIA to Ground Plane
图10-1. SC70 (DCK) 封装的建议布局
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INA186-Q1
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n low
Note: RF and CF are optional i
noise/ripple environments
RF
CF
CBYPASS
Supply Voltage
(1.7 V to 5.5 V)
VS
1
2
3
4
8
7
6
5
IN-
RSHUNT
TI Device
IN+
ENABLE
Connect to VS
if not used
N.C.
OUT
REF
RF
IN+
GND
VIA to Ground Plane
Current Sense
Output
Connect REF to GND for
Unidirectional Measurement
or to External Reference for
Bidirectional Measurement
图10-2. SOT-23 (DDF) 封装的建议布局
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low
Note: RF and CF are optional in
noise/ripple environments
RF
CF
1
2
3
5
4
GND
OUT
VIA to Ground Plane
IN+
Current Sense
Output
TI Device
RSHUNT
Supply Voltage
(1.7 V to 5.5 V)
IN-
VS
CBYPASS
RF
VIA to Ground Plane
图10-3. SOT23-5 (DBV) 封装的建议布局
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11 器件和文档支持
11.1 文档支持
11.1.1 相关文档
请参阅以下相关文档：德州仪器(TI)，INA186EVM 用户指南
11.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
11.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
11.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
11.5 Electrostatic Discharge Caution
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled
with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may
be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published
specifications.
11.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
12 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
INA186A1QDBVRQ1
INA186A1QDCKRQ1
INA186A1QDDFRQ1
INA186A2QDBVRQ1
INA186A2QDCKRQ1
INA186A2QDDFRQ1
INA186A3QDBVRQ1
INA186A3QDCKRQ1
INA186A3QDDFRQ1
INA186A4QDBVRQ1
INA186A4QDCKRQ1
INA186A4QDDFRQ1
INA186A5QDBVRQ1
INA186A5QDCKRQ1
INA186A5QDDFRQ1
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
5
6
8
5
6
8
5
6
8
5
6
8
5
6
8
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
1ZSY
1EX
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
ACTIVE SOT-23-THIN
2C6W
1ZTY
1EZ
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SC70
ACTIVE SOT-23-THIN
2C7W
1ZUY
1F1
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SC70
ACTIVE SOT-23-THIN
2C8W
1ZVY
1F2
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SC70
ACTIVE SOT-23-THIN
2C9W
1ZWY
1F3
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SC70
ACTIVE SOT-23-THIN
2CAW
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
6-Apr-2022
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF INA186-Q1 :
Catalog : INA186
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Catalog - TI's standard catalog product
•
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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7-Apr-2022
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
INA186A1QDBVRQ1
INA186A1QDCKRQ1
INA186A1QDDFRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DDF
5
6
8
3000
3000
3000
180.0
180.0
180.0
8.4
8.4
8.4
3.23
2.47
3.2
3.17
2.3
1.37
1.25
1.4
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
SOT-
3.2
23-THIN
INA186A2QDBVRQ1
INA186A2QDCKRQ1
INA186A2QDDFRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DDF
5
6
8
3000
3000
3000
180.0
180.0
180.0
8.4
8.4
8.4
3.23
2.47
3.2
3.17
2.3
1.37
1.25
1.4
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
SOT-
3.2
23-THIN
INA186A3QDBVRQ1
INA186A3QDCKRQ1
INA186A3QDDFRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DDF
5
6
8
3000
3000
3000
180.0
180.0
180.0
8.4
8.4
8.4
3.23
2.47
3.2
3.17
2.3
1.37
1.25
1.4
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
SOT-
3.2
23-THIN
INA186A4QDBVRQ1
INA186A4QDCKRQ1
INA186A4QDDFRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DDF
5
6
8
3000
3000
3000
180.0
180.0
180.0
8.4
8.4
8.4
3.23
2.47
3.2
3.17
2.3
1.37
1.25
1.4
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
SOT-
3.2
23-THIN
INA186A5QDBVRQ1
INA186A5QDCKRQ1
INA186A5QDDFRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DDF
5
6
8
3000
3000
3000
180.0
180.0
180.0
8.4
8.4
8.4
3.23
2.47
3.2
3.17
2.3
1.37
1.25
1.4
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
SOT-
3.2
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
7-Apr-2022
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
23-THIN
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
INA186A1QDBVRQ1
INA186A1QDCKRQ1
INA186A1QDDFRQ1
INA186A2QDBVRQ1
INA186A2QDCKRQ1
INA186A2QDDFRQ1
INA186A3QDBVRQ1
INA186A3QDCKRQ1
INA186A3QDDFRQ1
INA186A4QDBVRQ1
INA186A4QDCKRQ1
INA186A4QDDFRQ1
INA186A5QDBVRQ1
INA186A5QDCKRQ1
INA186A5QDDFRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
DBV
DCK
DDF
5
6
8
5
6
8
5
6
8
5
6
8
5
6
8
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
183.0
213.0
210.0
183.0
213.0
210.0
183.0
213.0
210.0
183.0
213.0
210.0
183.0
213.0
210.0
183.0
191.0
185.0
183.0
191.0
185.0
183.0
191.0
185.0
183.0
191.0
185.0
183.0
191.0
185.0
20.0
35.0
35.0
20.0
35.0
35.0
20.0
35.0
35.0
20.0
35.0
35.0
20.0
35.0
35.0
SOT-23-THIN
SOT-23
SC70
SOT-23-THIN
SOT-23
SC70
SOT-23-THIN
SOT-23
SC70
SOT-23-THIN
SOT-23
SC70
SOT-23-THIN
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DDF0008A
SOT-23 - 1.1 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
PLASTIC SMALL OUTLINE
C
2.95
2.65
SEATING PLANE
TYP
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
A
6X 0.65
8
1
2.95
2.85
NOTE 3
2X
1.95
4
5
0.38
0.22
8X
0.1
C A B
1.65
1.55
B
1.1 MAX
0.20
0.08
TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.1
0.0
0 - 8
0.6
0.3
DETAIL A
TYPICAL
4222047/C 10/2022
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DDF0008A
SOT-23 - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
8X (1.05)
SYMM
1
8
8X (0.45)
SYMM
6X (0.65)
5
4
(R0.05)
TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4222047/C 10/2022
NOTES: (continued)
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
DDF0008A
SOT-23 - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
8X (1.05)
SYMM
(R0.05) TYP
8
1
8X (0.45)
SYMM
6X (0.65)
5
4
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4222047/C 10/2022
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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PACKAGE OUTLINE
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
1.45
0.90
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
(0.1)
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
1.9
(0.15)
4
3
0.5
5X
0.3
0.15
0.00
(1.1)
TYP
0.2
C A B
NOTE 5
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
0
TYP
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214839/G 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-178.
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.25 mm per side.
5. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
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相关型号：
SI9130DB
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VISHAY
SI9135LG-T1
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VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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